CN103194792B - 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法 - Google Patents
一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法,该方法包括如下步骤:拆炉,清炉;装炉、装料;抽空、检验;加温、化料;引晶、放肩;转肩、等径;收尾;停炉。与目前使用的8英寸单晶切割而成的准方籽晶相比,用9英寸单晶加工的准单晶籽晶为方形,有利于提高铸锭的单晶比例从而提高准单晶的转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法。
背景技术
在太阳能技术低成本、高效率的发展目标下,准单晶的技术综合了单晶的高转换效率和多晶的低成本的优点,受到很多企业的关注。随着研发的不断投入,该技术日趋熟。准单晶铸锭技术分为有籽晶铸锭和无籽晶铸锭技术。国内目前主要采有籽晶铸锭技术,该技术要求在铸锭时准备大量的单晶形态的籽晶。目前大多数厂家所用的铸锭籽晶是采用锯带切割技术将8英寸单晶切割而成。但是该技术生产的籽晶为准正方型(带倒角),不利于提高准单晶铸锭的单晶比例,从而降低了晶体的转换效率。
发明内容
本技术发明了一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法。直径为220-228mm的单晶,经过多刀切割可以制备成为156*156*20mm的方形籽晶。
该方法包括如下步骤:1、将石墨件,包含上保温筒、盖板和夹层式导流筒,从单晶炉内取出放到清炉车上,然后转移到清炉房清理,同时用吸尘器将炉内吸干净;2、将清理好的石墨件,包含上保温筒、盖板和夹层式导流筒,装入单晶炉内,将石英坩埚放入石墨坩埚上并将硅料装入石英坩埚内3、合上单晶炉,抽真空,屏漏率,检查合格后,打开氩气阀;4、按下加热开关,打开自动化料程序,开始化料;5、手动引晶200mm,然后按下自动放肩程序放肩;6、当肩直径达到210mm时,按下自动转肩程序转肩,当直径到达220-228mm时,按下自动等径程序(晶转SR=12-15转/分,锅转CR=8-10转/分,氩气流量60-100slmp)。
7、收尾:当单晶到达目标长度后,按下自动收尾程序。
8、停炉:当尾巴长度大于200mm后,按下自动停炉程序,停炉冷却,完成晶体生长。
与目前使用的8英寸单晶切割而成的准方籽晶相比,用9英寸单晶加工的准单晶籽晶为方形,有利于提高铸锭的单晶比例从而提高准单晶的转化效率。该技术是在8英寸直拉单晶技术上改进开发而成的,其特点是将22寸热场的普通的导流筒改为夹层式导流筒,同时调整拉晶体的工艺参数制造出9英寸单晶。
附图说明
图1是本发明的侧视图。
具体实施方式
该方法要求使用直拉太阳能单晶生长炉,普通的22寸热场,采用夹层式导流筒,导流筒下口直径280mm,上口直径460mm,高度480mm,拉制出9英寸单晶硅棒。晶体目标直径为220-228mm,SR(单晶转速)为12-15转/分钟,CR(坩锅转速)为8-10转/分钟,氩气流量为60-100slmp。9英寸单晶生长方法分以下几个步骤:
1、拆炉,清炉:将石墨件,包含上保温筒(4)、盖板(3)和夹层式导流筒(2),从单晶炉(1)内取出放到清炉车上,然后转移到清炉房清理,同时用吸尘器将炉内吸干净。
2、装炉、装料:将清理好的石墨件,包含上保温筒(4)、盖板(3)和夹层式导流筒(2),装入单晶炉(1)内,将石英坩埚放入石墨坩埚(6)上并将硅料装入石英坩埚内。
3、抽空、检验:合上单晶炉,抽真空,屏漏率,检查合格后,打开氩气阀。
4、加温、化料:按下加热器(5)的加热开关,打开自动化料程序,开始化料。
5、引晶、放肩:手动引晶200mm,按下自动放肩程序放肩。
6、转肩、等径:当肩直径达到210mm时,按下自动转肩程序。当直径到达220-228mm时,按下自动等径程序(SR=10-15,CR=8-10,氩气流量60-100slmp)。
7、收尾:当单晶到达目标长度后,按下自动收尾程序。
8、停炉:当尾巴长度大于200mm后,按下自动停炉程序,停炉冷却,完成晶体生长。
Claims (1)
1.一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:(1)、将石墨件,包含上保温筒、盖板和夹层式导流筒,从单晶炉内取出放到清炉车上,然后转移到清炉房清理,同时用吸尘器将炉内吸干净;(2)、将清理好的石墨件,包含上保温筒、盖板和夹层式导流筒,装入单晶炉内,将石英坩埚放入石墨坩埚上并将硅料装入石英坩埚内;(3)、合上单晶炉,抽真空,屏漏率,检查合格后,打开氩气阀;(4)、按下加热开关,打开自动化料程序,开始化料;(5)、手动引晶200mm,然后按下自动放肩程序放肩;(6)、当肩直径达到210mm时,按下自动转肩程序转肩,当直径到达220-228mm时,按下自动等径程序;(7)、当单晶到达目标长度后,按下自动收尾程序;(8)、当尾巴长度大于200mm后,按下自动停炉程序,停炉冷却,完成晶体生长;步骤(1)中使用的导流筒夹心层为固化毡,内层为钼质导流,外层为石墨材质组成,其下口内径为280mm,上口内径为500mm,高度为380mm;步骤(6)中自动等径参数为,晶转为12-15转/分,锅转为8-10转/分,氩气流量为60-100slmp。
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