CN103094235A - 一种应用电镀工艺的aaqfn封装件及其制作工艺 - Google Patents
一种应用电镀工艺的aaqfn封装件及其制作工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103094235A CN103094235A CN2012105421972A CN201210542197A CN103094235A CN 103094235 A CN103094235 A CN 103094235A CN 2012105421972 A CN2012105421972 A CN 2012105421972A CN 201210542197 A CN201210542197 A CN 201210542197A CN 103094235 A CN103094235 A CN 103094235A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead frame
- pin
- chip
- copper lead
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺,所述封装件主要由铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、阻焊层和锡球组成。所述的铜引线框架为蚀刻,通过粘片胶与芯片粘接,芯片与铜引线框架引脚由键合线连接,并由塑封料塑封,所述阻焊层填充铜引线框架底部蚀刻掉的引脚空隙,锡球电镀引脚上。所述制作工艺主要有以下步骤:铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、塑封、框架、背面蚀刻、背面刷阻焊层、电镀锡球、切割。本发明节约了封装成本,提高了电性能和产品可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,具体是一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺。
背景技术
随着技术的不断发展,电子封装不但要提供芯片的保护,同时还要在一定的成本下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求,功能芯片速度及处理能力的增加需要更多的引脚数,更快的时钟频率和更好的电源分配。
传统的QFN封装方法由于受到框架的限制,I/0 Pad的互联线分布固定,引脚数较少、间距较大,不能实现功能芯片的速度及处理能力的增加。
在成熟的蚀刻工艺技术基础上,AAQFN封装从框架设计、材料选择、焊盘结构优化等方面入手,建立完善的封装工艺技术,不断调整优化,突破窄间距(0.4mm)、超薄型(0.5mm 以下)封装§技术难点,实现面内I/O 布局列阵AAQFN 封装,形成成套封装工艺技术,在一定的成本下满足了不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求。
然而,传统的AAQFN封装工艺主要采用钢网刷锡膏,然后将锡膏进行回流,这在一定程度上不仅增加了封装成本,而且封装工艺流程繁琐。
为了在低成本要求下满足满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求,简化封装工艺流程,应用电镀工艺的AAQFN封装克
服了当前封装存在的高成本、流程繁琐问题,而且可提高导电性、润滑性、耐热性、和表面美观,具有明显的技术优势,能够实现多引脚、高密度、小型薄型化封装,具有散热性、电性能以及共面性好等特点。
发明内容
本发明的目的在于克服传统AAQFN封装技术存在的问题,开发出一种应用电镀工艺的AAQFN封装件及其制作工艺,不仅简化了封装流程,具有更有效的成本效益。
本发明的技术方案是:一种应用电镀工艺的AAQFN封装件,主要由铜引线框架、粘片胶、芯片、键合线、塑封料、阻焊层 和锡球组成。所述的铜引线框架为蚀刻,通过粘片胶与芯片粘接,芯片与铜引线框架引脚由键合线连接,并由塑封料塑封,所述阻焊层 填充铜引线框架底部蚀刻掉的引脚空隙,锡球电镀引脚上。
一种应用电镀工艺的AAQFN封装件的制作工艺,主要有以下步骤:铜框架半蚀刻、晶圆减薄、晶圆划片、上芯、压焊、塑封、框架、背面蚀刻、背面刷阻焊层、电镀锡球、切割。
本发明的有益效果是:(1)AAQFN封装技术在传统技术的基础上不断改进,在阻焊层底部填充之后,省去了钢网刷锡膏与锡膏回流焊流程,节省了材料的消耗、与相关设备的使用,从而就节约了封装成本,简化了封装流程。(2)应用电镀工艺的AAQFN封装根据芯片打线方式,I/O Pad的互联线可以灵活分布,使得金丝的长度和弧度变小,减小了封装成本和封装尺寸,整个布线技术在框架设计时完成,产品具有更多的I/O数与更好的电性能,缩短了电流和信号传输距离,提高了电性能和产品可靠性,具有明显的市场竞争优势。(3)通过电镀锡球能增强金属的抗腐蚀性、增加硬度、防止磨耗,提高导电性、润滑性、耐热性和表面美观。本发明为无铅、无卤素的环保型先进封装技术,可应用于更大范围的移动、消费电子产品上,满足移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器,如PDA、3G手机、MP3、MP4、MP5等超薄型电子产品发展的需要,是迅速成长起来的一种新型封装技术。
说明书附图
图1 引线框架剖面图;
图2 上芯后产品剖面图;
图3 压焊后产品剖面图;
图4 塑封后产品剖面图
图5框架背面蚀刻后产品剖面图;
图6背面刷阻焊层后产品剖面图;
图7 电镀后产品剖面图。
图中,1为铜引线框架、2为粘片胶、3为芯片、4为键合线、5为塑封料、6为阻焊层、7为锡球。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细叙述。
如图所示,一种应用电镀工艺的AAQFN封装件,主要由铜引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、塑封料5、阻焊层 6和锡球7组成。所述的铜引线框架1首先进行半蚀刻,然后将芯片3与蚀刻后的铜引线框架1用粘片胶2粘接,所述的芯片3与蚀刻后的铜框架1引脚之间用键合线4连接,然后用塑封料5进行塑封,所述的铜引脚1是对半蚀刻后的铜框架底部进行蚀刻,进行引脚分离,然后用阻焊层 6填充底部蚀刻掉的引脚空隙,接着,应用电镀工艺电镀锡球7,随后进行产品切割。
如图所示,一种应用电镀工艺的AAQFN封装件的制作工艺,其按照如下步骤进行:
第一步、引线框架蚀刻:将铜引线框架1进行半蚀刻,依据芯片pad分布结构,通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺,在铜板正面蚀刻出载体,互联线,I/O Pad,确定I/O Pad大小,脚间距和它们各自的位置;
第二步、晶圆减薄和划片:先正面贴上胶膜,然后在专用减薄机上进行减薄达到工艺要求。减薄完的晶圆清洗经检验合格后,去掉正面胶膜,在晶圆背面贴上胶膜后再进行划片,将晶圆划成单个IC芯片;
第三步、上芯:使用专用上料夹,用点胶头均匀的将粘片胶2(导电胶或绝缘胶)点在铜引线框架1的PAD上,吸嘴将承片台上的IC芯片3吸起放置到已点好粘接胶的铜引线框架1引脚上,粘片后框架自动送到弹夹中;
第四步、压焊:在专用压焊机上,键合线4采用金线或铜线,通过球焊把芯片3上的焊盘(PAD)和蚀刻后铜引线框架1引脚相连,形成了电路的电源和信号通道;
第五步、塑封:采用塑料包封系统将压焊后的产品自动传送到塑封模具中,用塑封料5对压焊后的产品进行包封,随后进行固化;
第六步、框架背面蚀刻、背面刷阻焊层:对铜引线框架1进行背面蚀刻,将选定的露铜部分蚀刻掉,进行引脚分离;在分离后,对铜引线框架1的引脚的空隙刷阻焊层 6,处理方法是在图形蚀刻后,依次进行腿膜、微蚀、涂阻焊层、曝光、显影、阻焊层固化,使其油墨烤干,并充分的硬固化,达到可靠性的要求;
第七步、电镀锡球:在铜引线框架1的引脚上应用电镀工艺植入锡球7,电镀后进行烘烤,彻底去除潮气;
第八步、切割:对产品进行切割入盘(管)。
Claims (2)
1.一种应用电镀工艺的AAQFN封装件,其特征在于:主要由铜引线框架(1)、粘片胶(2)、芯片(3)、键合线(4)、塑封料(5)、阻焊层(6)和锡球(7)组成;所述的铜引线框架(1)为蚀刻,通过粘片胶(2)与芯片(3)粘接,芯片(3)与铜引线框架(1)引脚由键合线(4)连接,并由塑封料(5)塑封,所述阻焊层(6)填充铜引线框架(1)底部蚀刻掉的引脚空隙,锡球(7)电镀引脚上。
2.一种应用电镀工艺的AAQFN封装件的制作工艺,其特征在于:其按照如下步骤进行:
第一步、引线框架蚀刻:将铜引线框架(1)进行半蚀刻,依据芯片pad分布结构,通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺,在铜板正面蚀刻出载体,互联线,I/O Pad,确定I/O Pad大小,脚间距和它们各自的位置;
第二步、晶圆减薄和划片:先正面贴上胶膜,然后在专用减薄机上进行减薄,减薄完的晶圆清洗经检验合格后,去掉正面胶膜,在晶圆背面贴上胶膜后再进行划片,将晶圆划成单个IC芯片;
第三步、上芯:使用专用上料夹,用点胶头均匀的将粘片胶(2)点在铜引线框架(1)的PAD上,吸嘴将承片台上的IC芯片(3)吸起放置到已点好粘接胶的铜引线框架(1)引脚上,粘片后框架自动送到弹夹中;
第四步、压焊:在专用压焊机上,键合线(4)采用金线或铜线,通过球焊把芯片(3)上的焊盘(PAD)和蚀刻后铜引线框架(1)引脚相连;
第五步、塑封:采用塑料包封系统将压焊后的产品自动传送到塑封模具中,用塑封料(5)对压焊后的产品进行包封,随后进行固化;
第六步、框架背面蚀刻、背面刷阻焊层:对铜引线框架(1)进行背面蚀刻,将选定的露铜部分蚀刻掉,进行引脚分离;在分离后,对铜引线框架(1)的引脚的空隙刷阻焊层(6),处理方法是在图形蚀刻后,依次进行腿膜、微蚀、涂阻焊层、曝光、显影、阻焊层 固化,使其油墨烤干,并充分的硬固化;
第七步、电镀锡球:在铜引线框架(1)的引脚上应用电镀工艺植入锡球(7),电镀后进行烘烤,彻底去除潮气;
第八步、切割:对产品进行切割入盘(管)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012105421972A CN103094235A (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 一种应用电镀工艺的aaqfn封装件及其制作工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012105421972A CN103094235A (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 一种应用电镀工艺的aaqfn封装件及其制作工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103094235A true CN103094235A (zh) | 2013-05-08 |
Family
ID=48206637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012105421972A Pending CN103094235A (zh) | 2012-12-14 | 2012-12-14 | 一种应用电镀工艺的aaqfn封装件及其制作工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103094235A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103531486A (zh) * | 2013-09-28 | 2014-01-22 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种引线框架的制作方法 |
CN104409367A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-03-11 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种基于铜线与铜框架键合的qfn封装件及其制作工艺 |
CN104916607A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-09-16 | 长电科技(滁州)有限公司 | 无基板超薄封装结构及其制作方法 |
CN111519217A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-11 | 吉林大学 | 一种搪塑模具及其增强处理方法和应用 |
CN112342575A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-02-09 | 安徽龙芯微科技有限公司 | 一种半导体封装件的电镀方法 |
CN116884941A (zh) * | 2023-06-19 | 2023-10-13 | 浙江嘉辰半导体有限公司 | 一种封装芯片的结构及封装工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1209721A (zh) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | 华通电脑股份有限公司 | 球阵式封装板电镀锡球的方法 |
JP2011211248A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-10-20 | Toyo Kohan Co Ltd | Qfn用金属積層板を用いたqfnの製造方法 |
CN102280431A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-12-14 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有保护层的半导体封装及其制作方法 |
CN102738010A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种基于喷砂的aaqfn框架产品扁平封装件制作工艺 |
-
2012
- 2012-12-14 CN CN2012105421972A patent/CN103094235A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1209721A (zh) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | 华通电脑股份有限公司 | 球阵式封装板电镀锡球的方法 |
JP2011211248A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-10-20 | Toyo Kohan Co Ltd | Qfn用金属積層板を用いたqfnの製造方法 |
CN102280431A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-12-14 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有保护层的半导体封装及其制作方法 |
CN102738010A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种基于喷砂的aaqfn框架产品扁平封装件制作工艺 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103531486A (zh) * | 2013-09-28 | 2014-01-22 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种引线框架的制作方法 |
CN103531486B (zh) * | 2013-09-28 | 2016-08-17 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种引线框架的制作方法 |
CN104409367A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-03-11 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种基于铜线与铜框架键合的qfn封装件及其制作工艺 |
CN104916607A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-09-16 | 长电科技(滁州)有限公司 | 无基板超薄封装结构及其制作方法 |
CN111519217A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-11 | 吉林大学 | 一种搪塑模具及其增强处理方法和应用 |
CN112342575A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-02-09 | 安徽龙芯微科技有限公司 | 一种半导体封装件的电镀方法 |
CN116884941A (zh) * | 2023-06-19 | 2023-10-13 | 浙江嘉辰半导体有限公司 | 一种封装芯片的结构及封装工艺 |
CN116884941B (zh) * | 2023-06-19 | 2024-04-09 | 浙江嘉辰半导体有限公司 | 一种封装芯片的结构及封装工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102543907B (zh) | 一种热增强型四边扁平无引脚倒装芯片封装及制造方法 | |
CN103021994A (zh) | 一种aaqfn二次塑封与二次植球优化的封装件及其制作工艺 | |
CN101694837B (zh) | 一种双排引脚的四面扁平无引脚封装件及其生产方法 | |
CN102446882B (zh) | 一种半导体封装中封装系统结构及制造方法 | |
CN102543937B (zh) | 一种芯片上倒装芯片封装及制造方法 | |
CN103094235A (zh) | 一种应用电镀工艺的aaqfn封装件及其制作工艺 | |
TWI379367B (en) | Chip packaging method and structure thereof | |
CN103474406A (zh) | 一种aaqfn框架产品无铜扁平封装件及其制作工艺 | |
US8134242B2 (en) | Integrated circuit package system with concave terminal | |
CN203055899U (zh) | 一种带有铜柱的晶圆减薄的单芯片封装件 | |
CN102231376B (zh) | 多圈排列无载体双ic芯片封装件及其生产方法 | |
CN102231372A (zh) | 多圈排列无载体ic芯片封装件及其生产方法 | |
CN102646645B (zh) | 封装结构及其制造方法 | |
CN102522394A (zh) | 一种芯片上芯片封装及制造方法 | |
CN103065975B (zh) | 一种再布线qfn封装器件的制造方法 | |
CN102263077A (zh) | 一种双扁平无载体无引脚的ic芯片封装件 | |
CN103050465A (zh) | 一种带有铜柱的晶圆减薄的单芯片封装件及其制作工艺 | |
US20130009294A1 (en) | Multi-chip package having leaderframe-type contact fingers | |
CN103094236A (zh) | 一种底填料固化后晶圆减薄的单芯片封装件及其制作工艺 | |
CN202633291U (zh) | 一种芯片上芯片封装结构 | |
CN203589006U (zh) | 一种aaqfn二次塑封与二次植球优化的封装件 | |
CN203573966U (zh) | 一种带焊球面阵列四面扁平无引脚封装件 | |
CN201838581U (zh) | 四面无引脚封装结构 | |
CN202495438U (zh) | 一种热增强型四边扁平无引脚倒装芯片封装 | |
CN203103281U (zh) | 一种底填料固化后晶圆减薄的单芯片封装件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130508 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |