CN112349737B - 半导体器件及其形成方法、图像传感器 - Google Patents

半导体器件及其形成方法、图像传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN112349737B
CN112349737B CN202011164482.6A CN202011164482A CN112349737B CN 112349737 B CN112349737 B CN 112349737B CN 202011164482 A CN202011164482 A CN 202011164482A CN 112349737 B CN112349737 B CN 112349737B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
forming
film layer
groove
inverted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011164482.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112349737A (zh
Inventor
吴聪
谢岩
刘选军
杨帆
李侃
赵宇航
褚海波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co.,Ltd.
Original Assignee
Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd filed Critical Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202011164482.6A priority Critical patent/CN112349737B/zh
Publication of CN112349737A publication Critical patent/CN112349737A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112349737B publication Critical patent/CN112349737B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体器件及其形成方法、图像传感器。半导体器件的形成方法包括：提供衬底，在衬底的一侧表面形成多个沟槽，在垂直于衬底的截面上，沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；形成依次覆盖沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层；第三膜层的折射率、第二增透膜层的折射率以及第一增透膜层的折射率依次增大，以保证光线的传入是从光疏介质传到光密介质，从而将入射光反射率降到最低。沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小，扩展了硅片内的光路长度，增加了光的吸收效率；增强了衬底表面对入射光能的俘获能力，即减少光能反射损失,提高器件对光的吸收和转化效率。

Description

半导体器件及其形成方法、图像传感器
技术领域
本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件及其形 成方法、图像传感器。
背景技术
对于硅基的半导体器件(例如光电器件)而言，硅的表面反射率很高， 如果对硅表面不进行任何处理，那么它对可见光的反射率可达40％以上， 且对近红外光的反射率高达60％以上。晶体硅对光如此高的反射率，以 至于采用晶体硅制备的相关光电器件的量子效率非常不理想，最终严重制约其光电产品的应用领域和使用性能。
光电类芯片应用的原理是材料对光的吸收。然而材料对光的吸收是有 条件的。只有光波具有的能量大于禁带宽度，材料才能吸收光。从可见光 到近红外光，晶体硅对光子的吸收效率是逐渐下降的，即使目前晶体硅对 传统CMOS图像传感器(CIS)可见光范围具有不错的吸收效率，但是随着光 波从可见光到近红外，硅对光子的吸收问题将变得越来越突出，且必须引 起工程技术人员的关注和重视。通过增加硅的厚度可以提高材料对光子的吸收效率，但是硅厚度的增加将给半导体工艺带来非常巨大的挑战，其性 价比不高。因此，需要进一步提高半导体器件对光的吸收。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体器件及其形成方法、图像传感器， 提高半导体器件对光的吸收和转化效率。
本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：
提供衬底，在所述衬底的一侧表面形成多个沟槽，在垂直于所述衬底 的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；
形成依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜 层；所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增 透膜层的折射率依次增大。
进一步的，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面形状为倒梯 形或倒三角形；定义所述截面形状为倒梯形的沟槽为倒梯形沟槽，所述截 面形状为倒三角形的沟槽为倒三角形沟槽。
进一步的，所述倒梯形的底角范围为110°～120°。
进一步的，多个所述沟槽呈倒四棱锥阵列形状或倒四棱台阵列形状。
进一步的，所述倒梯形沟槽的形成方法包括：
在所述衬底的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，干法刻蚀所述衬底形成所述倒梯形沟槽；
其中，所述干法刻蚀的工艺中，刻蚀气体包括聚合物气体C4F8，所述 聚合物气体C4F8占总刻蚀气体的比例为15％～30％，源功率和偏置功率的比 例范围为4:1～6:1。
进一步的，所述倒三角形沟槽的形成方法包括：
在形成所述倒梯形沟槽的基础上，采用湿法刻蚀进一步刻蚀所述衬底， 形成所述倒三角沟槽；
其中，所述湿法刻蚀的工艺中，采用TMAH溶液进行刻蚀，所述TMAH 溶液质量浓度为20％～25％，所述湿法刻蚀时间为1min～12min。
进一步的，所述衬底的一侧表面依次形成有HK介质层和第一绝缘层， 所述沟槽贯穿所述第一绝缘层、所述HK介质层和部分厚度的所述衬底。
进一步的，所述倒三角形沟槽的形成方法包括：
在所述第一绝缘层的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，刻蚀所述第一绝缘层、所述HK介质层 和部分厚度的所述衬底，形成所述倒梯形沟槽；
采用湿法刻蚀所述倒梯形沟槽，所述HK介质层不易被刻蚀，形成顶 部开口内缩、具有帽檐的初始的倒三角形沟槽；
在所述初始的倒三角形沟槽中形成填充物；
干法刻蚀去除所述帽檐，形成所述倒三角形沟槽。
进一步的，所述倒三角形沟槽的形成方法包括：
在所述第一绝缘层的表面形成图形化的第一光阻；所述图形化的第一 光阻具有第一窗口；
以所述图形化的第一光阻为掩膜，干法刻蚀所述第一绝缘层和所述HK 介质层暴露出所述衬底；
在所述衬底和所述第一绝缘层上形成图形化的第二光阻，所述图形化 的第二光阻具有第二窗口；所述第二窗口小于所述第一窗口；
位于所述第二窗口两侧的所述图形化的第二光阻均至少覆盖部分宽度 的暴露出的所述衬底；
以所述图形化的第二光阻为掩膜，干法刻蚀所述衬底形成所述倒梯形 沟槽；
在形成所述倒梯形沟槽的基础上，采用湿法刻蚀进一步刻蚀所述衬底， 形成所述倒三角沟槽。
进一步的，在所述衬底的一侧表面形成第二绝缘层，所述沟槽贯穿所 述第二绝缘层和部分厚度的所述衬底。
进一步的，所述倒三角形沟槽的形成方法包括：
在所述第二绝缘层的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，干法刻蚀所述第二绝缘层暴露出所述衬 底；
干法刻蚀部分厚度的所述衬底，形成开孔；
在所述开孔处湿法刻蚀，形成所述倒三角形沟槽。
进一步的，所述倒梯形沟槽的形成方法包括：
在所述第一绝缘层的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，干法刻蚀所述第一绝缘层、所述HK介 质层和部分厚度的所述衬底；
形成所述倒梯形沟槽。
进一步的，所述倒梯形沟槽的形成方法包括：
在所述第二绝缘层的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，第一次干法刻蚀所述第二绝缘层暴露出 所述衬底；
第二次干法刻蚀所述衬底形成所述倒梯形沟槽。
本发明还提供一种半导体器件，包括：
衬底，在所述衬底的一侧表面形成有多个沟槽，在垂直于所述衬底的 截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；以及
依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层； 所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜 层的折射率依次增大。
进一步的，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面形状为倒梯 形或倒三角形。
进一步的，所述倒梯形的底角范围为110°～120°。
进一步的，所述衬底的一侧表面依次形成有HK介质层和第一绝缘层， 所述沟槽贯穿所述第一绝缘层、所述HK介质层和部分厚度的所述衬底； 或者所述衬底的一侧表面形成有第二绝缘层，所述沟槽贯穿所述第二绝缘 层和部分厚度的所述衬底。
本发明还提供一种图像传感器，包括：
衬底，所述衬底具有相对的衬底正面和衬底背面，在靠近所述衬底正 面一侧形成有光电二极管，在所述衬底背面形成有多个沟槽，在垂直于所 述衬底的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；
依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层； 所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜 层的折射率依次增大。
进一步的，所述衬底上形成有多个像素单元区域，相邻的像素单元区 域之间分布有深沟槽隔离，每个所述像素单元区域中形成有若个所述沟槽， 所述第三膜层还覆盖所述衬底背面，在每个所述像素单元区域上方依次分 布有滤色层和透镜层。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明提供一种半导体器件及其形成方法、图像传感器；半导体器件 的形成方法包括：提供衬底，在所述衬底的一侧表面形成多个沟槽，在垂 直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；形 成依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层；所 述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜层的折射率依次增大，以保证光线的传入是从光疏介质传到光密介质，从而 将入射光反射率降到最低。所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小， 扩展了硅片内的光路长度，增加了光的吸收效率，增强了衬底表面对入射 光能的俘获能力，即减少光能反射损失,提高器件对光的吸收和转化效率。
附图说明
图1为本发明实施例的一种半导体器件的形成方法流程图。
图2为本发明实施例的倒梯形沟槽示意图；
图3为本发明实施例的衬底表面形成有HK介质层的倒梯形沟槽示意 图；
图4为本发明实施例的倒三角形沟槽示意图；
图5为本发明实施例的衬底表面形成有HK介质层的倒三角形沟槽示 意图；
图6a至图6c为本发明实施例的第一种形成倒梯形沟槽的方法以及第 一种形成倒三角形沟槽的方法。
图7a至图7e为本发明实施例的第二种形成倒三角形沟槽的方法。
图8a至图8e为本发明实施例的第三种形成倒三角形沟槽的方法。
图9a至图9d为本发明实施例的第四种形成倒三角形沟槽的方法。
图10a至图10c为本发明实施例的第二种形成倒梯形沟槽的方法。
图11a和图11b为本发明实施例的第三种形成倒梯形沟槽的方法。
图12a至图12c为本发明实施例的第四种形成倒梯形沟槽的方法。
图13为本实施例提供的图像传感器的结构示意图。
图14为图13的局部放大示意图。
具体实施方式
基于上述研究，本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法、 图像传感器。以下结合附图和具体实施例对本发明进一步详细说明。根据 下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非 常简化的形式且使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明 实施例的目的。
本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，如图1所示，包括：
S1、提供衬底，在所述衬底的一侧表面形成多个沟槽，在垂直于所述 衬底的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；
S2、形成依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第 三膜层；所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第 一增透膜层的折射率依次增大，以保证光线的传入是从光疏介质传到光密 介质，从而将入射光反射率降到最低，提高半导体器件对光的吸收和转化效率。其他实施例中，覆盖沟槽的膜层也可以为四层或更多，覆盖沟槽的 膜层的折射率从靠近沟槽侧壁和底壁向外依次减小，以保证光从光疏介质进入光密介质，以增加光的折射减小光的反射，具体膜层数量不做限制， 根据实际需要配置。覆盖沟槽的膜层中，最外层的膜层还可填充所述沟槽， 例如覆盖沟槽的膜层为三层时，第三膜层除了覆盖第二增透膜层以外还填 充所述沟槽。
在所述衬底的一侧表面形成多个沟槽，这种结构也称之为细胞深沟槽 隔离(CDTI，Cell Deep Trench Isolation)，在垂直于所述衬底的截面上，所 述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；所述沟槽的截面形状可为倒梯 形或倒三角形。具体的，俯视看，多个沟槽呈倒四棱锥(倒金字塔)阵列 或倒四棱台阵列，多个沟槽在衬底表面密集分布，形成“绒面”结构。所 述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小，如此一来，根据斯涅耳定律，垂直于衬底的入射光线照射至所述沟槽侧面上，经折射进入衬底，接着在 衬底内部发生全反射。扩展了硅片内的光路长度，有效光程长度随着在衬 底中延长，增加了光的吸收效率。增加了光在衬底内部的反射次数，从而 来增强衬底表面对入射光能的俘获能力，即减少光能反射损失,提高器件 对光的吸收和转化效率。此种方法制备出来的衬底(例如硅衬底)表面一 般为黑色，通常称之为“黑硅”。
具体的，在垂直于所述衬底10的截面上，所述沟槽的截面形状可为倒 梯形。如图2所示，提供衬底10，在所述衬底10的一侧表面形成多个沟槽 40a，在垂直于所述衬底10的截面上，所述沟槽40a的截面形状为倒梯形， 所述沟槽40a的截面宽度从顶部到底部逐渐减小。形成依次覆盖所述沟槽 40a表面的第一增透膜层31a和第二增透膜层32a；形成覆盖所述第二增透 膜层32a且填充所述沟槽40a的第三膜层33a。其中，所述第三膜层33a的 折射率、所述第二增透膜层32a的折射率以及所述第一增透膜层31a的折 射率依次增大。如图3所示，所述衬底10的一侧表面还可依次形成有HK (高介电常数)介质层21和第一绝缘层22，HK介质层21例如为氧化铝、 氧化铪、氧化锆或其他HK(高介电常数)薄膜中的至少一种；第一绝缘层22 例如为氧化硅层或氮化硅层等。
所述沟槽40a贯穿所述第一绝缘层22、HK介质层21和部分厚度的所 述衬底10。第一增透膜层31a和第二增透膜层32a还依次覆盖所述第一绝 缘层22和HK介质层21的侧壁表面。示例性的，第一增透膜层31a、第二 增透膜层32a和第三膜层33a的材质均可以为氧化硅。
具体的，在垂直于所述衬底10的截面上，所述沟槽的截面形状可为倒 三角形。如图4所示，提供衬底10，在所述衬底10的一侧表面形成多个沟 槽40b，在垂直于所述衬底10的截面上，所述沟槽40b的截面形状为倒三 角形，所述沟槽40b的截面宽度从顶部到底部逐渐减小。形成依次覆盖所 述沟槽40b表面的第一增透膜层31b和第二增透膜层32b；形成覆盖所述第 二增透膜层32b且填充所述沟槽40b的第三膜层33b。其中，所述第三膜层 33b的折射率、所述第二增透膜层32b的折射率以及所述第一增透膜层31b 的折射率依次增大。如图5所示，所述衬底10的一侧表面还可形成有HK (高介电常数)介质层21和第一绝缘层22，所述沟槽40a贯穿所述第一绝 缘层22、HK介质层21和部分厚度的所述衬底10。第一增透膜层31b和第 二增透膜层32b还覆盖HK介质层21的侧壁表面、所述第一绝缘层22的 侧壁表面以及顶部表面。
在垂直于所述衬底10的截面上，所述沟槽的截面形状可为倒梯形或者 倒三角形。下面结合图6a至图12c介绍本实施例的半导体器件的沟槽形成方法的各步骤。
如图6a至图6c，介绍本实施例的第一种形成倒梯形沟槽的方法以及第 一种形成倒三角形沟槽的方法。
如图6a所示，提供衬底10，所述衬底10例如为硅衬底，在所述衬底 10的表面形成图形化的光阻51；如图6b所示，以所述图形化的光阻51为 掩膜，干法刻蚀所述衬底10形成倒梯形沟槽41a，倒梯形沟槽41a位于所 述沟槽底部的底角∠A范围为110°～120°，倒梯形沟槽41a的侧面倾斜角∠ B范围为60°～70°。控制干法刻蚀工艺过程中的功率、压力、气体以及时间， 来形成所述倒梯形沟槽41a。具体的，控制气体C4F8的应用以及源功率和 偏置功率的比例，气体C4F8占总刻蚀气体的比例为15％～30％，源功率和偏 置功率的比例范围为4:1～6:1。第一种形成倒梯形沟槽的方法直接在衬底 10上通过一次干法刻蚀，形成多个倒梯形沟槽41a，多个倒梯形沟槽41a 在衬底10表面密集分布，形成“绒面”结构，同时形成入射光吸收率较好 的衬底界面倾角(倒梯形沟槽41a的侧面倾斜角∠B)，保证在最大程度上减小入射光的反射率，提高半导体器件性能。
以上结合图6a和图6b介绍了第一种形成倒梯形沟槽的方法，第一种 形成倒三角形沟槽的方法可在第一种形成倒梯形沟槽的方法的基础上进一 步形成。结合图6a和图6b，如图6c所示，采用湿法刻蚀形成倒三角沟槽 41b，示例性的，采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液进行湿法刻蚀，所述 TMAH溶液质量浓度为20％～25％，所述湿法刻蚀时间为1min～12min， 湿法刻蚀形成倒三角沟槽41b。第一种形成倒三角沟槽的方法采用干法刻蚀 结合湿法刻蚀形成对入射光吸收良好的倒三角形沟槽41b，多个倒三角沟槽 41b在衬底10表面密集分布，形成“绒面”结构，CDTI形状均匀性、工 艺可控性均较好。
以下结合图7a至图7e介绍第二种形成倒三角形沟槽的方法。
如图7a至图7b所示，提供衬底10，所述衬底10例如为硅衬底，在所 述衬底10的一侧表面依次形成有HK(高介电常数)介质层21和第一绝缘 层22，HK介质层21例如为氧化铝、氧化铪、氧化锆或其他HK(高介电常 数)薄膜中的至少一种；第一绝缘层22例如为氧化硅层或氮化硅层等。半 导体器件用作光电材料，常常用到HK介质层，HK介质层既可以增加衬底表面光的透射率，也可以减少寄生电容。在所述第一绝缘层22的表面形成图形化的光阻56a。以所述图形化的光阻56a为掩膜，刻蚀所述第一绝缘层 22、HK介质层21和部分厚度的衬底10，形成倒梯形沟槽46a，倒梯形沟 槽46a的侧面倾斜角∠E范围为50°～70°。
如图7c所示，采用湿法TMAH溶液刻蚀所述倒梯形沟槽46a，形成初 始的倒三角形沟槽46a’，由于HK介质层21较致密，湿法刻蚀过程中，HK 介质层21不容易被刻蚀，因此初始的倒三角形沟槽46a’顶部两侧的HK介 质层21和第一绝缘层22会形成帽檐P的形状，该帽檐P影响光路需要去 除。如图7d所示，在所述初始的倒三角形沟槽46a’中形成填充物；具体的，采用化学气相沉积(CVD)在初始的倒三角形沟槽46a’中沉积BARC(Bottom AntiReflective Coating，底部抗反射涂层)。BARC流动性好，能很好的填 充初始的倒三角形沟槽46a’。在所述第一绝缘层22上方形成图形化的光阻 56b，在垂直于衬底10的截面上，图形化的光阻56b的开口截面宽度大于 等于初始的倒三角形沟槽46a’的最大截面宽度。如图7d和7e所示，以图 形化的光阻56b为掩膜，干法刻蚀去除凸出来的帽檐P，形成倒三角形沟槽46b。
第二种形成倒三角形沟槽的方法介绍了衬底上形成有HK介质层21和 第一绝缘层22，湿法刻蚀过程中因HK介质层21不易刻蚀，形成帽檐P 后，干法刻蚀去除帽檐P，最终形成对入射光吸收良好的倒三角形沟槽46b， 多个倒三角沟槽46b在衬底10表面密集分布，形成“绒面”结构，CDTI 形状均匀性、工艺可控性均较好。
以下结合图8a至图8e，介绍第三种形成倒三角形沟槽的方法。
如图8a和8b所示，提供衬底10，在所述衬底10的一侧表面依次形成 有HK介质层21和第一绝缘层22。在所述第一绝缘层22的表面形成图形 化的第一光阻52a，所述图形化的第一光阻具有第一窗口；以所述图形化的第一光阻52a为掩膜，干法刻蚀所述第一绝缘层22和HK介质层21暴露 出所述衬底10。如图8c和8d所示，在所述衬底10和所述第一绝缘层22上形成图形化的第二光阻52b，所述图形化的第二光阻52b具有第二窗口； 所述第二窗口小于所述第一窗口。位于所述第二窗口两侧的所述图形化的 第二光阻52b均至少覆盖部分宽度的暴露出的所述衬底10。以所述图形化 的第二光阻52b为掩膜，干法刻蚀所述衬底10形成倒梯形沟槽42a，倒梯 形沟槽42a的侧面倾斜角∠C范围为50°～75°，去除图形化的第二光阻52b， 暴露出衬底10位于倒梯形沟槽42a的两侧的顶部D。
如图8e所示，采用湿法刻蚀，采用湿法刻蚀形成倒三角沟槽42b，示 例性的，采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液进行湿法刻蚀，所述TMAH溶 液质量浓度为20％～25％，所述湿法刻蚀时间为1min～12min，湿法刻蚀形 成倒三角沟槽42b。
第三种形成倒三角形沟槽的方法，通过两次图形化的光阻，使衬底10 位于倒梯形沟槽42a的两侧的部分宽度的顶部D暴露出来，即衬底10的部 分宽度的顶部D没有HK介质层21覆盖，如此一来，在湿法刻蚀形成倒三 角沟槽过程中，避免了图7c中刻蚀不动HK介质层21出现帽檐P的问题。 多个倒三角沟槽42b在衬底10上密集分布，形成“绒面”结构。形成的CDTI形状均匀性、工艺可控性均较好。
以下结合图9a至图9d介绍第四种形成倒三角形沟槽的方法。
如图9a和图9b所示，提供衬底10，所述衬底10例如为硅衬底，在所 述衬底10的一侧表面形成第二绝缘层23，第二绝缘层23例如为氧化硅层 或氮化硅层等。在所述第二绝缘层23的表面形成图形化的光阻57。以所述 图形化的光阻57为掩膜，干法刻蚀所述第二绝缘层23暴露出所述衬底10。 如图9c所示，干法刻蚀部分厚度的所述衬底10，形成开孔K，在垂直于所 述衬底的截面上，所述开孔的截面形状为矩形。如图9d所示，在所述开孔K处湿法刻蚀，具体的，采用TMAH溶液对衬底进行湿法刻蚀，形成倒三 角形沟槽47b，倒三角形沟槽47b的侧面倾斜角∠F为54.7°。
第四种形成倒三角形沟槽的方法，介绍了衬底上没有HK介质层的情 况下，采用干法结合湿法形成倒三角形沟槽。
以下结合图10a至图11b介绍形成倒梯形沟槽的方法。所述倒梯形沟 槽的形成方法包括：
在所述第一绝缘层的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，干法刻蚀所述第一绝缘层、所述HK介 质层和部分厚度的所述衬底；
形成所述倒梯形沟槽。具体的，可采用两次干法刻蚀或一次干法刻蚀 形成倒梯形沟槽
如图10a至图10c，介绍第二种形成倒梯形沟槽的方法，采用两次干法 刻蚀形成倒梯形沟槽。如图10a至图10c，提供衬底10，所述衬底10例如 为硅衬底，在所述衬底10的一侧表面形成HK介质层21和第一绝缘层22。 在所述第一绝缘层22的表面形成图形化的光阻53。以所述图形化的光阻 53为掩膜，第一次干法刻蚀所述第一绝缘层22和HK介质层21暴露出所述衬底10。第二次干法刻蚀所述衬底10形成倒梯形沟槽43a，倒梯形沟槽 43a的侧面倾斜角∠D范围为60°～70°。第二种形成倒梯形沟槽的方法，介 绍了衬底上有HK介质层的情况下，采用两次干法刻蚀形成倒梯形沟槽。
如图11a和图11b，介绍第三种形成倒梯形沟槽的方法，采用一次干法 刻蚀形成倒梯形沟槽。如图11a和图11b，提供衬底10，所述衬底10例如 为硅衬底，在所述衬底10的一侧表面形成HK介质层21和第一绝缘层22。 在所述第一绝缘层22的表面形成图形化的光阻54，以所述图形化的光阻 54为掩膜，刻蚀所述第一绝缘层22、HK介质层21和部分厚度的衬底10， 形成倒梯形沟槽44a，倒梯形沟槽44a的侧面倾斜角∠D范围为60°～70°。 具体的，控制干法刻蚀工艺过程中的功率、压力、气体以及时间，来形成所述倒梯形沟槽44a。控制气体C4F8的应用以及源功率和偏置功率的比例， 气体C4F8占总刻蚀气体的比例为15％～30％，源功率和偏置功率的比例范围 为4:1～6:1。
第三种形成倒梯形沟槽的方法，介绍了衬底上有HK介质层的情况下， 采用一次干法刻蚀形成倒梯形沟槽。多个倒梯形沟槽44a在衬底10表面密 集分布，形成“绒面”结构，同时形成入射光吸收率较好的衬底界面倾角， 保证在最大程度上减小入射光的反射率，提高半导体器件性能。
以下结合图12a至图12c，介绍第四种形成倒梯形沟槽的方法。
如图12a至图12c所示，提供衬底12，所述衬底12例如为硅衬底，在 所述衬底10的一侧表面形成第二绝缘层23，第二绝缘层23例如为氧化硅 层或氮化硅层等。在所述第二绝缘层23的表面形成图形化的光阻55。以所 述图形化的光阻55为掩膜，干法刻蚀所述第二绝缘层23暴露出所述衬底 10。干法刻蚀所述衬底10形成倒梯形沟槽45a，倒梯形沟槽45a的侧面倾斜角∠D范围为60°～70°。
第四种形成倒梯形沟槽的方法，介绍了衬底上没有HK介质层的情况 下，采用两次干法刻蚀工艺形成倒梯形沟槽。
请注意，在本文中，“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等编号只是为 了对具有相同名称的各个不同部件或工艺进行区分之用，并不意味着顺序 或位置关系等。另外，对于具有相同名称的各个不同部件，例如“第一绝 缘层”和“第二绝缘层”等等，并不意味着它们都具有相同的结构或部件。
本实施例还提供一种半导体器件，包括：
衬底，在所述衬底的一侧表面形成有多个沟槽，在垂直于所述衬底的 截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；以及
依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层； 所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜 层的折射率依次增大；以保证光线的传入是从光疏介质传到光密介质，从 而将入射光反射率降到最低，提高半导体器件对光的吸收和转化效率。其 他实施例中，覆盖沟槽的膜层也可以为四层或更多，具体膜层数量不做限制，更据实际需要配置。
具体的，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面形状为倒梯形 或倒三角形。所述倒梯形位于所述沟槽底部的底角范围为110°～120°。
图13为本实施例提供的图像传感器的结构示意图，图14为图13的局 部放大示意图。如图13和图14所示，本实施例还提供一种图像传感器， 包括：
衬底60，所述衬底60具有相对的衬底正面f1和衬底背面f2，在靠近所 述衬底正面f1一侧形成有光电二极管，在所述衬底背面f2形成有多个沟槽 V，在垂直于所述衬底60的截面上，所述沟槽V的截面宽度从顶部到底部 逐渐减小；
依次覆盖所述沟槽V表面的第一增透膜层61、第二增透膜层52b和第 三膜层63；
其中，所述第三膜层63的折射率、所述第二增透膜层52b的折射率以 及所述第一增透膜层61的折射率依次增大；以保证光线的传入是从光疏介 质传到光密介质，从而将入射光反射率降到最低，提高半导体器件对光的 吸收和转化效率。其他实施例中，覆盖沟槽的膜层也可以为四层或更多， 具体膜层数量不做限制，根据实际需要配置。
图像传感器的衬底背面f2形成有多个沟槽V，在垂直于所述衬底60的 截面上，所述沟槽V的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；如此一来，根据 斯涅耳定律，垂直于衬底的入射光线照射至所述沟槽侧面上，经折射进入 衬底，接着在衬底内部发生全反射。扩展了硅片内的光路长度，有效光程 长度随着在衬底中延长，增加了光的吸收效率。增加了光在衬底内部的反 射次数，从而来增强衬底表面对入射光能的俘获能力，即减少光能反射损 失,提高图像传感器对光的吸收和转化效率。
具体的，所述第三膜层63还覆盖所述衬底背面f2；所述衬底60上形 成有多个像素单元区域A，相邻的像素单元区域A之间分布有深沟槽隔离 66，像素之间使用深沟槽隔离66抑制横向串扰。每个所述像素单元区域A 中形成有若个所述沟槽V，在每个所述像素单元区域内，所述第三膜层63 的上方依次分布有滤色层64和透镜层65。所述滤色层64位于所述第三膜 层63上方，所述滤色层包括多个滤色单元；所述透镜层65位于所述滤色 层64上方，所述透镜层65包括多个微透镜；其中，所述滤色单元、所述 微透镜与所述像素单元区域在垂直于所述衬底的方向上一一对应。衬底正 面f1一侧形成有介质层67，介质层67中分布有金属层68。
本实施例提供的图像传感器，具有非常低的反射率和很高的吸收效率。 密集分布的多个沟槽在衬底表面构成“绒面”结构，扩展了图像传感器硅 片内的光路长度，有效光程长度随着在硅片中延长，增加了光的吸收效 率。
综上所述，本发明提供一种半导体器件及其形成方法、图像传感器； 半导体器件的形成方法包括：提供衬底，在所述衬底的一侧表面形成多个 沟槽，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐 渐减小；形成依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层和第二增透膜层；以 及形成覆盖所述第二增透膜层且填充所述沟槽的第三膜层；其中，所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜层的折 射率依次增大，以保证光线的传入是从光疏介质传到光密介质，从而将入 射光反射率降到最低。所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小，扩展 了硅片内的光路长度，增加了光的吸收效率，增强了衬底表面对入射光能 的俘获能力，即减少光能反射损失,提高器件对光的吸收和转化效率。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的 都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即 可。对于实施例公开的方法而言，由于与实施例公开的器件相对应，所以 描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

Claims (12)

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底的一侧表面形成多个沟槽，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；
形成依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层；所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜层的折射率依次增大；
其中，所述衬底的一侧表面依次形成有HK介质层和第一绝缘层，所述沟槽贯穿所述第一绝缘层、所述HK介质层和部分厚度的所述衬底。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面形状为倒梯形或倒三角形；定义所述截面形状为倒梯形的沟槽为倒梯形沟槽，所述截面形状为倒三角形的沟槽为倒三角形沟槽。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述倒梯形的底角范围为110°～120°。
4.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，多个所述沟槽呈倒四棱锥阵列形状或倒四棱台阵列形状。
5.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述倒三角形沟槽的形成方法包括：
在所述第一绝缘层的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，刻蚀所述第一绝缘层、所述HK介质层和部分厚度的所述衬底，形成所述倒梯形沟槽；
采用湿法刻蚀所述倒梯形沟槽，所述HK介质层不易被刻蚀，形成顶部开口内缩、具有帽檐的初始的倒三角形沟槽；
在所述初始的倒三角形沟槽中形成填充物；
干法刻蚀去除所述帽檐，形成所述倒三角形沟槽。
6.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述倒三角形沟槽的形成方法包括：
在所述第一绝缘层的表面形成图形化的第一光阻；所述图形化的第一光阻具有第一窗口；
以所述图形化的第一光阻为掩膜，干法刻蚀所述第一绝缘层和所述HK介质层暴露出所述衬底；
在所述衬底和所述第一绝缘层上形成图形化的第二光阻，所述图形化的第二光阻具有第二窗口；所述第二窗口小于所述第一窗口；
位于所述第二窗口两侧的所述图形化的第二光阻均至少覆盖部分宽度的暴露出的所述衬底；
以所述图形化的第二光阻为掩膜，干法刻蚀所述衬底形成所述倒梯形沟槽；
在形成所述倒梯形沟槽的基础上，采用湿法刻蚀进一步刻蚀所述衬底，形成所述倒三角形沟槽。
7.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述倒梯形沟槽的形成方法包括：
在所述第一绝缘层的表面形成图形化的光阻；
以所述图形化的光阻为掩膜，干法刻蚀所述第一绝缘层、所述HK介质层和部分厚度的所述衬底；
形成所述倒梯形沟槽。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，在所述衬底的一侧表面形成有多个沟槽，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；以及
依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层；
所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜层的折射率依次增大；
所述衬底的一侧表面依次形成有HK介质层和第一绝缘层，所述沟槽贯穿所述第一绝缘层、所述HK介质层和部分厚度的所述衬底。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面形状为倒梯形或倒三角形。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述倒梯形的底角范围为110°～120°。
11.一种图像传感器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底具有相对的衬底正面和衬底背面，在靠近所述衬底正面一侧形成有光电二极管，在所述衬底背面形成有多个沟槽，在垂直于所述衬底的截面上，所述沟槽的截面宽度从顶部到底部逐渐减小；
依次覆盖所述沟槽表面的第一增透膜层、第二增透膜层和第三膜层；
所述第三膜层的折射率、所述第二增透膜层的折射率以及所述第一增透膜层的折射率依次增大；
其中，所述衬底的背面依次形成有HK介质层和第一绝缘层，所述沟槽贯穿所述第一绝缘层、所述HK介质层和部分厚度的所述衬底。
12.如权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，
所述衬底上形成有多个像素单元区域，相邻的像素单元区域之间分布有深沟槽隔离，每个所述像素单元区域中形成有若个所述沟槽，所述第三膜层还覆盖所述衬底背面，在每个所述像素单元区域上方依次分布有滤色层和透镜层。
CN202011164482.6A 2020-10-27 2020-10-27 半导体器件及其形成方法、图像传感器 Active CN112349737B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011164482.6A CN112349737B (zh) 2020-10-27 2020-10-27 半导体器件及其形成方法、图像传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011164482.6A CN112349737B (zh) 2020-10-27 2020-10-27 半导体器件及其形成方法、图像传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112349737A CN112349737A (zh) 2021-02-09
CN112349737B true CN112349737B (zh) 2024-03-22

Family

ID=74359111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011164482.6A Active CN112349737B (zh) 2020-10-27 2020-10-27 半导体器件及其形成方法、图像传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112349737B (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866956A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种减反射膜及其制备方法
CN102347352A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其制造方法
CN102468309A (zh) * 2010-11-01 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器及其形成方法
JP2012169530A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
CN103981508A (zh) * 2014-04-25 2014-08-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺
CN105874576A (zh) * 2013-12-25 2016-08-17 丰田自动车株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN106057836A (zh) * 2015-04-17 2016-10-26 台湾积体电路制造股份有限公司 图像感测器件及其制造方法
CN106537593A (zh) * 2014-05-09 2017-03-22 索尼公司 固态成像元件和电子设备
CN108463887A (zh) * 2016-01-21 2018-08-28 索尼公司 摄像器件和电子设备
CN207896093U (zh) * 2017-01-18 2018-09-21 半导体元件工业有限责任公司 图像传感器和成像系统
CN109979956A (zh) * 2019-04-10 2019-07-05 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法
CN110729314A (zh) * 2018-07-17 2020-01-24 联华电子股份有限公司 光学感测装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7154136B2 (en) * 2004-02-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation
US7315014B2 (en) * 2005-08-30 2008-01-01 Micron Technology, Inc. Image sensors with optical trench
JP5092251B2 (ja) * 2006-02-22 2012-12-05 住友電気工業株式会社 光検出装置
JP4846878B1 (ja) * 2011-04-22 2011-12-28 パナソニック株式会社 固体撮像装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866956A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种减反射膜及其制备方法
CN102347352A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其制造方法
CN102468309A (zh) * 2010-11-01 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos图像传感器及其形成方法
JP2012169530A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
CN105874576A (zh) * 2013-12-25 2016-08-17 丰田自动车株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN103981508A (zh) * 2014-04-25 2014-08-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺
CN106537593A (zh) * 2014-05-09 2017-03-22 索尼公司 固态成像元件和电子设备
CN106057836A (zh) * 2015-04-17 2016-10-26 台湾积体电路制造股份有限公司 图像感测器件及其制造方法
CN108463887A (zh) * 2016-01-21 2018-08-28 索尼公司 摄像器件和电子设备
CN207896093U (zh) * 2017-01-18 2018-09-21 半导体元件工业有限责任公司 图像传感器和成像系统
CN110729314A (zh) * 2018-07-17 2020-01-24 联华电子股份有限公司 光学感测装置
CN109979956A (zh) * 2019-04-10 2019-07-05 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112349737A (zh) 2021-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108962924B (zh) 形成图像传感器的吸收增强结构的方法
TWI488291B (zh) 固態成像裝置，其製造方法，及電子設備
WO2013121742A1 (ja) 撮像素子
US20190198536A1 (en) Image Sensor and Forming Method Thereof
JPH0799296A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR20200050333A (ko) 고성능 이미지 센서
CN109860219A (zh) 图像传感器及其形成方法
EP3550606A1 (en) Solid-state imaging element
CN110164897B (zh) 相位对焦图像传感器及其形成方法
KR100791842B1 (ko) 마이크로렌즈의 쉬프트가 필요 없는 이미지센서 및 그 제조방법
TWI713210B (zh) 圖像感測器以及用於形成圖像感測器的方法
CN104425519A (zh) 图像传感器及其形成方法
CN111341798B (zh) 一种感测装置及其封装方法
CN113380837B (zh) 具有表面微柱体结构的固态影像传感器暨其制作方法
CN112349737B (zh) 半导体器件及其形成方法、图像传感器
KR102413804B1 (ko) 후면 조명 이미지 센서를 위한 후면 굴절층 및 그 형성 방법
CN112349738A (zh) 半导体器件及其形成方法、图像传感器
CN108336103B (zh) 图像传感器及其形成方法
US11996435B2 (en) Polydimethylsiloxane antireflective layer for an image sensor
KR20210055145A (ko) 이미지 센서
JP4067175B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
CN110061020B (zh) 图像传感器及其形成方法、工作方法
TWI705561B (zh) 半導體結構及其製造方法
CN113903757A (zh) 图像感测器
JP2002033466A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee after: Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee before: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.

Country or region before: China