CN203159742U - 一种多晶铸锭用高效坩埚 - Google Patents
一种多晶铸锭用高效坩埚 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203159742U CN203159742U CN2013200326280U CN201320032628U CN203159742U CN 203159742 U CN203159742 U CN 203159742U CN 2013200326280 U CN2013200326280 U CN 2013200326280U CN 201320032628 U CN201320032628 U CN 201320032628U CN 203159742 U CN203159742 U CN 203159742U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- quartz crucible
- high purity
- efficient
- purity granular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn - After Issue
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种多晶铸锭用高效坩埚,包括常规的石英坩埚,所述石英坩埚的底部均匀镶嵌有高纯颗粒。与现有的石英坩埚相比,本实用新型具有以下技术效果:(1)本实用新型将高纯颗粒均匀分布在石英坩埚底部,使石英坩埚底部形成规律分布的凹凸起伏,在多晶铸锭过程中,高纯颗粒形成的凹凸起伏能够引导晶体形核,使其形成均匀、大小适中的晶核,利于晶体的后期生长质量,从而较容易实现硅片转化效率的提升。(2)石英坩埚底部镶嵌高纯颗粒后,高纯颗粒牢牢固定在石英坩埚上,使用后颗粒不脱落,利于铸锭后坩埚的脱模,避免了高纯颗粒进入到硅锭中导致底部硅料报废。(3)高纯颗粒在石英坩埚底部呈矩阵型均匀排列,有利于形成分布均匀、大小适中的晶核,利于后期晶体生长质量的提高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅锭铸造所使用的石英坩埚。
背景技术
太阳能电池分硅片、电池片、组件几个制造阶段,在多晶硅片制造过程中,多晶硅锭铸造时需使用石英坩埚。多晶铸锭采用的是定向凝固的方法,将硅料装入石英坩埚投炉后,通常包括加热、融化、长晶、退火、冷却等过程。硅料加热融化为液态后,通过工艺控制使其从底部开始形核长晶而铸成多晶硅锭。
目前的多晶铸锭用石英坩埚,在硅晶体的形核过程中,熔融状态的硅料自发随机形核并生长,形成的晶核均匀性较差,导致后期晶体长晶过程中形成较多的位错及其他缺陷,硅片晶粒分布不均匀,其光电转化效率普遍偏低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多晶铸锭用高效坩埚,通过对石英坩埚底部的特殊设计,引导硅晶体的均匀形核,使其形成均一、高质量的晶核,从而减少后期长晶过程中晶体缺陷的形成,提高硅片制成电池片后的光电转化效率。
本实用新型提供的一种多晶铸锭用高效坩埚,包括常规的石英坩埚,其特征在于:所述石英坩埚的底部均匀分布有高纯颗粒。
所述高纯颗粒均匀镶嵌于石英坩埚底部的石英浆料内。
所述高纯颗粒为碳化硅颗粒、石英颗粒、硅颗粒或其他与晶体硅晶格常数相同或相近的颗粒,其粒径为0.5-3mm。
所述高纯颗粒突出石英坩埚底部的高度为1-2mm,高纯颗粒之间的间距为5-10mm,高纯颗粒呈矩阵排列。
本实用新型提供的多晶铸锭用高效坩埚可通过如下步骤的方法制备获得:
(1)按照现有工艺制作石英坩埚;
(2)选取合适的高纯颗粒;
(3)将高纯颗粒均匀的镶嵌于石英坩埚底部的石英浆料内;
(4)采用烧结工艺将高纯颗粒牢牢固定于石英坩埚底部即得。
与现有的石英坩埚相比,本实用新型具有以下技术效果:
(1)本实用新型将高纯颗粒均匀分布在石英坩埚底部,使石英坩埚底部形成规律分布的凹凸起伏,在多晶铸锭过程中,高纯颗粒形成的凹凸起伏能够引导晶体形核,使其形成均匀、大小适中的晶核,利于晶体的后期生长质量,从而较容易实现硅片转化效率的提升。
(2)石英坩埚底部镶嵌高纯颗粒后,高纯颗粒牢牢固定在石英坩埚上,使用后颗粒不脱落,利于铸锭后坩埚的脱模,避免了高纯颗粒进入到硅锭中导致底部硅料报废。
(3)高纯颗粒在石英坩埚底部呈矩阵型均匀排列,颗粒间间距5-10mm左右,有利于形成分布均匀、大小适中的晶核,利于后期晶体生长质量的提高。
附图说明
图1为本实用新型所述多晶铸锭用高效坩埚的俯视图;
图2本为实用新型所述多晶铸锭用高效坩埚的剖视图。
图中,1、石英坩埚,2、高纯颗粒。
具体实施方式
实施例1
如图1、2所示,本实用新型多晶铸锭用高效坩埚,包括常规的石英坩埚1,石英坩埚1的底部均匀镶嵌有高纯颗粒2,高纯颗粒2为粒径为1.5mm的碳化硅颗粒。高纯颗粒2突出石英坩埚1底部的高度为1mm,高纯颗粒2之间的间距为5mm,高纯颗粒2呈矩阵排列。
实施例2
如图1、2所示,本实用新型多晶铸锭用高效坩埚,包括常规的石英坩埚1,石英坩埚1的底部均匀镶嵌有高纯颗粒2,高纯颗粒2为粒径为2mm的石英颗粒。高纯颗粒2突出石英坩埚1底部的高度为1mm,高纯颗粒2之间的间距为5mm,高纯颗粒2呈矩阵排列。
实施例3
如图1、2所示,本实用新型多晶铸锭用高效坩埚,包括常规的石英坩埚1,石英坩埚1的底部均匀镶嵌有高纯颗粒2,高纯颗粒2为粒径为1.5mm的硅颗粒。高纯颗粒2突出石英坩埚1底部的高度为1mm,高纯颗粒2之间的间距为6mm,高纯颗粒2呈矩阵排列。
上述实施例1-3中的多晶铸锭用高效坩埚的制备方法,包括以下步骤:(1)按照现有工艺制作石英坩埚1;(2)选取高纯颗粒2;(3)将高纯颗粒2均匀的镶嵌于石英坩埚1底部的石英浆料内;(4)采用烧结工艺将高纯颗粒2牢牢固定于石英坩埚1底部即得。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而己,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种多晶铸锭用高效坩埚,包括常规的石英坩埚,其特征在于:所述石英坩埚的底部均匀分布有高纯颗粒。
2.根据权利要求1所述的多晶铸锭用高效坩埚,其特征在于:所述高纯颗粒均匀镶嵌于石英坩埚底部的石英浆料内。
3.根据权利要求2所述的多晶铸锭用高效坩埚,其特征在于:所述高纯颗粒为碳化硅颗粒、石英颗粒或硅颗粒,其粒径为0.5-3mm。
4.根据权利要求3所述的多晶铸锭用高效坩埚,其特征在于:所述高纯颗粒突出石英坩埚底部的高度为1-2mm,高纯颗粒之间的间距为5-10mm,高纯颗粒呈矩阵排列。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013200326280U CN203159742U (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 一种多晶铸锭用高效坩埚 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013200326280U CN203159742U (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 一种多晶铸锭用高效坩埚 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203159742U true CN203159742U (zh) | 2013-08-28 |
Family
ID=49020941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2013200326280U Withdrawn - After Issue CN203159742U (zh) | 2013-01-22 | 2013-01-22 | 一种多晶铸锭用高效坩埚 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203159742U (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103088417A (zh) * | 2013-01-22 | 2013-05-08 | 晶海洋半导体材料(东海)有限公司 | 一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法 |
CN104152987A (zh) * | 2014-07-22 | 2014-11-19 | 山西中电科新能源技术有限公司 | 多晶硅引晶装置及其引晶方法 |
DE102015216734A1 (de) | 2015-09-02 | 2017-03-02 | Alzchem Ag | Tiegel zur Herstellung von Silicium-Ingots, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Silicium-Ingot |
-
2013
- 2013-01-22 CN CN2013200326280U patent/CN203159742U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103088417A (zh) * | 2013-01-22 | 2013-05-08 | 晶海洋半导体材料(东海)有限公司 | 一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法 |
CN103088417B (zh) * | 2013-01-22 | 2016-08-03 | 晶海洋半导体材料(东海)有限公司 | 一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法 |
CN104152987A (zh) * | 2014-07-22 | 2014-11-19 | 山西中电科新能源技术有限公司 | 多晶硅引晶装置及其引晶方法 |
DE102015216734A1 (de) | 2015-09-02 | 2017-03-02 | Alzchem Ag | Tiegel zur Herstellung von Silicium-Ingots, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Silicium-Ingot |
WO2017036822A1 (de) | 2015-09-02 | 2017-03-09 | Alzchem Ag | Tiegel zur herstellung von silicium-ingots, verfahren zu dessen herstellung sowie silicium-ingot |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103088417B (zh) | 一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法 | |
CN203485502U (zh) | 一种用于生产高效多晶硅铸锭的石英坩埚涂层 | |
CN104018219B (zh) | 一种窄黑边高效多晶硅片的制备方法 | |
TWI620838B (zh) | 包含成核促進顆粒之矽晶鑄錠及其製造方法 | |
CN102877129B (zh) | 一种晶体硅及其制备方法 | |
CN104032368A (zh) | 一种高效多晶硅锭的制备方法 | |
CN103469293A (zh) | 一种多晶硅的制备方法 | |
CN103966664A (zh) | 一种多晶铸锭用异构涂层坩埚及其制备方法 | |
CN102560631A (zh) | 蓝宝石晶体的生长方法及设备 | |
CN203159742U (zh) | 一种多晶铸锭用高效坩埚 | |
CN102776556B (zh) | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 | |
CN203403171U (zh) | 一种多晶硅锭铸造用坩埚 | |
CN203393257U (zh) | 一种多导热底板高效多晶硅锭铸锭炉 | |
CN203474952U (zh) | 铸锭用石英坩埚 | |
CN104203845A (zh) | 通过定向凝固制备铸造硅的方法 | |
CN102534772A (zh) | 一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法 | |
CN102732943A (zh) | 单晶硅铸锭的生产方法 | |
KR101271649B1 (ko) | 단결정 실리콘 시드를 이용한 고품질 다결정 실리콘 잉곳의 제조방법 | |
CN201729909U (zh) | 用于多晶硅铸锭的坩埚 | |
CN103757689A (zh) | 一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品 | |
CN203653755U (zh) | 一种基于石英颗粒镶嵌层的多晶硅铸锭用坩埚 | |
CN205011860U (zh) | 一种用于多晶铸锭的陶瓷坩埚 | |
CN203855682U (zh) | 一种多晶铸锭用异构涂层坩埚 | |
CN102653881A (zh) | 一种铸造大晶粒硅锭的方法 | |
CN202246974U (zh) | 带有局部冷却装置的多晶硅热场 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20130828 Effective date of abandoning: 20160803 |
|
C25 | Abandonment of patent right or utility model to avoid double patenting |