CN102934253A - 有机半导体制造设备 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 41
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 63
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000001540 jet deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
提供了一种有机半导体制造设备，该有机半导体制造设备使透明基底和喷射单元之间的距离最小化以阻止沉积材料沉积到任何毗邻的传感器上。为此，有机半导体制造设备包括暴露部和传感单元，暴露部形成在传送单元的至少一部分中，以向外排出通过传送单元传送的沉积材料中的一部分，传感单元设置为毗邻暴露部，以测量通过暴露部排出的沉积材料的量。由此，可以阻止从毗邻的分配单元喷射的沉积材料沉积到传感单元上。此外，可以准确地测量从传送单元传送的沉积材料的量。因此，可以提高在测量沉积到透明基底上的沉积材料的厚度方面的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机半导体制造设备，并且更特别地，涉及一种适用于在基底上施用有机材料的有机半导体制造设备。
背景技术
通常，有机发光二极管（OLED）平板与现有的液晶显示（LCD）平板相比，具有低电压驱动、超薄本体、宽视角、高灵敏度等优点。通过在透明电极和金属电极之间施加预定的电压以允许电流流经插在透明电极和金属电极之间的有机发光材料，OLED平板能够发光，透明电极和金属电极分别形成在上板和下板上，其中，下板为上面形成有作为正电极的氧化铟锡（ITO）透明电极图案的透明玻璃基底，而上板为上面形成有作为负电极的金属电极的基底。
有机半导体制造设备适用于制造这种OLED平板。为了制造具有上述结构的OLED平板，在透明基底上实施包括蚀刻、沉积、表面改性等多种工序。一种在透明基底上沉积沉积材料的方法为：使用喷射装置在透明基底上均匀地喷射沉积材料。在这种情况下，沉积在透明基底上的沉积材料的厚度通过独立的传感器来测量。通过测量通过喷射装置所喷射的沉积材料的量，传感器间接地测量沉积材料的厚度。传感器通常设置在喷射装置和透明基底之间。喷射装置以恒定的距离与透明基底间隔开，以防止由于传感器的干扰而造成透明基底表面的局部沉积。于是，当沉积材料从喷射装置喷射时，一些喷涂材料将不可避免地遗失而未沉积到透明基底上。
此外，通常地，有机半导体制造设备包括多个喷射单元，每个喷射单元中都设置有传感器。例如，如果有机半导体制造设备包括第一喷射单元和第二喷射单元，则在第一喷射单元中设置有第一传感器，在第二喷射单元中设置有第二传感器。在这种情况下，一些从第一喷射单元喷射的沉积材料可能沉积到第二传感器上，从而使第二传感器不能准确地测量从第二喷射单元喷射的沉积材料的量。其结果是降低了在测量沉积到透明基底上的沉积材料方面的可靠性。
发明内容
技术问题
于是，如下描述涉及一种有机半导体制造设备，该有机半导体制造设备能够使透明基底和沉积设备之间的距离最小化。
此外，本发明提供一种有机半导体制造设备，该有机半导体制造设备能够防止沉积材料沉积到任何毗邻的传感器上。
技术方案
根据一个总的方面，提供一种有机半导体制造设备，该有机半导体制造设备包括：存储单元，该存储单元存储即将沉积到基底上的沉积材料；加热单元，该加热单元蒸发存储在存储单元中的沉积材料；喷射单元，该喷射单元喷射蒸发的沉积材料；以及传送单元，该传送单元的一端与存储单元连接，传送单元的另一端与喷射单元连接，传送单元将沉积材料从存储单元传送到喷射单元，有机半导体制造设备包括：暴露部，该暴露部形成在传送单元的至少一部分中，以向外排出通过传送单元传送的沉积材料中的一部分；以及传感单元，该传感单元设置为毗邻暴露部，以测量通过暴露部排出的沉积材料的量。
有益效果
因此，与传统的有机半导体制造设备不同，根据本发明，由于传感单元设置为毗邻传送单元，故能够使透明基底和喷射单元之间的距离最小化。由此，防止传感单元感应一些从喷射单元喷出而实际上并没有沉积到透明基底上的沉积材料，从而促使制造半导体的成本降低。
此外，有机半导体制造设备可以准确地测量从传送单元传送的沉积材料的喷射的量，同时防止从分配单元喷射的沉积材料沉积到传感单元上。因此，可以提高在测量沉积到透明基底上的沉积材料的厚度方面的可靠性。
附图说明
图1是显示根据一种实施方式的有机半导体制造设备的侧视图；
图2是显示图1中所示的有机半导体制造设备中所包含的传感单元的侧视图；
图3是显示图1中所示的有机半导体制造设备中所包含的传感单元的变型形式的侧视图。
具体实施方式
根据本发明的一个方面，暴露部形成在传送单元的至少一部分中，以使正在通过传送单元传送的沉积材料中的一部分向外排出。传感单元设置为毗邻暴露部，以测量通过暴露部排出的沉积材料的量。
实施方式
参考图1，有机半导体制造设备100包括存储单元110，加热单元120、喷射单元130以及传送单元140。
存储单元110存储即将沉积到基底10上的沉积材料。存储单元110可以为具有内部空间的存储容器。沉积材料可以沉积到直立的基底10上。沉积材料可以为有机材料、无机材料、金属材料等。
加热单元120蒸发存储在存储单元110中的沉积材料，且加热单元120可以为加热线圈。加热单元120以围绕存储单元110的周圈表面的方式设置。当向加热单元120施加电流时，从加热单元120产生热量以加热和蒸发沉积材料。
喷射单元130喷射蒸发的沉积材料。喷射单元130可以具有管状结构，在该管状结构中，多个喷射孔沿轴向设置。喷射单元130可以设置为平行于基底10。通过驱动装置（未示出），喷射单元130沿一个方向移动以将沉积材料喷射到基底10上，同时喷射单元130保持其位置平行于基底10。例如，管状喷射单元130可以沿竖直方向直立且沿直角方向移动以将沉积材料喷射到基底10上。可选择地，喷射单元130可以固定不动，并且朝向沿一个方向移动的基底10喷射沉积材料。
传送单元140的一端与存储单元110连接，且传送单元140的另一端与喷射单元130连接。传送单元140将沉积材料从存储单元110传送到喷射单元130。可以将传送单元140加热至特定的温度以防止已经蒸发的沉积材料冷凝。
同时，有机半导体制造设备100包括暴露部150和传感单元160。
暴露部150形成在传送单元140的至少一部分中，以允许通过传送单元140传送的沉积材料中的一部分向外泄漏。暴露部150可以为形成在传送单元140中的孔。作为另一种实施例，暴露部150可以为具有特定的直径且与传送单元140连接的管件。通过暴露部150，沿传送单元140传送的沉积材料中的一部分泄露至传送单元140外部。
传感单元160设置为毗邻暴露部150。传感单元160测量通过暴露部150排出的沉积材料的量。通过传感单元160测量到的所排出的沉积材料的量可以用于间接地检测沉积到基底10上的沉积材料的厚度。
如上所述，与传感单元设置在喷射单元和透明基底之间的传统的有机半导体制造设备不同，根据当前的实施方式，有机半导体制造设备100具有能够使透明基底和喷射单元之间的距离最小化的结构。由此，防止一些从喷射单元喷射出的沉积材料遗失而未沉积到透明基底10上，从而促使制造成本降低。
可以将多种沉积材料沉积到基底10上。为了在基底10上沉积多种沉积材料，有机半导体制造设备100可以包括多个喷射单元、多个传送单元以及多个存储单元。喷射单元可以设置为平行于基底10。同样地，在这种情况下，由于与传统的有机半导体制造设备不同，传感单元160设置为毗邻传送单元，因此从喷射单元喷射的沉积材料不会沉积到任何传感单元上，从而，传感单元可以准确地测量通过专用的传送单元传送的沉积材料的量。因此，可以提高在测量沉积在透明基底10上的沉积材料的厚度方面的可靠性。
另外，有机半导体制造设备100还可以包括喷嘴（未示出）。
喷嘴形成在暴露部150中以控制排放到外部的沉积材料的量。喷嘴的直径可以形成为1mm至10mm。已经考虑到的事实是：直径小于1mm的喷嘴不能喷射沉积材料或只能喷射极少量的沉积材料，而直径超过10mm的喷嘴允许喷射的沉积材料的量过多。
参考图2，传感单元160可以包括基部161、滑动部162以及传感器164。
基部161可以固定于图1中的传动单元140。但是，基部161可以设置为毗邻传送单元140，而不是固定于传送单元140。
滑动部162与基部161连接，并且滑动部162构造为朝向或远离传送单元140移动。
传感器164连接于滑动部162。传感器164可以为蒸汽传感器或石英晶体微天平（QCM）。蒸汽传感器测量从暴露部150排出的沉积材料的量。传感器164可以与滑动部162可拆卸地连接。由此，可以容易地将传感器164替换为新的传感器。
同时，缩短传感器164和暴露部150之间的距离可以允许传感器164更准确地测量从暴露部150排出的沉积材料的量，于是使得单位时间内较多的沉积材料沉积到传感器164上，因此缩短了传感器164的更换周期。相反，增大传感器164和暴露单元150之间的距离使得传感器164的在测量从暴露部150排出的沉积材料的量方面的测量精度降低，而由于单位时间内较少的沉积材料沉积到传感器164上，使得传感器164的更换周期得以延长。
由于具有上述结构的传感单元160能够通过使用滑动部162来改变传感器164和暴露部150之间的距离，所以传感器163可以在适当地保持传感器164的更换周期的同时准确地测量从暴露部150排出的沉积材料的量。
参考图3，传感单元160的变型形式还可以包括转动部163。
转动部163与滑动部162可转动地连接。例如，转动部163与滑动部162铰接。用于连接转动部163和滑动部162的铰接件可以包括摩擦件（未示出），该摩擦件用于产生预定的摩擦力角度。摩擦件可以为金属板，该金属板设置在转动部163和滑动部162的接触部分之间。摩擦件可以用于将转动部163固定成以特定的转动角度相对于滑动部162转动。在这种情况下，传感器164连接至转动部163。
如上所述，转动部163发生转动使得传感器164和暴露部150之间的距离发生改变，从而允许传感器164在适当地保持传感器164的更换周期的同时能够准确地测量从暴露部150排出的沉积材料的量。
同时，有机半导体制造设备100（参见图1）还可以包括阻挡沉积部（deposition-proof element）（未示出）。当传感单元160由多个相互毗邻地设置的传感单元组成时，阻挡沉积部设置在传感单元之间从而防止从暴露部150排出的沉积材料沉积到传感单元160。阻挡沉积部可以为板状。
可选择地，传感单元160可以容纳于独立的密封室中。通过上述结构，可以防止从暴露部150排出的沉积材料沉积到传感单元160的围绕部分上。
同时，传送单元140的一部分可以以一定的角度弯曲并且暴露部150可以形成在传送单元140的弯曲部中。传送单元140的弯曲结构有助于减小有机半导体制造设备100的尺寸，并且使得易于对有机半导体制造设备200进行维护/维修。
以上描述了多个实施例。然而，需要理解的是可进行多种变型。例如，如果描述的技术以不同的顺序能够实现，和/或如果描述的系统、结构、设备或通路中的部件以不同的方式结合和/或被其它部件或等同部件替换或补充，可获得合适的结果时。相应地，其它实施方式落入随附的权利要求的保护范围内。
工业实用性
上述有机半导体制造设备可以用于将有机材料沉积到基底上。
Claims (6)
1.一种有机半导体制造设备，该有机半导体制造设备包括：存储单元，该存储单元存储待沉积到基底上的沉积材料；加热单元，该加热单元蒸发存储在所述存储单元中的所述沉积材料；喷射单元，该喷射单元喷射蒸发的所述沉积材料；以及传送单元，该传送单元的一端与所述存储单元连接，所述传送单元的另一端与所述喷射单元连接，所述传送单元将所述沉积材料从所述存储单元传送到所述喷射单元，所述有机半导体制造设备包括：
暴露部，该暴露部形成在所述传送单元的至少一部分中，以向外排出通过所述传送单元传送的沉积材料中的一部分；以及
传感单元，该传感单元设置为毗邻所述暴露部，以测量通过所述暴露部排出的所述沉积材料的量。
2.根据权利要求1所述的有机半导体制造设备，其中，所述传感单元包括：
基部；
滑动部，该滑动部与所述基部连接并且构造为朝向或远离所述传送单元移动；以及
传感器，该传感器与所述滑动部连接。
3.根据权利要求1所述的有机半导体制造设备，其中，所述传感单元包括：
基部；
滑动部，该滑动部与所述基部连接并且构造为朝向或远离所述传送单元移动；
转动部，该转动部与所述滑动部可转动地连接；以及
传感器，该传感器与所述转动部连接。
4.根据权利要求1所述的有机半导体制造设备，其中，所述传感单元包括多个传感单元，并且还包括至少一个阻挡沉积部，该阻挡沉积部设置在所述多个传感单元之间以阻止所述沉积材料沉积到所述多个传感单元上。
5.根据权利要求1所述的有机半导体制造设备，该有机半导体制造设备还包括喷嘴，该喷嘴形成在所述暴露部中以控制向外排出的所述沉积材料的量。
6.根据权利要求5所述的有机半导体制造设备，其中，所述喷嘴的直径为1mm至10mm。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100055019A KR101019947B1 (ko) | 2010-06-10 | 2010-06-10 | 유기 반도체 제조장치 |
| KR10-2010-0055019 | 2010-06-10 | ||
| PCT/KR2010/003809 WO2011155651A1 (ko) | 2010-06-10 | 2010-06-14 | 유기 반도체 제조장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102934253A true CN102934253A (zh) | 2013-02-13 |
| CN102934253B CN102934253B (zh) | 2015-06-17 |
Family
ID=43938499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080067316.2A Expired - Fee Related CN102934253B (zh) | 2010-06-10 | 2010-06-14 | 有机半导体制造设备 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5553131B2 (zh) |
| KR (1) | KR101019947B1 (zh) |
| CN (1) | CN102934253B (zh) |
| TW (1) | TWI431831B (zh) |
| WO (1) | WO2011155651A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100753145B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2007-08-30 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 유기발광소자의 유기물질 증착장치 |
-
2010
- 2010-06-10 KR KR1020100055019A patent/KR101019947B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-06-14 WO PCT/KR2010/003809 patent/WO2011155651A1/ko active Application Filing
- 2010-06-14 CN CN201080067316.2A patent/CN102934253B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-14 JP JP2013514087A patent/JP5553131B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-17 TW TW099119652A patent/TWI431831B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013529257A (ja) | 2013-07-18 |
| JP5553131B2 (ja) | 2014-07-16 |
| TWI431831B (zh) | 2014-03-21 |
| WO2011155651A1 (ko) | 2011-12-15 |
| CN102934253B (zh) | 2015-06-17 |
| KR101019947B1 (ko) | 2011-03-09 |
| TW201145638A (en) | 2011-12-16 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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