CN109097822B - 一种降低单晶晶棒中的碳含量方法 - Google Patents

一种降低单晶晶棒中的碳含量方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种降低单晶晶棒中的碳含量方法,具体包括以下步骤:(1)在炉筒下端安装液面下方热场;(2)通过吊料工序将料块放置在坩埚内,将护料布均匀铺开,该护料布上一面均匀设有牵引线,各牵引线通过牵引线导向块连接在一起,并且该牵引线导向块设置在护料布中心处,没有牵引线一面将放置在钳锅内的料块完全覆盖,钳锅降至炉筒内的下限位,且位于液面下方热场上端;(3)安装液面上方热场,安装好后开始合炉筒;(4)在炉筒合好后,一手向上提拉牵引线导向块,直接取出护料布,继续合炉;(5)合炉后,在车间指定位置,将护料布翻转使提出的石墨粉及其他杂质抖落,然后使用吹风机将护料布整体吹拂干净,连同吸盘一起运送至装料室。

Description

一种降低单晶晶棒中的碳含量方法
技术领域
本发明涉及一种降低单晶晶棒中的碳含量方法。
背景技术
在单晶行业现有的碳含量控制方法主要包括以下两种:(1)对石墨件使用寿命进行严格的控制、石墨件一但出现掉渣或者轻微的裂纹就进行更换、这样就大大的缩减了石墨件的使用寿命、并且每一个主要的石墨件的更换都必须对石墨件进行煅烧、使炉台的无效工时有所增加、这样就使单晶硅片的整价格增加;(2)在一种就是增加最后一根锅底料的方法、来控制晶棒尾部碳含量,此方法可以大幅度降低晶棒尾部的碳含量、但是对硅料浪费比较严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,针对以上现有技术存在的缺点,提供一种降低单晶晶棒中的碳含量方法。
本发明解决以上技术问题的技术方案是:一种降低单晶晶棒中的碳含量方法,具体包括以下步骤:
步骤一:在炉筒下端安装液面下方热场;
步骤二:通过吊料工序将8-150mm线性尺寸不等的料块共放置在石英坩埚内,其料块总重量为200-220kg,操作人员带一次性手套后从专用文件袋中拿出与该石英坩埚 所匹配规格的护料布,该护料布上一面均匀设有多根牵引线,各牵引线通过牵引线导向块连接在一起,该牵引线导向块上设置引拉线,并且引线导向块在护料布中心处,操作人员将护料布均匀铺开,没有设置牵引线一面将放置在坩埚 内的料块完全覆盖,石英坩埚 降至炉筒内的下限位,同时位于液面下方热场上端;
步骤三:安装液面上方热场,安装好后开始合炉筒;
步骤四:在炉筒合好后,将炉筒上沿及炉盖下沿用沾酒精高纯纸擦拭干,操作人员一手抓住牵引线导向块上的引拉线,且牵引线导向块不能超过液面上方热场中的空腔,一手向上提拉引拉线,使护料布收缩至小于液面上方热场中的导流筒下口大小,直接取出,并将护料布放置在装料小车上,继续合炉;
步骤五:合炉后,在车间指定位置,将护料布翻转使提出的石墨粉及其它 杂质抖落,然后使用吹风机将护料布整体吹拂干净,然后装入装料小车上专用文件袋中,连同吸盘一起运送至装料室。
本发明进一步限定的技术方案是:
前述的步骤一中在在炉筒下端安装液面下方热场,其具体安装步骤为:从下到上依次安装底毡—压板毡—石墨电极—下保温—底加热器—主加热器—主保温筒—托杆—埚托—埚帮—上保温支撑环。
前述的护料布采用涤纶材质,其厚度为1-2mm。
前述的步骤三中安装液面上方热场,其具体安装步骤为:从下至上依次安装热屏支撑换—导流筒—固毡大盖—固毡环。
本发明的有益效果是:本发明在将原料掉入石英坩埚 中后,用护料布将坩埚中原料全部盖住,存在以下优点:(1)防止原料长时间裸露在空气中导致空气中得粉尘及水蒸汽进入原料,(2)防止在安装导流筒和导流筒支撑环过程中与上保温发生磕碰导致石墨渣掉入原料中,(3)防止安装上保温和固毡大盖时有毡粉落入原料中;(4)防止操作人员在操作时将异物掉入原料中,如:头发丝、首饰、笔等;从而降低硅棒中的碳含量。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供一种降低单晶晶棒中的碳含量方法,具体包括以下步骤:
步骤一:在炉筒下端安装液面下方热场,其具体安装步骤为:从下到上依次安装底毡—压板毡—石墨电极—下保温—底加热器—主加热器—主保温筒—托杆—埚托—埚帮—上保温支撑环;
步骤二:通过吊料工序将50-100mm不等线性尺寸的料块放置在石英坩埚内,其料块总重量为210kg,操作人员带一次性手套后从专用文件袋中拿出与该石英坩埚 所匹配规格的护料布,该护料布上一面均匀设有8根牵引线,该8根牵引线通过牵引线导向块连接在一起,该牵引线导向块上设置引拉线,并且引线导向块在护料布中心处,操作人员将护料布均匀铺开,没有设置牵引线一面将放置在坩埚 内的料块完全覆盖,石英坩埚 降至炉筒内的下限位,同时位于液面下方热场上端;
步骤三:安装液面上方热场,其具体安装步骤为:从下至上依次安装热屏支撑换—导流筒—固毡大盖—固毡环,安装好后开始合炉筒;
步骤四:在炉筒合好后,将炉筒上沿及炉盖下沿用沾酒精高纯纸擦拭干,操作人员一手抓住牵引线导向块上的引拉线,且牵引线导向块不能超过超过炉筒内热屏下沿,一手向上提拉引拉线,使护料布收缩至小于成导流筒下口大小,直接取出,并将护料布放置在装料小车上,继续合炉;
步骤五:合炉后,在车间指定位置,将护料布翻转使提出的石墨粉及其它 杂质抖落,然后使用吹风机将护料布整体吹拂干净,然后装入装料小车上专用文件袋中,连同吸盘一起运送至装料室。
表一
Figure DEST_PATH_IMAGE002A
根据表一可知:通过使用本发明方法能够降低碳含量,大大提高2ppma合格率。
除上述实施例外,本发明还可以有其它 实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围。

Claims (4)

1.一种降低单晶晶棒中的碳含量方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
步骤一:在炉筒下端安装液面下方热场;
步骤二:通过吊料工序将8-150mm线性尺寸不等的料块共放置在石英坩埚内,其料块总重量为200-220kg,操作人员带一次性手套后从专用文件袋中拿出与该石英坩埚 所匹配规格的护料布,该护料布上一面均匀设有多根牵引线,各牵引线通过牵引线导向块连接在一起,该牵引线导向块上设置引拉线,并且引线导向块在护料布中心处,操作人员将护料布均匀铺开,没有设置牵引线一面将放置在坩埚 内的料块完全覆盖,石英坩埚 降至炉筒内的下限位,同时位于液面下方热场上端;
步骤三:安装液面上方热场,安装好后开始合炉筒;
步骤四:在炉筒合好后,将炉筒上沿及炉盖下沿用沾酒精高纯纸擦拭干,操作人员一手抓住牵引线导向块上的引拉线,且牵引线导向块不能超过液面上方热场中的空腔,一手向上提拉引拉线,使护料布收缩至小于液面上方热场中的导流筒下口大小,直接取出,并将护料布放置在装料小车上,继续合炉;
步骤五:合炉后,在车间指定位置,将护料布翻转使提出的石墨粉及其它 杂质抖落,然后使用吹风机将护料布整体吹拂干净,然后装入装料小车上专用文件袋中,连同吸盘一起运送至装料室。
2.根据权利要求1所述的降低单晶晶棒中的碳含量方法,其特点在于:所述步骤一中在炉筒下端安装液面下方热场,其具体安装步骤为:从下到上依次安装底毡—压板毡—石墨电极—下保温—底加热器—主加热器—主保温筒—托杆—埚托—埚帮—上保温支撑环。
3.根据权利要求1所述的降低单晶晶棒中的碳含量方法,其特点在于:所述护料布采用涤纶材质,其厚度为1-2mm。
4.根据权利要求1所述的降低单晶晶棒中的碳含量方法,其特点在于:所述步骤三中安装液面上方热场,其具体安装步骤为:从下至上依次安装热屏支撑换—导流筒—固毡大盖—固毡环。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101760773A (zh) * 2010-02-04 2010-06-30 西安隆基硅材料股份有限公司 一种直拉单晶隔热装料方法及其装置
CN202187081U (zh) * 2011-07-30 2012-04-11 常州天合光能有限公司 一种单晶炉热场

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Assignor: BAOTOU MEIKE SILICON ENERGY Co.,Ltd.

Contract record no.: X2023320000089

Denomination of invention: A method for reducing carbon content in single crystal rod

Granted publication date: 20201103

License type: Exclusive License

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