CN103298910B - 液晶介质的化合物及其用于高频组件的用途 - Google Patents

Abstract

本发明涉及具有至少三个环体系和两个在环体系之间的不饱和桥基的化合物，所述环体系中的至少一个为2，6-亚萘基；并且涉及该化合物用于高频组件的用途，特别是天线，尤其是用于千兆赫兹范围的。包含该化合物的液晶介质例如用于可调谐“相控阵”天线的微波相位移。

Description

液晶介质的化合物及其用于高频组件的用途

本发明涉及具有至少三个环体系和两个在环体系之间的不饱和桥基的化合物，所述环体系中的至少一个为2，6-亚萘基；并且涉及该化合物用于高频组件的用途，包含该化合物的液晶介质以及包含这些介质的高频组件，特别是天线，尤其是用于千兆赫兹范围的。液晶介质例如用于可调谐“相控阵”天线的微波相位移。

液晶介质长久以来用于光电显示器(液晶显示器-LCD)中以显示信息。

在公开文献EP0968988A1，DE19907941A1，DE10120024A1和JP08012599A中，1，4-二乙炔基苯衍生物被建议作为液晶组分。其中没有公开具有2，6-亚萘基的化合物。

在中心亚苯基环上具有烷基取代基的1-(苯基乙炔基)二苯乙炔(以下也被称为双二苯乙炔)已被本领域技术人员所知。例如出版物S.-T.Wu，C.-S.Hsu，K.-F.ShyuAppl.Phys.Lett.(1999)，74(3)，344-346公开了如下式所示的具有侧向甲基的不同的液晶双二苯乙炔化合物。

除了这类具有侧向甲基的液晶双二苯乙炔化合物之外，C.S.Hsu，K.F.Shyu，Y.Y.Chuang，S.-T.WuLiq.Cryst.(2000)，27(2)，283-287也公开了具有侧向乙基的相应的化合物并建议了其尤其在“液晶光学相控阵”中的用途。

Liao等人在Int.DisplayMaufacturingConference，Feb.21-24(2005)，Wed-P3-10中公开了如下式所示的异硫氰酸酯化合物作为液晶物质，

其中X₂表示H或F，并且R₂表示具有2至5个C原子的烷基链。

Gauza等人在Jap.J.Appl.Phys.(2004)，43，7634-7638中同样公开了如下式所示的异硫氰酸酯化合物以及具有该化合物的液晶介质。

在这些出版物中，没有报道作为高频应用的介质的用途。

在出版物D.J.Spells等人(2002)，LiquidCrystals，29(12)，1529-32中公开了所谓的茋-二苯乙炔-化合物。然而，该化合物并不具有2，6-亚萘基。在出版物Chin-YenChang等人(2008)，LiquidCrystals，35(1)，1-9中同样公开了芪-二苯乙炔-化合物，该化合物含有α-甲基芪基团，但不含有2，6-亚萘基。在出版物F.Babudri等人(2008)，Synthesis，10，1580-1588中公开了寡聚亚芳基亚乙烯，其也包括双二氟代芪。化合物被一系列在芳环上的不同极性基团(酸、酯、OH)取代，并且潜在的作为有机半导体。在该出版物中，没有关于液晶性能的报道。

下式的化合物和类似的衍生物被描述为有机薄膜晶体管的成分(EP2073290A1，WO2008/044695A1)和数据记录介质的成分(JP2004-082439A)。迄今为止还没有描述液晶的性能和其在液晶介质中的用途。

相似的具有2，6-萘体系的苯基乙炔作为具有高光学各向异性的液晶公开于US2002/0110650中。

然而，液晶介质近来也已经被推荐用于微波技术的部件或组件中，例如在DE102004029429A和JP2005-120208(A)中。

DE102004029429A(参见上文)描述了传统液晶介质在微波技术中的用途，特别是在移相器中。在该文献中已经研究了液晶介质的在相应的频率范围内的性质。

在高频技术中，液晶介质的工业有价值的应用基于它们的性质，即可以通过可变电压控制它们的介电性能，特别是在千兆赫兹范围中。因此，可以构造不包含移动部分的可调谐天线(A.Gaebler，A.Moessinger，F.Goelden，等人，″LiquidCrystal-ReconfigurableAntennaConceptsforSpaceApplicationsatMicrowaveandMillimeterWaves”，InternationalJournalofAntennasandPropagation，Vol.2009，ArticleID876989，7页，2009.doi：10.1155/2009/876989)。

出版物A.Penirschke，S.Müller，P.Scheele，C.Weil，M.Wittek，C.Hock和R.Jakoby：″CavityPerturbationMethodforCharacterizationofLiquidCrystalsupto35GHz″，Proc.34thEuropeanMicrowaveConf.2(2004)，Amsterdam，545-548，尤其描述了已知的液晶单个物质K15(MerckKGaA，德国)在9GHz频率下的性能。

然而，到目前为止已知的组合物和单个化合物一般都遭受有缺点。除了其它缺陷之外，它们之中的大多数导致了不利地高的损耗和/或不充分的相移或过低的材料品质。

对于高频技术中的应用而言，需要具有特别的、到目前为止不寻常的、不常用的性能或性能组合的液晶介质。

因此，需要具有改进性能的液晶介质的新组分。特别地，在微波范围内的损耗必须被降低，并且材料品质(η)必须被改进。对于可调谐天线而言，也需要在盒的电极之间的变化电压下具有快的反应时间的液晶介质。

此外，存在改进组件低温行为的需求。在此，需要不但在操作性能方面而且还在储存能力方面的改进。

因此，存在对具有适于相应的实际应用的适合性能的液晶介质的显著需求。

已令人惊奇地发现，根据本发明的化合物具有高的清亮点(向列相向各向同性相的转变)。同时，在微波范围中的损耗因子相对低而材料品质(η)非常高。此外，根据本发明的萘化合物具有极高的光学各向异性(Δn)，其显著高于同类型的苯的化合物。利用该效果，现已令人惊奇地发现，可以利用根据本发明的化合物来实现具有适合的向列相范围和高Δn的液晶介质，所述介质不具有现有技术的材料的缺点或至少仅以相当低的程度具有现有技术的材料的缺点。

本发明的第一方面涉及式I化合物在高频技术的组件中，特别是在移相器或关联多种功能的移相器中或在天线中的用途，

其中，

A¹，A²，A³，A⁴，A⁵彼此独立地，即使是在出现多次的情况下表示，

a)1，4-亚苯基，其中一个或多个、优选一个至两个CH-基团可以被N替代，或者如下式所示的2，6-亚萘基；

b)选自噻吩-2，5-二基、呋喃-2，5-二基或如下式所示的基团的基团

或者

c)反式-1，4-亚环己基或亚环己烯基，其中一个或两个不相邻的CH₂-基团也可以被-O-和/或-S-替代并且其中H可以被F替代，1，4-双环(2，2，2)-亚辛基，环丁-1，3-二基和螺[3，3]庚烷-2，6-二基；

并且其中在组a)、b)和c)中，一个或多个H原子还可以被根据L的定义的基团取代；

其中一个或多个基团A²、A³和A⁴表示如下式所示的基团，

L独立地表示具有1至12个C原子的支链或非支链的烷基、具有2至12个C原子的烯基或炔基，其中各自彼此独自地一个或多个氢原子可以被F或Cl替代并且一个或多个-CH₂-基团也可以被O替代，C₃-C₆环烷基或C₃-C₆环烯基，F、Cl、Br、CN、NCS、SCN或者SF₅，Z²，Z³独立地表示-C≡C-或者

Y¹，Y²彼此独立地表示H，F，Cl，C₁-C₁₀烷基，

Z¹，Z⁵彼此独立地表示单键，-C≡C-，-CH＝CH-，-CH₂O-，-(CO)O-，-CF₂O-，-CF₂CF₂-，-CH₂CF₂-，-CH₂CH₂-，-(CH₂)₄-，-CH＝CF-或-CF＝CF-，其中不对称的桥基可以向两侧取向。

R¹和R²各自独立地表示具有1至15个C原子的卤代或非取代烷基，其中在这些基团中一个或多个CH₂-基团还可以各个彼此独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CO)-、-S-和-O-以使得S或O原子不直接彼此相连的方式替代，F、Cl、Br、CN、CF₃、OCF₃、-NCS或SF₅；

R²还表示H，

m，n彼此独立地表示0，1或2，并且

p表示1或2，

移相器的组件包括包含一种或多种式I化合物的液晶介质。通常，天线为“相控阵”天线或微波组件。组件、天线或移相器优选为可调谐的。

本发明的第二方面涉及式I^*的化合物，

其中

A¹，A²，A³，A⁴，A⁵各个彼此独立地，即使是在出现多次的情况下表示，

a)1，4-亚苯基，其中一个或多个、优选一个至两个CH-基团可以被N替代，或者如下式所示的2，6-亚萘基；

b)选自噻吩-2，5-二基、呋喃-2，5-二基或如下式所示的基团的基团

或者

c)反式-1，4-亚环己基或亚环己烯基，其中一个或两个不相邻的CH₂-基团还可以被-O-和/或-S-替代并且其中H可以被F替代，1，4-双环(2，2，2)-亚辛基，环丁-1，3-二基和螺[3.3]庚烷-2，6-二基；

并且其中在组a)，b)和c)中，一个或多个H原子可以被根据L的定义的基团取代；

其中一个或多个基团A²、A³和A⁴表示如下式所示的基团

并且

其中，基团A²，A³和A⁴被总共至少一个或多个基团L取代；

L独立地表示具有1至12个C原子的支链或非支链的烷基、具有2至12个C原子的烯基或炔基，其中各自彼此独立地一个或多个氢原子可以被F或Cl替代并且一个或多个-CH₂-基团也可以被O替代，C₃-C₆环烷基或C₃-C₆环烯基，F、Cl、Br、CN、NCS、SCN或者SF₅；

Z²，Z³表示-C≡C-或者

Y¹，Y²彼此独立地表示H，F，Cl，C₁-C₁₀烷基；

Z¹，Z⁵彼此独立地表示单键，-C≡C-，-CH＝CH-，-CH₂O-，-(CO)O-，-CF₂O-，-CF₂CF₂-，-CH₂CF₂-，-CH₂CH₂-，-(CH₂)₄-，-CH＝CF-或-CF＝CF-，其中不对称的桥基可以向两侧取向；

R¹和R²各自独立地表示具有1至15个C原子的卤代或非取代烷基，其中在这些基团中一个或多个CH₂-基团还可以各自彼此独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CO)-、-S-和-O-以使得S或O原子不直接彼此相连的方式替代，F、Cl、Br、CN、CF₃、OCF₃或SF₅，

R²还表示H；

m，n彼此独立地表示0，1或2；并且

p表示1或2。

根据本发明使用的式I的化合物还包含具有-NCS端基的化合物和不含侧向基团L的化合物(参见，权利要求1)。在此，优选的是式I^*的化合物和优选的子式。只要没有明确指明“根据本发明使用的”式I的化合物，式I和I^*的化合物下文也被共同称为式I的化合物。

式I的化合物具有其中至少一个为2，6-亚萘基的至少三个环体系，所述环体系由特定的桥基(Z^2/3，任选地Z^1/5)连接。

在环A¹至A⁵之间的式-CY¹＝CY²-的双键(如果存在的话)以及在基团R¹和R²中任选的双键优选地具有反式构型(E-构型)。

式I的化合物具有高的清亮点、低的熔点和极高的光学各向异性(Δn)。在微波谱中的相对低的消耗因子，很高的可控制值和由此得到的高材料品质是有利的。单独地或以与另外的介晶组分的混合物形式的化合物在宽的温度范围内具有向列相。这些性能使它们特别适合用在高频技术的组件中，特别是在液晶移相器中。根据本发明的液晶介质具有相应的特性，例如宽的相范围以及除此之外良好的低温稳定性。

优选的式I化合物通过一个或多个以下的参数的选择来表征：

数字m优选地为0或1，特别优选为0。数字n优选为0或1，特别优选为0。m+n优选为0或1。m+n+p优选为1或2，即在式I中的环体系的总数优选为3或4。

基团A²，A³和A⁴特别优选地被总共一、二、三或四个基团L取代。

优选地，A²，A³和A⁴中的二个或三个基团，优选三个基团是根据a)或b)定义的基团，优选地为根据a)定义的基团。在此，一个或多个H原子还可以被根据L定义的基团取代。

一个或多个基团A³优选地表示2，6-亚萘基，优选为一个，并且p优选为1。

基团A²，A³或A⁴的一个特别优选地被至少一个基团L取代，并且特别优选地具有如下式所示的结构

其中，

L¹和L²独立地表示H或L，

其中优选地至少L¹或L²采用L的定义，即不表示H。

在具有高的介电各向异性的化合物的情况中，基团A²和A⁴之一被最多两个氟原子取代，所述氟原子优选地在末端取代基R¹/R²的邻位上。

环基团A¹和A⁵，如果存在的话，彼此独自地优选为1，4-亚苯基，其中一个或多个H原子也可以彼此独立地被根据L定义的基团替代。

桥基Z¹和Z⁵，如果存在的话，彼此独自地优选为单键、-C≡C-、-CF＝CF-或-CH＝CH-，特别优选是单键。高的Δn的值和良好的相性能尤其通过这些基团来支持。

Z²和Z³，优选地，一个为-C≡C-基团而另一个为-CF＝CF-基团，或者两者均为-C≡C-基团。Z²和Z³特别优选地，一个为-C≡C-基团而另一个为-CF＝CF-基团；在这样的组合中，实现特别宽的液晶相范围。

Y¹/Y²优选地为H/F，F/H，F/F，Cl/F，CH₃/F，F/CH₃或F/Cl并且特别优选地为F/F。

基团R¹或R²中的一个，优选为R¹，优选地表示具有1至15个C原子的直链烷基，其中在这些基团中一个或多个CH₂-基团还各自彼此独立地可以被-C≡C-，-CH＝CH-，-(CO)O-，-O(CO)-，-(CO)-，-S-或-O-以使得O原子不直接彼此相连的方式替代。基团R¹和R²优选地均为具有2至7个C原子的烷基。在此，R¹和R²表示例如丙基和己基或者丁基和丁基，此外还有丙基和戊基，丙基和己基或者丁基和戊基。

在本发明另一优选的实施方案中，基团R¹或R²为极性基团(F，Cl，CN，具有1至5个C原子的卤代烷基或卤代烷氧基，特别是CF₃或OCF₃或SF₅)。相应的式I的化合物具有明显正的介电各向异性(Δε)。Δε值优选为3或更多。

环基团A^1-5之一优选地具有选自下式的子结构：

其中，L^1/2如L定义并且特别优选地为F、甲基或乙基。

2，6-亚萘基可以未被取代或也可以被取代。优选地它们未被取代。其优选地具有以下意义之一：

其中，这些基团可以指向两侧，并且L在此优选地为F。

在以上和以下提到的式中基团L¹和L²或L优选地各自彼此独立地为F，Cl，CN，具有1至8个C原子的支链或非支链的烷基、烯基或炔基(其中彼此独立地一个或多个H原子可以被F或Cl替代，并且一个或多个“-CH₂-”基团还可以被O替代)，取代或未取代的环烷基或环烯基，特别优选地为F、Cl、具有1至5个C原子的烷基、具有2至5个C原子的烯基、环丙基或环丁基。优选地选自L^1/2的基团为F、甲基、乙基、环丙基或Cl，特别优选地为F，并且另一个基团如上定义，或者优选为F、Cl、具有1至5个C原子的烷基、具有2至5个C原子的烯基、环丙基或环丁基。

除了二氟化亚乙基桥之外，特别优选地为基团A^1-5，其是未取代的或者如此这样被单取代，即使得任选的取代基L显示在背离于氟化亚乙基桥的那侧：

在p＝2的情况中，两个环A³均优选地(但并不仅是)共同地为选自下式的联苯基：

其中L¹如L定义。

因此，本发明优选的实施方案由以下示例性的结构来表示：

其中，基团如式(I)中定义，特别是R¹和R²独立地表示具有2至7个C原子的烷基，例如一个为丙基而另一个基团为己基，或者两个基团同时为丙基、丁基、戊基或己基。Q例如表示S。L例如表示F、甲基或乙基。

式I的化合物可以有利地如以下示例性的合成所明示地来制备(方案1/2)。在此，参数R^1/2、A^1-5、Z^1/5、m和n如上下文定义。R具有R^1/2的含义。方案1和2充分地描述了对本文所提出的化合物的合成路径。根据化合物不同，仅仅得出在实施例部分所描述的实验的另一种顺序。

方案1

方案2

在方案1和2中，描述了特定化合物的合成。在此，基团“R”可以独立地概括为任意基团-(Z¹-A¹)_m-R¹或-(Z⁵-A⁵)_n-R²。同样地，中间环根据在其定义中的意义通过根据式I的基团-[A³]_p-来扩展。取代基L可以在不同位置上出现一次或多次。

根据本发明的液晶介质包含一种或多种式I化合物和任选地至少一种另外的、优选为介晶的化合物。因此，液晶介质优选包含两种或更多种化合物，其优选地为液晶的。优选的介质包含式I的优选化合物。

液晶介质的其他组分优选地选自式II的化合物：

其中

L¹¹表示R¹¹或X¹¹，

L¹²表示R¹²或X¹²，

R¹¹和R¹²彼此独立地表示具有1至17个、优选为3至10个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，或者表示具有2至15个、优选为3至10个C原子的未氟化的烯基、未氟化的炔基、未氟化的烯氧基或未氟化的烷氧基烷基，优选地表示烷基或未氟化的烯基，

X¹¹和X¹²彼此独立地表示F、Cl、Br、-CN、-NCS、-SCN、-SF₅，具有1至7个C原子的氟化烷基或氟化烷氧基，或者表示具有2至7个C原子的氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基，优选地表示氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，

p，q独立地表示0或1，

Z¹¹至Z¹³彼此独立地表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-C≡C-或单键，并且

彼此独自地表示

其中，L独立地表示具有1至12个C原子的支链或非支链的烷基、烯基或炔基(其中彼此独立地，一个或多个″-CH₂-″基团还可以被O替代)，C₃-C₆环烷基，C₃-C₆环烯基，氟化烷基或烯基，氟化烷氧基或烯氧基，F，Cl，Br，CN，NCS，SCN或SF₅。

在本发明一个优选的实施方案中，液晶介质包含一种或多种式I的化合物和一种或多种式II的化合物。

根据本发明的液晶介质优选地包含总共5至95％，优选10至90％并且特别优选15至80％的式I化合物。

根据本发明的液晶介质优选地包含选自式I和II的化合物的化合物，更优选地其主要由选自式I和II的化合物组成，再更优选地基本上由选自式I和II的化合物组成并且极其优选地完全由选自式I和II的化合物组成。

在本申请中，与组合物相关的“包含”表示，相关实体即介质或组分，其含有所示的一种或多种组分或者一种或多种化合物，优选以总浓度10％或者更多、且及其优选总浓度20％或更多含有它们。

与此相关的“主要由……组成”表示相关实体包含55％或更多，优选为60％或更多，和极其优选为70％或更多的所示一种或多种组分或者一种或多种化合物。

与此相关的“基本上由……组成”表示相关实体包含80％或更多，优选为90％或更多，和极其优选为95％或更多的所示一种或多种组分或者一种或多种化合物。

与此相关的“完全由……组成”表示相关实体包含98％或更多，优选为99％或更多，和极其优选100.0％的所示一种或多种组分或者一种或多种化合物。

根据本发明的液晶介质优选地包含总共10至100％、优选20至95％且特别优选25至90％的式I和式II化合物。

根据本发明，式II的化合物优选地以整个混合物的10％至90％、更优选15％至85％、再更优选25％至80％并且极其优选30至75％的总浓度来使用。

此外，液晶介质可以包含额外的添加剂如稳定剂、手性掺杂剂和纳米颗粒。各个加入的化合物以0.005至6％、优选0.1至3％的浓度来使用。这些额外成分的总浓度基于整个混合物计为0％至10％，优选0.1％至6％。然而，此处液晶混合物的其余成分的浓度数据，即液晶或介晶化合物的浓度数据，在不考虑这些添加剂的浓度的情况下给出。

液晶介质优选地包含0至10重量％，特别地0.01至5重量％和特别优选地0.1至3重量％的稳定剂。所述介质优选地包含一种或多种选自2，6-二-叔丁基苯酚、2，2，6，6-四甲基哌啶或2-苯并三唑-2-基-苯酚的稳定剂。这些助剂为技术人员所知并是商业上可获得的，例如作为防光致老化剂。

因此，本发明的一个实施方案还为制备液晶介质的方法，其特征在于，将一种或多种式I的化合物与一种或多种另外的化合物以及任选地与一种或多种添加剂混合。所述另外的化合物优选地选自如上所述的式II的化合物和任选的一种或多种另外的化合物。

在本发明中，术语介电正性化合物或组分以Δε＞3.0来描述，介电中性的以-1.5≤Δε≤3.0来描述，而介电负性的以Δε＜-1.5来描述。各个化合物的介电各向异性由在向列主体混合物中10％的各单个化合物的溶液的结果来确定。如果各个化合物在主体混合物中的溶解度小于10％，那么浓度就降低至5％。测试混合物的电容不但在具有垂面取向的盒中确定，而且在沿面取向的盒中确定。在这两种类型的盒中，层厚度为大约20μm。尽管施加的电压为具有1kHz的频率和通常0.5V至1.0V的有效值的矩形波，但是总是如此选择，使得它位于各个测试混合物的电容阈值以下。

Δε被定义为(ε_||-ε_⊥)，而ε_平均为(ε_||+2ε_⊥)/3。

对于介电正性化合物用混合物ZLI-4792作为主体混合物，而对于介电负性化合物和对于介电中性化合物用混合物ZLI-3086作为主体混合物，两者均来自MerckKGaA(德国)。化合物介电常数的绝对值由在加入感兴趣的化合物时主体混合物的各个值的变化来确定。将值外推到100％的感兴趣的化合物的浓度。

在20℃的测量温度下具有向列相的组分以其原样来测量，所有其他的如化合物一样来处理。

在本申请中，术语阈值电压是指最佳阈值并且是对于10％的相对对比度(V₁₀)给出的，术语饱和电压是指光学饱和并且是对于90％的相对对比度(V₉₀)给出的，在这两种情况下只要没有明确的相反指示。如果明确地提到，则仅使用电容阈值电压(V₀)，即所谓的Freedericks阈值V_Fr。

如果无明确地相反说明，在本申请中所示的参数范围全部包含边界值。

对不同的性质的范围而给出的不同的上下限值通过彼此结合得到额外的优选范围。

如果无明确地相反指示，在整个申请中适用以下的条件和定义。所有浓度以质量百分比给出并且各自以整个混合物来计；所有温度和所有温度差以摄氏度或差示度来给出。如果无明确地相反指示，所有对于液晶而言通常的物质性质均根据“MerckLiquidCrystals，PhysicalPropertiesofLiquidCrystals”，StandNov.1997，MerckKGaA(德国)来测定并且均是对于20℃的温度来描述的。在589.3nm的波长下，测定光学各向异性(Δn)。在1kHz的频率下，测定介电各向异性(Δε)。阈值电压以及所有其它的电光学性质用在MerckKGaA(德国)制备的测试盒来测定。用于测定Δε的测试盒具有大约20μm的层厚度。电极为具有面积为1.13cm²和护圈的圆形ITO-电极。对于垂面的配向(ε_||配向层为NissanChemicals(日本)的SE-1211以及对于沿面的配向(ε_⊥)为JapanSyntheticRubber(日本)的聚酰亚胺AL-1054。利用频率响应分析仪Solatron1260在使用具有0.3V_rms的电压的正弦波的情况下来对电容进行测定。在电光学测量时，使用白光作为光。在此，使用带有商业可得的Autronic-Melchers公司(德国)的装置DMS的结构。在垂直观察下测定特征电压。阈值电压(V₁₀)“中灰电压”(V₅₀)和饱和电压(V₉₀)针对10％、50％或90％的相对对比度来确定。

在其在微波频率范围内的性质方面研究液晶介质，如在A.Penirschke等人“CavityPerturbationMethodforCharacterizationofLiquidCrystalsupto35GHz”，34^thEuropeanMicrowaveConference-Amsterdam，第545-548页中所描述的。与此对照的还有A.Gaebler等人“DirectSimulationofMaterialPermittivities…”，12MTC2009-InternationalInstrumentationandMeasurementTechnologyConference，Singapore，2009(IEEE)，第463-467页，和DE102004029429A，其中同样详细地描述了测量方法。

将液晶填入由聚四氟乙烯(PTFE)或石英玻璃构成的毛细管中。该毛细管具有180μm的内半径和350μm的外半径。有效长度为2.0cm。将经填装的毛细管引入具有19GHz的共振频率的圆柱腔室的中部。该腔室具有11.5mm的长度和6mm的半径。接着，施加输入信号(“源”)并且用商业上的网络分析器(矢量网络分析器)来记录输出信号的结果。腔室的测量相应地适合其它频率。

由借助填装有液晶的毛细管的测量与不借助填装有液晶的毛细管的测量之间的共振频率与Q因子的变化，在相应的目标频率下，借助如上所述的出版物A.Penirschke等人，34^thEuropeanMicrowaveConference-Amsterdam，第545-548页中的公式10和11，如在那描述的那样来测定介电常数和损失角。

垂直和/或平行于液晶指向矢的性质的分量值通过液晶在磁场中的取向来获得。对此，使用永磁体的磁场。磁场的强度为0.35特斯拉。相应地设置磁体的取向并随后相应地旋转90°。

在μ波长范围内的介电各向异性被定义为

Δε_r≡(ε_r，||-ε_r，⊥)。

调制能力或可控制性(“可调谐性”τ)被定义为

τ≡(Δε_r/ε_r，||)。

材料品质(η)被定义为

η≡(τ/tanδ_εr，max.)，

其中tanδ_εr，max为最大介电损失因子：

tanδ_εr，max.≡Max.{tanδ_εr，⊥；tanδ_εr，||}

其由tanδ_εr测量值的最大值得到。

优选的液晶材料的材料品质(η)为6或更大，优选为7或更大，优选为10或更大，优选为15或更大，特别优选为25或更大并且极其特别地优选为30或更大。

优选的液晶材料在相应的组件中具有15°/dB或更大、优选20°/dB或更大、优选30°/dB或更大、优选40°/dB或更大、优选50°/dB或更大、特别优选80°/dB或更大并且极其特别优选100°/dB或更大的相移品质。

根据本发明的液晶介质优选具有每种情况下至少-20℃至80℃，优选-30℃至85℃且特别优选-40℃至100℃的向列相。特别优选地，所述相最高达到120℃或更高、优选最高140℃或更高并且特别优选最高180℃或更高。在此，术语“具有向列相”一方面表示在低温下在相应的温度下没有观察到近晶相和结晶，且在另一方面，即在由向列相加热时没有出现澄清。在低温下的研究通过在相应的温度下在流体粘度计中进行以及通过在层厚为5μm的测试盒中储存至少100小时来检测。在高温下，清亮点根据在毛细管中的常规方法来测量。

根据本发明的液晶介质具有90℃或更高、更优选100℃或更高、还更优选120℃或更高、特别优选150℃或更高且特别优选170℃或更高的清亮点。

根据本发明的液晶介质的Δε在1kHz和20℃下优选为1或更大，更优选为2或更大且特别优选地为3或更大。

根据本发明的液晶介质的Δn在589nm(Na^D)和20℃下优选为0.20或更大至0.90或更小，更优选地为0.25或更大至0.90或更小、再更优选地为0.30或更大至0.85或更小并且特别优选地为0.35或更大至0.80或更小。

在根据本发明的一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质的Δn优选地为0.50或更大，更优选地为0.55或更大。

此外，根据本发明的液晶介质通过在微波范围中的高各向异性来表征。双折射率例如在约8.3GHz下优选地为0.14或更大、特别优选地为0.15或更大、特别优选地为0.20或更大、特别优选地为0.25或更大并且极其特别优选地为0.30或更大。此外，双折射率优选为0.80或更小。

所使用的液晶或者为单一的物质或者为混合物。其优选地具有向列相。

在本发明中，如果无明确相反指示，术语“化合物”不仅表示一种化合物，而且还表示多种化合物。

包含根据本发明的液晶介质或至少一种化合物的优选的结构元件为移相器，可变电阻，天线阵(例如用于收发报机、移动电话、无线电、微波/雷达和其它数据传输的)，匹配回路自适应滤波器等。优选地为如上定义的高频技术组件。除此之外优选的是，通过不同施加的电压可调制的组件。极其特别优选的结构元件是可调谐的移相器。在优选的实施方案中，将多个移相器功能性地连接，由此得到相控制的天线组，通常被称为“相控阵”天线。天线组利用设置在矩阵中的发送或接收元件的移相，用以通过干扰来实现集束。可以由移相器的串列形式或点阵形式的平行设置来构建所谓的“相控阵”，这可以用作用于高频(例如，GHz范围)的可调谐的或被动式的发送或接收天线。根据本发明的“相控阵”天线具有非常广的可使用的接收锥(Empfangskegel)。

优选的用途为来自汽车、航运、飞行器、空间飞行和卫星技术领域的载人或不载人的运输工具上的雷达装置和数据传输装置。

为了制备用于高频技术的适合的部件，特别是适合的移相器，通常将根据本发明的液晶介质引入到小于1mm厚、若干mm宽且若干cm长的矩形腔室中。腔室具有沿两个长侧安置的、对置的电极。这样的设置为技术人员所熟悉。通过施加可变电压，可以在天线运行的过程中调谐液晶介质的介电性质，用以调节天线的不同频率和方向。

术语“卤素”或“卤化的”表示F，Cl，Br和I，特别地表示F和Cl，尤其表示F。

术语“烷基”优选地包括具有1至15个碳原子的直链和支链的烷基，特别是直链基团甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和庚基。具有2至10个碳原子的基团通常是优选的。

术语“烯基”优选地包括具有2至15个碳原子的直链和支链的烯基，特别地为直链基团。特别优选的烯基为C₂至C₇-1E-烯基、C₄至C₇-3E-烯基、C₅至C₇-4-烯基、C₆至C₇-5-烯基和C₇-6-烯基，特别地为C₂至C₇-1E-烯基、C₄至C₇-3E-烯基和C₅-至C₇-4-烯基。另外优选的烯基的实例为乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基等。具有最多5个碳原子的基团通常是优选的。

术语“烷氧基”优选地包括式C_nH_2n+1-O-的直链基团，其中n表示1至10。优选地，n为1至6。优选的烷氧基例如为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基。

术语“氧杂烷基”或“烷氧基烷基”优选地包括式C_nH_2n+1-O-(CH₂)_m的直链基团，其中n和m各自彼此独立地表示1至10。优选地，n为1且m为1至6。

术语“氟化烷基”优选地包括单氟化基团或多氟化基团。包括全氟化基团。特别优选的为CF₃、CH₂CF₃、CH₂CHF₂、CHF₂、CH₂F、CHFCF₃和CF₂CHFCF₃。

术语“氟化烷氧基”包括单氟化或多氟化基团。全氟基团是优选的。特别优选的为基团OCF₃。

术语“取代的环烷基”包括由烷基、特别是具有1至8个碳原子的烷基单取代或多取代的环烷基。

术语“取代的苯基”包括由如R¹定义的基团单取代或多取代的苯基，特别是由F、Cl、烷基或烷氧基取代的苯基。

术语“其中一个或多个“-CH₂-”基团可被-O-替代的烷基(烯基/炔基)”优选地涉及其中非末端的CH₂-基团被替代的那些基团。在通常的含义中也包括OH-基团。

在本申请中，“高频技术”表示具有1MHz至10THz、优选1GHz至3THz、更优选2GHz至1THz、特别优选5至300GHz的频率的应用。所述应用优选地位于微波范围或者适合通信的邻接范围内，在这些范围内“相控阵”模式可以用于发送天线和接收天线中。

本发明的液晶介质由一种或多种化合物组成，优选地由2至30种化合物组成，特别优选地由3至20种化合物组成且尤其优选地由3至16种化合物组成。这些化合物以常规的方式来混合。通常，将期望量的以较少量使用的化合物溶解于以较大量使用的化合物中。如果温度超过在高浓度下使用的化合物的清亮点，那么特别容易观察到溶解过程的完成。然而还可能的是，介质以其它常规的方式来制备，例如在使用所谓预混物的情况下，其中这可以是例如化合物的均匀的或低共熔的混合物；或者在使用所谓的“多瓶”体系的情况下，其组分本身是即用型的混合物。

所有温度例如熔点T(K，N)或T(K，S)、液晶的近晶相(S)向向列相(N)的转变T(S，N)和清亮点T(N，I)以摄氏度给出。所有温度差均以差示度给出。

在本申请和以下的实施例中，液晶化合物的结构以首字母缩写描述，其中根据下表A和B来转变为化学式。所有基团C_nH_2n+1和C_mH_2m+1为具有n或m个C原子的直链烷基；n、m和k为整数，并且优选地表示0，1，2，3，4，5，6，7，8，9，10，11或12。根据表B的编码是显而易见的。在表A中，只给出了基体的首字母缩写。在个别情况下，与基体的首字母分开地以短横线跟着取代基R^1*，R^2*，L^1*和L^2*的编码。

造合的混合物组分示于表A和表B中。

表A

表B

以下实施例阐释本发明，而不以任何方式限制本发明。

然而，从物理性质来看，技术人员清楚可以获得何种性质以及在何种范围改变它们。特别地，优选可以实现的不同性质的组合对于技术人员而言也是很好限定的。

在本申请中，如无明确相反指示，术语的复数既表示单数也表示复数，反之亦然。根据说明书的本发明的实施方案和变体的进一步的组合得自附加的权利要求。

使用的缩写

MTB甲基叔丁基醚

SiO₂硅胶

RT室温(大约20℃)

实施例

所使用的乙炔和硼酸是商业上可获得的或者可以类似于已知的合成方法来制备，这些都是本领域技术人员已知的。基团“C₄H₉”表示非支链的正丁基。相应地适用于C₃H₇、C₆H₁₃等。结构单元1，1，2-三氟代三乙基甲硅烷基乙烯根据F.Babudri等人，Eur.J.Org.Chem.2008，1977-1982来合成。其用于制备反式-1，2-二氟乙基-1-碘-2-芳基结构单元的用途描述在Babudri等人，Synthesis2008，1580-1588中。

合成实施例1：

1.11-溴-3-乙基-4-(4-正丁基苯基乙炔基)苯的合成

将20g(64.3mmol)的1-碘-2-乙基-4-溴苯和12g(64.3mmol)的4-正己基苯基乙炔首先置于300ml的三乙胺中，加入250mg(1.3mmol)的碘化铜(I)和900mg(1.3mmol)的双(三苯基膦)氯化钯(II)，在室温下搅拌3小时并且随后回流1小时。

将物料冷却，加入水和庚烷并且对相进行分离。用饱和的氯化钠溶液洗涤有机相，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。对残留物进行色谱柱(SiO₂，庚烷)纯化；产物作为无色的油获得。

1.22-溴-6-三氟甲磺酰-萘的合成

将25g(112mmol)6-溴-2-萘酚，21.1ml(157mmol)的三乙基胺和266mg的4-二甲基氨基-吡啶首先置于300ml的二氯甲烷中，在冰浴中冷却并且逐滴加入20ml(123mmol)的三氟甲磺酸酐。将物料搅拌过夜且与此同时加热直至室温。

随后小心地加入水且对相进行分离。用饱和的氯化钠溶液对有机相进行洗涤，通过硫酸钠干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。对残留物进行色谱柱(SiO₂，庚烷/二氯甲烷1∶1)纯化；产物作为无色的油获得。

1.36-丁基-2-三氟甲磺酰萘的合成

将39.1g(110mmol)的三氟甲磺酸盐和13.5g(132mmol)的硼酸用在875ml的甲苯中的48.8g(223mmol)磷酸钾、633mg(1.1mmol)的双(二亚苄基丙酮)钯(0)和1.65g(2.2mmol)的1，2，3，4，5-五苯基-1-二叔丁基-膦基-二茂铁回流16小时。

将物料冷却，加入水并且对相进行分离。用甲苯对水相进行萃取，用饱和的氯化钠溶液对合并的有机相进行洗涤，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。对残留物进行色谱柱(SiO₂，庚烷/MTB＝9∶1)纯化；通过从乙醇中的重结晶而进一步纯化。

1.46-丁基-2-(三甲基甲硅烷基乙炔基)萘的合成

将32.5g(～84mmol)的三氟甲磺酸盐和35.4ml(252mmol)的乙炔用在130ml二甲基甲酰胺中的29.1ml(210mmol)的三乙胺和2.95g(4.2mmol)的双(三苯基膦)氯化钯(II)回流16小时。

将物料冷却，加入水并且用MTB进行萃取。用饱和的氯化钠溶液对有机相进行洗涤，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。残留物在不进行进一步纯化的情况下用于接下来的反应。

1.56-丁基-2-乙炔基萘的合成

将39.7g(～85mmol)的甲硅烷基保护的乙炔首先置于250ml的四氢呋喃中并加入26.6g(102mmol)的四正丁基氟化铵。

在室温下16小时后，向物料中加入水和MTB，并且对相进行分离。用MTB对水相进行萃取，用饱和的氯化钠溶液对合并的有机相进行洗涤，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。对残留物进行色谱柱(SiO₂，庚烷)纯化；通过从乙醇中的重结晶而进行进一步纯化。

1.61-(6-正丁基-2-萘基乙炔基)-3-乙基-4-(4-正己基苯基乙炔基)苯的合成

将在79ml的1，4-二噁烷中的69mg(264μmol)的双(乙腈)氯化钯(II)、378mg(792μmol)的2-二环己基膦基-2′，4′，6′-三异丙基联苯和18.9g的碳酸铯(58mmol)加入到5.5g的(26.4mmol)乙炔和9.75g(26.4mmol)的溴化物中。

将物料在100℃下搅拌16小时，冷却，加入水和MTB，并且对相进行分离。用MTB对水相进行萃取，用饱和的氯化钠溶液对合并的有机相进行洗涤，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。对残留物进行色谱柱(SiO₂，庚烷)纯化，通过从异丙醇中的重结晶进行进一步纯化。

MS(EI)：m/z(％)＝496(100，M⁺)，453(11，[M-丙基]⁺)。

Δε＝+1.7

Δn＝0.45

K79N178I

合成实施例2：

2.12-碘-6-溴萘的合成

将46.8g(164mmol)的2，6-二溴萘首先置于400mlTHF中，冷却到-70℃并逐滴加入110ml的n-BuLi(在己烷中1.6M，175mmol)。在1小时后，将47g(185mmol)碘滴加到100ml的THF中，在-70℃下再搅拌2小时，直至温热到-30℃并且通过加入30ml(386mmol)的亚硫酸氢钠水溶液(w＝39％)而骤冷。

对相进行分离并且用MTB对水相进行萃取1次。用饱和的氯化钠溶液对合并的有机相进行洗涤，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。残余物的进一步纯化通过从庚烷/甲苯＝2∶1中的重结晶来进行。

2-碘-6-溴萘作为黄色固体获得。

2.22-溴-6-(2-乙基-4-正丁基苯基乙炔基)萘的合成

将16g(48mmol)的2-碘-6-溴萘和10g(48mmol)的2-乙基-4-正-丁基苯基乙炔首先置于250ml的三乙胺中，加入200mg(1mmol)的碘化铜(I)和720mg(1mmol)的双(三苯基膦)氯化钯(II)，并且回流16小时。

将物料冷却，加入水和MTB并且对相进行分离。用饱和的氯化钠溶液对有机相进行洗涤，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。对残留物进行色谱柱(SiO₂，庚烷)纯化。

2.32-(2-乙基-4-正丁基苯基乙炔基)萘-6-硼酸的合成

将7g(17.8mmol)的溴化物首先置于50ml的THF中，冷却到-70℃并且逐滴加入12.5ml的n-BuLi(在己烷中1.6M，19.9mmol)。在30分钟后，滴加2.3ml的三甲基硼酸盐(20.2mmol)，在-70℃下再搅拌30分钟，直至温热到0℃并且通过加入水来水解。

将物料用稀释的盐酸来酸化并用MTB萃取两次。用饱和的氯化钠溶液对合并的有机相进行洗涤，通过硫酸钠来干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。通过从庚烷的重结晶来进行残余物的进一步提纯。

2.42-(2-乙基-4-正丁基苯基乙炔基)-6-[E-1，2-二氟-2-(4-正丁基-苯基)-亚 乙烯基]-萘的合成

将4.9g(13.8mmol)的硼酸和6.5g(18.4mmol)的碘化物首先置于35ml的甲苯中，并且加入在6.5ml水中的4.3g(40.6mmol)的碳酸钠和22ml的乙醇，之后加入780mg(6.75μmol)的四(三苯基膦)钯(0)。将物料回流16小时，冷却并对相进行分离。

用MTB对水相进行萃取，用饱和的氯化钠溶液对合并的有机相进行洗涤，通过硫酸钠干燥、过滤并且在旋转蒸发器中浓缩。对残留物进行色谱柱(SiO₂，庚烷)纯化，通过从异丙醇的重结晶来进行进一步纯化。

MS(EI)：m/z(％)＝506(100，M⁺)，463(15，[M-丙基]⁺)，210(17，[M-2x丙基]²⁺)。

Δε＝+2.4

Δn＝0.46

γ₁＝2213mPa·s

K72N235I

如实施例1和/或实施例3所述合成以下：

3)1-(6-正丁基-2-萘基乙炔基)-2-乙基-4-(4-正己基苯基乙炔基)苯

MS(EI)：m/z(％)＝496(100，M⁺)，425(11，[M-戊基]⁺)。

Δε＝+2.0

Δn＝0.45

γ₁＝8846mPa·s

K58N178I

4)2-(2-乙基-4-正丁基苯基乙炔基)-6-(4-正丁基苯基乙炔基)萘

MS(EI)：m/z(％)＝468(100，M⁺)，425(20，[M-丙基]⁺)，191(16，[M-2x丙基]²⁺)。

Δε＝+3.0

Δn＝0.47

γ₁＝3442mPa·s

K97N196I

5)双-2，6-(2-乙基-4-正丁基-苯基乙炔基)萘

MS(EI)：m/z(％)＝496(100，M⁺)，453(13，[M-丙基]⁺)，205(12，[M-2x丙基]²⁺)。

Δε＝+0.9

Δn＝0.425

γ₁＝3538mPa·s

K138I

6)双-2，6-(4-正丁基苯基乙炔基)萘

MS(EI)：m/z(％)＝440(100，M⁺)，397(31，[M-丙基]⁺)，354(19，[M-2x丙基]⁺)，177(19，[M-2x丙基]²⁺)。

Δε＝+3.2

Δn＝0.52

K165N263I

7)2-(5-正丁基-噻吩-1-乙炔基)-6-(2-乙基-4-正丁基-苯基乙炔基)萘

MS(EI)：m/z(％)＝474(100，M⁺)，431(27，[M-丙基]⁺)，194(18，[M-2x丙基]²⁺)。

Δε＝+1.8

Δn＝0.47

γ₁＝2489mPa·s

C66N105I

8)2-(2-乙基-4-正丁基-苯基乙炔基)-6-(4-正丁基-苯基乙炔基)-3，4，5-三氟- 萘

9)1-(6-正丁基硫-2-萘基乙炔基)-2-乙基-4-(4-正己基-苯基乙炔基)-苯

MS(EI)：m/z(％)＝500(100，M⁺)，485(2)，457(5)，443(5)，429(2)，400(10)，385(5)。

Δε＝+3.3

Δn＝0.51

γ₁＝12740mPa·s

K120N175I

10)1-(6-正丁基硫-2-萘基乙炔基)-2-乙基-4-(3，4，5-三氟-苯基乙炔基)苯

MS(EI)：m/z(％)＝498(100，M⁺)，483(3)，441(9)，427(10)，407(5)，393(10)，382(4)。

Δε＝+11.4

Δn＝0.46

γ₁＝4180mPa·s

K83N107I

混合物的实施例

制备液晶介质C-1作为具有如下表给出的组成和性质的对照基础混合物。

每种情况下将来自合成实施例的10重量％的测试物质加入到介质中，使之均化，并测量物理性质。

混合物实施例M-1

10％的1-(6-正丁基-2-萘基乙炔基)-3-乙基-4-(4-正己基-苯基乙炔基)苯(合成实施例1，步骤1.6)

90％的C-1

混合物实施例M-2

10％的2-(2-乙基-4-正丁基-苯基乙炔基)-6-[E-1，2-二氟-2-(4-正丁基苯基)乙炔基]萘(合成实施例2，步骤2.4)

90％的C-1

结果和与基础混合物C-1的对比在表1中描述。

将混合物M-1/2用于在微波范围中的用途，特别是用于“相控阵”天线的移相器。

表1：19GHz(20℃)下混合物的性质

可控制性τ和材料品质η相对于对比混合物C-1有显著改进。降低了介电损失因子tanδ_ε，r。

Claims (14)

1.液晶介质在用于高频技术的组件中的用途，其特征在于该液晶介质包含一种或多种式I的化合物，且额外包含一种或多种式II的化合物；

其中，

A¹，A²，A³，A⁴，A⁵彼此独立地表示，

a)1,4-亚苯基，其中一个或多个CH-基团可以被N替代，或者如下式所示的2,6-亚萘基；

b)选自噻吩-2,5-二基、呋喃-2,5-二基或如下式所示的基团的基团

或者

c)反式-1,4-亚环己基或亚环己烯基，其中一个或两个不相邻的CH₂-基团也可以被-O-和/或-S-替代并且其中H可以被F替代，1,4-双环(2,2,2)-亚辛基，环丁-1,3-二基和螺[3,3]庚烷-2,6-二基；

并且其中在组a)、b)和c)中，一个或多个H原子还可以被根据L的定义的基团取代；

其中一个或多个基团A²、A³和A⁴表示如下式所示的基团，

式I定义中L独立地表示具有1至12个C原子的支链或非支链的烷基、具有2至12个C原子的烯基或炔基，其中各自彼此独自地一个或多个氢原子可以被F或Cl替代并且一个或多个“-CH₂-基团”也可以被O替代，C₃-C₆环烷基或C₃-C₆环烯基，F、Cl、Br、CN、NCS、SCN或者SF₅，

Z²，Z³独立地表示-C≡C-或者

Y¹，Y²彼此独立地表示H，F，Cl，C₁-C₁₀烷基，

Z¹，Z⁵彼此独立地表示单键，-C≡C-，-CH＝CH-，-CH₂O-，-(CO)O-，-CF₂O-，-CF₂CF₂-，-CH₂CF₂-，-CH₂CH₂-，-(CH₂)₄-，-CH＝CF-或-CF＝CF-，其中不对称的桥基可以向两侧取向；

R¹和R²各自独立地表示具有1至15个C原子的卤代或非取代的烷基，其中在这些基团中一个或多个CH₂-基团还可以各个彼此独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CO)-、-S-和-O-以使得S或O原子不直接彼此相连的方式替代，F、Cl、Br、CN、CF₃、OCF₃、-NCS或SF₅；

R²还表示H，

m，n彼此独立地表示0，1或2，并且

p表示1或2；

其中，

L¹¹表示R¹¹或X¹¹，

L¹²表示R¹²或X¹²，

R¹¹和R¹²彼此独立地表示具有1至17个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，或者具有2至15个C原子的未氟化的烯基、未氟化的炔基、未氟化的烯氧基或未氟化的烷氧基烷基，

X¹¹和X¹²彼此独立地表示F，Cl，Br，-CN，-NCS，-SCN，-SF₅，具有1至7个C原子的氟化烷基或氟化烷氧基，或者具有2至7个C原子的氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基，

p，q独立地表示0或1，

Z¹¹至Z¹³彼此独立地表示反式-CH＝CH，反式-CF＝CF-，-C≡C-或单键，并且

至

彼此独立地表示

其中，式II定义中L独立地表示具有1至12个C原子的支链或非支链的烷基、烯基或炔基，其中彼此独立地一个或多个“-CH₂-”基团还可以被O替代，C₃-C₆环烷基，C₃-C₆环烯基，氟化烷基或烯基，氟化烷氧基或烯氧基，F，Cl，Br，CN，NCS，SCN或SF₅。

2.根据权利要求1的液晶介质的用途，其特征在于，所述1,4-亚苯基中一个至两个CH-基团可以被N替代。

3.根据权利要求1或2的液晶介质的用途，其特征在于，所述基团A²，A³和A⁴被总共至少一个基团L所取代。

4.根据权利要求1或2的液晶介质的用途，其特征在于，所述基团A³为任选地被L取代的1,4-亚苯基环。

5.根据权利要求1或2的液晶介质的用途，其特征在于，式I中一个或多个基团A³表示式的基团。

6.根据权利要求1或2的液晶介质的用途，其特征在于，环A²和A⁴表示任选取代的1,4-亚苯基环。

7.根据权利要求1或2的液晶介质的用途，其特征在于，m+n+p为1或2。

8.式I*的化合物

其中

A¹，A²，A³，A⁴，A⁵各个彼此独立表示

a)1,4-亚苯基，其中一个或多个CH-基团可以被N替代，或者如下式所示的2,6-亚萘基；

b)选自噻吩-2,5-二基、呋喃-2，5-二基或如下式所示的基团的基团

或者

c)反式-1,4-亚环己基或亚环己烯基，其中一个或两个不相邻的CH₂-基团还可以被-O-和/或-S-替代并且其中H可以被F替代，1,4-双环(2,2,2)-亚辛基，环丁-1,3-二基和螺[3.3]庚烷-2,6-二基；

并且其中在组a)，b)和c)中，一个或多个H原子可以被根据L的定义的基团取代；

其中一个或多个基团A³表示如下式所示的基团

并且

其中，基团A²，A³和A⁴被总共一个或多个基团L取代；

L独立地表示具有1至12个C原子的支链或非支链的烷基、具有2至12个C原子的烯基或炔基，其中各自彼此独立地一个或多个氢原子可以被F或Cl替代并且一个或多个“-CH₂-基团”也可以被O替代，C₃-C₆环烷基或C₃-C₆环烯基，F、Cl、Br、CN、NCS、SCN或者SF₅；

Z²，Z³表示-C≡C-或者

Y¹，Y²彼此独立地表示H，F，Cl，C₁-C₁₀烷基；

Z¹，Z⁵彼此独立地表示单键，-C≡C-，-CH＝CH-，-CH₂O-，-(CO)O-，-CF₂O-，-CF₂CF₂-，-CH₂CF₂-，-CH₂CH₂-，-(CH₂)₄-，-CH＝CF-或-CF＝CF-，其中不对称的桥基可以向两侧取向；

R¹和R²各自独立地表示具有1至15个C原子的卤代或非取代的烷基，其中在这些基团中一个或多个CH₂-基团还可以各自彼此独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-(CO)-、-S-和-O-以使得S或O原子不直接彼此相连的方式替代，F、Cl、Br、CN、CF₃、OCF₃或SF₅，

R²也表示H；

m，n彼此独立地表示0，1或2；并且

p表示1或2。

9.权利要求8所述的化合物，其特征在于，所述1,4-亚苯基中一个至两个CH-基团可以被N替代。

10.权利要求8所述的化合物，其特征在于，

R¹和R²彼此独自地表示具有1至15个C原子的卤代的或未取代的烷基，其中在这些基团中一个或多个CH₂-基团也可以各自彼此独立地被-C≡C-，-CH＝CH-，-CF＝CF-，-CF＝CH-，-CH＝CF-，-(CO)-和-O-以使得O原子不直接地彼此连接的方式替代。

11.制备根据权利要求1至7任一项中的液晶介质的方法，其特征在于，将一种或多种式I的化合物与一种或多种式II的化合物以及任选地与一种或多种添加剂混合。

12.高频技术的组件，其特征在于，其包含根据权利要求1至10中任一项中的式I或I*的化合物。

13.权利要求12所述的组件，其特征在于，所述组件为移相器或关联多种功能的移相器或“相控阵”天线，其中所述组件任选地是可调谐的。

14.“相控阵”天线，其特征在于，其包含一种或多种根据权利要求12或13所述的组件。