CN103422159A - 一种直拉单晶生产过程中的除杂方法 - Google Patents
一种直拉单晶生产过程中的除杂方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103422159A CN103422159A CN2012101620572A CN201210162057A CN103422159A CN 103422159 A CN103422159 A CN 103422159A CN 2012101620572 A CN2012101620572 A CN 2012101620572A CN 201210162057 A CN201210162057 A CN 201210162057A CN 103422159 A CN103422159 A CN 103422159A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- crystal
- single crystal
- temperature
- silicon crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种直拉单晶生产过程中的除杂方法,该方法主要是在单晶炉内快速吊起硅晶体,使硅晶体下端离开液面并在硅晶体的底部形成内凹面;然后将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面,使硅熔液液面的不可熔杂质逐渐吸附在硅晶体上。采用本发明,因为硅晶体的内凹面会带着一部分惰性气体进入硅熔液,气体鼓向硅晶体的四周并冒泡,带走硅晶体底部及周围的热量,形成更低的局部温度,不可熔杂质便会逐渐吸附在硅晶体上,这样,能最大限度地将不可熔杂质通过吸附后除去,大大提高了硅的纯度,促进了硅单晶生长,提高了硅单晶的产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种直拉单晶生产过程中的除杂方法。
背景技术
目前,在直拉单晶生产过程中,当硅料全部熔化成硅熔液后,像石英碎片、石墨碎片等熔点高于硅的熔点(1420度)的杂质,将漂浮在液面上。硅熔液挥发后,这些不熔杂质将漂浮在石英坩埚壁周围,在放肩及等径过程中易漂出粘污晶肩及晶棒上,造成脱棱,甚至影响硅棒的内在质量及内在参数。
发明内容
本发明的目的是提供能提高硅的纯度,促进硅单晶生长的一种直拉单晶生产过程中的除杂方法。
本发明采取的技术方案是:一种直拉单晶生产过程中的除杂方法,其特征在于它采取以下步骤,A:将单晶炉内温度升温到硅的熔点,使硅料全熔成液体;B:将单晶炉内温度降至引晶温度,把籽晶插入硅熔液液面;C:降低单晶炉内温度10~20℃,直接进行放肩、转肩、等径操作,等径长度控制在1.5cm~2.5cm之间,直径控制在120mm以上;D:快速吊起硅晶体,使硅晶体下端离开液面达35~45㎝并冷却10~20分钟;同时,将埚转降低使单晶炉内温度快速回升,停止晶转并降低埚升至距离导流筒4~6㎝;此时,硅晶体的底部会形成内凹面;E:当单晶炉内温度升温至到比引晶温度高出10~20℃时,将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面,停留一定时间,硅熔液液面的不可熔杂质会逐渐吸附在硅晶体上;F:使用硅晶体间断地缓慢地提升,充分吸附不可熔杂质,直至取出含杂质硅晶体,去杂完成。
采用本发明,因为硅晶体的内凹面会带着一部分惰性气体进入硅熔液,气体因为热胀的特性,鼓向硅晶体的四周并冒泡;同时,硅晶体的温度比硅熔液低,气体的热胀鼓泡会带走硅晶体底部及周围的热量,形成更低的局部温度,不可熔杂质便会逐渐吸附在硅晶体上,这样,能最大限度地使高于硅熔点的所有不可熔杂质通过吸附后除去,不被熔入熔硅中,大大提高了硅的纯度,促进了硅单晶生长,提高了硅单晶的产品质量。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对发明作进一步说明。它包括以下步骤:
1、将单晶炉内温度升温到硅的熔点1400~1440℃,使硅料全熔成液体;
2、将单晶炉内温度降至引晶温度1330~1370℃,把籽晶插入硅熔液液面;3、降低单晶炉内温度至1310~1360℃,按常规方法直接进行放肩、转肩、
等径操作;等径长度控制在1.5cm~2.5cm之间,直径控制在120mm以上;
4、快速吊起硅晶体(吊肩),使硅晶体(吊肩)下端离开液面达35~45㎝,并冷却10~20分钟;同时,将埚转由原来的6~8转/分钟降低至1~3转/分钟,使单晶炉内温度快速回升,停止晶转,并降低埚升至距离导流筒4~6㎝;此时,硅晶体(吊肩)的底部会形成内凹面;
5、当单晶炉内温度升温至到比引晶温度高出1340~1390℃时,将硅晶体(吊肩)具有内凹面的一面略微插入液面,停留2~3分钟,硅熔液液面的不可熔杂质会逐渐吸附在硅晶体(吊肩)上;F:使用硅晶体(吊肩)间断地缓慢地提升,充分吸附不可熔杂质,直至取出含杂质硅晶体(吊肩),去杂完成。
Claims (1)
1.一种直拉单晶生产过程中的除杂方法,其特征在于它采取以下步骤,A:将单晶炉内温度升温到硅的熔点,使硅料全熔成液体;B:将单晶炉内温度降至引晶温度,把籽晶插入硅熔液液面;C:降低单晶炉内温度10~20℃,直接进行放肩、转肩、等径操作,等径长度控制在1.5cm~2.5cm之间,直径控制在120mm以上;D:快速吊起硅晶体,使硅晶体下端离开液面达35~45㎝并冷却10~20分钟;同时,将埚转降低使单晶炉内温度快速回升,停止晶转并降低埚升至距离导流筒4~6㎝;此时,硅晶体的底部会形成内凹面;E:当单晶炉内温度升温至到比引晶温度高出10~20℃时,将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面,停留一定时间,硅熔液液面的不可熔杂质会逐渐吸附在硅晶体上;F:使用硅晶体间断地缓慢地提升,充分吸附不可熔杂质,直至取出含杂质硅晶体,去杂完成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101620572A CN103422159A (zh) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 一种直拉单晶生产过程中的除杂方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101620572A CN103422159A (zh) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 一种直拉单晶生产过程中的除杂方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103422159A true CN103422159A (zh) | 2013-12-04 |
Family
ID=49647532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101620572A Pending CN103422159A (zh) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 一种直拉单晶生产过程中的除杂方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103422159A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105986312A (zh) * | 2015-02-11 | 2016-10-05 | 英利集团有限公司 | 单晶棒的提段方法与采用该方法形成的单晶棒 |
CN107858751A (zh) * | 2016-09-22 | 2018-03-30 | 宁夏隆基硅材料有限公司 | 一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法 |
CN106319620B (zh) * | 2015-07-01 | 2019-01-08 | 宁夏隆基硅材料有限公司 | 一种直拉单晶的拉晶方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070131158A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-06-14 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing single crystal semiconductor |
CN101545134A (zh) * | 2009-03-31 | 2009-09-30 | 常州天合光能有限公司 | 利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的方法及其装置 |
-
2012
- 2012-05-23 CN CN2012101620572A patent/CN103422159A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070131158A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-06-14 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing single crystal semiconductor |
CN101545134A (zh) * | 2009-03-31 | 2009-09-30 | 常州天合光能有限公司 | 利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的方法及其装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105986312A (zh) * | 2015-02-11 | 2016-10-05 | 英利集团有限公司 | 单晶棒的提段方法与采用该方法形成的单晶棒 |
CN105986312B (zh) * | 2015-02-11 | 2018-05-18 | 英利集团有限公司 | 单晶棒的提段方法与采用该方法形成的单晶棒 |
CN106319620B (zh) * | 2015-07-01 | 2019-01-08 | 宁夏隆基硅材料有限公司 | 一种直拉单晶的拉晶方法 |
CN107858751A (zh) * | 2016-09-22 | 2018-03-30 | 宁夏隆基硅材料有限公司 | 一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101277231B1 (ko) | 실리콘 단결정의 제조 방법, 실리콘 단결정 인상 장치 및 석영 유리 도가니 | |
CN106319620B (zh) | 一种直拉单晶的拉晶方法 | |
CN105401214A (zh) | 一种锗熔体浮渣清除方法 | |
JP2008508187A (ja) | 溶融物から単結晶を成長させる方法 | |
CN101781791B (zh) | 一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法 | |
CN103422159A (zh) | 一种直拉单晶生产过程中的除杂方法 | |
CN1333115C (zh) | 一种拉制硅单晶工艺方法 | |
JP2007314389A (ja) | シリコン精製方法 | |
JP5509189B2 (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
JP5509188B2 (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
JP5741163B2 (ja) | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2010280567A (ja) | シリカガラスルツボの製造方法 | |
CN105200516A (zh) | 一种增强排杂效果的多晶硅铸锭工艺 | |
JP5685894B2 (ja) | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
CN205241851U (zh) | 一种单晶炉加热系统 | |
CN106567125A (zh) | 一种改善冶金法多晶硅生长界面的方法 | |
US20070111489A1 (en) | Methods of producing a semiconductor body and of producing a semiconductor device | |
KR20130007354A (ko) | 실리콘 결정 성장장치 및 그를 이용한 실리콘 결정 성장방법 | |
KR101025652B1 (ko) | 잔류 융액을 재활용한 태양전지용 결정 제조방법 | |
JP3719452B2 (ja) | 単結晶銅の製造方法 | |
WO2014073165A1 (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP2011225408A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP4413055B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
CN103266347A (zh) | 硅料中杂质的处理方法 | |
JP2005225714A (ja) | 結晶育成装置および単結晶育成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20131204 |