CN103295906B - 一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基板；在基板表面上形成薄膜晶体管的栅极；在栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，并在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；在栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，形成硅岛，且硅岛位于栅极上方区域；在硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。在需要减小栅极绝缘膜厚度的区域，栅极绝缘层的厚度为第二栅极绝缘层的厚度；在需要增加绝缘膜厚度的区域，栅极绝缘层的厚度为第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层厚度的叠加。可以避免驱动薄膜晶体管的集成电路输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

Description

一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管。

背景技术

信息化社会越来越需要轻薄便携式的显示设备，而当前最成熟的产品就是液晶显示装置（LiquidCrystalDisplay，LCD）了。液晶显示器是由液晶面板与背光模组组成。其中，液晶面板是由阵列基板、彩色滤光基板以及位于两基板之间的液晶层组成，并且借助于彩色滤光板将可以达到全彩化的显示效果。

所述阵列基板上包括薄膜晶体管阵列，如图1和图2所示，现有的液晶显示装置包括：一玻璃基板100，在所述玻璃基板100表面上设置有栅极110和扫描线111，在栅极110、扫描线111和玻璃基板100表面上覆盖有栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120表面上设置有硅岛，所述硅岛由第一半导体131和第二半导体132组成，在所述硅岛和栅极绝缘层120表面上设置有数据线140以及数据线140延伸到硅岛表面上的源极和漏极，所述源极与所述数据线140电连接，在所述数据线140和硅岛表面上覆盖有钝化层150，所述钝化层150内设置有接触孔，在所述钝化层150表面上设置有像素电极160，所述像素电极160通过接触孔与所述漏极电连接。

其制作流程为5掩膜版工艺，即：

提供玻璃基板100，在玻璃基板100上形成第一金属层，利用第一掩膜版对第一金属层进行刻蚀，形成栅极110和扫描线111；

在玻璃基板100、扫描线111和栅极110表面上依次沉积栅极绝缘层120，第一半导体131层和第二半导体132层，利用第二掩膜版对第一半导体131层和第二半导体132层进行刻蚀，形成硅岛；

在硅岛和栅极绝缘层120表面上沉积第二金属层，利用第三掩膜版对第二金属层和硅岛进行刻蚀，形成数据线140以及薄膜晶体管的源极和漏极；

在数据线140和硅岛表面上沉积钝化层150，利用第四掩膜版对钝化层150进行刻蚀，形成接触孔；

在钝化层150表面上沉积透明导电层，利用第五掩膜版对透明导电层进行刻蚀，形成像素电极160。

所述栅极110、源极、漏极和硅岛构成薄膜晶体管，当栅极110上方的栅极绝缘层120厚度减小时，可以提高晶体管的驱动能力，在固定电压下可提高电流强度。

但因数据线140与扫描线111的交叠区域，并且在数据线140与扫描线111之间有栅极绝缘层120，则数据线140与扫描线111以及二者之间的栅极绝缘层120会形成寄生电容，如果数据线140与扫描线111的交叠区域处的栅极绝缘层厚度减小时会增大驱动薄膜晶体管的集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管，以解决现有的液晶显示装置在减小数据线与扫描线的交叠区域处栅极绝缘层的厚度时会增大驱动集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

该薄膜晶体管的制作方法，包括：

提供一基板；

在所述基板表面上淀积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极；

在所述栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，图案化所述第一栅极绝缘层，在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；

在所述栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极上方区域；

在所述硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

优选的，所述图案化所述第一金属层的过程，具体包括：

利用第一掩膜版图案化所述第一金属层。

优选的，图案化所述第一栅极绝缘层，形成第一栅极绝缘层开口的过程，具体包括：

在所述第一栅极绝缘层表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层；

利用第二掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第一光刻胶层上形成与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口；

以形成有与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口的第一光刻胶层作为掩膜，对所述第一栅极绝缘层进行刻蚀，形成第一栅极绝缘层开口；

去除所述第一光刻胶层。

优选的，图案化所述半导体层，形成硅岛的过程，具体包括：

在所述半导体层表面上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层；

利用第三掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第二光刻胶层上形成与所述硅岛图形一致的覆盖层；

以形成有与所述硅岛图形一致的覆盖层的第二光刻胶层作为掩膜，对所述半导体层进行刻蚀，形成硅岛。

优选的，所述第一光刻胶为正性光刻胶，则所述第一光刻胶层为正性光刻胶层。

优选的，所述第二光刻胶为负性光刻胶，则所述第二光刻胶层为负性光刻胶层。

优选的，所述第一光刻胶为负性光刻胶，则所述第一光刻胶层为负性光刻胶层。

优选的，所述第二光刻胶为正性光刻胶，则所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。

优选的，所述第二掩膜版与第三掩膜版相同。

优选的，所述第一光刻胶为负性光刻胶，则所述第一光刻胶层为负性光刻胶层。

优选的，所述第二光刻胶为负性光刻胶，则所述第二光刻胶层为负性光刻胶层。

优选的，所述第一光刻胶为正性光刻胶，则所述第一光刻胶层为正性光刻胶层。

优选的，所述第二光刻胶为正性光刻胶，则所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。

优选的，所述第二掩膜版与第三掩膜版相反。

优选的，图案化所述第二金属层的过程，包括：

利用第四掩膜版图案化所述第二金属层。

优选的，所述硅岛与所述第一绝缘层开口正对，且大小形状一致。

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

提供如上述任意一项所述薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管的数据线、源极、漏极、硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积钝化层，图案化所述钝化层，形成接触孔；

在所述钝化层表面上淀积透明导电层，图案化所述透明导电层，形成像素电极，且所述像素电极通过接触孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

优选的，图案化所述钝化层的过程，具体包括：

利用第五掩膜版图案化所述钝化层。

优选的，图案化所述透明导电层的过程，具体包括：

利用第六掩膜版图案化所述透明导电层。

一种薄膜晶体管，包括：

栅极，所述栅极设置在一基板表面上；

第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖在所述栅极表面上，且所述第一栅极绝缘层上设置有第一栅极绝缘层开口，且所述第一栅极绝缘层开口位于栅极上方；

第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖在所述第一栅极绝缘层和栅极表面上；

硅岛，所述硅岛设置在第二栅极绝缘层表面上，且所述硅岛位于所述栅极上方；

源极、漏极设置在所述第二栅极绝缘层表面上。

优选的，所述硅岛与所述第一绝缘层开口正对。

一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为上述薄膜晶体管；

钝化层，所述钝化层覆盖在所述薄膜晶体管的数据线、源极、漏极、硅岛和第二栅极绝缘层表面上，且所述钝化层内设置有接触孔；

像素电极，所述像素电极设置在所述钝化层表面上，且所述像素电极通过接触孔与所述数据线电连接。

一种平板显示装置，包括：

薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板为上述薄膜晶体管阵列基板；

第二基板，所述第二基板与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置。

优选的，所述平板显示装置为LCD显示面板、或OLED显示面板、或电子纸或等离子显示面板。

可见，本发明所提供的薄膜晶体管的制作方法，通过在栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，图案化所述第一栅极绝缘层，在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；在所述栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极上方区域；在所述硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

则所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层一起构成了源极和栅极之间、以及漏极和栅极之间的栅极绝缘层，在需要减小栅极绝缘膜厚度的区域，栅极绝缘层的厚度为第二栅极绝缘层的厚度；在需要增加绝缘膜厚度的区域，栅极绝缘层的厚度为第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层厚度的叠加，且可自由调整两种栅极绝缘层的厚度。即可在减小栅极绝缘层的厚度，提高晶体管的驱动能力，在固定电压下提高电流强度的前提下，避免增大驱动集成电路IC的负载，使驱动薄膜晶体管的集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1和图2是现有的液晶显示装置的结构示意图；

图3是本发明所提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

图4是本发明所提供的一种薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

正如背景技术所述，现有的液晶显示装置在为了提高晶体管的驱动能力，在固定电压下可提高电流强度，可以减小栅极上方的栅极绝缘层厚度。而栅极上方之外的栅极绝缘层厚度也随之减小时，会造成因数据线与源极交叠的区域、栅极和漏极的交叠区域形成的寄生电容增大，从而会增大驱动集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟。

发明人经研究发现，可以通过设置厚度不均匀的栅极绝缘层的方法，在需要减小栅极绝缘层厚度的区域，减小栅极绝缘层的厚度，相应的，在需要增加栅极绝缘层的厚度的区域，增大栅极绝缘层的厚度，继而可以解决为了提高晶体管的驱动能力，在固定电压下可提高电流强度，而减小栅极绝缘层厚度时，造成的栅极与源极交叠的区域、栅极与漏极的交叠区域形成的寄生电容增大，减小栅极绝缘层的厚度会增大驱动集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

本发明公开了一种液晶显示装置，包括：

提供一基板；

在所述基板表面上淀积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极；

在所述栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，图案化所述第一栅极绝缘层，在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；

在所述栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极上方区域；

在所述硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

由上述方案可以看出，本发明所提供的薄膜晶体管的制作方法中，所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层一起构成了源极和栅极之间、漏极与栅极之间的栅极绝缘层，在需要减小栅极绝缘膜厚度的区域的，栅极绝缘层的厚度为第一栅极绝缘层的厚度；在需要增加绝缘膜厚度的区域，栅极绝缘层的厚度为第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层厚度的叠加，且可自由调整两种栅极绝缘层的厚度，即可在减小栅极绝缘层的厚度，提高晶体管的驱动能力，在固定电压下提高电流强度的前提下，避免增大驱动集成电路IC的负载，使驱动薄膜晶体管的集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

本发明实施例公开了一种液晶显示装置的制作方法，如图3所示，包括：

步骤一、提供一基板1，所述基板1为玻璃基板或是其他材料的基板。

步骤二、在所述基板表面上淀积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极2。

具体的，在所述基板1表面上采用等离子溅射工艺形成第一金属层，即首先将所述基板1放入反应腔中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞出原子，这些被撞出的原子穿过真空，最后淀积在基板1表面上，进而得到第一金属层。但是，第一金属层的制作工艺并不限于等离子溅射工艺，还可以利用其它的物理气相淀积工艺来形成第一金属层，在此不做赘述。形成第一金属层之后，再利用第一掩膜版对第一金属层进行光刻，即在所述第一金属层表面上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，利用具有栅极图案和扫描线图案的第一掩膜版对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层上形成栅极图案，经显影后，以所述光刻胶层为掩模，经干法刻蚀或湿法腐蚀等工艺对第一金属层进行刻蚀，得到栅极2。

步骤三、在所述栅极2和基板1表面上淀积第一栅极绝缘层3，图案化所述第一栅极绝缘层3，在栅极2上方区域形成第一栅极绝缘层开口，且所述第一栅极绝缘层开口使大部分的栅极2暴露出来。

具体的，采用化学气相淀积工艺在所述栅极2和基板1表面上形成第一栅极绝缘层3，即首先将设置有栅极2的基板1放入反应腔中，气体先驱物传输到基板表面进行吸附作用和反应，然后将反应的副产物移除，得到第一栅极绝缘层3。但是，第一栅极绝缘层3的形成并不限于采用化学气相淀积工艺，还可以利用其他的物理气相淀积工艺，在此不做赘述。所述第一栅极绝缘层3为氮化硅层，第一栅极绝缘层3的厚度为50nm~200nm，本实施例优选为150nm。之后，在所述第一栅极绝缘层3表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层；利用第二掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第一光刻胶层上形成与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口；以形成有与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口的第一光刻胶层作为掩膜，对所述第一栅极绝缘层3进行刻蚀，形成第一栅极绝缘层开口；去除所述第一光刻胶层。

步骤四、在所述栅极2和第一栅极绝缘层3表面上淀积形成第二栅极绝缘层4。

具体的，采用如上所述的化学气相淀积工艺在所述栅极2和第一栅极绝缘层3表面上形成第二栅极绝缘层4，所述第二栅极绝缘层4优选为氮化硅层，所述第二栅极绝缘层4的厚度为150nm~500nm，本实施例优选为300nm。

步骤五、在所述第二栅极绝缘层4表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极2上方区域。

具体的，采用化学气相淀积工艺在所述第二栅极绝缘层4表面上淀积形成半导体层，所述半导体层由a-Si层51和N+Si层52构成，即依次在所述第二栅极绝缘层4表面上淀积所述a-Si层51和N+Si层52，形成半导体层，然后，在所述半导体层表面上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层；利用第三掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第二光刻胶层上形成与所述硅岛图形一致的覆盖层；以形成有与所述硅岛图形一致的覆盖层的第二光刻胶层作为掩膜，对所述半导体层进行刻蚀，形成硅岛，所述硅岛与所述第一绝缘层开口正对，且大小形状一致，或者硅岛的大小和形状与第一栅极绝缘层的开口大小和形状在工艺误差范围内相同。

更具体的，倘若所述第一光刻胶与第二光刻胶为相反的光刻胶时，即如果第一光刻胶为正性光刻胶，所述第一光刻胶层为正性光刻胶层，且所述第二光刻胶为负性光刻胶，所述第二光刻胶层为负性光刻胶层；或者，所述第一光刻胶为负性光刻胶，所述第一光刻胶层为负性光刻胶层，且所述第二光刻胶为正性光刻胶，所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。此时，所述第二掩膜版与第三掩膜版相同。

倘若所述第一光刻胶与第二光刻胶为相同的光刻胶时，即如果所述第一光刻胶为负性光刻胶，所述第一光刻胶层为负性光刻胶层，且所述第二光刻胶为负性光刻胶，所述第二光刻胶层为负性光刻胶层；或者，所述第一光刻胶为正性光刻胶，所述第一光刻胶层为正性光刻胶层，且所述第二光刻胶为正性光刻胶，所述第二光刻胶层为正性光刻胶层。此时，所述第二掩膜版与第三掩膜版相反。

步骤六、在所述硅岛和第二栅极绝缘层4表面上淀积形成第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极。

具体的，采用物理气相淀积工艺在所述硅岛和第二栅极绝缘层4表面上淀积形成第二金属层，之后，利用第四掩膜版图案化所述第二金属层，形成源极60和漏极61，并且同时在硅岛上形成薄膜晶体管源极60与漏极61之间的沟道。

本发明实施例所提供的薄膜晶体管的制作方法中，所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层一起构成了源极和栅极之间、漏极与栅极之间的栅极绝缘层，在需要较小栅极绝缘膜厚度的区域，即薄膜晶体管的硅岛沟道下区域，栅极绝缘层的厚度为第二栅极绝缘层的厚度；在需要较大绝缘膜厚度的区域，即除硅岛沟道下区域外的其他区域，尤其是指栅极和源极交叠的区域、栅极和漏极交叠的区域，栅极绝缘层的厚度为第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层厚度的叠加，且可自由调整两种栅极绝缘层的厚度，即可在减小栅极绝缘层的厚度，提高晶体管的驱动能力，在固定电压下提高电流强度的前提下，避免增大驱动薄膜晶体管的集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

本发明另一实施例公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，如图4所示，包括：

提供薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为上述实施例所制作的薄膜晶体管，并且在形成所述薄膜晶体管栅极的同时，在形成栅极的第一金属层上形成栅极扫描线，所述栅极扫描线与所述栅极电连接，在形成所述薄膜晶体管源极和漏极的同时，在形成源极和漏极的第二金属层上形成数据线，所述数据线与所述源极电连接。

在所述薄膜晶体管的数据线（图中未示出）、源极60、漏极61、硅岛和第二栅极绝缘层4表面上淀积钝化层7，图案化所述钝化层7，形成接触孔。

具体的，图案化所述钝化层的过程，具体包括：

利用第五掩膜版图案化所述钝化层。

在所述钝化层7表面上淀积形成透明导电层，图案化所述透明导电层，形成像素电极8，且所述像素电极8通过接触孔与所述薄膜晶体管的漏极61电连接。

具体的，图案化所述透明导电层的过程，具体包括：

利用第六掩膜版图案化所述透明导电层。

可见，本发明实施例所提供薄膜晶体管阵列基板的制作方法，只利用第一掩膜版、第二掩膜版、第三掩膜版、第四掩膜版、第五掩膜版和第六掩膜版，而第二掩膜版和第三掩膜版可以是相同的一张掩膜版，此时，本发明实施例所提供薄膜晶体管阵列基板的制作方法，只利用五张掩膜版即可，相较于现有的五张掩膜版的工艺而言，并没有增加掩膜版的数量。

本发明又一实施例公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管通过第一实施例所述的方法制作，如图3所示，包括：

栅极2，所述栅极2设置在一基板1表面上；

第一栅极绝缘层3，所述第一栅极绝缘层3覆盖在所述栅极2表面上，所述第一栅极绝缘层3优选为氮化硅层，厚度为50nm~200nm，本实施例优选为150nm，且所述第一栅极绝缘层3上设置有第一栅极绝缘层开口，所述第一栅极绝缘层开口位于栅极2上方，且所述第一栅极绝缘层开口使大部分栅极2暴露出来；

第二栅极绝缘层4，所述第二栅极绝缘层4覆盖在所述第一栅极绝缘层3和栅极2表面上，所述第二栅极绝缘层4优选为氮化硅层，厚度优选为150nm~500nm，本实施例优选为300nm；

硅岛，所述硅岛设置在第二栅极绝缘层4表面上，且所述硅岛位于所述栅极2上方，并与所述第一绝缘层开口正对，且所述硅岛由a-Si层51和N+Si层52构成；

源极60和漏极61，所述源极60和漏极61设置在所述第二栅极绝缘层4表面上，所述源极60与漏极61之间的硅岛具有沟道结构，且部分源极60和部分漏极61与所述栅极2有交叠。

本发明实施例所提供的薄膜晶体管中，所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层一起构成了源极和栅极之间、漏极与栅极之间的栅极绝缘层，在需要较小栅极绝缘膜厚度的区域，即薄膜晶体管的硅岛沟道下区域，栅极绝缘层的厚度为第二栅极绝缘层的厚度；在需要较大绝缘膜厚度的区域，即除硅岛沟道下区域外的其他区域，尤其是指栅极和源极交叠的区域、栅极和漏极交叠的区域，栅极绝缘层的厚度为第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层厚度的叠加，且可自由调整两种栅极绝缘层的厚度，即可在减小栅极绝缘层的厚度，提高晶体管的驱动能力，在固定电压下提高电流强度的前提下，避免增大驱动薄膜晶体管的集成电路IC的负载，使驱动集成电路IC输出的信号发生波形变形，时间上发生延迟的问题。

本发明又一实施例公开了一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板通过第二实施例所提供的方法制作，如图4所示，包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为上一实施例所提供的薄膜晶体管，并且在所述薄膜晶体管栅极2所在的基板1表面上设置有栅极扫描线（图中未示出），所述栅极扫描线与所述栅极2电连接；并且，在所述薄膜晶体管的第二栅极绝缘层4表面上设置有数据线，所述数据线与所述栅极扫描线垂直相交，且所述数据线与所述源极60电连接；

钝化层7，所述钝化层7覆盖在所述薄膜晶体管的数据线、源极60、漏极61、硅岛和第二栅极绝缘层4表面上，且所述钝化层7内设置有接触孔；

像素电极8，所述像素电极8为透明的氧化铟锡电极或氧化铟锌电极或其他的透明电极，并设置在所述钝化层7表面上，且所述像素电极8通过接触孔与所述漏极61电连接。

本发明又一实施例公开了一种平板显示装置，包括：

薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板为上一实施例所提供的薄膜晶体管阵列基板；

第二基板，所述第二基板与所述薄膜晶体管阵列基板相对设置。

所述平板显示装置可以为LCD显示面板、或OLED显示面板、或电子纸、或等离子显示面板、或其他可应用所述薄膜晶体管阵列基板的显示面板。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板表面上淀积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成薄膜晶体管的栅极；

依次，在所述栅极和基板表面上淀积第一栅极绝缘层，图案化所述第一栅极绝缘层，在栅极上方区域形成第一栅极绝缘层开口；

在所述栅极和第一栅极绝缘层表面上淀积第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层表面上淀积半导体层，图案化所述半导体层，形成硅岛，且所述硅岛位于所述栅极上方区域；

在所述硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积第二金属层，图案化所述第二金属层，形成薄膜晶体管的源极和漏极；

图案化所述第一栅极绝缘层，形成第一栅极绝缘层开口的过程，具体包括：

在所述第一栅极绝缘层表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层；

利用第二掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第一光刻胶层上形成与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口；

以形成有与第一栅极绝缘层开口图形一致的开口的第一光刻胶层作为掩膜，对所述第一栅极绝缘层进行刻蚀，形成第一栅极绝缘层开口；

去除所述第一光刻胶层；

图案化所述半导体层，形成硅岛的过程，具体包括：

在所述半导体层表面上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层；

利用第三掩膜版进行曝光，然后显影、成膜，使第二光刻胶层上形成与所述硅岛图形一致的覆盖层；

以形成有与所述硅岛图形一致的覆盖层的第二光刻胶层作为掩膜，对所述半导体层进行刻蚀，形成硅岛；

所述第一光刻胶与第二光刻胶为相反的光刻胶，所述第二掩膜版与第三掩膜版相同。

2.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于，所述图案化所述第一金属层的过程，具体包括：

利用第一掩膜版图案化所述第一金属层。

3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，图案化所述第二金属层的过程，包括：

利用第四掩膜版图案化所述第二金属层。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述硅岛与所述第一栅极绝缘层开口正对，且大小形状一致。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1～4任意一项所述薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管的数据线、源极、漏极、硅岛和第二栅极绝缘层表面上淀积钝化层，图案化所述钝化层，形成接触孔；

在所述钝化层表面上淀积透明导电层，图案化所述透明导电层，形成像素电极，且所述像素电极通过接触孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

6.根据权利要求5所述制作方法，其特征在于，图案化所述钝化层的过程，具体包括：

利用第五掩膜版图案化所述钝化层。

7.根据权利要求5所述制作方法，其特征在于，图案化所述透明导电层的过程，具体包括：

利用第六掩膜版图案化所述透明导电层。