CN207294941U - 方硅芯铸锭炉炉体 - Google Patents

方硅芯铸锭炉炉体 Download PDF

Info

Publication number
CN207294941U
CN207294941U CN201721304692.4U CN201721304692U CN207294941U CN 207294941 U CN207294941 U CN 207294941U CN 201721304692 U CN201721304692 U CN 201721304692U CN 207294941 U CN207294941 U CN 207294941U
Authority
CN
China
Prior art keywords
furnace body
silicon core
plate
ingot casting
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721304692.4U
Other languages
English (en)
Inventor
武东伟
张礼铭
殷硕
徐溢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangyin Dongsheng New Energy Ltd By Share Ltd
Original Assignee
Jiangyin Dongsheng New Energy Ltd By Share Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangyin Dongsheng New Energy Ltd By Share Ltd filed Critical Jiangyin Dongsheng New Energy Ltd By Share Ltd
Priority to CN201721304692.4U priority Critical patent/CN207294941U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207294941U publication Critical patent/CN207294941U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本实用新型涉及一种方硅芯铸锭炉炉体,它包括炉体(1),所述炉体(1)左右两侧设置有支撑座(2),所述炉体(1)包括底板(1.1),所述底板(1.1)四周设置有侧板(1.2),所述侧板(1.2)内侧设置有衬板(1.3),所述衬板(1.3)顶部设置有顶板(1.4),所述顶板(1.4)左右两侧设置有吊耳(3),所述顶板(1.4)上设置有左中右三对进气孔(4),每个排气孔(4)内均设置有氩气导流管(5),所述氩气导流管(5)的材质为钼。本实用新型一种方硅芯铸锭炉炉体,它增加了氩气在硅锭表面的覆盖及吹扫面积,降低了硅芯的碳含量,提高了产品品质。

Description

方硅芯铸锭炉炉体
技术领域
本实用新型涉及一种方硅芯铸锭炉炉体,属于多晶硅生产技术领域。
背景技术
硅芯,是在西门子法和硅烷法多晶硅生产中作为还原炉中进行还原反应沉积(CVD)多晶硅的热载体。在还原反应结束后,硅沉积在硅芯周围,硅芯连同硅通过破碎一起作为多晶硅原料使用,因此,硅芯是作为多晶硅生产过程中非常重要的辅材使用和消耗的。硅芯作为还原反应沉积(CVD)多晶硅的热载体,先后经历了如下几个发展阶段:
第一阶段是用钼丝或钽管:用钼丝或钽管做热载体,使用方便设备简单,用钽管是为了中间可以用酸腐蚀掉钽管用以制备区熔法单晶硅的硅料。但高温下金属原子扩散影响多晶硅纯度和品质,这一工艺很快被硅芯热载体取而代之。
第二阶段是区熔法生产的硅芯(圆硅芯):硅是半导体,具有温度越高电阻越低的负阻效应,用区熔法拉制的硅芯在加热后或高压击穿后低压加热成为热载体在还原炉内进行CVD生长多晶硅,生产的多晶硅质量明显提高。区熔法硅芯的生产工艺也几经变革,从一次拉一根到一炉次拉数根以节省拆炉开炉消耗的时间,进而发展到用一次拉多根,一炉次拉数次,使一炉次可以生产十多根硅芯,生产效率大大提高。但区熔法硅芯生产对操作工要求较高,多根工艺自动控制较难实现,硅芯又细,操作必须随时盯着从而使劳动强度加大,生产成本也相对较高。
第三阶段是目前的线切方硅芯:由于圆硅芯的缺点较明显,机械加工的方式随之产生,用园盘锯床或带锯锯床切割拉制的多晶硅棒生产方硅芯,生产效率大大提高,劳动力要求也降低,但缺点是割缝太大,损耗高成本高限止了它的应用和发展。随着多线切割技术的日趋成熟,线切方硅芯应运而生,用多晶硅棒进行线切割加工,一次可以切出上百根方硅芯,生产效率比区熔法拉制的圆硅芯更上一层楼。不仅生产效率提高,由于线切方硅芯相对表面积大、尺寸整根规一、强度高等优点,使用中还带来还原速率提高,炉周期缩短,倒炉率减少,电耗下降等工艺进步的好处。
目前,在方硅芯的加工制造过程中,铸锭型方硅芯以其能耗、产能、电阻率等优势已渐渐取代传统的CZ直拉法和区熔直拉方式,得到了国内大中型多晶硅企业的推广和应用。
现有的铸锭硅芯炉生产的硅芯碳含量小于10ppma,此含量已符合现在的市场的需求,但是随着多晶硅企业的发展,为了保证企业在激烈的市场保持一定的竞争力,对原生多晶硅料的品质提出了进一步的要求,需要进一步降低原生多晶硅中的碳含量。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种方硅芯铸锭炉炉体,它增加了氩气在硅锭表面的覆盖及吹扫面积,降低了硅芯的碳含量,提高了产品品质。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种方硅芯铸锭炉炉体,它包括炉体,所述炉体左右两侧设置有支撑座,所述炉体包括底板,所述底板四周设置有侧板,所述侧板内侧设置有衬板,所述衬板顶部设置有顶板,所述顶板左右两侧设置有吊耳,所述顶板上设置有左中右三对进气孔,每个排气孔内均设置有氩气导流管,所述氩气导流管的材质为钼。
所述顶板中心设置有观察孔。
所述观察孔一侧设置有测温孔。
前后两个侧板上部设置有一排散热孔。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
1、本实用新型在原先铸锭炉顶部增加四个进气口,增加了氩气在硅锭表面的覆盖及吹扫面积,降低碳在硅液表面的滞留引入;
2、本实用新型将氩气导流管由石墨材质更换为耐高温钼材质,避免了氩气气流经过原石墨导流管,对石墨导流管内壁冲刷引入的碳,从而达到有效降碳目的;
3、本实用新型铸造的硅芯产品碳含量由原先10ppma以下降至5ppma以下,从而适应市场需求,推动了产业的技术改革的步伐。
附图说明
图1为本实用新型一种方硅芯铸锭炉炉体的结构示意图。
图2为图1的俯视图。
其中:
炉体1
底板1.1
侧板1.2
衬板1.3
顶板1.4
支撑座2
吊耳3
进气孔4
氩气导流管5
观察孔6
测温孔7。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1、图2所示,本实施例中的一种方硅芯铸锭炉炉体,它包括炉体1,所述炉体1左右两侧设置有支撑座2,所述炉体1包括底板1.1,所述底板1.1四周设置有侧板1.2,所述侧板1.2内侧设置有衬板1.3,所述衬板1.3顶部设置有顶板1.4,所述顶板1.4左右两侧设置有吊耳3,所述顶板1.4上设置有左中右三对进气孔4,每个排气孔4内均设置有氩气导流管5,所述氩气导流管5的材质为钼;
所述顶板1.4中心设置有观察孔6;
所述观察孔6一侧设置有测温孔7;
前后两个侧板1.3上部设置有一排散热孔8。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种方硅芯铸锭炉炉体,其特征在于:它包括炉体(1),所述炉体(1)左右两侧设置有支撑座(2),所述炉体(1)包括底板(1.1),所述底板(1.1)四周设置有侧板(1.2),所述侧板(1.2)内侧设置有衬板(1.3),所述衬板(1.3)顶部设置有顶板(1.4),所述顶板(1.4)左右两侧设置有吊耳(3),所述顶板(1.4)上设置有左中右三对进气孔(4),每个排气孔(4)内均设置有氩气导流管(5),所述氩气导流管(5)的材质为钼。
2.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉炉体,其特征在于:所述顶板(1.4)中心设置有观察孔(6)。
3.根据权利要求2所述的一种方硅芯铸锭炉炉体,其特征在于:所述观察孔(6)一侧设置有测温孔(7)。
4.根据权利要求1所述的一种方硅芯铸锭炉炉体,其特征在于:前后两个侧板(1.2)上部设置有一排散热孔(8)。
CN201721304692.4U 2017-10-11 2017-10-11 方硅芯铸锭炉炉体 Active CN207294941U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721304692.4U CN207294941U (zh) 2017-10-11 2017-10-11 方硅芯铸锭炉炉体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721304692.4U CN207294941U (zh) 2017-10-11 2017-10-11 方硅芯铸锭炉炉体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207294941U true CN207294941U (zh) 2018-05-01

Family

ID=62414814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721304692.4U Active CN207294941U (zh) 2017-10-11 2017-10-11 方硅芯铸锭炉炉体

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207294941U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113106545A (zh) * 2021-03-29 2021-07-13 浙江晶阳机电股份有限公司 一种硅芯铸锭炉设备及其使用方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113106545A (zh) * 2021-03-29 2021-07-13 浙江晶阳机电股份有限公司 一种硅芯铸锭炉设备及其使用方法
CN113106545B (zh) * 2021-03-29 2021-12-28 浙江晶阳机电股份有限公司 一种硅芯铸锭炉设备及其使用方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016082525A1 (zh) 一种多晶硅铸锭炉底部小保温板活动装置及多晶硅铸锭炉
CN102220633A (zh) 一种半导体级单晶硅生产工艺
CN102534758A (zh) 一种棒状蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN104514032A (zh) 一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
CN206157273U (zh) 一种新型单晶炉
CN102560631A (zh) 蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN207294941U (zh) 方硅芯铸锭炉炉体
CN102758245A (zh) 除氧型单晶炉
CN102154683A (zh) 金属发热体结构单多晶定向凝固系统
CN205856655U (zh) 一种碳化硅单晶炉
CN103898603A (zh) 一种双电源多晶硅铸锭工艺
CN103194792A (zh) 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法
CN108505113A (zh) 硅芯方锭铸锭炉定向导气块
CN201901727U (zh) 一种密闭式单晶炉热场系统
CN208815153U (zh) 硅芯方锭铸锭炉热场结构
CN202187081U (zh) 一种单晶炉热场
CN208815154U (zh) 硅芯方锭铸锭炉定向导气块
CN206902281U (zh) 一种单晶炉
CN102758254A (zh) 单晶炉加热系统
CN204342916U (zh) 一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
CN201908152U (zh) 一种改进的直拉单晶炉
CN201942784U (zh) 一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置
CN205856658U (zh) 一种新型碳化硅单晶炉
JP5776587B2 (ja) 単結晶製造方法
CN108486650A (zh) 硅芯方锭铸锭炉热场结构

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant