CN103270186B - 成膜材料的回收方法 - Google Patents

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Abstract

在腔室内构成物(70)的至少与成膜材料接触的部分,设置有包含能够被磁铁吸附的材料的层(71)。成膜材料的回收方法包括:剥离工序,将附着在腔室内构成物(70)的表面的附着物(22)剥离;和分离工序,使剥离工序中被剥离的包含能够被磁铁吸附的材料的层(71)的碎片吸附在磁铁(202a)上,从附着物(22)分离,从而回收附着物(22)。

Description

成膜材料的回收方法
技术领域
本发明涉及将在设置于真空成膜装置的成膜腔室内的成膜夹具(film forming jig)的表面附着的成膜材料剥离并回收的成膜材料的回收方法。
背景技术
近年来,在向大量生产和大量废弃的社会改变的过程中,电子设备、尤其是信息相关设备的增加十分显著。作为上述电子设备的核心部件,可以举出半导体、包括液晶面板的平板显示器面板、太阳能电池、半导体器件、存储器等。
这样的电子设备是利用真空成膜装置通过溅射法、真空蒸镀法、离子电镀法等真空成膜法制成的,在很多情况下,成膜材料中使用稀有金属。
另外,近年来,在各种各样的商品和领域中使用平板显示器,要求平板显示器的进一步大型化、高画质化、低耗电化。
在这样的状况下,具有利用了有机材料的电致发光(Electroluminescence;以下记为“EL”)的有机EL元件的有机EL显示装置,作为全固态型且在低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优良的平板显示器,受到高度关注。
有机EL显示装置例如具有以下结构:在由设置有TFT(薄膜晶体管)的玻璃基板等构成的基板上,设置有与TFT连接的有机EL元件。
有机EL元件是能够通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件,具有第一电极、有机EL层和第二电极依次层叠而成的结构。其中,第一电极与TFT连接。
另外,在第一电极与第二电极之间,作为上述有机EL层,设置有使空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层、电子注入层等层叠而成的有机层。
全彩色的有机EL显示装置中,一般将红(R)、绿(G)、蓝(B)的各种颜色的有机EL元件作为子像素排列形成在基板上,利用TFT有选择地使这些有机EL元件以期望的亮度发光,由此进行像素显示。
一般而言,这样的有机EL显示装置的发光部的有机EL元件通过有机膜的层叠蒸镀形成。在有机EL显示装置的制造中,至少由发出各色光的有机发光材料构成的发光层,在作为发光元件的每个有机EL像素中以规定的图案形成。
利用层叠蒸镀进行的规定图案的成膜中,能够应用例如利用了被称为“荫罩”的蒸镀用的掩模的真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法等。
其中,现在最为普遍利用的是真空蒸镀法。
在真空蒸镀法中,使用在内部收纳蒸镀材料的被称为“坩埚”或“蒸发舟(boat)”的蒸镀源,在高真空下对上述蒸镀材料进行加热,使其升华,从而使上述蒸镀材料蒸镀在被成膜基板上。
此时,使作为蒸镀颗粒从上述蒸镀源射出的蒸镀材料在真空蒸镀装置中的真空腔室内,经设置于上述蒸镀用的掩模的开口部进行蒸镀,能够得到期望的成膜图案。
有机EL显示装置的发光部的有机EL元件通过有机膜的层叠蒸镀构成。
在真空蒸镀法中,如上所述,对蒸镀材料进行加热使其升华,并作为蒸镀颗粒从蒸镀源射出,因此,飞散的蒸镀颗粒也附着在TFT基板等的被成膜基板以外的构成物上。
真空蒸镀装置的真空腔室内,具有防镀板、遮挡件(shutter)等各种构成物。
构成上述有机膜的有机材料价格高昂,但只要附着在这些构成物上的蒸镀材料,即附着在TFT基板等被成膜基板上的蒸镀颗粒无法回收,就会全部浪费。
现在,在有机EL显示装置的量产中应用的制造装置中,附着在真空腔室内的防镀板等的有机材料无法进行再利用,材料利用效率低。
其中,材料利用效率是指蒸镀时使用的材料中实际应用的材料的比率。
因此,如果能够回收并再利用附着在被成膜基板之外的附着材料,材料利用效率就会提高。
于是,例如专利文献1公开了如下方法:对附着在单元遮挡件(cellshutter)上的蒸镀材料进行加热使其再蒸发,将其蒸汽在有冷却介质循环的冷却罩(shroud)中冷却从而回收。
另外,专利文献2公开了如下方法:通过遮挡件内的加热器对附着在遮挡板上的附着材料进行加热,使其熔化,落入蒸镀源,进行回收。
专利文献3公开了如下方法:利用加热器对单元遮挡件进行加热,使附着在单元遮挡件的下表面的蒸镀材料蒸发,回收到坩埚(坩埚)中。
专利文献4公开了如下方法:以覆盖蒸汽出口的方式配置具有隔断壁和蒸汽流排出口的蒸镀材料回收器,并且在控制从蒸镀源朝向被处理基板的蒸汽流的发散角的状态下进行蒸镀之后,取出上述蒸镀材料回收器,回收沉积在隔断壁上的蒸镀材料。
专利文献5公开了:使析出有机材料的腔室内的遮挡件等部件采用有机材料不发生变质的不活泼材质,回收沉积在这些部件上的有机材料。
专利文献6公开了如下方法:通过喷水器(water jet)的喷射来回收附着于成膜夹具的附着物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国公开专利公报“特开平10-168559号公报(1998年6月23日公开)”
专利文献2:日本国公开专利公报“特开2008-127642号公报(2008年6月5日公开)”
专利文献3:日本国公开专利公报“特开2008-88465号公报(2008年4月17日公开)”
专利文献4:日本国公开专利公报“特开2008-223102号公报(2008年9月25日公开)”
专利文献5:日本国公开专利公报“特开2002-190389号公报(2002年7月5日公开)”
专利文献6:日本国公开专利公报“特开2002-292346号公报(2002年10月8日公开)”
发明内容
发明要解决的技术问题
然而,专利文献1~3所记载的方法具有无法回收附着在遮挡件以外的部分的蒸镀材料的问题。
在量产工序中,蒸镀速度稳定之后,连续进行多个基板的蒸镀处理。因此,除了向腔室放入基板、从腔室取出基板或将蒸镀用掩模与基板贴紧的期间这样的极短时间之外,几乎都在进行蒸镀处理,遮挡件在绝大部分期间处于敞开状态。
因此,在实际的量产工序中,蒸镀材料附着在遮挡件以外的量更多,仅通过回收附着在遮挡件的蒸镀材料,无法有效地将蒸镀材料回收、再利用。
而且,由于回收蒸镀材料时进行加热,所以有可能出现加热所致的蒸镀材料的劣化。
另外,专利文献4所述的方法有无法回收附着在隔断壁和被处理基板以外的材料的问题。
另外,专利文献5虽然公开了回收沉积在腔室内的遮挡件等部件上的有机材料,但并没有公开具体的回收方法。
另外,专利文献6所记载的方法无法应用于容易因水分而发生变性的蒸镀材料。而且,即使是水,也会由于水压而造成成膜夹具的损伤和剥离,被剥离的成模夹具会混入剥离的蒸镀材料。但是,没有提及像这样混入的杂质。
如上所述,利用现有的方法无法高效且低成本地回收成膜材料。
本发明是鉴于上述的问题而开发的,其目的在于提供一种高效且低成本地回收成膜材料的方法。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题,本发明所涉及的成膜材料的回收方法的特征在于,其为将在设置于真空成膜装置的成膜腔室内的成膜夹具的表面附着的成膜材料剥离并回收的成膜材料的回收方法,该成膜材料的回收方法的特征在于:在上述成膜夹具的至少与上述成膜材料接触的部分,设置有包含能够被磁铁吸附的材料的层,上述成膜材料的回收方法包括:剥离工序,将附着在上述成模夹具的表面的成膜材料剥离;和分离工序,使在上述剥离工序中与成膜材料一起被剥离的上述包含能够被磁铁吸附的材料的层的碎片吸附在磁铁上,从上述成膜材料分离,从而回收上述成膜材料。
另外,为了解决上述技术问题,本发明所涉及的成膜材料的回收方法为将在设置于真空成膜装置的成膜腔室内的成膜夹具的表面附着的成膜材料剥离并回收的成膜材料的回收方法,该成膜材料的回收方法的特征在于,包括:剥离工序,利用至少与上述成膜材料接触的部分包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具,削除并剥离附着在上述成膜夹具的表面的成膜材料;和分离工序,使混在上述剥离工序中被剥离的成膜材料中的包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具的碎片吸附在磁铁上,从上述成膜材料分离,从而回收上述成膜材料。
为了回收并再利用附着在成膜夹具的表面的成膜材料,需要剥离附着在成膜夹具的表面的成膜材料。
而且,在剥离附着在成膜夹具的表面的成膜材料时,成模夹具或削除工具的表面与成膜材料一起被剥落,混入剥离的成膜材料中。
然而,如上所述,通过使用至少在与上述成模夹具接触的部分设置有包含能够被磁铁吸附的材料的层的成膜夹具或至少与上述成膜材料接触的部分包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具,在剥离成膜材料时,与成膜材料一起剥离的包含上述能够被磁铁吸附的材料的碎片,被磁铁吸附,从成膜材料分离。
因此,根据上述的各方法,能够高效且低成本地回收成膜材料。
而且,根据上述的各方法,由于不经过溶液洗净、热处理等复杂的工序,不会混入新的杂质。
因此,根据上述的各方法,不增加复杂的分离处理工序的情况下,就能够以高纯度回收再利用成膜材料。
另外,能够在上述分离工序中分离和回收被磁铁吸附的碎片。因此,通过上述碎片的回收,能够削减成本和防止环境破坏。
发明效果
根据本发明,如上所述,使用至少在与上述成膜夹具接触的部分设置有包含能够被磁铁吸附的材料的层的成膜夹具或至少与上述成膜材料接触的部分包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具来剥离成膜材料,将在剥离成膜材料时与成膜材料一起被剥离的、包含上述能够被磁铁吸附的材料的碎片吸附在磁铁上,从成膜材料分离,由此能够高效且低成本地回收成膜材料。
附图说明
图1(a)~(d)是按照工序顺序表示本发明的实施方式1的成膜材料的分离和回收工序的图。
图2是表示本发明的实施方式1中使用的真空蒸镀装置的概略结构的截面图。
图3(a)和(b)是表示本发明的实施方式1中使用的真空蒸镀装置的腔室内构成物的层结构的截面图。
图4是表示蒸镀工序后的真空腔室内的主要部分的概略结构的截面图。
图5是表示有机EL显示装置的概略结构的截面图。
图6是表示构成有机EL显示装置的显示部的有机EL元件的概略结构的截面图。
图7是示意性地表示通过真空蒸镀法在被成膜基板上形成成膜图案的方法的截面图。
图8是按照工序顺序表示有机EL显示装置的制造工序的流程图。
图9是表示本发明的实施方式2中使用的附着物回收系统的结构的一个例子的框图。
图10(a)~(f)是表示本发明的实施方式2的成膜材料的分离和回收工序的图。
图11是表示本发明的实施方式3中使用的真空蒸镀装置的腔室内构成物的层结构的截面图。
图12(a)和(b)是表示本发明的实施方式3的成膜材料的分离和回收工序的一部分的图。
具体实施方式
[实施方式1]
参照图1的(a)~(d)至图8,如下说明本实施方式的成膜材料的回收方法和用于成膜材料的回收的成膜装置和回收装置。
其中,在本实施方式中,作为真空成膜法中使用的成膜材料的回收,以在有机EL显示装置的制造中利用真空蒸镀法形成成膜图案时使用的蒸镀材料的回收的情况为例进行说明。
在此,首先说明有机EL显示装置的结构。
<有机EL显示装置的整体结构>
图5是表示有机EL显示装置的概略结构的截面图。
如图5所示,有机EL显示装置100包括TFT(薄膜晶体管)基板110、有机EL元件120、粘接层130和密封基板140。
在TFT基板110中,在构成像素区域的部分,作为开关元件形成有TFT等。
有机EL元件120在TFT基板110的显示区域形成为矩阵状。
形成有有机EL元件120的TFT基板110,通过粘接层130等与密封基板140贴合。
接着,详细说明上述有机EL显示装置100的TFT基板110和有机EL元件120的结构。
<TFT基板110的结构>
图6是表示构成有机EL显示装置100的显示部的有机EL元件120的概略结构的截面图。
如图6所示,TFT基板110具有在玻璃基板等透明的绝缘基板111上形成有TFT112(开关元件)和配线113、层间绝缘膜114、边缘覆盖物115等的结构。
有机EL显示装置100为全彩色的有源矩阵型的有机EL显示装置,在绝缘基板111上,在被配线113包围的区域,分别以矩阵状排列有包括红(R)、绿(G)、蓝(B)的各色的有机EL元件120的各色的像素101R、101G、101B。
TFT112分别与各像素101R、101G、101B对应设置。其中,TFT的结构是现已熟知的。从而,省略对TFT112的各层的图示和说明。
层间绝缘膜114在上述绝缘基板111上以覆盖各TFT112和配线113的方式,遍及在上述绝缘基板111的整个区域层叠在上述绝缘基板111上。
在层间绝缘膜114上形成有有机EL元件120的第一电极121。
另外,在层间绝缘膜114,设置有用于使有机EL元件120的第一电极121与TFT112电连接的接触孔114a。由此,TFT112经上述接触孔114a与有机EL元件120电连接。
边缘覆盖物115是用于防止有机EL元件120的第一电极121与第二电极126由于在第一电极121的端部有机EL层变薄或者发生电场集中而短路的绝缘层。
边缘覆盖物115以覆盖第一电极121的端部的方式形成在层间绝缘膜114上。
如图6所示,第一电极121在没有边缘覆盖物115的部分露出。该露出部分构成各像素101R、101G、101B的发光部。
换而言之,各像素101R、101G、101B被具有绝缘性的边缘覆盖物115分隔。边缘覆盖物115作为元件分离膜发挥作用。
<TFT基板110的制造方法>
作为绝缘基板111,例如能够使用无碱玻璃、塑料等。在本实施方式中,使用板厚0.7mm的无碱玻璃。
作为层间绝缘膜114和边缘覆盖物115能够使用已知的感光性树脂。作为上述感光性树脂,例如能够举出丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等。
另外,TFT112通过已知的方法制作。另外,在本实施方式中,如上所述,举出在各像素101R、101G、101B形成有TFT112的有源矩阵型的有机EL显示装置100的例子。
然而,本实施方式不限于此,本发明也能够适用于未形成TFT的无源矩阵型的有机EL显示装置的制造。
<有机EL元件120的结构>
有机EL元件120为能够通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件,并且依次层叠有第一电极121、有机EL层、第二电极126。
第一电极121具有将空穴注入(供给)至上述有机EL层的功能。第一电极121如上所述经接触孔114a与TFT112连接。
如图6所示,在第一电极121与第二电极126之间,具有如下结构:从第一电极121侧依次形成有例如空穴注入层兼空穴输送层122、发光层123R、123G、123B、电子输送层124和电子注入层125,作为有机EL层。
另外,虽未图示,但也可以根据需要,插入阻止诸如空穴、电子之类的载流子的移动的载流子阻挡层。另外,一个层也可以具有多个功能,例如也可以形成兼作空穴注入层和空穴输送层的一个层。
另外,上述层叠顺序是以第一电极121为阳极,以第二电极126为阴极时的顺序。当以第一电极121为阴极,以第二电极126为阳极时,有机EL层的层叠顺序相反。
空穴注入层是具有提高对发光层123R、123G、123B的注入空穴的效率的功能的层。另外,空穴输送层是具有提高对发光层123R、123G、123B输送空穴的效率的功能的层。空穴注入层兼空穴输送层122以覆盖第一电极121和边缘覆盖物115的方式均匀地形成在上述TFT基板110的显示区域的整个面。
另外,在本实施方式中,如上所述,作为空穴注入层和空穴输送层,设置有使空穴注入层与空穴输送层一体化的空穴注入层兼空穴输送层122。然而,本实施方式并不限于此,空穴注入层和空穴输送层也可以形成为彼此独立的层。
在空穴注入层兼空穴输送层122上,分别与像素101R、101G、101B对应地形成有发光层123R、123G、123B。
发光层123R、123G、123B是具有使从第一电极121侧注入的空穴与从第二电极126侧注入的电子再结合而发光的功能的层。发光层123R、123G、123B分别由低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料形成。
电子输送层124是具有提高电子从第二电极126输送至发光层123R、123G、123B的电子输送效率的功能的层。另外,电子注入层125是具有提高电子从第二电极126注入至发光层123R、123G、123B的电子注入效率的功能的层。
电子输送层124在发光层123R、123G、123B和空穴注入层兼空穴输送层122上,以覆盖这些发光层123R、123G、123B和空穴注入层兼空穴输送层122的方式均匀地形成在上述TFT基板110的显示区域的整个面上。
另外,电子注入层125在电子输送层124上以覆盖电子输送层124的方式,均匀地形成在上述TFT基板110的显示区域的整个面上。
其中,电子输送层124和电子注入层125可以形成为如上所述的彼此独立的层,也可以彼此一体化设置(设置为一整体)。也就是说,有机EL显示装置100也可以具有电子输送层兼电子注入层,来代替电子输送层124和电子注入层125。
第二电极126是具有将电子注入至由如上所述的有机层构成的有机EL层中的功能的层。第二电极126在电子注入层125上以覆盖电子注入层125的方式,均匀地形成在上述TFT基板110的显示区域的整个面上。
其中,除发光层123R、123G、123B以外的有机层不是作为有机EL层所必须的层,只要根据所要求的有机EL元件120的特性适当形成即可。
另外,也可以如空穴注入层兼空穴输送层122和电子输送层兼电子注入层那样,一个层具有多个功能。
另外,有机EL层中,根据需要可以添加载流子阻挡层。例如,在发光层123R、123G、123B与电子输送层124之间,添加空穴阻挡层作为载流子阻挡层,由此,能够阻止空穴逃逸到电子输送层124,从而提高发光效率。
<有机EL元件120的制造方法>
第一电极121在利用溅射法等形成电极材料之后,通过光刻技术和蚀刻,与各个像素101R、101G、101B对应地形成图案。
作为第一电极121,可以利用各种各样的导电材料,但是当采用向绝缘基板111侧辐射光的底部发光型的有机EL元件时,需要它是透明或半透明的。
另一方面,当采用从与基板相反的一侧辐射光的顶部发光型有机EL元件时,需要第二电极126是透明或半透明的。
作为这些用于第一电极121和第二电极126的导电膜材料,例如能够使用ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:铟锌氧化物)、掺镓的氧化锌(GZO)等透明导电材料、金(Au)、镍(Ni)、铂(Pt)等金属材料。
另外,作为上述第一电极121和第二电极126的层叠方法,可以使用溅射法、真空蒸镀法、CVD(chemical vapor deposition:化学气相沉积)法、等离子CVD法、印刷法等。例如,也可以在上述第一电极121的层叠中使用后述的蒸镀装置1。
作为有机EL层的材料,可以使用已知的材料。其中,发光层123R、123G、123B既可以分别使用单一材料,也可以以某种材料为主体材料,以其它材料为客体材料或掺杂物混入其中的混合材料。
作为空穴注入层、空穴输送层或空穴注入层兼空穴输送层122的材料,例如可以举出:蒽、氮杂苯并菲、芴酮、腙、均二苯代乙烯、苯并菲、苯炔、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、噁唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺以及它们的衍生物、噻吩类化合物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、苯胺类化合物等杂环共轭类的单体、低聚物、聚合物等。
作为发光层123R、123G、123B的材料,能够使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。例如可以举出:蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、二萘嵌苯、苉、荧蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪以及它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝络合物、双(羟基苯并喹啉)铍络合物、三(联苯甲酰甲基)菲啰啉铕络合物、二甲苯酰乙烯基联苯、羟基苯基恶唑、羟基苯基噻唑等。
作为电子输送层124、电子注入层125或电子输送层兼电子注入层的材料,例如可以举出:三(8-羟基喹啉)铝络合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯基喹喔啉衍生物、噻咯衍生物等。
接着说明本实施方式中使用的真空蒸镀装置。
<蒸镀装置的结构>
图2是表示本实施方式中利用的真空蒸镀装置的概略结构的截面图。
如图2所示,本实施方式中使用的蒸镀装置1(真空蒸镀装置、真空成膜装置)具有真空腔室10作为成膜腔室。
在真空腔室10内设置有蒸镀源20、防镀板30和遮挡件40等各种构成物(部件)。
其中,在真空腔室10中,为了在蒸镀时将该真空腔室10内部保持在真空状态,设置有经设置于该真空腔室10的未图示的排气口将真空腔室10内部抽真空的未图示的真空泵等。
真空腔室10除了如上所述能够通过未图示的真空泵等减压外,还具有开闭部,能够进行以可装卸的方式设置在真空腔室10内的各种构成物的安装、拆卸、取出装入等。
蒸镀源20通过在高真空下对作为成膜材料的蒸镀材料进行加热使其升华,将有机发光材料等的蒸镀材料作为蒸镀颗粒射出。
作为上述蒸镀源20,可以是在配置于真空腔室内的容器内部直接收纳蒸镀材料并对该蒸镀材料进行加热的蒸镀源,也可以是具有加载互锁(load lock)式配管,使升华的蒸镀材料通过加载互锁式配管射出的蒸镀源。
作为蒸镀源20,使用例如在内部收纳蒸镀材料的被称为“坩埚”或“蒸发舟”的容器。
在真空蒸镀法中,使用在期望的位置以期望的形状形成有开口部51(贯通口,参照图7)的被称为荫罩的蒸镀用的掩模50。
蒸镀源20与配置在真空腔室10内的掩模50保持固定空隙(即离开固定距离)地相对配置。另外,蒸镀源20隔着配置在真空腔室10内的掩模50与被成膜基板60的被成膜面61相对配置。
蒸镀源20在与掩模50相对的面,具有将上述蒸镀材料作为蒸镀颗粒射出(飞散)的射出口21。另外,图2所示的蒸镀源20例如具有朝向上方射出蒸镀颗粒的机构。
图2示出的是蒸镀源20配置在被成膜基板60的下方并且被成膜基板60在其被成膜面61朝向下方的状态下与掩模50紧贴保持的情况的例子。
另外,如图2所示,在除了连接蒸镀源20的射出口21与掩模50的开口区域(开口部组的形成区域)的蒸镀颗粒的射出路径之外的、蒸镀源20的周围和真空腔室10的内壁11等真空腔室10内的不希望蒸镀颗粒附着的蒸镀颗粒的飞散区域(射出路径之外的多余的飞散区域,该射出路径为蒸镀颗粒的必要飞散区域),设置有防镀板30。
在本实施方式中,作为防镀板30,设置有第一防镀板31和第二防镀板32。
在本实施方式中,如图2所示,以覆盖除了连接构成蒸汽流排出口的蒸镀源20的射出口21与掩模50的开口区域(开口部组的形成区域)的蒸镀颗粒的射出路径之外的、真空腔室10的内壁11的方式,与真空腔室10的内壁11相邻地设置有具有构成上述蒸汽流排出口的开口部31a的第一防镀板31。
另外,在蒸镀源20的周围,以包围除上述射出路径之外的蒸镀源20的方式,设置有具有成为上述蒸汽流排出口的开口部32a的第二防镀板32。
当未设置这些防镀板30时,例如在上述有机EL显示装置100的制造中,到达掩模50和被成膜基板60的蒸镀颗粒以外的蒸镀颗粒(飞散物)全部附着在真空腔室10的内壁11、遮挡件40等构成蒸镀装置1的构成物上。
于是,为了防止在真空腔室10的内壁11或配置于真空腔室10内的各部件等(例如,驱动部等)掩模50的开口区域以外的多余的部分附着蒸镀颗粒而受到污染,在真空腔室10内如上所述地设置有防镀板30。
另外,在蒸镀源20与掩模50之间,为了控制从蒸镀源20射出的蒸镀颗粒到达掩模50,设置有决定是否使蒸镀颗粒朝向被成膜基板60发射的遮挡件40。
遮挡件40防止在使蒸镀速率稳定时或不需要蒸镀时蒸镀颗粒射出到真空腔室10内。例如,正在进行被成膜基板60与掩模50的位置对准时,遮挡蒸镀颗粒的射出路径,以使蒸镀颗粒不会到达被成膜基板60。
遮挡件40例如以能够进退(能够插入)的方式设置在掩模50与蒸镀源20之间。
遮挡件40例如基于来自未图示的控制部的蒸镀关闭(OFF)信号而插入至掩模50与蒸镀源20之间,从而封闭掩模50的开口部51。另一方面,基于来自未图示的控制部的蒸镀开启(ON)信号,从掩模50与蒸镀源20之间脱离(撤出),从而敞开掩模50的开口部51。
这样,通过在掩模50与蒸镀源20之间适当隔着遮挡件40,能够防止对被成膜基板60的多余部分(非蒸镀区域)的蒸镀。
这些防镀板30和遮挡件40等配置在真空腔室10内且设置在作为要回收的成膜材料的有机EL材料等蒸镀材料会附着的位置的构成物(部件),出于减轻附着在这些构成物上的蒸镀材料的清扫作业的目的,以可装卸的方式设置。
另外,上述防镀板30可以通过将薄板状的基板等折弯而形成,但是优选为分割设置,以便容易装卸。
本实施方式的蒸镀装置1为了高效地回收和再利用在作为成模夹具使用的上述防镀板30、遮挡件40等的、真空腔室10内的蒸镀装置1的构成物(以下记为“腔室内构成物”)上附着的蒸镀材料,如上所述设置于蒸镀材料会附着的位置的腔室内构成物的至少表面的至少与蒸镀材料接触的部分由能够被磁铁吸附的材料形成。
换而言之,上述腔室内构成物,至少在其表面具有包含能够被磁铁吸附的材料的层。
这些腔室内构成物既可以整体由能够被磁铁吸附的材料构成,也可以只有表面由能够被磁铁吸附的材料构成。
图3(a)、(b)是表示上述腔室内构成物的层结构的截面图。
如图3(a)所示,上述蒸镀装置1的腔室内构成物70既可以整体由包含能够被磁铁吸附的材料的层71形成,也可以如图3(b)所示,具有在基材72的表面形成有包含能够被磁铁吸附的材料的层71的结构。
其中,作为上述腔室内构成物70,只要是设置在真空腔室10内的飞散的蒸镀材料会附着的位置并且是作为耗材可更换的成模夹具,就不受特别限制,可以是防镀板30、也可以是遮挡件40,还可以是其它构成物。
本实施方式中使用的能够被磁铁吸附的材料只要是能够被磁铁吸附的材质的材料即可,没有特别限制。代表性地,可以举出作为具有强磁性体部分的磁性材料的强磁性体(铁磁性体)、铁氧磁性体。
强磁性体是指全部的磁矩平行对齐的磁性体,代表性地,可以举出铁、钴、镍、不锈钢(SUS)等。其中,如果是合金,磁性就会随混合比率而变化。
另一方面,铁氧磁性体是指内部既有强磁性体又有反强磁性体部分的磁性体,通过物质中不同大小的磁矩彼此朝向相反方向排列,发生磁化的量为磁矩之差。作为铁氧磁性体,代表性地可以举出铁素体。
其中,当如本实施方式这样腔室内构成物70使用强磁性材料时,作为上述材料,适合使用铁、钴、镍等。
防镀板30等腔室内构成物70为了维持形状,优选尽量由坚固的物质形成。
另外,通过剥离附着在上述腔室内构成物70的蒸镀材料的附着物剥离处理,如果包含上述能够被磁铁吸附的材料的层71大量脱离或变性,则可使用次数降低,因此为了尽量提高再利用次数,优选上述能够被磁铁吸附的材料和包含该材料的层71具有尽量高的硬度。
另外,为了进一步提高后述的磁场通过处理后的回收物的纯度,从减少来自包含上述能够被磁铁吸附的材料的层71的脱离物(剥落物)的混入量的观点出发,优选包含上述能够被磁铁吸附的材料的层71及其材料具有尽量高的硬度。此外,只要考虑上述腔室内构成物70的加工性、材料费等,适当选择、调整所使用的材料即可。
其中,包含能够被磁铁吸附的材料的层71为了回收再利用,优选构成为一层。
与此相比,基材72不受特别限制,既可以构成为一层,也可以具有两层以上的层叠结构。另外,既可以由一种材料形成,也可以由两种以上的材料形成。
作为基材72的材料没有特别限制,可以根据金属类、聚酰亚胺树脂、硅树脂等耐热性树脂类、玻璃类、陶瓷类等腔室内构成物70的种类,能够使用通常用于腔室内构成物70的各种材料,能够考虑加工性、成本等适当选择。
另外,上述包含能够被磁铁吸附的材料的层71的表面,为了防止所附着的蒸镀材料的剥落,优选例如形成为细毛面(不光滑面)。
<利用真空蒸镀法形成成膜图案的方法>
在此,主要利用图7和图8在下面说明利用真空蒸镀法的成膜图案的形成方法。
图7是示意性地表示通过真空蒸镀法在被成膜基板上形成成膜图案的方法的截面图。
其中,在以下的说明中,举例说明的是使用TFT基板110作为被成膜基板60,并且使用有机发光材料作为蒸镀材料,在形成有第一电极121的被成膜基板60上,利用真空蒸镀法,形成有机EL层作为蒸镀膜的情况。
另外,图7中,省略防镀板30和遮挡件40等掩模50以外的腔室内构成物70的图示。
在全彩色的有机EL显示装置100中,如上所述,例如以矩阵状排列有各种颜色的像素101R、101G、101B,该各种颜色的像素101R、101G、101B包括具有红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色的发光层123R、123G、123B的有机EL元件120。
其中,当然,代替红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的发光层123R、123G、123B,例如也可以具有包括青色(C)、品红色(M)、黄色(Y)的各种颜色的发光层,还可以具有包括红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、黄色(Y)的各种颜色的发光层。
在这样的有机EL显示装置100中,通过利用TFT112使这些有机EL元件120有选择地以期望的亮度发光,进行彩色图像显示。
于是,为了制造有机EL显示装置100,需要在被成膜基板60上,对每个有机EL元件120以规定的图案形成包含发出各种颜色的光的有机发光材料的发光层。
如上所述,在蒸镀用的掩模50,在期望的位置以期望的形状形成有开口部51。
如图2和图7所示,掩模50与被成膜基板60的被成膜面61,隔着固定或一定的空隙地相对配置。
另外,在本实施方式中,掩模50具有与被成膜基板60相同的大小,并且紧贴地固定在被成膜基板60的被成膜面61,但是本实施方式也可以不限于此。
例如,也可以使用尺寸比被成膜基板60小的掩模50,在固定掩模50和蒸镀源20的状态下,使被成膜基板60以在从蒸镀源20射出的蒸镀颗粒的射出路径上方通过的方式移动。
在本发明中,只要腔室内构成物70的至少表面由能够被磁铁吸附的材料形成,蒸镀方法本身就不是特别重要。从而,如上所述利用不同的蒸镀方法的情况下,也能够应用本发明。
另外,如图2和图7所示,在掩模50的与被成膜基板60相反的一侧,以与被成膜基板60的被成膜面61相对的方式,配置蒸镀源20。
有机发光材料在高真空下通过加热、升华,作为蒸镀颗粒从蒸镀源20射出。
作为蒸镀颗粒从上述蒸镀源20射出的蒸镀材料通过设置于掩模50的开口部51蒸镀在被成膜基板60。
由此,作为蒸镀膜蒸镀形成仅在与开口部51对应的被成膜基板60的期望的位置具有期望的成膜图案的有机膜。其中,蒸镀按发光层的每种颜色进行(这称为“分涂蒸镀”)。
例如,图6的空穴注入层兼空穴输送层122的情况下,在显示部整个面进行成膜,因此将在显示部整个面和需要成膜的区域开口的开口掩模用作蒸镀用的掩模50,进行成膜。
其中,对电子输送层124、电子注入层125和第二电极126也一样。
另一方面,在图6中,当进行显示红色的像素的发光层123R的成膜时,将只有蒸镀红色的发光材料的区域开口的精细掩模用作蒸镀用的掩模50,进行成膜。
<有机EL显示装置100的制造工序的流程>
图8是按照工序顺序表示有机EL显示装置100的制造工序的流程图。
首先,制作TFT基板110,并且在该制成的TFT基板110上形成第一电极121(步骤S1)。其中,TFT基板110能够利用公知的技术制作。
接着,在形成有该第一电极121的TFT基板110上,将开口掩模用作蒸镀用的掩模50,通过真空蒸镀法,在像素区域整个面形成空穴注入层和空穴输送层(步骤S2)。其中,作为空穴注入层和空穴输送层,如上所述,可以为空穴注入层兼空穴输送层122。
接着,将精细掩模用作蒸镀用的掩模50,通过真空蒸镀法,分涂蒸镀发光层123R、123G、123B(步骤S3)。由此,形成与各像素101R、101G、101B对应的图案膜。
之后,在形成有发光层123R、123G、123B的TFT基板110上,将开口掩模用作蒸镀用的掩模50,通过真空蒸镀法,在像素区域整个面,依次形成电子输送层124、电子注入层125、第二电极126(步骤S4~S6)。
如上所述,对完成蒸镀的基板,进行有机EL元件120的区域(显示部)的密封,以免有机EL元件120因大气中的水分或氧而劣化(步骤S7)。
对于密封而言,有通过CVD法等形成水分、氧难以透过的膜的方法、通过贴合剂等贴合玻璃基板等的方法等。
通过如上的工序,制作有机EL显示装置100。有机EL显示装置100能够通过从形成在外部的驱动电路使电流流过位于各个像素的有机EL元件120而发光,从而进行期望的显示。
<附着在腔室内构成物70上的附着物的回收和再利用>
图4是表示蒸镀工序后的真空腔室10内的主要部分的概略结构的截面图。
在真空蒸镀中,如上所述,在高真空下对蒸镀材料加热使其升华。因此,从蒸镀源20射出的蒸镀颗粒在真空腔室10内广范围飞散。
因此,若反复进行蒸镀处理(真空蒸镀),则如图4所示,在蒸镀工序后的各腔室内构成物70(例如防镀板30、遮挡件40等),飞散的蒸镀颗粒作为附着物22附着、沉积。
在有机EL显示装置100的制造中,构成有机EL元件120的有机膜的材料非常昂贵。因此,上述有机材料的利用效率的降低使每一个有机EL显示装置100的有机材料的使用量增大,会导致有机EL显示装置100的制造成本增加。
因此,未附着在被成膜基板60的蒸镀材料的回收、再利用在有机EL显示装置100的制造中是极其重要的过程。
另外,若如上所述继续进行蒸镀处理,从蒸镀源20射出的蒸镀材料就会附着在腔室内构成物70,但附着一定程度以上后,由于自重而脱落,污染真空腔室10内部。因而,像这样设置在蒸镀颗粒所附着的位置的腔室内构成物70,需要定期更换。
于是,在本实施方式中,从需要像这样定期更换的、真空腔室10内的附着蒸镀颗粒的腔室内构成物70,剥离附着在该腔室内构成物70上的附着物22,回收再利用。
图1(a)~(d)是按照工序顺序表示本实施方式的附着物22的分离和回收工序的图。
附着物22的回收是在达到预设定的蒸镀次数或附着物22的沉积膜厚等预设定的蒸镀条件之后进行的,换而言之,例如是在达到预设定的腔室内构成物70的更换条件之后进行的。
当像这样进行附着物22的分离和回收时,如上所述,进行多次蒸镀之后,首先,如图1(a)所示,将附着有附着物22的腔室内构成物70拆卸到真空腔室10外。
接着,如图1(b)所示,将附着在腔室内构成物70上的附着物22从腔室内构成物70削落而剥离(附着物剥离处理、剥离工序)。
此时,不仅附着物22剥落,而且腔室内构成物70的表面的包含能够被磁铁吸附的材料的层71也与附着物22一起剥落。
因此,在从腔室内构成物70剥落回收的回收物80中,混有包含上述能够被磁铁吸附的材料的层71的碎片71a(即,包含上述能够被磁铁吸附的材料的层71被削落的剥落物)。
另外,作为从腔室内构成物70剥离附着物22的方法,没有特别限制,但优选进行干式剥离。
作为用于干式剥离的削除工具,例如能够使用刮刀等所谓的刮具、砂轮机、磨光机等公知的各种各样的磨削工具、切削工具等。
图1(c)表示本实施方式中使用的附着物回收装置的主要部分的概略结构。
如图1(c)所示,在本实施方式中使用的附着物回收装置200,设置有从由腔室内构成物70剥落而被回收的回收物80中分离回收作为混入物(杂质)的上述碎片71a的混入物回收部202。另外,作为将回收物80搬送至上述混入物回收部202的搬送部件,例如设置有传送带(输送机)201。
在上述混入物回收部202中,以接近上述传送带201的方式,配置有电磁铁、磁铁板等磁铁202a。
像这样在磁铁202a保持空隙配置在传送带201上的状态下,回收物80装载在传送带201上,被搬送至混入物回收部202,从而通过由磁铁202a产生的磁场内(磁场通过处理、分离工序)。
此时,如图1(d)所示,上述碎片71a,由于如上所述包含能够被磁铁吸附的材料,因此在上述混入物回收部202被磁铁202a吸附。而作为蒸镀材料的附着物22则不被磁铁202a吸附。
一般而言,在有机EL元件中使用的有机材料既不是强磁性体也不是铁氧磁性体。
因而,如上所述通过磁场内部,就能够分离回收上述碎片71a和附着物22。
其中,上述磁场通过处理不限于一次,可以进行多次。通过进行上述磁场通过处理,能够进一步提高最终回收的附着物22(即,蒸镀材料的最终回收物)的纯度。
另外,在上述有机膜的蒸镀、即包含上述有机发光材料的蒸镀膜的形成中,各蒸镀膜的每一个蒸镀工序,利用不同的真空腔室10进行蒸镀。
例如,红色的发光层123R是利用红色的发光层形成用的真空腔室10而进行成膜的。同样,例如绿色的发光层123G、蓝色的发光层123B分别是利用绿色的发光层形成用的真空腔室10、蓝色的发光层形成用的真空腔室10进行成膜的。
因此,附着在各个真空腔室10内的腔室内构成物70,例如附着在图4所示的真空腔室10的防镀板30、遮挡件40等腔室内构成物70上的附着物22由单一材料形成。
从而,从这些腔室内构成物70剥离附着物22时,只要在蒸镀时没有材料变性,就能得到单一材料。
但是,在发光层的成膜等时同时蒸镀并混合两种以上的有机材料的情况下,混合状态的有机材料附着在腔室内构成物70上。此时,为了从混合的附着物22分离单独的有机材料,需要在上述磁场通过处理后,进一步进行精制处理。另外,在回收的有机材料混合的情况下就能够再利用时,无需进行精制处理。
<效果>
如上所述,为了再利用附着在防镀板、遮挡件等腔室内构成物上的附着物,需要使附着物从腔室内构成物脱离。
防镀板等虽然为了维持形状而由坚固的物质制成,但是在剥落所附着的蒸镀材料时,也会一起剥落而作为杂质混入剥离物中。
此时,剥离所附着的蒸镀材料时即使使用喷水器(water jet),也会因水压而发生腔室内构成物的损伤、剥离,被剥离的腔室内构成物的碎片就会混入被剥离的蒸镀材料中。
这样的杂质(混入物)会使蒸镀材料的品质变差,因此,需要进行分离。然而,或者因为分离困难,或者因为即使能够分离也需要进行复杂的处理,所以导致在材料再利用时,处理成本增大,伴随处理工序而出现另外的杂质混入。因此,以往无法进行简便的材料再利用。
另外,可以考虑到与本发明的方法不同的通过能够溶解蒸镀材料的有机溶剂回收蒸镀材料的方法。
例如使附着有蒸镀材料的构成物浸泡在有机溶剂的方法。利用这样的方法,能够仅将蒸镀材料溶解在有机溶剂中进行分离。
但是,该方法存在如下的问题。
(1)因为使用有机溶剂,所以需要花费溶剂成本,并且需要先进的废液设备、再处理设备。
(2)有机溶剂原来含有的杂质混入回收的蒸镀材料中。该杂质难以分离,需要进行基于蒸镀材料的升华精制等的高纯度化处理(成本增加的主要因素)。
(3)由于取决于蒸镀材料的溶解性,所以能够回收的蒸镀材料受限制。
(4)需要使防镀板和遮挡件具有有机溶剂耐性。
与此相比,根据本实施方式,如上所述,腔室内构成物70的至少表面由包含能够被磁铁吸附的材料的层71形成,在从由腔室内构成物70剥离回收的回收物80中回收该回收物80时,只要使与要回收的附着物22一起剥离的包含能够被磁铁吸附的材料的层71的碎片71a通过磁场而吸附在磁铁202a上即可。
根据本实施方式,即使如上所述在回收蒸镀材料的剥离物时(即回收回收物80时)被剥落的腔室内构成物70的碎片71a混入蒸镀材料的剥离物中,也能够从上述回收物80仅将该碎片71a分离并去除。
另外,根据本实施方式,因为如上所述只是使回收物80通过磁场,因此,能够简便地进行附着物22的分离和回收工序。
另外,根据本实施方式,因为不像以往那样经过溶液洗净、热处理等复杂的工序,因此不会混入新的杂质。
因此,根据本实施方式,不增加复杂的分离处理工序,就能够回收再利用高纯度的蒸镀材料。
另外,吸附在磁铁202a的碎片71a是腔室内构成物70的原材料,因此,上述的磁场通过处理(分离工序)也是能够回收该原材料的处理。当原材料价格昂贵或其为环境污染物时,通过回收碎片71a也可以对削减成本或防止环境破坏做出贡献。
因而,根据本实施方式,即使构成防镀板30等腔室内构成物70的包含上述能够被磁铁吸附的材料的层71由例如昂贵的材料形成,也能够如上所述利用使材料通过磁场的方式回收这样的材料。
因此,不仅可以再利用所回收的这些材料,实现简便的再利用过程和减少再利用处理的成本增加,而且还具有减少废弃物,减少环境负荷的效果。
另外,在本实施方式中,由于回收蒸镀材料时不进行加热,也不会引起加热所致的蒸镀材料的劣化。而且,当从腔室内构成物70剥离附着物22时,无需用水。从而,没有水分所致的蒸镀材料的变性的忧虑和进行干燥工序的需要。
如上所述,利用喷水器的附着物的剥离无法适用于容易发生水分所致的变性的蒸镀材料。然而,本发明无需用水,因此也能够适用于容易发生水分所致的变性的材料的剥离和回收。
这样,本发明不仅抑制了腔室内构成物70的损伤,而且简便地分离混入的杂质,从而能够得到高品质的蒸镀材料。
其中,能够应用本发明的腔室内构成物70的种类不限于防镀板30和遮挡件40,也能够对真空腔室10内的各种各样的腔室内构成物70适用。
[实施方式2]
主要参照图9和图10(a)~(f)对本实施方式说明如下。
其中,在本实施方式中,主要说明与实施方式1不同之处,对与实施方式1中使用的构成部件具有相同的功能的构成部件标注相同的标号,省略其说明。
在上述实施方式1中,举例说明的是在腔室内构成物70的至少与蒸镀材料接触的部分形成有包含能够被磁铁吸附的材料的层71的情况。
在本实施方式中,举例说明的是在从腔室内构成物70剥落附着物22的削除工具的至少与蒸镀材料接触的部分形成有包含能够被磁铁吸附的材料的层的情况。
<附着物回收系统的结构>
图9是表示本实施方式中使用的附着物回收系统的结构的一个例子的框图。
如图9所示,本实施方式中使用的附着物回收系统300例如包括喷砂装置210、粉碎机220、过滤器230、附着物回收装置240,并且具有将利用喷砂装置210从腔室内构成物70的表面剥落的回收物80搬送至各部的搬送部件250和切换搬送路(搬送方向)的切换器260。
其中,关于各部的结构,将后文中与附着在腔室内构成物70上的附着物的回收和再利用方法一起叙述。
在本实施方式中,通过使用包含能够被磁铁吸附的材料的研磨剂作为上述削除工具的喷砂法来剥离附着在防镀板30和遮挡件40等腔室内构成物70上的附着物22。
喷砂法是利用空气压力使被称为砂的例如几百μmφ左右的氧化铝粒子、碳化硅粒子、沙子等研磨剂撞击作为研磨对象的被研磨物的表面,利用此时的冲击力挖掘或者研磨被研磨物的表面的方法。在本实施方式中,该研磨剂利用包含能够被磁铁吸附的材料的研磨剂。
其中,本实施方式中利用的蒸镀装置1的结构与实施方式1相同。但是,在本实施方式中,防镀板30和遮挡件40等的腔室内构成物70的原材料是任意的。
<附着在腔室内构成物70上的附着物的回收和再利用>
下面,参照图10(a)~(f)说明利用上述附着物回收系统300回收再利用附着在腔室内构成物70上的附着物22的方法。
图10(a)~(f)是表示本实施方式的附着物22的分离和回收工序的图。
在本实施方式中,进行附着物22的分离和回收时,在多次蒸镀之后,首先,如图10(a)所示,将附着有附着物22的腔室内构成物70拆卸到真空腔室10外。
接着,如图10(b)所示,使用喷砂装置210,从喷砂装置210的喷嘴211将研磨剂212喷至附着在腔室内构成物70上的附着物22(附着物剥离处理,剥离工序)。
由此,如图10(c)所示,回收混合有研磨剂212和从腔室内构成物70剥离的附着物22的混合物。
回收到的混合物(回收物),例如如图10(e)所示,与实施方式1一样,利用传送带等搬送部件250搬送到附着物回收装置240。
图10(e)表示本实施方式中使用的附着物回收装置240的主要部分的概略结构。
如图10(e)所示,在本实施方式中使用的附着物回收装置240,设置有从混合有研磨剂212和从腔室内构成物70剥离的附着物22的混合物中分离和回收作为混入物(杂质)的上述研磨剂212的混入物回收部241。
其中,作为将上述混合物(回收物)搬送至上述混入物回收部241的搬送部件250,例如如上所述利用传送带。
在上述混入物回收部241,以接近上述搬送部件250的方式,配置有电磁铁、磁铁板等磁铁241a。
上述混合物(回收物)通过像这样在磁铁241a保持空隙地配置在作为搬送部件250的例如传送带上的状态下由该搬送部件250搬送至混入物回收部241,通过磁铁241a产生的磁场。
此时,如图10(f)所示,研磨剂212如上所述包含能够被磁铁吸附的材料,因此在上述混入物回收部241被磁铁241a吸附。而作为蒸镀材料的附着物22则不被磁铁241a吸附。
因此,如上所述通过磁场,就能够分离回收上述研磨剂212和附着物22。
另外,在本实施方式中,上述磁场通过处理不限于一次,可以进行多次。通过进行上述磁场通过处理,能够进一步提高最终回收的附着物22(即,蒸镀材料的最终回收物)的纯度。
另外,也可以在使上述混合物(回收物)通过磁场的前后,如图9所示,例如利用切换器260切换搬送路(搬送方向),从而根据需要,如图10(d)所示有选择地使上述混合物(回收物)通过设置有具有规定的直径的开口部221的过滤器230而分级。由此,能够预先分离通不过过滤器230的直径较大的研磨剂212,因此能够进一步提高最终回收的蒸镀材料的纯度。
另外,此时,若附着物剥离处理中剥离(脱离)的附着物22的大小为过滤器230的通过直径以上时,也可以如图9所示,包含利用粉碎机220(mill,碾磨机)粉碎所剥离的附着物22的粉碎工序(碾磨工序)。
其中,此时,作为粉碎用部件,也能够直接利用附着物剥离处理中得到的混合物(回收物)中包含的研磨剂212。
在本实施方式中,如上所述,利用喷砂法,从腔室内构成物70的表面剥离(脱离)附着物22。因此,不利用有机溶剂,就能够使附着物22有效且充分地从腔室内构成物70的表面脱离。
另外,在本实施方式中举例说明的是,如上所述,削除工具使用包含能够被磁铁吸附的材料的研磨剂,通过喷砂法从腔室内构成物70剥落附着物22的情况。
然而,本实施方式并不限于此,作为上述削除工具,也能够使用至少在与蒸镀材料接触的部分形成有包含能够被磁铁吸附的材料的层的刮具、砂轮机、磨光机等削除工具。
<能够被磁铁吸附的材料>
在本实施方式中,作为能够被磁铁吸附的材料,只要是能够被磁铁吸附的材质的材料,就不受特别限制。代表性地,如实施方式1所记载,能够举出作为具有强磁性体部分的磁性材料的强磁性体(铁磁性体)或铁氧磁性体。
但是,如本实施方式,当研磨件等的削除工具使用如上所述的能够被磁铁吸附的材料时,作为上述材料,适合使用铁或显现出强磁性的不锈钢等。
另外,在本实施方式中,作为上述能够被磁铁吸附的材料和包含该材料的层,优选具有尽量高的硬度,以免在附着物剥离处理中能够被磁铁吸附的材料大量脱离或变性。
另外,为了进一步提高后述的磁铁通过处理后的回收物的纯度,出于减少来自包含上述能够被磁铁吸附的材料的层的脱离物(剥落物)的混入量的观点,也优选包含上述能够被磁铁吸附的材料的层和该材料具有尽量高的硬度。此外,在本实施方式中,也是考虑加工性、材料费等,适当选择、调整所使用的材料即可。
另外,在本实施方式中,为了回收再利用,优选包含能够被磁铁吸附的材料形成的层由一层构成。
但是,在本实施方式中,用于上述削除工具的基材层也不受特别限制,可以由一层构成,也可以具有两层以上的层叠结构。另外,可以由一种材料形成,也可以由两种以上的材料形成。
<效果>
根据本实施方式,如上所述,使用至少在与蒸镀材料接触的部分形成有包含能够被磁铁吸附的材料的层的削除工具,从腔室内构成物70剥落附着物22。
因此,当从腔室内构成物70剥落附着物22时,即使有削除工具的碎片混入蒸镀材料的剥离物中,也能够如上所述使其通过磁场,仅将所混入的削除工具的碎片分离、去除。
另外,在本实施方式中,如上所述,只是使从腔室内构成物70剥落的混合物(回收物)通过磁场,因此,能够简便地进行附着物22的分离和回收工序。
从而,在本实施方式中也与实施方式1一样,无需增加复杂的分离处理工序,就能够回收再利用高纯度的蒸镀材料。
另外,在本实施方式中,也能够回收再利用在磁场通过处理(分离工序)中被磁铁241a吸附的研磨剂212。因此,既能够实现简便的再利用过程和减少再利用处理的成本增加,又能够减少废弃物,减少环境负荷。
另外,在本实施方式中,也无需在回收蒸镀材料时进行加热或使用水。因而,能够得到与实施方式1同样的效果。
<变形例>
另外,本实施方式能够与上述实施方式1组合使用。也就是说,例如在腔室内构成物70和削除工具的至少与蒸镀材料接触的部分,也可以分别设置包含能够被磁铁吸附的材料的层。
其中,此时,能够被磁铁吸附的材料的种类在腔室内构成物70和削除工具中互不相同。
但是,从再利用由磁铁吸附回收的腔室内构成物70和削除工具的剥离物的观点出发,为了无需进行分别用于腔室内构成物70和削除工具的能够被磁铁吸附的材料的分离处理,优选强磁性体的种类相同。
[实施方式3]
主要参照图11和图12(a)、(b),对本实施方式说明如下。
而且,在本实施方式中,主要说明与实施方式1、2不同之处,对与实施方式1中使用的结构部件具有相同的功能的结构部件标注相同的标号,省略其说明。
图11是表示本实施方式中使用的腔室内构成物的层结构的截面图。另外,图12(a)、(b)是表示本实施方式的附着物22的分离和回收工序的一部分的图。
在本实施方式中,如图11所示,与上述实施方式1不同之处在于:在基材72的表面,作为包含能够被磁铁吸附的材料的层71,例如包含能够被磁铁吸附的材料的板材通过贴合层73与基材72贴合,由此构成腔室内构成物70。
像这样,作为包含能够被磁铁吸附的材料的层71,例如,包含能够被磁铁吸附的材料的板材通过贴合层73与基材72贴合,从而,如图12(a)所示,能够容易地从基材72剥离附着有附着物22的上述板材。
因此,根据本实施方式,不对腔室内构成物70的表面,即基材72的表面带来损伤,因此能够直接再次使用基材72。
另外,上述板材优选分割为多个小片而贴合,以能够容易地取出到真空腔室10外。
取出到真空腔室10外的表面附着有附着物22的板材例如利用粉碎机等进行粉碎,从而能够如图12(b)所示,使附着物22脱离。
当然,通过实施方式1、2所示的方法,能够从板材的表面剥落附着物22。
这样得到的板材的碎片和附着物22的混合物如上述实施方式1、2所示通过磁场,就能够仅将板材的碎片分离、去除。
因此,在本实施方式中,也能够得到与实施方式1、2一样的效果。
<其它方式>
如上所述,在实施方式1~3中,举例说明了作为真空镀膜法中使用的成膜材料的回收,进行用于利用真空蒸镀法的有机EL显示装置的制造的蒸镀材料的回收的情况,并且举例说明了进行有机材料的回收的情况。
作为利用真空成膜法的成膜,代表性地可以举出如上所述利用被称为荫罩的蒸镀用的掩模的真空蒸镀法。
并且,真空蒸镀法,如上所述,一般例如在有机EL显示装置的成膜方法中利用。
然而,本实施方式并不限于此,能够适用于所有附着在利用真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法、CVD法等真空成膜法的真空成膜装置的成膜腔室内的构成物上的、无法被磁铁吸附的成膜材料的回收。
另外,被回收的成膜材料并不限于有机材料,只要是使其通过磁场,根据磁性的差异,能够与上述能够被磁铁吸附的材料分离的成膜材料,就没有特别限制。
例如,在上述有机EL显示装置100中,也作为用于第一电极121和第二电极126的导电膜材料利用的ITO由于可见光的透射率高(透明度高)、电阻(电阻率)小,容易通过光蚀刻法进行图案形成,因此,作为透明导电膜,广泛使用于液晶面板的的像素电极、对置电极、PDP(Plasma Display Panel:等离子体显示面板)、有机/无机EL的电极、PDP用电磁波滤波器、触控面板、太阳能电池等。
然而,ITO中包含的铟是被称为稀有金属的埋藏量很少的金属,因此出于使用量以高的增长率增加的原因,回收/循环也极其重要。
作为ITO的薄膜形成方法,多使用溅射法、真空蒸镀法、离子电镀法等真空成膜法。例如,一般来说,液晶显示器等的包括ITO的透明电极在多数情况下是利用溅射法形成薄膜的。
因此,在提高材料利用效率方面,应用本发明分离、回收作为非磁性材料的ITO是非常有意义的。
<要点总结>
本发明的一个实施方式的成膜材料的回收方法,如上所述,为将在设置于真空成膜装置的成膜腔室内的成膜夹具的表面附着的成膜材料剥离并回收的成膜材料的回收方法,在上述成膜夹具的至少与上述成膜材料接触的部分,设置有包含能够被磁铁吸附的材料的层,上述成膜材料的回收方法包括:剥离工序,剥离附着在上述成模夹具的表面的成膜材料;和分离工序,将在上述剥离工序中与成膜材料一起剥离的包含上述能够被磁铁吸附的材料的层的碎片吸附在磁铁上,从上述成膜材料分离,从而回收上述成膜材料。
在上述成膜材料的回收方法中,优选利用至少与上述成膜材料接触的部分包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具,削除附着在上述成膜夹具的表面的成膜材料,由此进行上述剥离工序的成膜材料的剥离,并且包括分离工序,在上述分离工序中,将混在上述剥离工序中被剥离的成膜材料中的包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具的碎片、和在上述剥离工序中与成膜材料一起被剥离的上述包含能够被磁铁吸附的材料的层的碎片吸附在磁铁上,从上述成膜材料分离,从而回收上述成膜材料。
另外,根据本发明的另一个实施方式的成膜材料的回收方法,如上所述为将在设置于真空成膜装置的成膜腔室内的成膜夹具的表面附着的成膜材料剥离并回收的成膜材料的回收方法,上述成膜材料的回收方法包括:剥离工序,利用至少与上述成膜材料接触的部分包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具,削除并剥离附着在上述成膜夹具的表面的成膜材料;和分离工序,使混在上述剥离工序中被剥离的成膜材料中的包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具的碎片吸附在磁铁上,从上述成膜材料分离,从而回收上述成膜材料。
根据上述的各结构,剥离成膜材料时与成膜材料一起剥离的包含上述能够被磁铁吸附的材料的碎片被磁铁吸附,从成膜材料分离。因此,根据上述的各方法,能够高效且低成本地回收成膜材料。
而且,根据上述的各方法,因为不经过溶液洗净、热处理等复杂的工序,因此不会混入新的杂质。
因此,根据上述的各方法,不增加复杂的分离处理工序,就能够以高纯度回收再利用成膜材料。
另外,能够在上述分离工序中分离、回收能被磁铁吸附的碎片。因此,通过上述碎片的回收能够削减成本和防止环境破坏。
在上述成膜材料的回收方法中,优选上述削除工具的碎片为包含能够被磁铁吸附的材料的研磨剂,在上述剥离工序中,通过使用包含能够被磁铁吸附的材料的研磨剂作为上述削除工具的喷砂法,剥离上述成膜材料。
根据上述的方法,能够有效且充分地使附着在上述成膜夹具上的成膜材料从上述成膜夹具的表面脱离。
另外,上述成膜材料的回收方法优选在上述分离工序之前,还包括分级工序,将上述剥离工序中得到的、上述成膜材料与研磨剂的混合物通过过滤器分级,从而分离不通过过滤器的研磨剂。
由此,能够提高最终回收的成膜材料的纯度。
另外,上述成膜材料的回收方法优选在上述分级工序之前,还包括粉碎工序,将上述剥离工序中得到的、上述成膜材料与研磨剂的混合物中包含的成膜材料粉碎。
由此,能够将上述成膜材料粉碎,以使上述成膜材料通过上述过滤器。
另外,优选在上述粉碎工序中,利用上述混合物中包含的研磨剂,将上述成膜材料粉碎。
根据上述的方法,由于上述剥离工序中得到的上述成膜材料与研磨剂的混合物中含有研磨剂,因此能够直接将上述研磨剂作为粉碎用部件利用。
另外,在上述分离工序中,使上述成膜材料与碎片的混合物多次通过上述磁铁的磁场内。
由此,能够提高最终回收的成膜材料的纯度。
作为上述能够被磁铁吸附的材料,可以举出强磁性体或铁氧磁性体。
另外,优选上述成膜材料为用于有机电致发光元件的有机材料。
有机电致发光元件中使用的有机材料价格昂贵,希望能够回收再利用。而且,一般而言,有机电致发光元件中使用的有机材料无法被磁铁吸附。因此,根据本发明能够高效且低成本地回收。
本发明并不限于上述的各实施方式,在权利要求所示的范围内能够进行各种变更,适当组合在不同的实施方式中分别公开的技术手段而得到的实施方式也属于本发明的技术范围。
工业上的可利用性
本发明能够适用于在设置于利用真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法、CVD法等真空成膜法的真空成膜装置的成膜腔室内的成模夹具的表面附着的成膜材料的回收。
附图标记说明
1 蒸镀装置
10 真空腔室
11 内壁
20 蒸镀源
21 射出口
22 附着物(成膜材料)
30 防镀板
31 第一防镀板
31a 开口部
32 第二防镀板
32a 开口部
40 遮挡件
50 掩模
51 开口部
60 被成膜基板
61 被成膜面
70 腔室内构成物
71a 碎片
72 基材
73 贴合层
80 回收物
100 有机EL显示装置
101R、101G、101B 像素
110 TFT基板
111 绝缘基板
112 TFT
113 配线
114 层间绝缘膜
114a 接触孔
115 边缘覆盖物
120 有机EL元件
121 第一电极
122 空穴注入层兼空穴输送层
123R、123G、123B 发光层
124 电子输送层
125 电子注入层
126 第二电极
130 粘接层
140 密封基板
200 附着物回收装置
201 传送带
202 混入物回收部
202a 磁铁
210 喷砂装置
211 喷嘴
212 研磨剂
220 粉碎机
221 开口部
230 过滤器
240 附着物回收装置
241 混入物回收部
241a 磁铁
250 搬送部件
260 切换器
300 附着物回收系统

Claims (9)

1.一种成膜材料的回收方法,其为将在设置于真空成膜装置的成膜腔室内的成膜夹具的表面附着的成膜材料剥离并回收的成膜材料的回收方法,该成膜材料的回收方法的特征在于: 
在所述成膜夹具的至少与所述成膜材料接触的部分,设置有包含能够被磁铁吸附的材料的层,并且,所述成膜材料为不被磁铁吸附的材料, 
所述成膜材料的回收方法包括: 
剥离工序,将附着在所述成模夹具的表面的成膜材料剥离;和 
分离工序,使在所述剥离工序中与成膜材料一起被剥离的所述包含能够被磁铁吸附的材料的层的碎片吸附在磁铁上,从所述成膜材料分离,从而回收所述成膜材料。 
2.如权利要求1所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
利用至少与所述成膜材料接触的部分包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具,削除附着在所述成膜夹具的表面的成膜材料,由此进行所述剥离工序的成膜材料的剥离,并且 
包括分离工序,在所述分离工序中,使混在所述剥离工序中被剥离的成膜材料中的包含能够被磁铁吸附的材料的削除工具的碎片、和在所述剥离工序中与成膜材料一起被剥离的所述包含能够被磁铁吸附的材料的层的碎片吸附在磁铁上,从所述成膜材料分离,从而回收所述成膜材料。 
3.如权利要求2所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
所述削除工具的碎片为包含能够被磁铁吸附的材料的研磨剂, 
在所述剥离工序中,通过使用包含能够被磁铁吸附的材料的研磨剂作为所述削除工具的喷砂法,剥离所述成膜材料。 
4.如权利要求3所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
在所述分离工序之前,还包括分级工序,将所述剥离工序中得到的、所述成膜材料与研磨剂的混合物通过过滤器分级,从而分离不通过过滤器的研磨剂。 
5.如权利要求4所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
在所述分级工序之前,还包括粉碎工序,将所述剥离工序中得到的、所述成膜材料与研磨剂的混合物中包含的成膜材料粉碎。 
6.如权利要求5所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
在所述粉碎工序中,利用所述混合物中包含的研磨剂,将所述成膜材料粉碎。 
7.如权利要求1~6中任一项所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
在所述分离工序中,使所述成膜材料与碎片的混合物多次通过所述磁铁的磁场内。 
8.如权利要求1~6中任一项所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
所述能够被磁铁吸附的材料为强磁性体或铁氧磁性体。 
9.如权利要求1~6中任一项所述的成膜材料的回收方法,其特征在于: 
所述成膜材料为有机电致发光元件中使用的有机材料。 
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104993070A (zh) * 2015-07-02 2015-10-21 深圳市华星光电技术有限公司 一种制作柔性oled显示器件的方法
CN108212429A (zh) * 2018-02-05 2018-06-29 赣州清亦华科科技有限公司 一种用于稀土粉料的新式提纯装置
JP7140801B2 (ja) * 2020-07-29 2022-09-21 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
CN113458609A (zh) * 2021-05-27 2021-10-01 上海传芯半导体有限公司 再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101494156A (zh) * 2009-02-19 2009-07-29 上海宏源照明电器有限公司 电磁感应灯及其排气管护套
CN101677122A (zh) * 2008-09-17 2010-03-24 株式会社日立高新技术 有机el用掩模清洁装置及方法、有机el显示器及其制造装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0751756B2 (ja) * 1985-11-09 1995-06-05 日電アネルバ株式会社 集塵装置付薄膜処理装置
JPH01159368A (ja) * 1987-12-15 1989-06-22 Canon Inc 堆積膜形成装置
JPH1015826A (ja) * 1996-06-28 1998-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 厚膜パターン形成方法並びにパターン形成材料の選別方法及びそれに用いる選別装置
JP4059946B2 (ja) 1996-12-06 2008-03-12 株式会社アルバック 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法
JP2978821B2 (ja) * 1997-04-09 1999-11-15 九州日本電気株式会社 半導体装置の製造装置および製造方法
JPH11229123A (ja) * 1998-02-12 1999-08-24 Casio Comput Co Ltd 蒸着装置
JP3793677B2 (ja) * 1999-12-24 2006-07-05 株式会社不二製作所 低融点ガラスの分離・回収方法及び装置、並びに低融点ガラスペーストのリサイクル方法
JP2001254167A (ja) * 2000-03-10 2001-09-18 Ricoh Co Ltd スパッタ装置の防着面清掃方法及び防着板
JP3746962B2 (ja) * 2000-08-04 2006-02-22 丸尾カルシウム株式会社 研磨材及び該研磨材を用いた研磨方法
JP2002190389A (ja) 2000-12-22 2002-07-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機el素子の製造方法及び装置
JP2002222628A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Shinji Kanda サンドブラストによるフラットパネルディスプレイの隔壁形成及び電極形成用方法、並びにこの隔壁形成方法を用いた隔壁形成材料のリサイクル方法
JP2002292346A (ja) 2001-03-29 2002-10-08 Sharp Corp 付着膜回収装置および付着膜の回収方法
JP4064302B2 (ja) * 2003-05-30 2008-03-19 柿原工業株式会社 金属被膜樹脂材の金属と樹脂材の分離回収方法及びその金属と樹脂分離回収装置
JP2005068485A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Canon Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP4236632B2 (ja) * 2004-12-14 2009-03-11 財団法人レーザー技術総合研究所 蒸着マスクのクリーニング方法、蒸着マスククリーニング装置、有機el素子の製造方法、および、有機el素子の製造装置
JP2007126727A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着用防着装置
JP4428338B2 (ja) * 2005-12-05 2010-03-10 セイコーエプソン株式会社 研削用粉末、研削方法およびフラットディスプレイパネル用基板の製造方法
JP2008088465A (ja) 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp 蒸着装置および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2008127642A (ja) 2006-11-22 2008-06-05 Toppan Printing Co Ltd 蒸着装置及び蒸着材料の再生方法
JP2008223102A (ja) 2007-03-14 2008-09-25 Seiko Epson Corp 蒸着装置、および蒸着方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101677122A (zh) * 2008-09-17 2010-03-24 株式会社日立高新技术 有机el用掩模清洁装置及方法、有机el显示器及其制造装置
CN101494156A (zh) * 2009-02-19 2009-07-29 上海宏源照明电器有限公司 电磁感应灯及其排气管护套

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2002-222628A 2002.08.09 *
JP特开2007-126727A 2007.05.24 *
JP特开2007-154046A 2007.06.21 *
JP特开平10-15826A 1998.01.20 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20130292501A1 (en) 2013-11-07
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JP5336006B2 (ja) 2013-11-06
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JPWO2012086535A1 (ja) 2014-05-22

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