CN103135354A - 正型光敏树脂组合物、由其制造的光敏树脂膜及含有该光敏树脂膜的半导体装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及正型光敏树脂组合物、由其制造的光敏树脂膜及含有该光敏树脂膜的半导体装置。本发明公开了正型光敏树脂组合物,其包括(A)含有第一聚苯并噁唑前体的聚苯并噁唑前体,该第一聚苯并噁唑前体包含化学式1所示重复单元和化学式2所示重复单元,在至少一个末端具有可热聚官能团;(B)含有酚醛树脂的溶解控制剂,该酚醛树脂包含化学式4所示重复单元;(C)光敏重氮醌化合物;(D)硅烷化合物;(E)产酸剂;以及(F)溶剂;本发明还公开了用该正型光敏树脂组合物制成的光敏树脂膜以及含有该光敏树脂膜的半导体装置。该正型光敏树脂组合物具有优异的灵敏度、分辨率、图案成形性能、残余物去除性能和可靠性。
Description
相关申请的引用
本申请要求2011年11月29日在韩国知识产局提交的韩国专利申请No.10-2011-0126315的优先权和权益,通过引用将其全部并入到本申请中。
技术领域
本发明涉及正型光敏树脂组合物、用其制造的光敏树脂膜以及包括该光敏树脂膜的半导体装置。
背景技术
液晶显示器(LCD)作为平板显示器是众所周知的,但最近一种有机发光二极管(OLED)开始引起注意,由于其实现了高亮度和全彩显示。
该有机发光显示器包括含有空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极的有机发光二极管。各个有机发光二极管通过当有机发射层中电子和空穴结合产生的激子从激发态到基态产生的能量发光,有机发光二极管(OLED)显示器通过使用发光显示预定的图像。例如,为提供由像素组成的有机发光二极管(OLED)显示器,如电视机、电脑显示器、手机显示器或数码相机显示器,各有机发光二极管可以设置为具有矩阵模式的像素。像素可构造成发射一样的颜色,以便提供单色显示器装置;或像素可设置成发射不同的颜色,以便提供红、绿、蓝显示器。有机发光二极管为自发光型,所以不同于液晶显示器(LCD),不需要用于发光的背光单元。因此其厚度和重量可以比液晶显示器减小30%。
特别是在有机发光二极管显示器装置的绝缘层材料中,聚酰亚胺树脂占据中心位置,由于其具有在200℃以上的工艺中具有优良的耐热性和稳定性,优良的机械强度,低介电常数(low-k),涂层表面的平面化特性,减少的可以破坏装置可靠性的杂质和易提供精细的图案。
由于传统的使用聚酰亚胺的有机发光显示器装置的绝缘层或半导体保护层的制造方法包括附加的光刻工艺,例如包括图案化后用有机溶剂的蚀刻,该工艺复杂;成本高;使用有机溶剂污染环境;光刻图案可以发生膨胀。为解决这些问题,对碱性水溶液代替蚀刻剂的负型光敏聚酰亚胺加以研究。但是,在此情况下,图案化会在显影过程中被曝光区的非交联残留物所恶化,故难以实现高分辨率。因此,积极开展关于可实现高分辨率的正型光敏聚酰亚胺的研究。
该正型光敏树脂组合物具有酚醛树脂和光敏剂相互作用产生的曝光部分和未曝光部分的高对比度的优点,但耐热性相对较低,因此该图案保持性能太差,无法确保可靠性。
为解决该问题,将酚醛树脂与聚酰胺酸或聚酰胺酸-聚酰亚胺共聚物或类似物与邻重氮萘醌光敏剂相关物进行混合,但实现高分辨率和高灵敏度仍是困难的,因为很难控制曝光区和未曝光区之间的溶解度差异。
因此,正型光敏树脂组合物仍需要能轻易控制曝光区和未曝光区的碱性水溶液的溶解度以及提供优良的化学抗蚀和耐热和高灵敏度。
发明内容
一种实施方式提供一种具有优良的灵敏度、分辨率、图案成形性能、残余物去除性能和可靠性的正型光敏树脂组合物(positive photosensitive resin composition),通过包括具有预定的官能团的聚苯并噁唑前体和溶解控制剂,溶解控制剂包括具有预定结构的酚醛树脂。
另一种实施方式提供一种使用该正型光敏树脂组合物制备的光敏树脂膜。
另一种实施方式提供一种包括该光敏树脂膜的半导体装置。
根据一种实施方式,提供了一种正型光敏树脂组合物,其包含:(A)包括第一聚苯并噁唑前体的聚苯并噁唑前体,该第一聚苯并噁唑前体包含以下化学式1所示重复单元和以下化学式2所示重复单元,并且在至少一个末端(terminal end)具有可热聚官能团;(B)包括酚醛树脂(novolac resin)的溶解控制剂,该酚醛树脂包括化学式4所示重复单元;(C)光敏重氮醌化合物(photosensitive diazoquinone compound);(D)硅烷化合物;(E)产酸剂(acid generator);以及(F)溶剂。
[化学式1]
[化学式2]
在化学式1和2中,
X1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的四价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的四价至六价C3至C30脂环族有机基团,
X2在各个重复单元中相同或者不同,独立地是下述化学式3所示的官能团,
Y1和Y2相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价C3至C30脂环族有机基团。
[化学式3]
在化学式3中,
Z1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是单键、-O-、-COO-、-OCO-、-NH-、-CONH-、取代或未取代的C1至C15的亚烷基、取代或未取代的C2至C15的亚烯基、或者取代或未取代的C2至C15的亚炔基,
G1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是单键、取代或未取代的C6至C30的芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价的C3至C30脂环族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价C2至C30杂环基团,
R1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、氟、羟基、硫醇基、取代或未取代的C1至C30的羧基、或者取代或未取代的C3至C30脂肪族有机基团,
R2在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C1至C30的羧基、羟基或硫醇基,
n1是1~5的整数,
n2是0~3的整数。
[化学式4]
在化学式4中,
R3在各个重复单元中相同或者不同,是取代或未取代的C1至C20的脂肪族有机基团,
基于100mol%的R3,在酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于50mol%的R3相对于羟基(OH)在间位。
在一种实施方式中,上述化学式3所示的官能团可以包括选自下述化学式7至14所示的官能团及其组合中的一种,
[化学式7] [化学式8] [化学式9]
[化学式10] [化学式11] [化学式12]
[化学式13] [化学式14]
在化学式7至14中,
R7、R8、R10、R12、R14、R16和R18在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、氟、羟基、硫醇基、取代或未取代的C1至C30的羧基、或者取代或未取代的C1至C30脂肪族有机基团,
R9、R11、R13、R15、R17、R19、R20和R21在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C1至C30的羧基、羟基或硫醇基,
n9、n11和n13独立地是0~11的整数,
n6、n7、n8、n10、n12、n14、n15和n16独立地是0~3的整数。
基于100mol%R3,在酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于60mol%的R3相对于羟基(OH)在间位。
基于100mol%R3,在酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于90mol%R3相对于羟基(OH)在间位和对位。
在酚醛树脂包括的重复单元中的R3存在于间位(R3 m)和对位(R3 p)的摩尔比为5:5~10:0,例如,6:4~9:1。
溶剂可以包括γ-丁内酯、乳酸乙酯和丙二醇单甲醚。
该第一聚苯并噁唑前体可包括摩尔比为60:40~95:5的上述化学式1所示的重复单元和上述化学式2所示的重复单元。
该第一聚苯并噁唑前体可具有的重均分子量(Mw)为4,000g/mol至20,000g/mol。
该聚苯并噁唑前体可还包括第二聚苯并噁唑前体,该第二聚苯并噁唑前体包括以下化学式33所示的重复单元,并且在至少有一个末端具有可热聚官能团。
[化学式33]
在化学式33中,
X4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30的芳香族有机基团、取代或未取代的四价至六价的C1至C30的脂肪族有机基团、或者取代或未取代的四价至六价的C3至C30的脂环族有机基团,
Y4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30的芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价的C1至C30的脂肪族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价的C3至C30的脂环族有机基团。
该第二聚苯并噁唑前体可具有的重均分子量(Mw)为4,000g/mol至20,000g/mol。
该聚苯并噁唑前体可含有的该第一聚苯并噁唑前体和该第二聚苯并噁唑前体的重量比为5:95~95:5。
该正型光敏树脂组合物可以包括:基于100重量份的聚苯并噁唑前体(A),1重量份~30重量份的溶解控制剂(B);5重量份~100重量份的光敏重氮醌化合物(C);0.1重量份~30重量份的硅烷化合物(D);0.1重量份~20重量份的产酸剂(E);和50重量份~900重量份的溶剂(F)。
根据本发明的另一种实施方式,提供了一种由该正型光敏树脂组合物制成的光敏树脂膜。
根据本发明的再一种实施方式,提供了一种包括该光敏树脂膜的半导体装置。
该半导体装置可以是有机发光二级管(OLED)或液晶显示器(LCD)。
通过使用包括含预定的官能团聚苯并噁唑前体和溶解控制剂的正型光敏树脂组合物,溶解控制剂包括具有预定结构的酚醛树脂,可以改善溶解控制效果;提高膜的机械性能和可靠性;获得优异的灵敏度、分辨率、图案成型性能以及残留物去除性能;减小吸湿性。
具体实施方式
本发明中示例性实施方式将在下文中详细描述。然而,这些实施方式仅是示例性的,本发明并不仅局限于实施方式。
当具体定义未另外提供时,本文所用术语“取代”可指一个基团被选自以下基团组成的组的至少一个取代基所取代:卤素(氟、溴、氯或碘)、羟基、硝基、氰基、氨基(NH2、NH(R200)、或N(R201)(R202),其中R200、R201和R202相同或不同,各自独立地是C1至C10烷基),脒基(amidinogroup)、肼基、腙基、羧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的脂环族有机基团、取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂环基团。
当具体定义未另外提供时,本文所用术语“烷基”可指C1至C30烷基,特别是C1至C15烷基,术语“亚环烷基”可指C3至C30亚环烷基,特别是C3至C18亚环烷基,术语“烷氧基”可指C1至C30烷氧基,特别是C3至C18烷氧基,术语“芳基”可指C6至C30芳基,特别是C6至C18芳基,术语“烯基”可指C2至C30烯基,特别是C2至C18烯基,术语“亚烷基”可指C1至C30亚烷基,特别是C1至C18亚烷基,以及术语“亚芳基”可指C6至C30亚芳基,特别是C6至C18亚芳基。
当具体定义未另外提供时,本文所用术语“脂肪族有机基团”可指C1至C30烷基、C2至C30烯基、C2至C30炔基、C1至C30亚烷基、C2至C30亚烯基或C2至C30亚炔基,特别是C1至C15烷基、C2至C15烯基、C2至C15炔基、C1至C15亚烷基、C2至C15亚烯基或C2至C15亚炔基,术语“脂环族有机基团”可指C3至C30环烷基、C3至C30环烯基、C3至C30环炔基、C3至C30亚环烷基、C3至C30亚环烯基或C3至C30亚环炔基,特别是C3至C15环烷基、C3至C15环烯基、C3至C15环炔基、C3至C15亚环烷基、C3至C15亚环烯基或C3至C15亚环炔基,以及术语“芳香族有机基团”可指C6至C30芳基或C6至C30亚芳基,特别是C6至C16芳基或C6至C16亚芳基,术语“杂环基团”可以指C2至C30杂环烷基、C2至C30亚杂环烷基、C2至C30杂环烯基、C2至C30亚杂环烯基、C2至C30杂环炔基、C2至C30亚杂环炔基、C2至C30杂环芳基或C2至C30亚杂环芳基,包括在一个环中选自O、S、N、P、Si及其组合的1至3个杂原子,特别是C2至C15杂环烷基、C2至C15亚杂环烷基、C2至C15杂环烯基、C2至C15亚杂环烯基、C2至C15 杂环炔基、C2至C15亚杂环炔基、C2至C15杂环芳基或C2至C15亚杂环芳基,包括在一个环中选自O、S、N、P、Si及其组合的1~3个杂原子。
当具体定义未另外提供时,本文所用术语“组合(combination)”,是指混合或共聚。另外,术语“共聚”是指嵌段共聚、无规共聚或接枝共聚,以及术语“共聚物”是指嵌段共聚物、无规共聚物或接枝共聚物。
另外,“*”是指相同或不同原子或化学式之间的连接部分。
根据一种实施方式,正型光敏树脂组合物包括:(A)含有第一聚苯并噁唑前体的聚苯并噁唑前体,该第一聚苯并噁唑前体包括以下化学式1所示重复单元和以下化学式2所示重复单元,并且在至少一个末端具有可热聚官能团;(B)包括酚醛树脂的溶解控制剂,该酚醛树脂包括以下化学式4所示重复单元;(C)光敏重氮醌化合物;(D)硅烷化合物;(E)产酸剂;以及(F)溶剂。
[化学式1]
[化学式2]
在化学式1和2中,
X1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的四价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的四价至六价C3至C30脂环族有机基团,
X2在各个重复单元中相同或者不同,独立地是下述化学式3所示的官能团,
Y1和Y2相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价C3至C30脂环族有机基团。
[化学式3]
在化学式3中,
Z1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是单键,-O-、-COO-、-OCO-、-NH-、-CONH-、取代或未取代的C1至C15的亚烷基、取代或未取代的C2至C15的亚烯基、或者取代或未取代的C2至C15的亚炔基。并且,在一种实施方式中,Z1优选为单键、-O-、-COO-、或C1至C5的亚烷基。
G1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是单键、取代或未取代的C6至C30的芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价的C3至C30脂环族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价C2至C30杂环基团,在一种实施方式中,该芳香有机基团、脂环族有机基团和杂环基团可以含有至少一个环。
R1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、氟、羟基、硫醇基、取代或未取代的C1至C30的羧基、或者取代或未取代的C1至C30脂肪族有机基团。
R2在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C1至C30的羧基、羟基或硫醇基。
n1是1~5的整数,并且
n2是0~3的整数。
有时上述化学式3所示的官能团可以部分含有亲水基,但它通常是疏水性的,以便抑制正型光敏树脂组合物的碱性显影液溶解。
当该正型光敏树脂组合物包括含有上述化学式3所示的官能团的第一聚苯并噁唑时,碱性显影液溶解性在曝光部分和未曝光部分可以得到有 效控制。因此,由该正型光敏树脂组合物制成的膜的膜剩余率(film residue ratio)和图案成型性能可以得到改善,并可以不存在浮渣(scum),有效去除残余物以改善残余物去除性能。另外,用该正型光敏树脂组合物制成的膜的机械性能、可靠性、光敏性和分辨率也可以得到改善。
[化学式4]
在化学式4中,
R3在各个重复单元中相同或者不同,是取代或未取代的C1至C20的脂肪族有机基团,在一种实施方式中,为取代或未取代的C1至C20烷基,在另一种实施方式中,为甲基。
基于100mol%的R3,在酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于50mol%的R3相对于羟基(OH)在间位。
当该正型光敏树脂组合物包括酚醛树脂,在该未曝光部分,酚醛树脂的羟基与聚苯并噁唑前体和光敏重氮醌化合物形成氢键,酚醛树脂的R3为非极性,因此未曝光部分不能很好得溶解于碱性显影液中。另一方面,该曝光部分通过光敏重氮醌化合物增加极性,因此可以很好溶解于碱性显影液中。这样,因为未曝光部分控制为非极性,曝光部分控制为极性,曝光部分可以有效改善碱显影性、灵敏度和膜剩余率。
正型光敏树脂组合物的非极性和极性可以通过测量对水的接触角来判定。具体地,未曝光部分对水的接触角范围为65°~80°,曝光部分对水接触角范围为35°~60°。
该聚苯并噁唑前体是在热固化过程与酚醛树脂交联,用正型光敏树脂组合物制成的膜的机械强度和残余物去除性能可以得到改善。
结果,该正型光敏树脂组合物可具有优良的灵敏度、分辨率、膜剩余率、图案形成能力和残余物去除性能,正型光敏树脂组合物制成的光敏树脂膜可以具有优良的机械性能。
该正型光敏树脂组合物可以包括(G)其他添加剂。
在下文中,各组成部分详细描述:
(A)聚苯并噁唑前体
该聚苯并噁唑前体可以包括第一聚苯并噁唑前体,其含有上述化学式1所示的重复单元和含有上述化学式2所示的重复单元,在至少一个末端具有可热聚官能团。
在化学式1中,X1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是芳香有机基团、四价至六价脂肪族有机基团或四价至六价脂环族有机基团。在一种实施方式中,X1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是芳香有机基团或四价至六价脂环族有机基团。
特别地,X1可以是来源于芳香二胺的残留基团(残基)。
该芳香二胺可选自3,3'-二氨基-4,4'-二羟基联苯、4,4'-二氨基-3,3'-二羟基联苯、双(3-氨基-4-羟苯基)丙烷、双(4-氨基-3-羟苯基)丙烷、双(3-氨基-4-羟苯基)砜、双(4-氨基-3-羟苯基)砜、2,2-双(3-氨基-4-羟苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-双(4-氨基-3-羟苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、2,2-双(3-氨基-4-羟基-5-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2,2-双(3-氨基-4-羟基-6-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2,2-双(3-氨基-4-羟基-2-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基-3-羟基-5-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基-3-羟基-6-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基-3-羟基-2-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2,2-双(3-氨基-4-羟基-5-五氟乙基苯基)六氟丙烷、2-(3-氨基-4-羟基-5-三氟甲基苯基)-2-(3-氨基-4-羟基-5-五氟乙基苯基)六氟丙烷、2-(3-氨基-4-羟基-5-三氟甲基苯基)-2-(3-羟基-4-氨基-5-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2-(3-氨基-4-羟基-5-三氟甲基苯基)-2-(3-羟基-4-氨基-6-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2-(3-氨基-4-羟基-5-三氟甲基苯基)-2-(3-羟基-4-氨基-2-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2-(3-氨基-4-羟基-2-三氟甲基苯基)-2-(3-羟基-4-氨基-5-三氟甲基苯基)六氟丙烷、2-(3-氨基-4-羟基-6-三氟甲基苯基)-2-(3-羟基-4-氨基-5-三氟甲基苯基)六氟丙烷及其组合,但不局限于此。
X1可以是下述化学式5和6所示的官能团,但不局限于此。
[化学式5]
[化学式6]
在化学式5和6中,
A1是-O-、-CO-、-CR203R204-、-SO2-、-S-或单键,其中R203和R204相同或者不同,各自独立地是氢或者取代或未取代的烷基,在一种实施方式中为氟烷基。
R4至R6相同或者不同,各自独立地是选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的羧基、羟基和硫醇基组成的组。
n3是范围0~2的整数,
n4和n5相同或者不同,各自独立地是范围0~3的整数。
在化学式2中,X2可以在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是上述化学式3所示的官能团。
在一种实施方式中,上述化学式3所示的官能团可以包括选自下述化学式7至14所示的官能团及其组合中的一种。
[化学7] [化学8] [化学9]
[化学10] [化学11] [化学12]
[化学13] [化学14]
在化学式7至14中,
R7、R8、R10、R12、R14、R16和R18在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、氟、羟基、硫醇基、取代或未取代的C1至C30的羧基、或者取代或未取代的C1至C30脂肪族有机基团,
R9、R11、R13、R15、R17、R19、R20和R21在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C1至C30的羧基、羟基或硫醇基,
n9、n11和n13独立地是范围0~11的整数,并且
n6、n7、n8、n10、n12、n14、n15和n16独立地是范围0~3的整数。
在一种实施方式中,上述化学式3所示的官能团可以源自1-(3,5-二氨基苯基)-3-十八烷基琥珀酰亚胺、4-十八烷氧基苯-1,3-二胺(4-octadecoxybenzene-1,3-diamine)、4-胆甾醇氧基-1,3-苯二胺(4-cholesteryloxy-1,3-benzenediamine)、4-环己基甲基-1,3-苯二胺(4-cyclohexylmethyl-1,3-benzenediamine)、4-环己氧基-1,3-苯二胺(4-cyclohexyloxy-1,3-benzenediamine)、4-十二烷氧基-1,3-苯二胺(4-dodecyloxy-1,3-benzenediamine)或其组合,但不限于此。
在化学式1和2中,Y1和Y2相同或者不同,各自独立地是芳香族有机基团、二价至六价脂肪族有机基团、或者二价至六价脂环族有机基团。在一种实施方式中,Y1和Y2相同或者不同,各自独立地是芳香族有机基团,或者二价至六价脂环族有机基团。
在另一种实施方式中,Y1和Y2可以是来源于二羧酸的残基或源于二羧酸衍生物的残基。
二羧酸的实例包括Y1(COOH)2和Y2(COOH)2(其中Y1和Y2与上述化学式1和2的Y1和Y2相同)。
二羧酸衍生物的实例包括Y1(COOH)2的羰基卤衍生物(carbonyl halide derivative)、Y2(COOH)2的羰基卤衍生物、通过Y1(COOH)2与1-羟基-1,2,3-苯并三唑反应获得的活性酯衍生物的活性化合物或者Y2(COOH)2与1-羟基-1,2,3-苯并三唑反应获得的活性酯衍生物的活性化合物(其中Y1和Y2与上述化学式1和2的Y1和Y2相同)。
二羧酸衍生物包括4,4'-氧二苯酰氯(4,4'-oxydibenzoylchloride)、二苯氧基二羰基二氯(diphenyloxydicarbonyldichloride)、双(苯基羰基氯)砜、双(苯基羰基氯)醚、双(苯基羰基氯)酰苯(bis(phenylcarbonylchloride)phenone)、邻苯二甲酰氯、对苯二酰氯、间苯二甲酰氯、二羰基二氯(dicarbonyldichloride)、二苯氧基二羧酸二苯并三唑(diphenyloxydicarboxylatedibenzotriazole)或其组合,但不局限于此。
Y1和Y2可以包括下述化学式15至17所示的官能团,但不局限于此。
[化学式15]
[化学式16]
[化学式17]
在化学式15至17中,
R22至R25相同或者不同,各自独立地是氢或者取代或未取代烷基。
n17是范围0~4的整数,
n18、n19和n20是范围0~3的整数,
A2是-O-、-CR205R206-、-CO-、-CONH-、-S-、-SO2-或单键,其中R205和R206相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的烷基,在一种实施方式中为氟烷基。
第一聚苯并噁唑前体在至少一个末端包括可热聚官能团。可热聚官能团通过加热键合高分子链从而延展链长度,或与交联剂交联来提供硬质薄膜,因此低分子量聚合物的分子量提高和膜性能改善。
该可热聚官能团可以源自封端单体,例如,单胺、单酐或者包括碳碳多重键的单羧基酸卤化物。
单胺的实例包括甲苯胺(toluidine)、二甲基苯胺、乙基苯氨、氨基酚、氨基苄醇、氨基茚满、氨基苯乙酮等。
单酐的实例包括下述化学式18所示的5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐、下述化学式19所示的3,6-环氧-1,2,3,6-四氢苯酐(3,6-epoxy-1,2,3,6-tetrahydrophthalicanhydride)、或下述化学式20所示的异丁烯基丁二酸酐、马来酸酐、乌头酸酐(aconitic anhydride)、3,4,5,6-四氢苯酐、顺式-1,2,3,6-四氢苯酐、衣康酸酐(IA)、柠康酸酐(CA)、2,3-二甲基马来酸酐(DMMA)或其组合。
[化学式18]
[化学式19]
[化学式20]
源自单酐的可热聚官能团包括下述化学式21至25所示的官能团,但不局限于此。可热聚官能团可以在第一聚苯并噁唑前体制备过程加热时交联,可以形成在第一聚苯并噁唑前体的末端的残基。
[化学式21]
在化学式21中,R26是-H、-CH2COOH或-CH2CHCHCH3。
[化学式22]
在化学式22中,
R27和R28相同或者不同,各自独立地是-H或-CH3
[化学式23]
[化学式24]
在化学式24中,
R29是-CH2-或-O-,R30是-H或-CH3。
[化学式25]
在化学式25中,
R31和R32相同或者不同,独立地是-H、-CH3或-OCOCH3。
含有碳碳多重键的单羧基酸卤化物可按下述化学式26所示。
[化学式26]
在化学式26中,
R33是取代或未取代的脂环族有机基团或者取代或未取代的芳香族有机基团。该取代脂环族有机基团或取代芳香族有机基团被选自由以下基团组成的组的取代基取代:取代或未取代的脒基、取代或未取代的脂环族有机基团、以及取代或未取代的脂环族有机基团与芳基的稠环。该取代的脂环族有机基团可以是马来酰亚胺基团。
Z2是-F、-Cl、-Br或I。
含有碳碳多重键的单羧基酸卤化物包括下述化学式27所示的5-降冰片烯-2-羧基酸卤化物、下述化学式28所示的4-降冰片烯二甲酰亚胺苯甲 酰卤(4-nadimido benzoylhalide)、下述化学式29所示的4-(4-苯基乙炔基苯二甲酰亚氨基)苯甲酰卤(4-(4-phenylethynylphthimido)benzoylhalide)、下述化学式30所示的4-(2-苯基马来酰亚氨基)苯甲酰卤、下述化学式31所示的苯甲酰卤化物、下述化学式32所示的环苯甲酰卤、4-(3-苯基乙炔基苯二甲酰亚氨基)苯甲酰卤(4-(3-phenylethynylphthimido)benzoylhalide)、4-马来酰亚氨基苯甲酰卤或者其组合。这些可单独或作为混合物使用。
[化学式27]
[化学式28]
[化学式29]
[化学式30]
[化学式31]
[化学式32]
在化学式27至32中,
Z3至Z8相同或不同,各自独立地是-F、-Cl、-Br或–I。
第一聚苯并噁唑前体可以包括摩尔比为60:40~95:5的上述化学式1所示的重复单元和上述化学式2所示的重复单元。
当该第一聚苯并噁唑前体包括该范围内的上述化学式1该的重复单元和上述化学式2该的重复单元,碱性显影液中的该正型光敏树脂组合物能够在未曝光部分受到抑制。因此,用该正型光敏树脂组合物制成的膜的残留率和图案成型性能可以得到改善,并可以不存在浮渣,有效去除残留物,因而有效改善残余物去除性能。另外,使用正型光敏树脂组合物制成的膜的机械性能、可靠性、光敏性和分辨率也可以得到改善。
第一聚苯并噁唑前体可以具有的重均分子量(Mw)为4,000g/mol至20,000g/mol。当第一聚苯并噁唑前体具有该范围内的重均分子量时,显影率可有效得到控制,因此其图案形成性能和膜剩余率特性可得到改善,从而提供使有机溶剂充分溶解。另外,其在正型光敏树脂组合物中以各种混合范围使用。在一种实施方式中,第一聚苯并噁唑前体可以具有的重均分子量(Mw)为5,000g/mol至15,000g/mol。
聚苯并噁唑前体还包括下述化学式33所示的第二聚苯并噁唑前体,其在至少一个末端具有可热聚官能团。
[化学式33]
在化学式33中,
X4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30的芳香族有机基团、取代或未取代的四价至六价的C1至C30的脂肪族有机基团、或者取代或未取代的四价至六价的C3至C30的脂环族有机基团。
Y4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30的芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价的C1至C30的脂肪族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价的C3至C30的脂环族有机基团。
当聚苯并噁唑前体还包括第二聚苯并噁唑前体时,未曝光和曝光部分的显影性可有效得到控制,从而提高对比度。
在化学式33中,X4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是芳香族有机基团、四价到六价的脂肪族有机基团或者四价到六价的脂环族有机基团。在一种实施方式中,X4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是芳香族有机基团或者四价到六价的脂环族有机基团。
在一种实施方式中,X4可以是源自芳香二胺的残基。
该芳香二胺与上述化学式1的X1描述的芳香二胺相同。
X4可以是上述化学式5和6所示的官能团,但不局限于此。
在化学式33中,Y4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是芳香族有机基团、二价到六价的脂肪族有机基团或者二价到六价的脂环族有机基团。在一种实施方式中,Y4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是芳香族有机基团或者二价到六价的脂环族有机基团。
在另一种实施方式中,Y4是源自二羧酸的残留基团或源自二羧酸衍生物的残留基团。
二羧酸可以是Y4(COOH)2(其中Y4与上述化学式33的Y4相同)。
该二羧酸衍生物的实例包括Y4(COOH)2的羰基卤化物衍生物或者通过Y4(COOH)2(其中Y4与上述化学式33的Y4相同)和1-羟基-1,2,3-苯并三唑反应生成的活性酯衍生物的活性化合物等。
二羧酸衍生物的实例与上述的相同。
Y4可以是上述化学式15至17所示的官能团,但不局限于此。
该第二聚苯并噁唑前体可以具有的重均分子量(Mw)为4,000g/mol至20,000g/mol。当该第二聚苯并噁唑前体具有该范围内的重均分子量时,显影率可有效得到控制,从而改善图案成形性能和膜剩余率特性以及使其容易在正型光敏树脂组合物中以各种混合范围使用。在一种实施方式中,该第二聚苯并噁唑前体可以具有重均分子量(Mw)为5,000g/mol至15,000g/mol。
当该聚苯并噁唑前体同时包括第一聚苯并噁唑前体和第二聚苯并噁唑前体,该第一聚苯并噁唑前体和该第二聚苯并噁唑前体的重量比可以是5:95~95:5。当该第一聚苯并噁唑前体和该第二聚苯并噁唑前体在该范围内被包括时,显影性在未曝光部分和曝光部分可得到有效控制,从而改善灵敏度和膜剩余率特性。
(B)溶解控制剂
该溶解控制剂包括具有上述化学式4所示重复单元的酚醛树脂(novolac resin)。本文中,该酚醛树脂可以是无规共聚物、嵌段共聚物及其组合,但不局限于此。在一种实施方式中,酚醛树脂优选为无规共聚物。
在一种实施方式中,该正型光敏树脂组合物中,基于100mol%的R3,在酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于60mol%的R3相对于羟基(OH)在间位。
另一方面,该正型光敏树脂组合物中,基于100mol%R3,在酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于90mol%R3相对于羟基(OH)在间位和对位。在该情况下,包括存在于间位(R3 m)的R3的重复单元和包括存在于对位(R3 p)的R3的重复单元可以是无规共聚的或者嵌段共聚的,但不局限于此。在此情况下,存在于间位(R3 m)的R3可以改善曝光部分的碱性显影性和敏感度,存在于对位(R3 p)的R3可以抑制曝光部分和未曝光部分的过度显影,从而保持膜剩余率特性。因此,当使用该正型光敏树脂组合物时,其碱性显影性可以有效得到控制,所以灵敏度和膜剩余率特性可以得到改善。
该酚醛树脂中包括的重复单元可以包括处于羟基(OH)间位(R3 m)的R3和对位(R3 p)的R3的摩尔比为5:5至10:0。在此情况下,包括存在 于间位(R3 m)的R3的重复单元和包括存在于对位(R3 p)的R3的重复单元可以是无规共聚的或者嵌段共聚的,但不局限于此。当存在于间位(R3 m)的R3和存在于对位(R3 p)的R3的摩尔比在此范围内时,如果使用该正型光敏树脂组合物,其碱性显影性可以有效得到控制,灵敏度、膜剩余率特性和热稳定性可以得到改善。在一种实施方式中,存在于间位(R3 m)的R3和存在于对位(R3 p)的R3的摩尔比为6:4~9:1。
该酚醛树脂可以包括具有下述化学式34所示的重复单元的化合物。
[化学式34]
该酚醛树脂可以包括重量比为30:70至90:10的包括化学式4所示的重复单元的化合物和包括上述化学式34所示的重复单元的化合物。可替换地,该酚醛树脂可以包括摩尔比为30:70至90:10的包括化学式4所示的重复单元和上述化学式34所示的重复单元。当含有上述化学式4所示的重复单元的甲酚酚醛重复单元和上述化学式34所示的苯酚酚醛范围内,其碱显影液的溶解度在曝光部分可得到改善,同时在非曝光部分保持抑制溶解,因此可以有效地提高曝光部分的显影能力,从而提高膜剩余率、灵敏度和图案成形能力。在一种实施方式中,该酚醛树脂可以包括摩尔比为40:60至80:20的包括化学式4所示的重复单元和上述化学式34所示的重复单元。
该酚醛树脂可以具有的数均分子量(Mn)为1,000至10,000。
该溶解度控制剂还可以包括酚化合物。
该酚化合物可以包括下述化学式35至41所示的化合物,但不局限于此。
[化学式35]
在化学式35中,
R46至R51相同或不同,各自独立地是-H、-OH、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C1至C10烷氧基或者取代或未取代的C1至C10烷氧基烷基,条件为R46至R51中至少一个是羟基并且不是所有的R46至R51都是羟基。
[化学式36]
在化学式36中,
R52至R54相同或者不同,各自独立地是氢或者取代或未取代的烷基,
R55至R59相同或者不同,各自独立地是-H、-OH或者取代或未取代的烷基,条件为R55至R59中的至少一个是羟基,在一种实施方式中,该烷基可以是-CH3,以及
n27是0~5范围的整数。
[化学式27]
在化学式37中,
R60至R65相同或者不同,各自独立地是-H、-OH或者取代或未取代的烷基,条件为R60至R65中的至少一个是羟基,
A5是-CR209R210-或单键,其中R209和R210相同或者不同,各自独立地是氢或者取代或未取代的烷基,在一种实施方式中,该烷基可以是-CH3,
n28+n29+n30和n31+n32+n33相同或者不同,各自独立地是小于或等于5的整数。
[化学式38]
在化学式38中,
R66至R68相同或者不同,各自独立地是氢、或者取代或未取代的烷基,
n34和n35相同或者不同,各自独立地是1~5范围的整数,
n36和n37相同或者不同,各自独立地是0~4范围的整数,
n38是0~10范围的整数。
[化学式39]
在化学式39中,
R69至R74相同或者不同,各自独立地是氢、-OH、或者取代或未取代的烷基,
n39至n42相同或者不同,各自独立地是1~4的整数,
n39+n41和n40+n42相同或者不同,各自独立地是小于或等于5的整数。
[化学式40]
在化学式40中,
R75是取代或未取代的烷基,例如-CH3,
R76至R78相同或者不同,各自独立地是氢、或者取代或未取代的烷基,
n43、n45和n47相同或者不同,各自独立地是范围1~5的整数,
n44、n46和n48相同或者不同,各自独立地是范围0~4的整数,
n43+n44、n45+n46和n47+n48相同或者不同,各自独立地是小于或等于5的整数。
[化学式41]
在化学式41中,
R79至R81相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的烷基,例如-CH3,
R82至R85相同或者不同,各自独立地是氢、或者取代或未取代的烷基,
n49、n51和n53相同或者不同,各自独立地是范围1~5的整数,
n50、n52和n54相同或者不同,各自独立地是范围0~4的整数,
n55是1~4的整数,
n49+n50、n51+n52和n53+n54相同或者不同,各自独立地是小于或等于5的整数。
该酚化合物的实例可以包括3-羟基-4-乙基苯酚、2,6-二甲氧基甲基-4-叔丁基苯酚、2,6-二甲氧基甲基-对甲酚、2,6-二乙酰氧甲基-对甲酚等,但不局限于此。
当该溶解控制剂包括该酚醛树脂和酚化合物时,包括重量比为30:5至10:25的酚醛树脂和酚化合物。在此情况下,显影灵敏度不会劣化,未曝光部分的溶解速度适当提高从而提供优质图像,保存在冰箱使其不沉淀可提供出色的储存稳定性和提供高膜剩余率和高灵敏度特性。在一种实施方式中,当该溶解控制剂包括该酚醛树脂和该酚化合物时,该酚醛树脂和该酚化合物的重量比为25:10至15:20。
基于100重量份该聚苯并噁唑前体,该正型光敏树脂组合物可以包括1重量份~30重量份的溶解控制剂。当该溶解控制剂在此范围内包括时,未曝光部分可有效控制为非极性,曝光部分可有效控制为极性,因此曝光部分的碱性显影性可以得到有效控制。在一种实施方式中,该溶解控制剂可包括基于100重量份该聚苯并噁唑前体1重量份~20重量份。
(C)光敏重氮醌化合物
光敏重氮醌化合物可以是含有1,2-苯醌重氮(1,2-benzoquinone diazide)或1,2-萘醌重氮(1,2-naphtoquinone diazide)结构的化合物。
光敏重氮醌化合物可包括下述化学式42和44至46所示的化合物,但不局限于此。
[化学式42]
在化学式42中,
R86至R88相同或不同,各自独立地是氢、或者取代或未取代的C1至C30的烷基,例如CH3。
R89至R91相同或不同,各自独立地是-OQ,,其中Q是氢、下述化学式43a所示的官能团、或者下述化学式43b所示的官能团,条件是Q不同时是氢。在一种实施方式中,Q优选是氢或上述化学式43a所示的官能团。
当Q是上述化学式43a所示的官能团时,该光敏重氮醌对包括i-line(365nm)、h-line(405nm)和g-line(436nm)宽波长范围的光具有光敏性,因此更易用来制造有机发光显示器装置(OLED)。
在另一方面,当Q是上述化学式43b所示的官能团时,该光敏重氮醌对i-line(365nm)的光具有光敏性,因此更易用来制造半导体装置。
n56至n58各自独立地是范围1~3整数。
[化学式43a]
[化学式43b]
[化学式44]
在化学式44中,
R92是氢、或者取代或未取代的C1至C30烷基,
R93至R95相同或不同,各自独立地是-OQ,其中Q与上述化学式42所定义的相同,
n59至n61各自独立地是范围1~3的整数。
[化学式45]
在化学式45中,
A6是-CO-或者-CR211R212-,其中R211和R212相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C1至C30烷基,
R96至R99相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30烷基、-OQ或-NHQ,其中Q与上述化学式42所定义的相同,
n62至n65各自独立地是范围1~4的整数,
n62+n63和n64+n65各自独立地是小于或等于5的整数,
R96和R97中至少一个是-OQ,一个芳香环包括1到3个OQ以及其他的芳香环包括1到4个OQ。
[化学式46]
在化学式46中,
R100至R107相同或不同,各自独立地是氢、或者取代或未取代的C1至C30烷基。
n66和n67各自独立地是范围1~5的整数,
Q与上述化学式42所定义的相同。
在该正型光敏树脂组合物中,基于100重量份碱性可溶性树脂该光敏重氮醌化合物可以包括5重量份~100重量份。当该光敏重氮醌化合物的量在此范围内时,在曝光时图案没有残余物成型良好,并在显影过程中防止膜厚度损失,从而提供优秀的图案。
(D)硅烷化合物
硅烷化合物提高了该光敏树脂组合物和基底的结合力。
硅烷化合物可包括上述化学式47至49所示的化合物;或者具有碳碳不饱和键的硅烷化合物如乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰基氧丙基三甲氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷等,但不局限于此。
[化学式47]
在化学式47中,
R108是乙烯基、取代或未取代烷基、或者取代或未取代芳基,例如3-(甲基)丙烯酰氧基丙基、对苯乙烯基、或者3-(苯氨基)丙基,
R109至R111相同或者不同,各自独立地是取代或未取代烷氧基、取代或未取代的烷基、或者卤素,其中R109至R111中至少一个是烷氧基或者卤素,在一种实施方式中,该烷氧基可以是C1至C8烷氧基,该烷基可以是C1至C20烷基。
[化学式48]
在化学式48中,
R112是-NH2或-NHCOCH3,
R113至R115相同或不同,各自独立地是取代或未取代的烷氧基,在一种实施方式中,该烷氧基是-OCH3或-OCH2CH3,以及
n68是范围1~5的整数
[化学式49]
在化学式49中,
R116至R119相同或不同,各自独立地是取代或未取代的烷基或者取代或未取代的烷氧基,例如-CH3或-OCH3,
R120和R121相同或不同,各自独立地是取代或未取代的氨基,例如-NH2或者-NHCOCH3,
n69和n70相同或不同,各自独立地是范围1~5的整数。
在该正型光敏树脂组合物中,基于100重量份聚苯并噁唑前体,硅烷化合物可以包括0.1重量份~30重量份。当硅烷化合物在此范围内时,上下层的粘合力可充分改善,显影后残膜可不存在,光学性质(透射性)和机械性能如拉伸强度、延伸性等可得到改善。
(E)产酸剂
产酸剂可包括选自磺酸酯(盐)基产酸剂(sulfonate-based acid generator)如对甲苯磺酸酯(盐)等,磺酸基产酸剂(a sulfonic acid-based acid generator)如甲磺酸等,及其组合中的一种。
在一种实施方式中,产酸剂可包括磺酸酯(盐)(sulfonates)例如对甲苯磺酸吡啶鎓、对甲苯磺酸炔丙酯、S-(2-萘甲酰甲基四氢噻吩鎓三氟甲基磺胺酸盐)(S-(2-naphthalenecarbonyl methyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonenate))、三氟甲磺酸三苯基锍、三氟甲磺酸(4-甲氧基噻吩基)甲基苯基锍、三氟甲磺酸(4-甲基苯基)二苯基锍、九氟丁磺酸二 甲基苯基锍、三氟甲磺酸二甲基苯基锍、对苯甲磺酸2-甲氧基乙酯、对苯甲磺酸丁酯,以及类似物,芳磺酸例如对甲苯磺酸、苯磺酸,以及类似物,三氟甲磺酸、三氟丁磺酸,以及类似物,烷基磺酸例如全氟烷基磺酸、甲磺酸、乙磺酸、丁磺酸,以及类似物,或其组合,但不局限于此。
产酸剂是聚苯并噁唑前体的含羟基聚酰胺的脱水反应以及环化反应的催化剂,因此环化反应能够顺利进行即使固化温度降低。
在正型光敏树脂组合物中,基于100重量份聚苯并噁唑前体,包括产酸剂的量为0.1重量份~20重量份。当该产酸剂包括在此范围内时,该聚苯并噁唑前体可以有效环化和固化足以改善膜性能。在曝光期间,曝光部分的碱性显影性可得到改善,从而有效实现图案化。在一种实施方式中,基于100重量份聚苯并噁唑前体,包括产酸剂的量为0.5~10重量份,尤其是1~8重量份。
(F)溶剂
溶剂可以是有机溶剂。该有机溶剂可包括N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯、N,N-二甲基乙酰胺、二甲亚砜、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇二丁醚、丙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲基-1,3-丁二醇醋酸酯、1,3-丁二醇-3-单甲醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯(methyl-3-methoxy propionate)或其组合,但不局限于此。该溶剂可单独使用或作为两种或更多种的混合物使用。
在一种实施方式中,溶剂优选为γ-丁内酯、乳酸乙酯和丙二醇单甲醚的混合溶剂。本文中,基于100份重量γ-丁内酯,乳酸乙酯可以25~60重量份的量存在和丙二醇单甲醚可以10~40重量份的量存在。
在正型光敏树脂组合物中,基于100重量份聚苯并噁唑前体,溶剂使用量为50重量份~900重量份。当溶剂在此范围内的量使用时,可得到足够厚的膜以及提供良好的溶解性和涂层。在一种实施方式中,基于100重量份聚苯并噁唑前体,溶剂使用量为500重量份~600重量份。
(G)其他添加剂
根据一种实施方式正型光敏树脂组合物还包括(G)其他添加剂。
作为其他添加剂,合适的表面活性剂或者均涂剂(流平剂,匀染剂,leveling agent)可用来防止膜污染或改善显影。
该添加剂可以是诸如氟基添加剂或硅氧烷基添加剂的添加剂,但不局限于此。
使用正型光敏树脂组合物形成图案的方法(工艺)包括:使用旋涂(spin coating)、狭缝涂覆(slit coating)、喷墨打印等在支撑基质上涂覆正型光敏树脂组合物;干燥涂覆的正型光敏树脂组合物从而提供正型光敏树脂组合物层;曝光正型光敏树脂组合物层;使用碱性水溶液显影该正型光敏树脂组合物层以提供光敏树脂膜;加热该光敏树脂膜。提供图案的工艺条件在本领域中众所周知,因此在此说明书中将省略其详细描述。
根据本发明中的另一种实施方式,提供了使用正型光敏树脂组合物制成的光敏树脂膜。光敏树脂膜可以是绝缘层、缓冲层或保护层。
光敏树脂膜可具有100至150mJ/cm2的灵敏度。在此范围内,灵敏度可得到提高从而改善产量并减小工艺时间。在一种实施方式中,光敏树脂膜可具有110至150mJ/cm2的灵敏度。
根据本发明的另一种实施方式,提供了包括该光敏树脂膜的半导体装置。该半导体装置可以是有机发光二极管(OLED)或者液晶显示器(LCD)。
实施例
下述实施例详细阐述本发明。但本发明并不局限于这些实施例。
合成实施例1:聚苯并噁唑前体(PBO-1)的合成
17.4g的2,2-双(3-氨基-4-羟苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷置于装有搅拌器、温控装置、氮气喷射器和冷却器的四颈烧瓶同时其中通有氮气,向其中加入280g的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
当固体完全溶解时,作为催化剂,向其中加入9.9g嘧啶。生成物保持在温度0℃至5℃,通过将13.3g的4,4'-氧二苯酰氯(4,4'-oxydibenzoylchloride)溶解于142g的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)制成的溶液以滴加方式向其中缓慢加入30min。在温度0℃至5℃范围内,生成的混合物反应1小时,然后加热到室温反应1小时。接着向其中加入1.6g 的5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐。在室温下搅拌2小时混合物以完成反应。该反应生成物混合物加入水/甲醇(体积比=10/1)混合溶液中产生沉淀物。过滤沉淀物,用水充分清洗,在80℃下真空干燥超过24小时,制备聚苯并噁唑前体(PBO-1)。聚苯并噁唑前体(PBO-1)的重均分子量为9,800g/mol。
合成实施例2:聚苯并噁唑前体(PBO-2)的合成
23.1g的2,2-双(3-氨基-4-羟苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷和12.4g的1-(3,5-二氨基苯基)-3-十八烷基琥珀酰亚胺置于装有搅拌器、温控装置、氮气喷射器和冷却器的四颈烧瓶,同时其中通有氮气,向其中加入200g的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
当固体完全溶解时,作为催化剂,向其中加入12.8g嘧啶。生成物保持在温度0℃至5℃范围,通过将23.1g的4,4'-氧二苯酰氯溶解于131g的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)制成的溶液以滴加方式向其中缓慢加入30min。在温度0℃至5℃范围,生成的混合物反应1小时,然后加热到室温反应1小时。接着向其中加入4.0g的5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐。在室温下搅拌2小时混合物以完成反应。该反应生成物混合物加入水/甲醇(体积比=10/1)混合溶液中产生沉淀。过滤沉淀物,用水充分清洗,在80℃下真空干燥超过24小时,制备聚苯并噁唑前体(PBO-2)。该聚苯并噁唑前体(PBO-2)的重均分子量为9,500g/mol。
合成实施例3:聚苯并噁唑前体(PBO-3)的合成
20.5g的2,2-双(3-氨基-4-羟苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷和9.1g的4-十八烷氧基苯-1,3-二胺(4-octadecoxybenzene-1,3-diamine)置于装有搅拌器、温控装置、氮气喷射器和冷却器的四颈烧瓶同时其中通有氮气,向其中加入232g的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
当固体完全溶解时,作为催化剂,向其中加入11.4g嘧啶。生成物保持在温度0℃至5℃,通过将20.5g4,4'-氧二苯酰氯溶解于117g N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)制成的溶液以滴加方式向其中缓慢加入30min。在温度0℃至5℃范围内,生成的混合物反应1小时,然后加热到室温反应1小时。接着向其中加入3.5g5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐。在室温下搅拌2小时混合物以完成反应。该反应生成物混合物加入水/甲醇(体积比=10/1)混合溶液中产生沉淀物。将沉淀物过滤,用水充分清洗,在80℃下真空干燥超过24 小时,制备聚苯并噁唑前体(PBO-3)。该聚苯并噁唑前体(PBO-3)的重均分子量为9,200g/mol。
实施例1:正型光敏树脂组合物的制备
4.05g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)和0.45g根据合成实施例2的聚苯并噁唑前体(PBO-2)溶于25g的γ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)的混合溶剂中。其中加入1g下述化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g下述化学式51所示的三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g下述化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、0.2g下述化学式53所示的化合物,包括比例为6:4的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元,具有数均分子量为4000,0.1g下述化学式54所示的对甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解。该溶液用0.45μm氟树脂过滤器过滤,以制备正型光敏树脂混合物。
[化学式50]
在化学式50中,
Q与上述化学式42定义相同,67%Q被上述化学式43a所取代。
[化学式51]
[化学式52]
[化学式53]
[化学式54]
实施例2:正型光敏树脂组合物的制备
3.6g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)和0.9g根据合成实施例2的聚苯并噁唑前体(PBO-2)溶于25g的γ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)的混合溶剂中。其中加入1g化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g化学式51所示的三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、0.2g化学式53所示的化合物,包括比例为6:4的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元,具有的数均分子量为4000,0.1g化学式54所示的对甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解。该溶液通过0.45μm氟树脂过滤器过滤,从而制得正型光敏树脂混合物。
实施例3:正型光敏树脂组合物的制备
3.15g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)和1.35g根据合成实施例2的聚苯并噁唑前体(PBO-2)溶于25g的γ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)的混合溶剂中。其中加入1g化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g化学式51所示的三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、0.2g化学式53所示的化合物,包括比例为6:4的间甲酚酚醛重复单 元和对甲酚酚醛重复单元,具有的数均分子量为4000,0.1g化学式54所示的对甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解。该溶液通过0.45μm氟树脂过滤器过滤,从而制得正型光敏树脂混合物。
实施例4:正型光敏树脂组合物的制备
正型光敏树脂组合物根据实施例1中的相同方法制得,除用根据合成实施例3的聚苯并噁唑前体(PBO-3)代替根据合成实施例2的聚苯并噁唑前体(PBO-2)外。
实施例5:正型光敏树脂组合物的制备
正型光敏树脂组合物根据实施例2中的相同方法制得,除用根据合成实施例3的聚苯并噁唑前体(PBO-3)代替根据合成实施例2的聚苯并噁唑前体(PBO-2)外。
实施例6:正型光敏树脂组合物的制备
正型光敏树脂组合物根据实施例3中的相同方法制得,除用根据合成实施例3的聚苯并噁唑前体(PBO-3)代替根据合成实施例2的聚苯并噁唑前体(PBO-2)外。
比较例1:正型光敏树脂组合物的制备
4.5g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)溶解在25gγ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)混合溶剂中。其中加入1g化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g化学式51所示的三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、0.2g化学式53所示的化合物,包括比例为6:4的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元,具有的数均分子量为4000,0.1g化学式54所示的对甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解。该溶液通过0.45μm氟树脂过滤器过滤,从而制得正型光敏树脂混合物。
比较例2:正型光敏树脂组合物的制备
4.5g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)溶解在25gγ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)混合溶剂中。其中加入1.7g化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g化学式51所示的 三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、0.2g化学式53所示的化合物,包括比例为6:4的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元,具有的数均分子量为4000,0.1g化学式54所示的对甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解。该溶液通过0.45μm氟树脂过滤器过滤,从而制得正型光敏树脂混合物。
比较例3:正型光敏树脂组合物的制备
4.5g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)溶解在25gγ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)混合溶剂中。加入1.7g化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g化学式51所示的三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、1.0g化学式53所示的化合物,包括比例为6:4的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元,具有的数均分子量为4000,0.1g化学式54所示的对甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解其中。该溶液通过0.45μm氟树脂过滤器过滤,从而制得正型光敏树脂混合物。
比较例4:正型光敏树脂组合物的制备
4.5g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)溶解在25gγ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)混合溶剂中。其中加入1g化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g化学式51所示的三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、0.2g化学式53所示的化合物,包括比例为2:8的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元,具有的数均分子量为4000,0.1g化学式54所示的对甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解。该溶液通过0.45μm氟树脂过滤器过滤,从而制得正型光敏树脂混合物。
比较例5:正型光敏树脂组合物的制备
4.05g根据合成实施例1的聚苯并噁唑前体(PBO-1)和溶解0.45g根据合成实施例2的聚苯并噁唑前体(PBO-2)在25g的γ-丁内酯(GBL)/乳酸乙酯(EL)/丙二醇单甲醚(PGME)(重量比=5/3/2)混合溶剂中。加入1g化学式50所示的光敏重氮醌化合物、0.2g化学式51所示的三甲氧基[3-(苯氨基)丙基]硅烷作为硅烷化合物、0.2g化学式52所示的化合物作为溶解控制剂、0.2g化学式53所示的化合物,包括比例为2:8的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元,具有的数均分子量为4000,0.1g化学式54所示的对 甲苯磺酸炔丙酯作为产酸剂并溶解其中。该溶液通过0.45μm氟树脂过滤器过滤,从而制得正型光敏树脂混合物。
实验实施例1:灵敏度、分辨率、膜剩余率和浮渣产生量
使用MIKASA Co.,Ltd.制造的旋涂涂覆机(1H-DX2)将根据实施例1至6和比较例1至5的正型光敏树脂组合物涂布在8英寸晶片,然后在电热板上120℃加热120秒,形成4.15μm厚聚苯并噁唑前体膜。
该光敏聚苯并噁唑前体膜通过具有各种不同图案的掩模依次曝光,采用日本尼康制造的I-line光刻机(I-line stepper)(NSR i10C),间隔5mJ/cm2以25mJ/cm2至400mJ/cm2进行,室温下在2.38重量%四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液中溶解60秒(2坑(puddle))从而去除曝光部分,并用纯水洗涤30秒。得到的图案接着在烘箱里250℃下固化60分钟,提供图案化膜。
为测量灵敏度,在线宽1:1下形成10μm L/S(线和空间)图案时测定最佳曝光时间,分辨率测定为最佳曝光时间下的最小图案尺寸。分辨率可通过光学显微镜观察到。上述数据如下表1所示。
当膜厚度减小影响显影和产生的膜厚时,优选膜厚在显影中几乎不减少。为测量膜厚度,预焙膜在不同的时间浸入2.38%氢氧化四甲基铵(TMAH)溶液中,并用水洗涤,因此测量膜厚度变化用来计算膜剩余率(显影后的膜厚度/显影前的膜厚度,单位:%)。该结果如表2所示。预焙、显影和固化后的膜厚度变化采用KMAC公司制造的ST4000-DLX仪器测量。
另外,该图案化形状采用KLA Tencor8100XP(KLA仪器制造)CD-SEM(临界尺寸扫描电镜)仪器观察,通过检查是否有残余物存在于壁表面和底部来评价浮渣。该结果如下表1所示。
<浮渣评估基准>
无:底部没有残余物
是:底部发现残余物
(表1)
膜厚度(μm) | 膜剩余率 | 灵敏度 | 分辨率 | 浮渣 |
[0413]
预焙 | 显影后 | (%) | (mJ/cm2) | (μm) | ||
实施例1 | 4.17 | 3.81 | 91 | 150 | 3 | 无 |
实施例2 | 4.10 | 3.66 | 89 | 125 | 2 | 无 |
实施例3 | 4.15 | 3.55 | 86 | 115 | 2 | 无 |
实施例4 | 4.12 | 3.70 | 90 | 135 | 3 | 无 |
实施例5 | 4.15 | 3.69 | 89 | 130 | 2 | 无 |
实施例6 | 4.17 | 3.59 | 86 | 110 | 2 | 无 |
比较例1 | 4.11 | 3.07 | 75 | 160 | 3 | 无 |
比较例2 | 4.15 | 3.71 | 89 | 285 | 5 | 有 |
比较例3 | 4.12 | 3.50 | 85 | 220 | 4 | 有 |
比较例4 | 4.10 | 2.67 | 65 | 160 | 3 | 无 |
比较例5 | 4.15 | 2.93 | 71 | 180 | 3 | 有 |
如表1所示,在使用包括由疏水二胺制备的聚苯并噁唑前体和含有预定结构的酚醛树脂的溶解控制剂的根据实施例1至6的正型光敏树脂组合物情况下,证实膜剩余率极好,大于等于86%;无浮渣;灵敏度和分辨率优异。
在另一方面,在使用通过不包括使用疏水二胺制备的聚苯并噁唑前体的根据比较例1至4的正型光敏树脂组合物情况下,证实灵敏度得到劣化。在使用根据比较例1、3和4的正型光敏树脂组合物情况下,证实膜剩余率劣化;在使用根据比较例2和3的正型光敏树脂组合物情况下,证实分辨率劣化并产生浮渣。
尤其是,在比较例2中,用于抑制碱性显影液溶解的光敏重氮醌化合物更多包含用来改善比较例1中劣化的膜剩余率。但是,即使与比较例1的膜剩余率相比得到改善,比较例2劣化灵敏度和分辨率并产生浮渣。
比较例3多包含溶解控制剂用来加速碱性显影液溶解,从而与比较例2相比提高灵敏度和分辨率。但是,比较例3劣化了膜剩余率并依旧产生浮渣,虽然与比较例2相比灵敏度和分辨率得到提高。
另外,比较例4和5包含具有比例为2:8的间甲酚酚醛重复单元和对甲酚酚醛重复单元的化合物,且其数均分子量为4000,以便以与比较例2和3相比,改善灵敏度。但是,比较例4和5显著劣化了膜剩余率,虽然灵敏度与比较例2和3相比有所提高。同时比较例4不产生浮渣,比较例5仍产生浮渣。
尽管本发明已经结合目前被认为是实践示例性实施方式进行了描述,应当明了本发明并不局限于公开的实施方式,但是,反之,本发明旨在覆盖所附的权利要求所包括的精神和范围内的各种改变和等同设置。
Claims (16)
1.一种正型光敏树脂组合物,包含:
(A)包括第一聚苯并噁唑前体的聚苯并噁唑前体,该第一聚苯并噁唑前体包含以下化学式1所示重复单元和以下化学式2所示重复单元,并在至少一个末端具有可热聚官能团;
(B)包括酚醛树脂的溶解控制剂,该酚醛树脂包含以下化学式4所示重复单元;
(C)光敏重氮醌化合物;
(D)硅烷化合物;
(E)产酸剂;
(F)溶剂;
[化学式1]
[化学式2]
其中,在化学式1和2中,
X1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的四价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的四价至六价C3至C30脂环族有机基团,
X2在各个重复单元中相同或者不同,独立地是下述化学式3所示的官能团,以及
Y1和Y2相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价C3至C30脂环族有机基团,
[化学式3]
其中,在化学式3中,
Z1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是单键、-O-、-COO-、-OCO-、-NH-、-CONH-、取代或未取代的C1至C15亚烷基、取代或未取代的C2至C15亚烯基、或者取代或未取代的C2至C15的亚炔基,
G1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是单键、取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价C3至C30脂环族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价C2至C30杂环基团,
R1在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、氟、羟基、硫醇基、取代或未取代的C1至C30的羧基、或者取代或未取代的C1至C30脂肪族有机基团,
R2在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C1至C30的羧基、羟基或硫醇基,
n1是1至5的整数,
n2是0至3的整数,
[化学式4]
其中,在化学式4中,
R3在各个重复单元中相同或者不同,是取代或未取代的C1至C20的脂肪族有机基团,
其中基于100mol%的R3,在酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于50mol%的R3相对于羟基(OH)在间位。
2.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中,上述化学式3所示的官能团包括选自下述化学式7至14所示的官能团及其组合中的官能团,
[化学式7] [化学式8] [化学式9]
[化学式10] [化学式11] [化学式12]
[化学式13] [化学式14]
其中,在化学式7至14中,
R7、R8、R10、R12、R14、R16和R18在各个重复单元中相同或者不同,并且各自独立地是氢、氟、羟基、硫醇基、取代或未取代的C1至C30的羧基、或者取代或未取代的C1至C30脂肪族有机基团,
R9、R11、R13、R15、R17、R19、R20和R21在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是氢、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C1至C30的羧基、羟基或硫醇基,
n9、n11和n13独立地是0至11的整数,
n6、n7、n8、n10、n12、n14、n15和n16独立地是0至3的整数。
3.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中,基于100mol%R3,在所述酚醛树脂的重复单元中大于或等于60mol%的R3相对于羟基(OH)在间位。
4.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中,基于100mol%R3,在所述酚醛树脂包括的重复单元中大于或等于90mol%的R3相对于羟基(OH)在间位和对位。
5.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中:在所述酚醛树脂包括的重复单元中的R3存在于间位(R3 m)和对位(R3 p)的摩尔比为5:5~10:0。
6.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中:在所述酚醛树脂包括的重复单元中的R3存在于间位(R3 m)和对位(R3 p)的摩尔比为6:4~9:1。
7.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中,所述溶剂包括γ-丁内酯、乳酸乙酯和丙二醇单甲醚。
8.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中,所述第一聚苯并噁唑前体包括摩尔比为60:40~95:5的上述化学式1所示的重复单元和上述化学式2所示的重复单元。
9.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中,所述第一聚苯并噁唑前体具有的重均分子量(Mw)为4,000g/mol至20,000g/mol。
10.根据权利要求1所述的正型光敏树脂组合物,其中,所述聚苯并噁唑前体还包括第二聚苯并噁唑前体,所述第二聚苯并噁唑前体包括下述化学式33所示的重复单元,并在至少一个末端具有可热聚官能团,
[化学式33]
其中,在化学式33中,
X4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的四价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的四价至六价C3至C30脂环族有机基团,
Y4在各个重复单元中相同或者不同,各自独立地是取代或未取代的C6至C30芳香族有机基团、取代或未取代的二价至六价C1至C30脂肪族有机基团、或者取代或未取代的二价至六价C3至C30脂环族有机基团。
11.根据权利要求10所述的正型光敏树脂组合物,其中,所述第二聚苯并噁唑前体具有的重均分子量(Mw)为4,000g/mol至20,000g/mol。
12.根据权利要求10所述的正型光敏树脂组合物,其中,所述聚苯并噁唑前体包括重量比为5:95~95:5的所述第一聚苯并噁唑前体和所述第二聚苯并噁唑前体。
13.根据权利要求10所述的正型光敏树脂组合物,其中,所述正型光敏树脂组合物包括:
1重量份至30重量份的所述溶解控制剂(B);
5重量份至100重量份的所述光敏重氮醌化合物(C);
0.1重量份至30重量份的所述硅烷化合物(D);
0.1重量份至20重量份的所述产酸剂(E);以及
50重量份至900重量份的所述溶剂(F),基于100重量份的所述聚苯并噁唑前体(A)。
14.一种光敏树脂膜,由根据权利要求1至13任一项所述的正型光敏树脂组合物制备。
15.一种半导体装置,包括根据权利要求14所述的光敏树脂膜。
16.根据权利要求15所述的半导体装置,其中,所述半导体装置是有机发光二极管(OLED)或液晶显示器(LCD)。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104977804A (zh) * | 2014-04-10 | 2015-10-14 | 三星Sdi株式会社 | 正型感光树脂组成物、感光树脂膜及使用此膜的显示装置 |
CN106716252A (zh) * | 2014-09-04 | 2017-05-24 | 富士胶片株式会社 | 感光性树脂组合物、硬化膜的制造方法、硬化膜、液晶显示装置、有机电激发光显示装置及触摸屏 |
CN107406590A (zh) * | 2015-01-27 | 2017-11-28 | 东丽株式会社 | 树脂、感光性树脂组合物及使用了它们的电子部件、显示装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101400187B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
KR101432603B1 (ko) * | 2011-12-29 | 2014-08-21 | 제일모직주식회사 | 감광성 노볼락 수지, 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 이를 포함하는 반도체 소자 |
KR101667787B1 (ko) | 2013-08-13 | 2016-10-19 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자 |
KR101692758B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2017-01-04 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자 |
JP6259033B2 (ja) * | 2016-09-01 | 2018-01-10 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
KR102134633B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2020-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 블랙 화소 격벽층 및 디스플레이 장치 |
KR102287214B1 (ko) * | 2018-09-17 | 2021-08-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 |
KR102458068B1 (ko) * | 2020-11-02 | 2022-10-24 | 인하대학교 산학협력단 | 레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5204225A (en) * | 1986-01-13 | 1993-04-20 | Rohm And Haas Company | Process for producing negative images |
CN1469198A (zh) * | 2002-07-01 | 2004-01-21 | 关西涂料株式会社 | 正型感光性涂料组合物、正型感光性树脂的制造方法及图形的形成方法 |
CN1536442A (zh) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | 东丽株式会社 | 正型光敏树脂组合物 |
CN101727006A (zh) * | 2008-10-20 | 2010-06-09 | 第一毛织株式会社 | 正光敏树脂组合物 |
CN102109763A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-06-29 | 第一毛织株式会社 | 正性光敏树脂组合物 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL95406C (zh) | 1954-08-20 | |||
US2772975A (en) | 1955-07-08 | 1956-12-04 | Geo Wiedemann Brewing Co Inc | Injecting of hops in the brewing of beer |
US3669658A (en) | 1969-06-11 | 1972-06-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive printing plate |
ATE67611T1 (de) | 1986-10-02 | 1991-10-15 | Hoechst Celanese Corp | Polyamide mit hexafluorisopropyliden-gruppen, diese enthaltende positiv arbeitende lichtempfindliche gemische und damit hergestellte aufzeichnungsmaterialien. |
JP2552891B2 (ja) | 1988-01-26 | 1996-11-13 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
US5114826A (en) | 1989-12-28 | 1992-05-19 | Ibm Corporation | Photosensitive polyimide compositions |
EP0450189B1 (de) | 1990-03-29 | 1996-10-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochwärmebeständige Negativresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen |
EP0459395B1 (en) | 1990-05-29 | 1999-08-18 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Positive photo-sensitive resin composition |
EP0512339B1 (de) * | 1991-05-07 | 1997-10-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen |
CA2101311A1 (en) | 1992-07-31 | 1994-02-01 | Neelakantan Balasubramanian | Adenosine re-uptake inhibiting derivatives of diphenyl oxazoles, thiazoles and imidazoles |
KR100268767B1 (ko) | 1992-11-27 | 2000-10-16 | 윤종용 | 액츄에이터에 플랙시블프린트 케이블 고정 장치 |
JP3443466B2 (ja) | 1993-10-28 | 2003-09-02 | シップレーカンパニー エル エル シー | 感光性樹脂組成物 |
DE69519455T2 (de) | 1994-08-05 | 2001-06-28 | Sumitomo Chemical Co | Chinondiazidsulfonsäureester und diese enthaltende,positiv arbeitende Photoresistzusammensetzungen |
JP3207352B2 (ja) | 1996-05-13 | 2001-09-10 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US6001517A (en) | 1996-10-31 | 1999-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Positive photosensitive polymer composition, method of forming a pattern and electronic parts |
US6207356B1 (en) | 1996-12-31 | 2001-03-27 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method for the pattern-processing of photosensitive resin composition |
JP3871767B2 (ja) | 1997-05-07 | 2007-01-24 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 感光性組成物 |
JP4034403B2 (ja) | 1998-01-16 | 2008-01-16 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | ポジ型感光性ポリイミド組成物及び絶縁膜 |
JP4330798B2 (ja) | 1998-04-15 | 2009-09-16 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4314335B2 (ja) | 1999-04-02 | 2009-08-12 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP3886334B2 (ja) | 2001-02-14 | 2007-02-28 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
KR100435517B1 (ko) | 2001-08-27 | 2004-06-10 | 제일모직주식회사 | 가교 가능한 말단기를 가지는 산민감성 폴리아미드중합체와 이를 포함하는 감광성 내열절연체 조성물 |
JP4254177B2 (ja) | 2001-12-17 | 2009-04-15 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP4207581B2 (ja) | 2002-11-06 | 2009-01-14 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 耐熱感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品 |
WO2004081664A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-23 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Novel photosensitive resin compositions |
JP4317869B2 (ja) | 2003-03-11 | 2009-08-19 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | 新規な感光性樹脂組成物 |
US7435525B2 (en) | 2004-05-07 | 2008-10-14 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
JP2005338481A (ja) | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US7674566B2 (en) * | 2005-10-26 | 2010-03-09 | Asahi Kasei Emd Corporation | Positive photosensitive resin composition |
US8158324B2 (en) * | 2007-02-13 | 2012-04-17 | Toray Industries, Inc. | Positive-type photosensitive resin composition |
JP5120539B2 (ja) | 2007-08-31 | 2013-01-16 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 耐熱性樹脂組成物 |
KR100914062B1 (ko) | 2007-11-30 | 2009-08-28 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
JP5111234B2 (ja) | 2008-05-20 | 2013-01-09 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | アルカリ現像可能なネガ型感光性樹脂組成物 |
KR101333698B1 (ko) * | 2009-11-10 | 2013-11-27 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
-
2011
- 2011-11-29 KR KR1020110126315A patent/KR101423176B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-08-01 CN CN201210272274.7A patent/CN103135354B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-09 TW TW101128764A patent/TWI470357B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-21 US US13/590,330 patent/US8815489B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5204225A (en) * | 1986-01-13 | 1993-04-20 | Rohm And Haas Company | Process for producing negative images |
CN1469198A (zh) * | 2002-07-01 | 2004-01-21 | 关西涂料株式会社 | 正型感光性涂料组合物、正型感光性树脂的制造方法及图形的形成方法 |
CN1536442A (zh) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | 东丽株式会社 | 正型光敏树脂组合物 |
CN101727006A (zh) * | 2008-10-20 | 2010-06-09 | 第一毛织株式会社 | 正光敏树脂组合物 |
CN102109763A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-06-29 | 第一毛织株式会社 | 正性光敏树脂组合物 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104977804A (zh) * | 2014-04-10 | 2015-10-14 | 三星Sdi株式会社 | 正型感光树脂组成物、感光树脂膜及使用此膜的显示装置 |
CN106716252A (zh) * | 2014-09-04 | 2017-05-24 | 富士胶片株式会社 | 感光性树脂组合物、硬化膜的制造方法、硬化膜、液晶显示装置、有机电激发光显示装置及触摸屏 |
CN106716252B (zh) * | 2014-09-04 | 2020-01-07 | 富士胶片株式会社 | 感光性树脂组合物、硬化膜及其制造方法、液晶显示装置、有机电激发光显示装置及触摸屏 |
CN107406590A (zh) * | 2015-01-27 | 2017-11-28 | 东丽株式会社 | 树脂、感光性树脂组合物及使用了它们的电子部件、显示装置 |
CN107406590B (zh) * | 2015-01-27 | 2020-08-04 | 东丽株式会社 | 树脂、感光性树脂组合物及使用了它们的电子部件、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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