CN201901727U - 一种密闭式单晶炉热场系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种密闭式单晶炉热场系统，属于单晶硅的生产制造设备领域。它包括保温筒(4)，保温筒(4)设置于炉体(1)的内腔，所述保温筒(4)内腔设置有加热器(10)，加热器(10)通过电极螺栓(14)固定在炉体(1)的底盘上，并与炉体(1)底部的加热电极(8)相连接，所述加热器(10)的内腔中央设置有中轴(7)，所述中轴(7)上端设置有坩埚托盘(6)，下端穿出炉体(1)底部，坩埚托盘(6)上设置有石墨坩埚(5)，石墨坩埚(5)内设置有石英坩埚(9)，石英坩埚(9)内用于放置多晶料(15)，其特征在于：保温筒(4)与炉体(1)的炉壁之间设置有保温罩(11)，炉体内腔上部设置有倒梯形的热屏，热屏由热屏内层(2)、热屏外层(3)和设置于热屏内层(2)和热屏外层(3)之间的保温层(13)组成，保温筒(4)顶部设置有与热屏相连接保温盖(12)。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种密闭式单晶炉热场系统，属于单晶硅的生产制造设备领域。
背景技术
单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。直拉法制造单晶硅大致分为以下几个阶段：装多晶料、抽空、多晶硅熔化、颈及肩的生长、等直径生长、尾部晶体生长、晶体冷去，其中大部分过程都是吸热过程，需要外部供给热量，因此单晶炉的热场系统保温性能对单晶硅制造起着至关重要的作用。目前普遍采用的开放式单晶炉热场系统存在着保温性能差，热量损耗大的缺点。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种保温性能良好、热能损耗小的密闭式单晶炉热场系统。
本实用新型的目的是这样实现的：一种密闭式单晶炉热场系统，其特点是：它包括保温筒，保温筒设置于炉体的内腔，所述保温筒内腔设置有加热器，加热器通过电极螺栓固定在炉体的底盘上，并与炉体底部的加热电极相连接，所述加热器的内腔中央设置有中轴，所述中轴上端设置有坩埚托盘，下端穿出炉体底部，坩埚托盘上设置有石墨坩埚，石墨坩埚内设置有石英坩埚，石英坩埚内用于放置多晶料，其特征在于：保温筒与炉体的炉壁之间设置有保温罩，炉体内腔上部设置有倒梯形的热屏，热屏由热屏内层、热屏外层和设置于热屏内层和热屏外层之间的保温层组成，保温筒顶部设置有与热屏相连接保温盖。
所述保温罩与保温层的材料为石墨毡。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型一种密闭式单晶炉热场系统，在原有开放式热场系统的基础上增加了热屏热屏装置该进为密闭式热场系统，并在保温筒外围增加保温罩，很大程度上改善了热场系统的保温性能，减小了热场系统的热能损耗。
附图说明
图1为本实用新型一种密闭式单晶炉热场系统的结构示意图。
其中：
炉体1、热屏内层2、热屏外层3、保温筒4、石墨坩埚5、坩埚托盘6、中轴7、加热电极8、石英坩埚9、加热器10、保温罩11、保温盖12、保温层13、电极螺栓14、多晶料15。
具体实施方式
参见图1，本实用新型涉及的一种密闭式单晶炉热场系统，它包括保温筒4，保温筒4设置于炉体1的内腔，保温筒4与炉体1的炉壁之间设置有保温罩11，所述保温筒4内腔设置有加热器10，加热器10通过电极螺栓14固定在炉体1的底盘上，并与炉体1底部的加热电极8相连接，所述加热器10的内腔中央设置有中轴7，所述中轴7上端设置有坩埚托盘6，下端穿出炉体1底部，坩埚托盘6上设置有石墨坩埚5，石墨坩埚5内设置有石英坩埚9，石英坩埚9内用于放置多晶料15，炉体内腔上部设置有倒梯形的热屏，热屏由热屏内层2、热屏外层3和设置于热屏内层2和热屏外层3之间的保温层13组成，保温筒4顶部设置有与热屏相连接保温盖12。
所述保温罩11与保温层13的材料为石墨毡。
Claims (2)
1.一种密闭式单晶炉热场系统，它包括保温筒(4)，保温筒(4)设置于炉体(1)的内腔，所述保温筒(4)内腔设置有加热器(10)，加热器(10)通过电极螺栓(14)固定在炉体(1)的底盘上，并与炉体(1)底部的加热电极(8)相连接，所述加热器(10)的内腔中央设置有中轴(7)，所述中轴(7)上端设置有坩埚托盘(6)，下端穿出炉体(1)底部，坩埚托盘(6)上设置有石墨坩埚(5)，石墨坩埚(5)内设置有石英坩埚(9)，石英坩埚(9)内用于放置多晶料(15)，其特征在于：保温筒(4)与炉体(1)的炉壁之间设置有保温罩(11)，炉体内腔上部设置有倒梯形的热屏，热屏由热屏内层(2)、热屏外层(3)和设置于热屏内层(2)和热屏外层(3)之间的保温层(13)组成，保温筒(4)顶部设置有与热屏相连接保温盖(12)。
2.根据权利要求1所述的一种密闭式单晶炉热场系统，其特征在于：所述保温罩(11)与保温层(13)的材料为石墨毡。
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| CN2010206534071U CN201901727U (zh) | 2010-12-11 | 2010-12-11 | 一种密闭式单晶炉热场系统 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108018600A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 单晶生长炉热屏及其制造方法 |
| CN110904496A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-03-24 | 浙江法曼工业皮带有限公司 | 一种单晶加热炉及其高效保温方法 |
| CN112917644A (zh) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 上海震扬光电材料科技有限公司 | 一种冶炼黄金用高耐蚀性坩埚加工工艺 |
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2010
- 2010-12-11 CN CN2010206534071U patent/CN201901727U/zh not_active Expired - Fee Related
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