CN103218001A - 一种软启动的电压调整电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及模拟电源技术领域,具体为一种软启动的电压调整电路,其电路面积小,结构较简单,降低了成本的同时输出电压稳定性高、启动可靠性好,其包括电源VDD,电阻R1,其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一NMOS管、反馈电路,第一钳位电路包括第二NMOS管和电阻R2,第二钳位电路包括第三NMOS管和电阻R3,第二NMOS管的漏端分别连接电阻R3一端和电阻R2一端、栅端分别连接电阻R2另一端和电阻R1一端,电阻R1另一端分别连接电源VDD和第一NMOS管的漏端,第一NMOS管的源端连接电压输出端、栅端分别连接电阻R3另一端和第三NMOS管的漏端,第二钳位电路包括栅端与漏端相连的NMOS管,NMOS管的漏端分别连接第二NMOS管的源端和第三NMOS管的栅端、源端与第三NMOS管的源端共同接地。

Description

一种软启动的电压调整电路
技术领域
本发明涉及模拟电源技术领域,具体为一种软启动的电压调整电路。
背景技术
在一般的电压稳定电路中,经常采用PMOS管作为驱动电路,如图1所示,在驱动相同电流的情况下,其电路面积是NMOS管的2.5倍以上,同时,采用PMOS管时,电路中还需要包含有基准电压源和误差放大器,其电路稳定性和启动的可靠性较差,输出电压不稳定,需要加入用以稳定电压的电路,增加了电路面积,同时在超过12V以上的高压应用中,必然需要使用后栅样的器件和工艺,从而导致面积的进一步增加和工件更加复杂化,整个电路面积大,结构复杂,制作成本高。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种软启动的电压调整电路,其电路面积小,结构较简单,降低了成本的同时输出电压稳定性高、启动可靠性好。
其技术方案是这样的:一种软启动的电压调整电路,其包括电源VDD,电阻R1,其特征在于,其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一NMOS管、反馈电路,所述第一钳位电路包括第二NMOS管和电阻R2,所述第二钳位电路包括第三NMOS管和电阻R3,所述第二NMOS管的漏端分别连接所述电阻R3一端和所述电阻R2一端、栅端分别连接所述电阻R2另一端和所述电阻R1一端,所述电阻R1另一端分别连接所述电源VDD和所述第一NMOS管的漏端,所述第一NMOS管的源端连接电压输出端、栅端分别连接所述电阻R3另一端和所述第三NMOS管的漏端,所述第二钳位电路包括栅端与漏端相连的NMOS管,所述NMOS管的漏端分别连接所述第二NMOS管的源端和所述第三NMOS管的栅端、源端与所述第三NMOS管的源端共同接地。
其进一步特征在于,所述第二钳位电路的NMOS管和所述第一钳位电路的第二NMOS管之间还包括PMOS管,所述PMOS管的栅端和漏端相连,所述PMOS管的源端与所述第二NMOS管的源端相连、漏端与所述第二钳位电路中的NMOS管的漏端相连,所述NMOS管的源端接地;所述第二钳位电路中可以包括多个所述PMOS管串联;所述第二钳位电路中可以包括多个所述NMOS管串联;所述第二钳位电路包括两个串联的第四、第五PMOS管,四个串联的第六、第七、第八、第九NMOS管,所述第四PMOS管的源端与所述第二NMOS管的源端相连,所述第五PMOS管的漏端与所述第六NMOS管的漏端相连,所述第九NMOS管的源端接地;所述第二钳位电路的NMOS管、PMOS管分别最多为十个串联。
采用本发明的结构后,通过设置有第一NMOS管、第一钳位电路、第二钳位电路,采用NMOS管后无需使用基准电压源和误差放大器,结构简单,大大减小了电路的面积,降低了成本,同时在第一NMOS管和第一钳位电路、第二钳位电路之间设置包括电阻R3和第二NMOS管组成的反馈电路,可以大大提高电路中电压的稳定性,启动过程中可靠性好。
附图说明
图1为现有技术电路图;
图2为本发明第一实施例电路图;
图3为本发明第二实施例电路图。
具体实施方式
如图2所示,一种软启动的电压调整电路,其包括电源VDD,电阻R1,其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一NMOS管、反馈电路,第一钳位电路包括第二NMOS管MN2和电阻R2,第二钳位电路包括第三NMOS管MN3和电阻R3,第二NMOS管MN2的漏端分别连接电阻R3一端和电阻R2一端、栅端分别连接电阻R2另一端和电阻R1一端,电阻R1另一端分别连接电源VDD和第一NMOS管MN1的漏端,第一NMOS管MN1的源端连接电压输出端Vout、栅端分别连接电阻R3另一端和第三NMOS管MN3的漏端,第二钳位电路包括栅端与漏端相连的第六NMOS管MN6,第六NMOS管MN6的漏端分别连接第二NMOS管MN2的源端和第三NMOS管MN3的栅端、源端与第三NMOS管MN3的源端共同接地GND。
第二钳位电路的第六NMOS管MN6和第一钳位电路的第二NMOS管MN2之间还包括PMOS管,PMOS管的栅端和漏端相连,PMOS管的源端与第二NMOS管MN2的源端相连、漏端与第二钳位电路中的第六NMOS管MN6的漏端相连,第二钳位电路中可以包括多个PMOS管串联,第二钳位电路中可以包括多个NMOS管串联。见图3所示,第二钳位电路包括两个串联的第四、第五PMOS管MP4、MP5,四个串联的第六、第七、第八、第九NMOS管MN6、MN7、MN8、MN9,第四PMOS管MP4的源端与第二NMOS管MN2的源端相连,第五PMOS管MP5的漏端与第六NMOS管MN6的漏端相连,第九NMOS管MN9的漏端连接第三NMOS管MN3的栅端,第九NMOS管MN9的源端和第三NMOS管MN3的源端共同接地GND,第二钳位电路的NMOS管、PMOS管分别最多为十个串联,第二钳位电路中串联多个NMOS管或PMOS管,可以增加电路的稳定性,但串联过多时容易使电路面积过大,电路结构复杂化。

Claims (6)

1.一种软启动的电压调整电路,其包括电源VDD,电阻R1,其特征在于,其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一NMOS管、反馈电路,所述第一钳位电路包括第二NMOS管和电阻R2,所述第二钳位电路包括第三NMOS管和电阻R3,所述第二NMOS管的漏端分别连接所述电阻R3一端和所述电阻R2一端、栅端分别连接所述电阻R2另一端和所述电阻R1一端,所述电阻R1另一端分别连接所述电源VDD和所述第一NMOS管的漏端,所述第一NMOS管的源端连接电压输出端、栅端分别连接所述电阻R3另一端和所述第三NMOS管的漏端,所述第二钳位电路包括栅端与漏端相连的NMOS管,所述NMOS管的漏端分别连接所述第二NMOS管的源端和所述第三NMOS管的栅端、源端与所述第三NMOS管的源端共同接地。
2. 根据权利要求1所述的一种软启动的电压调整电路,其特征在于,所述第二钳位电路的NMOS管和所述第一钳位电路的第二NMOS管之间还包括PMOS管,所述PMOS管的栅端和漏端相连,所述PMOS管的源端与所述第二NMOS管的源端相连、漏端与所述第二钳位电路中的NMOS管的漏端相连,所述NMOS管的源端接地。
3. 根据权利要求2所述的一种软启动的电压调整电路,其特征在于,所述第二钳位电路中可以包括多个所述PMOS管串联。
4. 根据权利要求3所述的一种软启动的电压调整电路,其特征在于,所述第二钳位电路中可以包括多个所述NMOS管串联。
5. 根据权利要求4所述的一种软启动的电压调整电路,其特征在于,所述第二钳位电路包括两个串联的第四、第五PMOS管,四个串联的第六、第七、第八、第九NMOS管,所述第四PMOS管的源端与所述第二NMOS管的源端相连,所述第五PMOS管的漏端与所述第六NMOS管的漏端相连,所述第九NMOS管的源端接地。
6. 根据权利要求4所述的一种软启动的电压调整电路,其特征在于,所述第二钳位电路的NMOS管、PMOS管分别最多为十个串联。
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