CN202099408U - 用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 - Google Patents
用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202099408U CN202099408U CN 201120150611 CN201120150611U CN202099408U CN 202099408 U CN202099408 U CN 202099408U CN 201120150611 CN201120150611 CN 201120150611 CN 201120150611 U CN201120150611 U CN 201120150611U CN 202099408 U CN202099408 U CN 202099408U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quartz crucible
- crucible
- silicon melt
- silicon
- interior
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
Description
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201120150611 CN202099408U (zh) | 2011-05-12 | 2011-05-12 | 用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201120150611 CN202099408U (zh) | 2011-05-12 | 2011-05-12 | 用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN202099408U true CN202099408U (zh) | 2012-01-04 |
Family
ID=45385431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201120150611 Expired - Fee Related CN202099408U (zh) | 2011-05-12 | 2011-05-12 | 用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN202099408U (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102168302A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-08-31 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法 |
CN103194792A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-10 | 江西豪安能源科技有限公司 | 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法 |
CN111485283A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-04 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种晶体的生长装置及生长方法 |
WO2023051349A1 (zh) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 坩埚组件、拉晶炉及拉制单晶硅棒的方法 |
-
2011
- 2011-05-12 CN CN 201120150611 patent/CN202099408U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102168302A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-08-31 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法 |
CN102168302B (zh) * | 2011-04-13 | 2012-11-07 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法 |
CN103194792A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-10 | 江西豪安能源科技有限公司 | 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法 |
CN103194792B (zh) * | 2013-04-16 | 2016-02-03 | 江西豪安能源科技有限公司 | 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法 |
CN111485283A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-04 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种晶体的生长装置及生长方法 |
WO2023051349A1 (zh) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 坩埚组件、拉晶炉及拉制单晶硅棒的方法 |
TWI808884B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-07-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 坩堝元件、拉晶爐及拉制單晶矽棒的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5909276B2 (ja) | 最初のチャージだけをドーピングすることによる、均一にドーピングされたシリコンインゴットの成長 | |
US20090072202A1 (en) | Device and process for growing ga-doped single silicon crystals suitable for making solar cells | |
CN102162124B (zh) | 一种提高重掺砷单晶轴向电阻率均匀性的方法 | |
CN104854266B (zh) | 单晶硅的制造方法 | |
CN202099408U (zh) | 用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 | |
CN102168302B (zh) | 一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法 | |
CN102260900A (zh) | 提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺 | |
CN105586633A (zh) | 制造硅锭的方法和硅锭 | |
CN104911694A (zh) | 用于单晶硅棒生产的掺杂工艺 | |
CN103173850A (zh) | 单晶硅制造工艺 | |
CN102146580A (zh) | 用于定向凝固法生长硅晶体的引晶模具及晶体生长方法 | |
JPH09227275A (ja) | ドープ剤添加装置 | |
JP5170061B2 (ja) | 抵抗率計算プログラム及び単結晶の製造方法 | |
CN112160020B (zh) | 掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法 | |
CN202144523U (zh) | 一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置 | |
CN104024491B (zh) | 制造单晶硅的方法 | |
CN102002753B (zh) | 一种ф8英寸<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统 | |
CN104011271A (zh) | 制造单晶硅的方法 | |
CN205241851U (zh) | 一种单晶炉加热系统 | |
CN109518269A (zh) | 掺氮单晶硅棒及其生产方法 | |
CN109576778A (zh) | 一种降低cz法制备单晶的杂质含量的方法 | |
CN105887187B (zh) | 一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法 | |
CN202297854U (zh) | 直拉法单晶炉石墨热场导流罩 | |
CN103225110A (zh) | 一种生产单晶硅的方法 | |
CN108166055A (zh) | 一种集成电路用大尺寸单晶硅生长液流控制技术 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181226 Address after: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Area (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee after: Tianjin Zhonghuan Semiconductor Co., Ltd. Address before: 300384 Tianjin Xiqing District Huayuan Industrial Park (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee before: Huanou Semiconductor Material Technology Co., Ltd., Tianjin |
|
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190530 Address after: 010000 No. 15 Baolier Street, Saihan District, Hohhot City, Inner Mongolia Autonomous Region Patentee after: Inner Mongolia Central Leading Semiconductor Materials Co., Ltd. Address before: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Area (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee before: Tianjin Zhonghuan Semiconductor Co., Ltd. |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120104 Termination date: 20200512 |