CN103140933B - 二次电池 - Google Patents

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Abstract

提供能够通过简单的构成实现低成本化以及稳定的动作、并大大超过锂离子电池的容量的二次电池。二次电池在基板上形成导电性的第一电极，并且层叠了n型金属氧化物半导体层、将能量充电的充电层、p型金属氧化物半导体层以及第二电极。向充电层填充被绝缘性的覆膜覆盖的微粒子的n型金属氧化物半导体，通过紫外线照射产生光激发结构变化现象，在n型金属氧化物半导体的能带隙内形成新的能级。在该新形成的能级上捕获电子而充入能量。通过将电源连接在第一电极与第二电极之间来向充电层充电。也可以使用透明电极通过光充入能量。

Description

二次电池
技术领域
本发明涉及基于以下的动作原理的、安全性和耐环境性优良的无机固体的二次电池，该动作原理是通过紫外线照射利用金属氧化物的光激发结构变化而在能带隙中形成新的能级来捕获电子的原理。
背景技术
在对伴随着矿物燃料的枯竭和二氧化碳的增多的地球变暖等地球环境问题提高意识当中，作为清洁能源的太阳能电池和贮存能量的二次电池受到注目。
尤其是在汽车中，由于燃烧矿物燃料作为动力源，并排出二氧化碳等有害物质而行驶，因此低耗油率化和废气削减成为重要的课题，因此考虑并用电气马达驱动的HEV(Hybrid Electric Vehicle，混合动力电动车辆)或全部电气化的EV(Electric Vehicle，电动车辆)将成为今后的主力。
并且，最近的移动设备的普及显著，期待充电电源的容量的增大。
在当前的HEV和EV或者移动设备所使用的二次电池中，大多搭载有镍氢二次电池。最近，作为可更高输出化、大容量化的二次电池开发了锂离子电池，处于开始实用化的阶段。
在锂离子电池中，正极使用含有锂的金属双氧化物，负极使用碳等能够接受、放出锂的材料，并使正极和负极浸渍在由可离子解离的锂盐和可溶解该锂盐的有机溶剂构成的电解液中。公开了由为了高性能且大容量化而改良的石墨粉末构成的碳电极(例如，参照专利文献1、专利文献2等)。并且，也有以下的例子：使负极成为片状，使片状负极包含纤维状碳质物作为导电剂，使用热塑性树脂作为粘结剂，由此可以低成本提供高性能的锂离子二次电池用片状负极(参照专利文献3等)。
在使用过渡性重金属氧化物作为锂离子电池的正极的活性物质的情况下，由于元素的比重大，因此在原理上难以进行大容量电池的制造，为此公开了以下的能量密度高、容量大且稳定性优良的电池，该电池通过在作为电化学的氧化还原反应的充电和放电的至少一个过程中使由自由基间反应生成的自由基化合物稳定化，由此将自由基化合物用作电池等能量蓄积装置的活性物质(参照专利文献4等)。
另外，由于电解液是液体，有可能漏液，并且由于被使用可燃物，需要提高错误使用时的电池的安全性，因此也公开了代替电解液而使用固体电解质的全固态锂二次电池(例如，参照专利文献5等)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利文献特开2002-124256号公报；
专利文献2：日本专利文献特开2002-141062号公报；
专利文献3：日本专利文献特开2009-146581号公报；
专利文献4：日本专利文献特开2002-170568号公报；
专利文献5：日本专利文献特开2007-5279号公报。
发明内容
发明所要解決的问题
锂离子电池相对于以往的镍氢二次电池期待作为高性能且大容量的二次电池，但是现实中例如在EV中，行驶距离为100km左右，二次电池的进一步大容量化被作为课题。另外，在成本方面，二次电池占据EV的一半左右，也要求低成本化。
本发明的目的在于提供一种能够通过简单的构成实现低成本化和稳定的动作、并且大大超过锂离子电池的容量的技术。
用于解决问题的手段
本发明为了通过简单的构成来实现大容量的二次电池，其特征在于，二次电池通过层叠基板、导电性的第一电极、充电层、p型半导体层、以及导电性的第二电极而构成，在所述充电层，使被绝缘性物质覆盖的n型金属氧化物半导体发生光激发结构变化，由此在能带隙中形成能级而捕获电子。二次电池通过将电源连接在第一电极与第二电极之间而向充电层充电。
作为二次电池的构成，通过在第一电极与充电层之间设置n型金属氧化物半导体的层，能够进一步进行稳定的动作。第一电极和第二电极是金属电极。也可以是使基板为导电性材料来兼用作第一电极。
作为材料，设置于第一电极与充电层之间的n型金属氧化物半导体是二氧化钛，p型半导体是氧化镍或铜铝氧化物。充电层中的n型金属氧化物半导体是氧化锡、二氧化钛和氧化锌中的任一者，或者是氧化锡、二氧化钛以及氧化锌组合而成的复合物，覆盖n型金属氧化物半导体的绝缘性物质是绝缘性树脂或无机绝缘物。
作为充电层的制造方法，通过包括以下工序的制造工序制造：将在n型金属氧化物半导体的元素中结合了有机物而成的有机金属盐和绝缘物溶解在有机溶剂中，并将该有机溶剂涂布在设置于基板的第一电极上，或者涂布在设置于第一电极上的n型金属氧化物半导体的层上；在涂布后干燥并烧结；在烧结后将被绝缘性物质覆盖的n型金属氧化物半导体的金属盐的层照射紫外线使其发生光激发结构变化。
基板使用树脂片，通过具有挠性，而能够提高可用性。
通过使第一电极的表面成为凹凸形状，能够提高与重叠层叠的n型金属氧化物半导体的层以及充电层的密合性，作为二次电池也可改善充放电量和充放电速度。另外，在使电极成为透明、通过光照射将能量充入充电层的情况下，表面积由于凹凸形状而变大，能够更有效地吸收光能量。
发明效果
根据本发明的二次电池，充电层构造由于通过利用了金属氧化物的光激发结构变化的技术而在n型金属氧化物半导体的能带隙内形成了新的能级，因此能够以低能量充电，能够实现大容量的二次电池。并且，本发明的二次电池是不使用电解质的无机固态构造，制造简单，因此能够以低成本进行稳定的动作以及长寿命化。
另外，由于是不使用电解质的无机固态构造，能够缩短充电时间不但能够快速地充电，也能够通过光进行充电，因此即使是在没有充电用电源的情况下，也能够向充电层充电。
附图说明
图1是表示本发明的二次电池的构成的图；
图2是说明本发明的二次电池的充电层的图；
图3是说明使其光激发结构变化的充电层的制造工序的图；
图4的(A)和(B)是说明光激发结构变化的能带图；
图5是说明通过光激发结构变化形成的新能级的能带图；
图6的(A)和(B)是说明本发明的二次电池的充放电功能的能带图；
图7是说明由光激发结构变化引起的电子的行为的图；
图8的(A)和(B)是说明本发明的二次电池的充放电功能的图；
图9是表示本发明的二次电池的基本构成的图；
图10的(A)和(B)是说明本发明的二次电池的充电状态和放电状态的图；
图11是使二次电池的第一电极形成锥型的凹凸而成为TEXTURE型的二次电池的图。
具体实施方式
本发明是基于在充电层上采用了光激发结构变化技术的新的充电原理的二次电池。
光激发结构变化是通过光的照射而激发的物质的原子间距离发生变化的现象，并具有作为氧化锡等非晶体的金属氧化物的n型金属氧化物半导体发生光激发结构变化的性质。通过光激发结构变化现象，在n型金属氧化物半导体的能带隙内形成新的能级。
图1是表示本发明的二次电池的截面构造的图。在图1中，在二次电池10中在基板12上形成导电性的第一电极14，并且层叠了n型金属氧化物半导体层16、充进电能的充电层18、p型金属氧化物半导体层20和第二电极22。
基板12可以是绝缘性的物质，也可以是导电性的物质，例如可使用玻璃基板、高分子薄膜的树脂片、或者金属箔片。
第一电极14和第二电极22形成导电膜即可，例如作为金属电极有包含铝(A1)的银(Ag)合金膜等。作为其形成方法，可以列举出溅射法、离子镀、电子束蒸镀、真空蒸镀、化学蒸镀等气相制膜法。另外，金属电极可以通过电镀法、无电解电镀法等形成。作为电镀所使用的金属，一般可使用铜、铜合金、镍、铝、银、金、锌或锡等。
另外，作为透明的导电性电极，可以使用掺杂了锡的氧化铟(ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡))的导电膜。
n型金属氧化物半导体层16在材料方面使用二氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO2)或者氧化锌(ZnO)作为材料。
向充电层18填充被绝缘性的覆膜覆盖的微粒子的n型金属氧化物半导体，通过紫外线照射发生光激发结构变化，成为具有充电功能的层。n型金属氧化物半导体被硅酮的绝缘性覆膜覆盖。作为可在充电层18中使用的n型金属氧化物半导体材料，优选二氧化钛、氧化锡、氧化锌，也可以为组合了二氧化钛、氧化锡以及氧化锌中的任两者的材料、或者组合了三者的材料。
在充电层18上形成的p型金属氧化物半导体是为了防止来自上部的第二电极22的电子的注入而设置的。作为p型金属氧化物半导体层20的材料，可以使用氧化镍(NiO)、铜铝氧化物(CuAlO2)等。
接着，示出实际试做的例子。
基板12使用了玻璃。将作为第一电极14的、掺杂了锡的氧化铟(ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡))的导电膜形成在该玻璃基板12上，并且将作为n型金属氧化物半导体层16的二氧化钛(TiO2)通过溅射法形成在ITO上。p型金属半导体层20通过溅射法由氧化镍形成，第二电极22与第一电极14同样地由ITO形成。
关于充电层18，以下详细地说明其构造和制造方法。
图2是详细地说明图1中的充电层18的构造的图。充电层18使用硅酮作为绝缘性覆膜28，使用二氧化钛作为n型金属氧化物半导体26，充电层18成为填充了被硅酮覆盖的二氧化钛的构造。充电层18具有二氧化钛被紫外线照射通过光激发结构变化能够蓄积能量的功能。
作为充电层18所使用的n型金属氧化物半导体26的材料，可以是二氧化钛、氧化锡、或氧化锌，从金属的脂肪族酸盐在制造工序中分解而被生成。因此，作为金属的脂肪族酸盐，能够使用可通过在氧化性气氛下照射紫外线或者烧结来进行分解或燃烧而变化为金属氧化物的物质。作为脂肪族酸，例如可使用脂肪族单羧酸、脂肪族二羧酸、脂肪族三羧酸、脂肪族四羧酸等脂肪族多羧酸。
更具体地说，作为饱和脂肪族单羧酸，可以列举出甲酸、乙酸、丙酸、已酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、硬脂酸等。作为不饱和脂肪族单羧酸，可以使用丙烯酸、丁烯酸、巴豆酸、异巴豆酸、亚麻酸、油酸等高度不饱和单羧酸。
另外，脂肪族酸盐从通过加热容易进行分解或燃烧、溶剂溶解性高、分解或燃烧后的膜致密、容易处理、廉价、与金属的盐的合成容易等理由出发，优选脂肪族酸与金属的盐。
绝缘覆膜28除了硅酮以外，作为无机绝缘物可以是矿物油、氧化镁(MgO)、二氧化硅(SiO2)等，作为绝缘性树脂可以是聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚丁二烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚酰亚胺、醋酸纤维素等热塑性树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、烯丙树脂、醇酸树脂、环氧树脂、聚氨酯等热固化性树脂。
图3是说明充电层18的制造方法的工序的图。
首先，准备在玻璃基板12上将ITO和二氧化钛通过溅射法形成了层的基板。然后，在溶剂中混合脂肪酸钛和硅酮油并搅拌，制造涂布液(S1)。接着，在使准备的基板旋转的同时通过旋转器将涂布液旋转涂布在二氧化钛的层上(S2)。通过基板的旋转，形成0.3～1μm的薄层。该层具体地说可以认为是覆盖了硅酮的二氧化钛的金属盐被埋入硅酮层中的构造，不存在空隙部。
接着，在50℃的气氛中将其放置10分钟左右使其干燥(S3)，之后进行烧结(S4)。烧结温度为300℃～400℃，烧结时间为10分钟～1小时。由此，脂肪族酸盐分解，形成被硅酮的绝缘膜覆盖的二氧化钛的微粒子层。
形成被硅酮的绝缘覆膜覆盖的二氧化钛的层的上述制造方法是被认为涂布热分解法的方法。
下一个制造工序是紫外线照射工序(S5)。紫外线照射的波长为254nm，强度为20mW/cm2，照射大约40分钟。通过该紫外线照射，改变充电层的二氧化钛的原子间距离，而产生光激发结构变化现象。其结果是，在二氧化钛的能带隙内形成新的能级。通过在该新的能级电子被捕获，能够进行能量的充电。
图4的(A)、(B)是用于说明被紫外线照射的物质通过光激发结构变化而形成新的能级的现象的能带图。首先，为了说明基本的原理，考虑在ITO上层叠了氧化锡和氧化镁复合而成的层(SnO2-MgO复合层)的情况。
图4的(A)是能带图，并且是包含ITO52、中间结晶层54以及SnO2-MgO复合层56的构造。在传导带58与价电子带60之间存在费米能级62，ITO52的费米能级62靠近传导带58，SnO2-MgO复合层56的费米能级62存在于传导带58与价电子带60的中间。一旦被照射紫外线66，则中间结晶层54的价电子带60的电子64被激发到传导体58。
在图4的(B)所示的紫外线照射中的状态下，通过紫外线66的照射，中间结晶层54的区域中的价电子带60的电子64被激发到传导带58，被激发的电子64由于传导带58的倾斜而被容纳在ITO52的传导带58上。另一方面，电子64脱离的空穴65积存在价电子带60上。在中间结晶层54中，在紫外线激发与再结合之间产生时间差，通过具有该时间差，进行原子的再排列。因此，残留在中间结晶层54的价电子带60上的空穴65在能带隙中移动，形成新的能级70。
图5示出了通过紫外线照射在中间结晶层54在能带隙中形成了新的能级的再结合后的状态。仅观测到在ITO52和SnO2-MgO复合层56的界面上能带隙中的电子密度的增加，芯电子的化学位移也被观测到，因此可以认为原子间隔发生了变化。
这样，说明了通过向SnO2-MgO复合层56照射紫外线而能够在能带隙内形成新的能级70，但是作为二次电池，利用了新形成的能级70，需要在电极与n型金属氧化物半导体之间形成绝缘层来控制电子。
图1所示的充电层18如在图1及图2中所说明的那样，是以形成有由硅酮构成的绝缘覆膜28的二氧化钛为材料的n型金属氧化物半导体26。在此情况下，能带图中，在二氧化钛与ITO之间具有由绝缘层构成的障壁。
图6的(A)、(B)是说明在ITO52与二氧化钛57之间存在绝缘层68的情况下、基于光激发结构变化的新能级的形成状态的能带图。由绝缘层68构成的障壁存在于传导带58。
图6的(A)是在二氧化钛57与ITO52之间具有绝缘层68的情况下照射了紫外线66的状态。一旦向被绝缘覆膜的二氧化钛57照射紫外线66，则处于二氧化钛57的价电子带60的电子64被激发到传导带58。在与ITO52的界面附近，该电子64以某种概率穿过绝缘层68而暂时移动到ITO52。二氧化钛57的光激发结构变化在电子的不在中产生，价电子带60的电子64脱离的部位的原子间距离发生变化。此时的能级70在能带隙内移动。
图6的(B)是在被照射紫外线66的期间反复产生上述现象并在能带隙内形成了多个能级70的状态。但是，这些应被能级70捕捉的电子被紫外线66激发而移动到ITO52。这样产生的电子不在的能带隙内的能级70在紫外线照射结束之后也残留。
绝缘层68的作用是在ITO52与二氧化钛57之间制造障壁，使被激发的电子64通过隧道效应经过而形成电子不在的能带隙内的能级70。移动到ITO52的电子64由于绝缘层68周边的带电电位而留在ITO52。
图7是示意性地表现被绝缘覆膜28覆盖的二氧化钛57通过紫外线照射而产生光激发结构变化、电子移动到ITO52的状态的图。电子64通过穿隧道经过由绝缘覆膜28构成的障壁，移动到ITO52，并因由于绝缘覆膜28的电位产生的弱捕获力残留。
作为二次电池，进一步与充电层18重叠而层叠p型金属氧化物半导体层20形成阻挡层，并且设置了第二电极22。对于基于这样的构造的二次电池的原理以图8的能带图进行说明。
图8的(A)是针对二次电池向ITO52施加负电压使ITO74接地而成为0V的情况下的能带图，其中所述二次电池构成为被构成第一电极14的ITO52与构成第二电极22的ITO74夹持，并包括充电层18中的绝缘层68和二氧化钛57、以及作为p型金属氧化物半导体20而发挥功能的氧化镍72。
在能带隙内具有能级70的二氧化钛57一旦施加偏置电场(-)后，ITO52的电子64经过由绝缘层68构成的障壁(穿隧道)而移动到二氧化钛57。移动了的电子64被氧化镍72阻挡向ITO74的进一步的移动，因此被二氧化钛57的能带隙间存在的能级70捕获，蓄积能量。即，处于充电状态，成为在充电层18充满电子的状态。该状态即使停止偏置电场的施加也被维持，因此具有作为二次电池的功能。
图8的(B)是将负荷(未图示。)与ITO52和ITO74连接并放电的情况下的能带图。被能带隙捕获到的电子64成为传导带58的自由电子。该自由电子移动到ITO52并流向负荷。该现象处于能量的输出状态，处于放电状态。并且，最终变为能带隙内的能级70没有电子64的状态，能量全部被使用。
如上所述，通过向形成于二氧化钛的能带隙的能级从外部施加电压来形成电场并使电子充满，将负荷与电极连接，由此放出电子并输出能量，起到作为电池的功能。通过反复进行该现象，能够作为二次电池而使用。这是本发明涉及的基本的二次电池的原理。
图9示出了本发明的基本的二次电池50的构成。在图9中，二次电池50构成为在基板12上形成导电性的第一电极14，并层叠了充进能量的充电层18、p型金属氧化物半导体层20以及第二电极22。
具体地说，在玻璃基板12上层叠ITO作为第一电极14，进一步被绝缘膜覆盖，由光激发结构变化的二氧化钛构成充电层18，并层叠了由氧化镍构成的P型金属氧化物半导体层20、由ITO构成的第二电极。
图10的(A)、(B)是说明上述说明的本发明的基本的二次电池的充放电状态的图。
图10的(A)示出了充电状态。一旦将电源30与第一电极14和第二电极22连接并向充电层18施加电场，则从第一电极14的传导带向处于充电层18内的二氧化钛的能带隙中所形成的能级注入电子，从而蓄积能量而被充电。此时，p型金属氧化物半导体层20防止电子向第二电极22的移动。
另外，在本发明的二次电池构造中，例如，如果第二电极22如ITO那样是透明的，则如图10的(A)所示，通过从透明的第二电极22侧照射太阳光36，从而电子移动到充电层18内。即，二次电池50被充电。当然，如果基板12和第一电极是透明的，则也可以从基板12侧照射太阳光36。
二次电池基本上成为由电极夹持p型半导体和n型半导体的构造，在该pn结中会产生光伏效应。即，是阻断n型区域的电子向p型区域移动、p型区域的空穴向n型区域移动的方向的电位。一旦在该状态下照射具有能带隙以上的能量的光，则会形成电子-空穴对(载流子)。电子和空穴通过扩散而到达pn结部，通过pn结的电场，电子分离在n型区域，空穴分离在P区域。
在本发明中，p型金属氧化物半导体和n型金属氧化物半导体形成了pn结，但是n型金属氧化物半导体通过紫外线使二氧化钛发生光激发结构变化，在能带隙中形成了能级，因此通过能带隙以下的能量的光照射，电子被注入到能级。即使是在通过该过程照射光的情况下，也会产生与如图10的(A)所示的、连接了电源同样的效果，电子移动到充电层而充电。在照射光的情况下，需要电极是透明的。ITO是透明的电极材料，适合于光充电的情况。
图10的(B)是说明放电状态的图。一旦将负荷32连接在第一电极14和第二电极22，则注入到充电层18的电子移动到第一电极14，由此电流流向负荷32，成为放电状态。在由于放电而失去能量的情况下，会再次充电而使用。
图11是使第一电极成为TEXTURE型而在表面上形成细微的锥体的构造。第一电极14表面的TEXTURE型构造面75通过锥形状的凹凸而提高了与充电层18的密合性密合性，在照射太阳光的情况下，能够有效地吸收入射光，并能够降低光能量的损失。
这样，本发明的二次电池的特征在于，也能够通过太阳光等光进行充电，充电功能由于不是越过能带隙的电子的移动，而是电子向形成在能带隙内的能级的注入，因此能够以低的光能量进行充电。
在本发明的二次电池中，在充电层中，对二氧化钛进行绝缘覆盖，使传导带具有障壁。能够使该功能成为在第一电极与充电层之间通过溅射法形成二氧化钛的薄层、加强障壁功能的构造，这就是图1所示的二次电池的构造。
充电层的二氧化钛通过硅酮形成了绝缘覆膜，但是未必成为均匀的保护膜而产生偏差，在极端的情况下也存在不能形成保护膜而与电极直接接触的情况。在这样的情况下，电子通过再次结合而被注入到氧化钛，在能带隙中不能形成能级，充电容量下降。因此，为了抑制充电容量的下降、成为更高性能的二次电池，如图1所示在第一电极与充电层之间形成了二氧化钛的薄层。
该二氧化钛的薄层起到了作为绝缘层的功能，在元件特性的偏差减少、制造线上的稳定性以及成品率的提高方面是有效的。
以上，说明了本发明的实施方式，但是本发明包含不损害其目的和优点的适当的变形，并且不会受到上述实施方式的限定。
符号说明
10、50二次电池
12基板
14第一电极
16n型金属氧化物半导体层
18充电层
20P型金属氧化物半导体层
22第二电极
26n型金属氧化物半导体
28绝缘覆膜
30电池
32负荷
36太阳光
52、74ITO
54中间结晶层
56SnO2-MgO复合层
57二氧化钛
58传导带
60价电子带
62费米能级
64电子
65空穴
66紫外线
68绝缘层
70能级
72氧化镍
75TEXTURE型构造面

Claims (11)

1.一种二次电池，其特征在于，
所述二次电池通过层叠基板、导电性的第一电极、充电层、p型半导体层、以及导电性的第二电极而构成，
在所述充电层，对被绝缘性物质覆盖的n型金属氧化物半导体照射紫外线而使其发生光激发结构变化，由此在能带隙中形成能级而捕获电子，
所述二次电池通过将电源连接在所述第一电极与所述第二电极之间而向所述充电层充电。
2.如权利要求1所述的二次电池，其特征在于，
在所述第一电极与所述充电层之间设置n型金属氧化物半导体的层。
3.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
所述第一电极和所述第二电极是金属电极。
4.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
使所述基板为导电性材料来兼用作所述第一电极。
5.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
设置于所述第一电极与所述充电层之间的n型金属氧化物半导体是二氧化钛。
6.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
所述P型半导体是氧化镍或者铜铝氧化物。
7.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
所述充电层中的所述n型金属氧化物半导体是氧化锡、二氧化钛和氧化锌中的任一者，或者是氧化锡、二氧化钛以及氧化锌组合而成的复合物。
8.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
覆盖所述n型金属氧化物半导体的绝缘性物质是绝缘性树脂或无机绝缘物。
9.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
所述充电层通过包括以下工序的制造工序制造：
将在n型金属氧化物半导体的元素中结合了有机物而成的有机金属盐和绝缘物溶解在有机溶剂中，并将该有机溶剂涂布在设置于所述基板的所述第一电极上，或者在第一电极上设置n型金属氧化物半导体的层的情况下，将该有机溶剂涂布在n型金属氧化物半导体的层上；
在涂布后干燥并烧结；
在将被绝缘性物质覆盖的所述n型金属氧化物半导体的金属盐的层烧结了之后照射紫外线，使其发生光激发结构变化。
10.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
所述基板是树脂片。
11.如权利要求1或2所述的二次电池，其特征在于，
将所述第一电极的表面设为凹凸形状。
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