CN202187081U - 一种单晶炉热场 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及太阳能光伏行业中的单晶炉，尤其是一种低功耗的单晶炉热场。一种单晶炉热场，它包括炉盖和炉筒，炉筒内设有大盖、热屏、中保温筒、加热器、下保温筒、石英坩埚、三瓣埚，所述的大盖位于炉筒顶部的下方，所述的热屏由内热屏和外热屏组成，内热屏和外热屏之间设置有碳毡层，所述的中保温筒位于下保温筒的上方，中保温筒位于加热器的外周，中保温筒和下保温筒的交接处位于加热器的下方部位，加热器位于三瓣埚的外周，三瓣埚围在石英坩埚的外周。本实用新型整体的保温效果增加了，电耗下降了，所以使得整棒率和成晶率增加了。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏行业中的单晶炉，尤其是一种低功耗的单晶炉热场。
背景技术
在太阳能发展中，单晶硅电池因为较高的成本因素，其市场份额也受到影响，所以要想提高单晶硅电池的份额，只能在保持高效率的前提下降低成本，降低成本之一就是降低功耗。
单晶炉热场由热场部件和保温材料构成，研究资料表明一套随机设计的单晶炉热场，加热功率的50％左右足以维持其长晶条件，其余的能量都消耗在环境中。改变热场结构，调整保温材料的位置，可以使热场的温度梯度合理，减少热量的损失，从而有效降低拉晶时的功率。
目前普遍使用的JRDL-80单晶炉热场(如图1所示)，大盖高过炉筒的顶部，即热场高度高过炉筒，易影响热屏的保温；内热屏和外热屏之间的间隙不规则，放置的碳毡不完整，热屏保温效果欠佳；中保温筒和下保温筒的连接处位于加热器加热区的中下部位置，连接处的散热情况较重。现有的热场结构在拉晶过程中容易产生断棱，使得整棒率和成晶率偏低，所以现有的热场还有很大的改进空间。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：基于上述问题，提供一种热屏保温效果增加、保温筒连接处散热减少、整体保温效果增加、功耗下降的单晶炉热场。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种单晶炉热场，它包括炉盖和炉筒，炉筒内设有大盖、热屏、中保温筒、加热器、下保温筒、石英坩埚、三瓣埚，所述的大盖位于炉筒顶部的下方，所述的热屏由内热屏和外热屏组成，内热屏和外热屏之间设置有碳毡层，所述的中保温筒位于下保温筒的上方，中保温筒位于加热器的外周，中保温筒和下保温筒的交接处位于加热器的下方部位，加热器位于三瓣埚的外周，三瓣埚围在石英坩埚的外周。
所述的热屏的上口径为394mm～400mm，下口径为227mm～233mm。这样使得内热屏和外热屏之间的间隙规则，可以放置规则的碳毡层。
为了增强热屏的保温效果，所述的内热屏和外热屏之间设置的碳毡层有两层。
为了保证热屏的保温效果，热场高度下降，则所述的三瓣埚的高度为372mm～378mm，对应地，所述的石英坩埚的高度为347mm～353mm。
为了减少保温筒连接处的散热，所述的中保温筒的高度为563mm～569mm，下保温筒的高度为192mm～198mm。
本实用新型的有益效果是：由于本实用新型中大盖低于炉筒的顶部，即热场高度低于炉筒，所以保证了热屏内的温度；由于本实用新型调整了热屏的上、下口径的大小，使得内热屏和外热屏之间的间隙规则，可以放置完整的碳毡，所以热屏保温效果增加了；由于调整了中保温筒和下保温筒的高度，使得两者之间的连接处位于加热器加热区外，连接处的散热情况减少了；本实用新型整体的保温效果增加了，电耗下降了，所以使得整棒率和成晶率增加了。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是现有技术中单晶炉热场的结构示意图。
图2是本实用新型所述的单晶炉热场的结构示意图。
图中：1.炉盖，2.炉筒，3.大盖，4.热屏，41.内热屏，42.外热屏，5.中保温筒，6.加热器，7.下保温筒，71.交接处，8.石英坩埚，9.三瓣埚，10.碳毡层。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图2所示的一种单晶炉热场，它包括炉盖1和炉筒2，炉筒2内设有大盖3、热屏4、中保温筒5、加热器6、下保温筒7、石英坩埚8、三瓣埚9，大盖3位于炉筒2顶部的下方，热屏4由内热屏41和外热屏42组成，内热屏41和外热屏42之间设置有碳毡层10，中保温筒5位于下保温筒7的上方，中保温筒5位于加热器的6外周，中保温筒5和下保温筒7的交接处71位于加热器6的下方部位，加热器6位于三瓣埚9的外周，三瓣埚9围在石英坩埚8的外周。
热屏4的上口径为394mm～400mm，下口径为227mm～233mm。这样使得内热屏41和外热屏42之间的间隙规则，可以放置规则的碳毡层10。
为了增强热屏4的保温效果，内热屏41和外热屏42之间设置的碳毡层10有两层。
为了保证热屏4的保温效果，热场高度下降，则三瓣埚9的高度为372mm～378mm，对应地，石英坩埚8的高度为347mm～353mm。
为了减少保温筒连接处71的散热，中保温筒5的高度为563mm～569mm，下保温筒7的高度为192mm～198mm。
采用本实用新型所述的单晶炉热场，在热场中投料75kg，拉制6.5inch单晶锭，一次引晶放肩成功，拉出长度为1320mm，比用现有技术的JRDL-80单晶炉热场拉制同等分量的6.5inch单晶锭所用的功耗要减少10％。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (5)
1.一种单晶炉热场，它包括炉盖(1)和炉筒(2)，炉筒(2)内设有大盖(3)、热屏(4)、中保温筒(5)、加热器(6)、下保温筒(7)、石英坩埚(8)、三瓣埚(9)，其特征在于：所述的大盖(3)位于炉筒(2)顶部的下方，所述的热屏(4)由内热屏(41)和外热屏(42)组成，内热屏(41)和外热屏(42)之间设置有碳毡层(10)，所述的中保温筒(5)位于下保温筒(7)的上方，中保温筒(5)位于加热器的(6)外周，中保温筒(5)和下保温筒(7)的交接处(71)位于加热器(6)的下方部位，加热器(6)位于三瓣埚(9)的外周，三瓣埚(9)围在石英坩埚(8)的外周。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场，其特征在于：所述的热屏(4)的上口径为394mm～400mm，下口径为227mm～233mm。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场，其特征在于：所述的内热屏(41)和外热屏(42)之间设置的碳毡层有两层。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场，其特征在于：所述的三瓣埚(9)的高度为372mm～378mm，对应地，所述的石英坩埚(8)的高度为347mm～353mm。
5.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场，其特征在于：所述的中保温筒(5)的高度为563mm～569mm，下保温筒(7)的高度为192mm～198mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011202756477U CN202187081U (zh) | 2011-07-30 | 2011-07-30 | 一种单晶炉热场 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011202756477U CN202187081U (zh) | 2011-07-30 | 2011-07-30 | 一种单晶炉热场 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202187081U true CN202187081U (zh) | 2012-04-11 |
Family
ID=45918542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011202756477U Expired - Lifetime CN202187081U (zh) | 2011-07-30 | 2011-07-30 | 一种单晶炉热场 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202187081U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105177701A (zh) * | 2015-10-14 | 2015-12-23 | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 | 一种低能耗单晶炉 |
| CN109097822A (zh) * | 2018-09-29 | 2018-12-28 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种降低单晶晶棒中的碳含量方法 |
| CN111121444A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 昇力恒(宁夏)真空科技股份公司 | 一种热屏隔离式超高温真空烧结炉 |
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2011
- 2011-07-30 CN CN2011202756477U patent/CN202187081U/zh not_active Expired - Lifetime
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