CN102443843A - 导流筒 - Google Patents

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殷国庆
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Changzhou Yixin New Energy Technology Co Ltd
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Abstract

本发明将内导流筒下部相对位置处的斜角改成直角,在不改变氩气流量的情况下,使充气系统的流量流速恒定,能够解决原导流筒气流太快,导流筒装偏后两侧气流不均匀所导致的晶棒晃动;同时该内导流筒的设计为增加导流筒的开口,拉制更大直径的晶棒提供可能。

Description

导流筒
所属技术领域:
本发明涉及一种用于直拉硅单晶炉,特别是涉及一种单晶炉的气流控制导流筒。
背景技术:
硅单晶的大部分用切克劳斯基(Czochralski)法制造。在这种方法中,多晶硅被装进石英坩埚,加热熔化,然后,将熔硅略作降温,给予一定的过冷度,把一只特定晶向的硅单晶体(籽晶)与熔体硅接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上提升的速度,使籽晶缩颈排除位错后长大至目标直径时,提高提升速度,使单晶体恒直径生长。在生长过程的尾期,此时埚内的硅熔体尚未完全消失,通过增加晶体的提升速度和调节向埚的供热量将晶体直径逐渐减小而形成一个尾形锥体,当锥体的尖足足够小时,晶体就会与熔体脱离,从而完成晶体的生长过程。直径硅单晶在制造时大致分为这么几个阶段:装多晶料、抽空、多晶硅熔化、晶和肩的生长、等直径生长、尾部晶体生长、晶体冷却。膛内真空度和充气系统的流量会影响硅单晶生长过程中氧的浓度,因此炉膛内真空度的稳定,充气系统的流量流速恒定对硅单晶正常生长起到很重要的作用,可以提高硅单晶的纯度,减少杂质。在硅单晶生长过程中,向炉膛内充入的高纯度氩气气流从上而下地贯穿整个硅单晶生长的区域,及时地带走由于高温而产生出来的硅氧化物和杂质挥发物,可确保硅单晶的品质。
发明内容:
本发明主要是通过改变内导流筒的出口角度,从而改变气流角度和流量。使充气系统的流量流速恒定,促进硅单晶正常生长,提高硅单晶的纯度。
本发明所设计的导流筒,能够解决原导流筒气流太快,因为导流筒装偏后两侧气流不均匀所导致的晶棒晃动;同时该内导流筒的设计为增加导流筒的开口,拉制更大直径的晶棒提供可能。
本发明将内导流筒下部相对位置处的斜角改成直角,在不改变氩气流量的情况下,使充气系统的流量流速恒定,能够解决原导流筒气流太快,导流筒装偏后两侧气流不均匀所导致的晶棒晃动;同时该内导流筒的设计为增加导流筒的开口,拉制更大直径的晶棒提供可能。
本发明的设计使充气系统的流量流速恒定,应用过程中,导流筒装偏后两侧气流比原来小,晶棒在拉直过程中的晃动较原来小或者不晃动。同时相同尺寸的导流筒,由于开口的增加,拉制更大尺寸的晶棒就容易实现。
附图说明:
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
附图1、原内外导流筒示意图
附图2、改造后导流筒示意图
附图中1是外导流筒,2是内导流筒,2-1是内导流筒下部,2-2是导流筒的开口,3是原导流筒。
具体实施方式:
本发明包括外导流筒(1),内导流筒(2),将内导流筒下部(2-1)处的斜角改成直角,在不改变氩气流量的情况下,能够解决原导流筒(3)气流太快,导流筒装偏后两侧气流不均匀所导致的晶棒晃动;同时该内导流筒(2)的设计为增加导流筒的开口(2-2),拉制更大直径的晶棒提供可能。

Claims (1)

1.一种直拉硅单晶炉的气流控制设备,由内导流筒、外导流筒等组成,其特征在于在内导流筒下部相对位置处设置为直角。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103194792A (zh) * 2013-04-16 2013-07-10 江西豪安能源科技有限公司 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法
CN108796602A (zh) * 2018-07-04 2018-11-13 江西中昱新材料科技有限公司 一种单晶炉用内导流筒

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CN103194792B (zh) * 2013-04-16 2016-02-03 江西豪安能源科技有限公司 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法
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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120509