JP2013529257A - 有機半導体製造装置 - Google Patents
有機半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013529257A JP2013529257A JP2013514087A JP2013514087A JP2013529257A JP 2013529257 A JP2013529257 A JP 2013529257A JP 2013514087 A JP2013514087 A JP 2013514087A JP 2013514087 A JP2013514087 A JP 2013514087A JP 2013529257 A JP2013529257 A JP 2013529257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposition material
- vapor deposition
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- organic semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 30
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 30
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、透明基板と噴射装置間の間隔を最小化し、隣接したセンサーに蒸着物質が蒸着されないようにした有機半導体製造装置に関する。
【解決手段】そのため、有機半導体製造装置は、移送部材に沿って移送される蒸着物質の少なくとも一部が外部に流出するように移送部材の少なくとも一部に形成された露出部と、露出部に隣接して配置されて露出部を通じて流出される蒸着物質の流出量を感知する感知ユニットとを含む。これにより、隣接した噴射部材から噴射される蒸着物質が感知ユニットに蒸着されないのみでなく、それぞれの移送部材から噴射される蒸着物質の噴射量を正確に測定することができる。したがって、透明基板上に蒸着された蒸着物質の厚み測定時における測定の信頼性を向上させることができる。
【選択図】図１
【解決手段】そのため、有機半導体製造装置は、移送部材に沿って移送される蒸着物質の少なくとも一部が外部に流出するように移送部材の少なくとも一部に形成された露出部と、露出部に隣接して配置されて露出部を通じて流出される蒸着物質の流出量を感知する感知ユニットとを含む。これにより、隣接した噴射部材から噴射される蒸着物質が感知ユニットに蒸着されないのみでなく、それぞれの移送部材から噴射される蒸着物質の噴射量を正確に測定することができる。したがって、透明基板上に蒸着された蒸着物質の厚み測定時における測定の信頼性を向上させることができる。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機半導体製造装置に関し、より詳しくは基板に有機物を蒸着させるために用いられる有機半導体製造装置に関する。
一般的に、ＯＬＥＤパネル(ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ)は、ＬＣＤパネルよりも低い電圧で駆動が可能であり、薄型化、広視野角、速い応答速度などＬＣＤが有している問題点を解消することができる。このようなＯＬＥＤパネルは、透明ガラス基板上に正電極としてＩＴＯ透明電極パターンが形成されている形態を有する下板と、基板上に負電極として金属電極が形成されている上板との間の空間に有機発光性素材が形成され、上記透明電極と上記金属電極との間に所定の電圧が印加されるとき、有機発光性素材に電流が流れながら光を発光する性質を利用するディスプレイ装置である。
有機半導体製造装置は、上記のようなＯＬＥＤパネルを製造するために用いられる装置である。上記のような構造からなるＯＬＥＤパネルの製造において、透明基板上にエッチング、蒸着、及び表面改質などの種々の方法を繰り返し行う。透明基板に蒸着物質を蒸着する方法の一例として、噴射装置で蒸着物質を透明基板上に均一に噴射する方法がある。このような蒸着方法で透明基板上に蒸着された蒸着物質の厚みは別途のセンサーによって測定される。センサーは、噴射装置により噴射される蒸着物質の噴射量を測定して透明基板上に蒸着された蒸着物質の厚みを間接的に測定する。ここで、センサーは噴射装置と透明基板との間に配置されることが一般的である。そして、噴射装置から噴射される蒸着物質がセンサーによって干渉されて透明基板に蒸着されない領域が発生することを防止するため、透明基板と噴射装置は一定の距離を置いて配置される。これにより、噴射装置により蒸着物質が噴射される過程で一部の蒸着物質が透明基板に蒸着されず、流失される問題点がある。
なお、上記のような有機半導体製造装置は、複数の噴射装置を含むことが一般的であり、それぞれの噴射装置にはセンサーが配置される。例えば、有機半導体製造装置が第１及び第２噴射装置を含む場合、第１噴射装置には第１センサーが配置され、第２噴射装置には第２センサーが配置される。第１噴射装置から蒸着物質が噴射される過程で隣接した第２センサーに蒸着物質の一部が蒸着され、第２センサーは第２噴射装置から噴射される蒸着物質の噴射量を正確に測定し難い。これにより、透明基板上に蒸着された蒸着物質の厚み測定に対する信頼性が低下する問題点がある。
本発明は、透明基板と噴射装置間の間隔を最小化できる有機半導体製造装置を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、隣接したセンサーに蒸着物質が蒸着することを防止できる有機半導体製造装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するための本発明に係る有機半導体製造装置は、基板に蒸着される蒸着物質が貯留されている貯留部材と、上記貯留部材に貯留されている蒸着物質を気化させる加熱部材と、気化した蒸着物質が噴射される噴射部材と、一端は貯留部材に連結され、他端は噴射部材に連結されて上記貯留部材から上記噴射部材に蒸着物質を移送させる移送部材とを含み、上記移送部材に沿って移送される蒸着物質の少なくとも一部が外部に流出するように、上記移送部材の少なくとも一部に形成された露出部と、上記露出部に隣接して配置され上記露出部を通じて流出される蒸着物質の流出量を感知する感知ユニットとを含む。
本発明に係る有機半導体製造装置は、従来の有機半導体製造装置とは異なり、感知ユニットが移送部材に隣接して配置されているので、透明基板と噴射装置間の距離を最小化することができる。したがって、噴射装置で蒸着物質が噴射される過程で一部の蒸着物質が透明基板に蒸着されず、流失されることを最小化することができるので、半導体製造コストを低減することが可能である。
なお、本発明に係る有機半導体製造装置で、隣接した噴射部材から噴射される蒸着物質が感知ユニットに蒸着されないのみでなく、それぞれの移送部材から噴射される蒸着物質の噴射量を正確に測定することができる。したがって、透明基板上に蒸着された蒸着物質の厚み測定時における測定の信頼性を向上させることができる。
本発明に係る有機半導体製造装置は、基板に蒸着される蒸着物質が貯留されている貯留部材と、上記貯留部材に貯留されている蒸着物質を気化させる加熱部材と、気化した蒸着物質が噴射される噴射部材と、一端は貯留部材に連結され、他端は噴射部材に連結されて上記貯留部材から上記噴射部材に蒸着物質を移送させる移送部材とを含み、上記移送部材に沿って移送される蒸着物質の少なくとも一部が外部に流出されるように、上記移送部材の少なくとも一部に形成された露出部と、上記露出部に隣接して配置されて上記露出部を通じて流出される蒸着物質の流出量を感知する感知ユニットとを含む。
(実施の形態)
以下、添付の図面により本発明の実施例を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
以下、添付の図面により本発明の実施例を詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
図１を参照すると、本発明の好ましい一実施例による有機半導体製造装置１００は、貯留部材１１０と、加熱部材１２０と、噴射部材１３０と、移送部材１４０とを含む。
貯留部材１１０には基板１０に蒸着される蒸着物質が貯留される。このような貯留部材１１０としては内部空間が形成された貯留タンクがある。そして、基板１０が垂直に配置された状態で蒸着物質が基板１０に蒸着される。蒸着物質としては有機物質、無機物質、金属物質などがある。
加熱部材１２０は、貯留部材１１０に貯留された蒸着物質を気化させる。加熱部材１２０としては発熱コイルがある。発熱コイルは貯留タンクの周囲面に接触するように配置される。発熱コイルに電気が印加されると、発熱コイルで熱が発生する。このような熱によって蒸着物質が加熱されて気化される。
噴射部材１３０は、気化した蒸着物質を噴射させる。噴射部材１３０は、例えば、パイプ状に形成され、長さ方向に沿って複数の噴射孔が形成される。このような噴射部材１３０は、基板１０と平行に配置することができる。そして、噴射部材１３０は、駆動装置(図示せず)により基板１０と平行した状態を維持すると共に、一方向に移動しながら蒸着物質を噴射する。例えば、パイプ状の噴射部材１３０が上下方向に配置された状態で右方向に移動しながら蒸着物質を基板に噴射することができる。これとは異なり、噴射部材１３０は、止まった状態で一方向に移動する基板１０に向かって噴射することも可能である。
移送部材１４０は、一端は貯留部材１１０に連結され、他端は噴射部材１３０に連結される。移送部材１４０は、貯留部材１１０から噴射部材１３０に蒸着物質を移送させる。移送部材１４０は特定の温度に加熱することができる。これは、気化した蒸着物質が凝縮されることを防止するためである。
一方、本発明の好ましい一実施例による有機半導体製造装置１００は、露出部１５０と感知ユニット１６０とを含む。
露出部１５０は、移送部材１４０に沿って移送される蒸着物質の少なくとも一部が外部に流出するように移送部材１４０の少なくとも一部に形成される。即ち、露出部１５０の一例として移送部材１４０の外面に形成された孔が挙げられる。また、露出部１５０の他の一例として、特定の直径を有し、移送部材１４０と連通したパイプが挙げられる。このような露出部１５０を通じて移送部材１４０により移送される蒸着物質中の一部の蒸着物質が移送部材１４０の外部に流出される。
感知ユニット１６０は、露出部１５０に隣接して配置される。感知ユニット１６０は、露出部１５０を通じて流出される蒸着物質の流出量を感知する。感知ユニット１６０によって測定された蒸着物質の流出量により基板１０に蒸着された蒸着物質の厚みを間接的に測定することができる。
このような構造は、従来の有機半導体製造装置とは異なり、感知ユニット１６０が噴射部材１３０と透明基板１０との間に配置されないので、透明基板１０と噴射装置間の距離を最小化することができる。したがって、噴射装置で蒸着物質が噴射される過程で一部の蒸着物質が透明基板１０に蒸着されず、流失されることを最小化することができるので、製造コストを低減することが可能である。
一方、基板１０には、様々な種類の蒸着物質を蒸着することができる。このために、有機半導体製造装置１００において、噴射部材１３０と移送部材１４０と貯留部材１１０は複数個を備えることができる。噴射部材１３０は基板１０に平行に配置させることができる。上述した感知ユニット１６０は、従来の有機半導体製造装置とは異なり、移送部材１４０に隣接して配置されているので、隣接した噴射部材１３０から噴射される蒸着物質が感知ユニット１６０に蒸着されないのみでなく、それぞれの移送部材１４０から噴射される蒸着物質の噴射量を正確に測定することができる。したがって、透明基板１０上に蒸着された蒸着物質の厚み測定時における測定の信頼性を向上させることができる。
一方、有機半導体製造装置１００は、ノズル(図示せず)をさらに含むことができる。
ノズル(図示せず)は、露出部１５０に形成されて外部に流出される蒸着物質の量を制御する。このようなノズルの直径は１ｍｍ〜１０ｍｍであることが望ましい。ノズルの直径が１ｍｍより小さいと蒸着物質が噴射され難いか、非常に少ない量が噴射される。そして、ノズルの直径が１０ｍｍを超えると過剰な量の蒸着物質が噴射される。
一方、図２を参照すると、感知ユニット１６０の構造の一例として、ベース部材１６１と、摺動部材１６２と、センサー１６４を含むことができる。
ベース部材１６１は、例えば、移送部材１４０に固定して取り付けられる。これとは異なり、ベース部材１６１は、移送部材１４０に固定して取り付けず、移送部材１４０と隣接して配置されても良い。
摺動部材１６２は、ベース部材１６１に取り付けられて移送部材１４０から遠ざかったり近づく方向に移動するように形成される。
センサー１６４は、摺動部材１６２に取り付けられる。センサー１６４としては、蒸気センサー(Ｖａｐｏｒ Ｓｅｎｓｏｒ)又はＱＣＭ(Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｉｃｒｏｂａｌａｎｃｅ)がある。蒸気センサー１６４は、露出部１５０から流出される蒸着物質の噴射量を測定する。このようなセンサー１６４は、摺動部材１６２に着脱可能に取り付けることができる。これにより、古いセンサー１６４の交換が容易になる。
一方、センサー１６４と露出部１５０との間の距離がさらに近づくと、センサー１６４が露出部１５０から流出される蒸着物質をより正確に測定することができるが、センサー１６４に単位時間当たり蒸着物質がより多く蒸着され、センサー１６４の交換周期が短くなる。逆に、センサー１６４と露出部１５０間の距離がさらに遠ざかると、センサー１６４が露出部１５０から流出される蒸着物質をより正確に測定することは難しくなるが、センサー１６４に単位時間当たり蒸着物質がより少なく蒸着され、センサー１６４の交換周期が長くなる。
上記のような構造からなる感知ユニット１６０は、摺動部材１６２によってセンサー１６４と露出部１５０間の距離を変更できる。したがって、センサー１６４の交換周期を適切に維持すると共に、センサー１６４は露出部１５０から流出される蒸着物質を正確に測定することができる。
一方、図３を参照すると、感知ユニット１６０の変形例として回転部材１６３をさらに含むことができる。
回転部材１６３は、摺動部材１６２に回転可能に取り付けられる。回転部材１６３は、摺動部材１６２にヒンジ結合される。回転部材１６３と摺動部材１６２を結合するヒンジには、一定の摩擦力が発生するように、摩擦部材(図示せず)が配置される。このような摩擦部材としては、回転部材１６３と摺動部材が接触した面の間に配置された金属プレートがある。このような摩擦部材によって回転部材１６３が摺動部材１６２に対して特定角度で回転された状態でその回転した角度が固定される。この場合、センサー１６４は上述した回転部材１６３に取り付けられる。
上記のように回転部材１６３が回転してセンサー１６４と露出部１５０間の距離を変更することにより、センサー１６４の交換周期を適切に維持すると共に、センサー１６４が露出部１５０から流出される蒸着物質を正確に測定することができである。
一方、有機半導体製造装置１００は、蒸着防止部材(図示せず)をさらに含むことができる。蒸着防止部材は、感知ユニット１６０が複数からなって互いに隣接して配置される場合、感知ユニット１６０間に配置されて隣接した感知ユニット１６０に露出部１５０から流出された蒸着物質が蒸着されることを防止できる。このような蒸着防止部材は、例えば板状からなる。
また、感知ユニット１６０は、別途の密閉されたチャンバ内に収容することも可能である。このような構造により露出部１５０から流出された蒸着物質が感知ユニット１６０の周辺部材に蒸着されることを防止できる。
一方、移送部材１４０は、少なくとも一部が特定の角度で折り曲げられるように形成され、露出部１５０は、上記移送部材１４０の折り曲げ部分に形成することができる。このような構造により有機半導体製造装置のサイズを減らすことができる。また、有機半導体製造装置のメンテナンスなどが容易になる。
本発明は、有機半導体を製造する過程で基板に有機物を蒸着するために用いることができる。
Claims (6)
- 基板に蒸着される蒸着物質が貯留されている貯留部材と、前記貯留部材に貯留されている蒸着物質を気化させる加熱部材と、気化した蒸着物質が噴射される噴射部材と、一端は前記貯留部材に連結され、他端は前記噴射部材に連結されて前記貯留部材から前記噴射部材に蒸着物質を移送させる移送部材とを含む有機半導体製造装置において、
前記移送部材に沿って移送される蒸着物質の少なくとも一部が外部に流出するように、前記移送部材の少なくとも一部に形成された露出部と、前記露出部に隣接して配置され前記露出部を通じて流出される蒸着物質の流出量を感知する感知ユニットとを含む有機半導体製造装置。 - 感知ユニットは、
ベース部材と、
前記ベース部材に取り付けられて前記移送部材から遠ざかったり近づく方向に移動する摺動部材と、
前記摺動部材に取り付けられたセンサーと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体製造装置。 - 感知ユニットは、
ベース部材と、
前記ベース部材に取り付けられて前記移送部材から遠ざかったり近づく方向に移動する摺動部材と、
前記摺動部材に回転可能に取り付けられた回転部材と、
前記回転部材に取り付けられたセンサーと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体製造装置。 - 前記感知ユニットは複数からなり、
前記感知ユニット間に配置されて隣接した感知ユニットに蒸着物質が蒸着されることを防止する、少なくとも一つの蒸着防止部材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体製造装置。 - 前記露出部に形成されて外部に流出される蒸着物質の量を制御するノズルをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体製造装置。
- 前記ノズルの直径は１ｍｍ〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載の有機半導体製造装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2010-0055019 | 2010-06-10 | ||
| KR1020100055019A KR101019947B1 (ko) | 2010-06-10 | 2010-06-10 | 유기 반도체 제조장치 |
| PCT/KR2010/003809 WO2011155651A1 (ko) | 2010-06-10 | 2010-06-14 | 유기 반도체 제조장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013529257A true JP2013529257A (ja) | 2013-07-18 |
| JP5553131B2 JP5553131B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=43938499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013514087A Expired - Fee Related JP5553131B2 (ja) | 2010-06-10 | 2010-06-14 | 有機半導体製造装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5553131B2 (ja) |
| KR (1) | KR101019947B1 (ja) |
| CN (1) | CN102934253B (ja) |
| TW (1) | TWI431831B (ja) |
| WO (1) | WO2011155651A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140105670A (ko) * | 2013-02-22 | 2014-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 두께 측정 유닛 및 이를 구비한 유기 박막 증착 장치 |
| KR102158138B1 (ko) * | 2014-08-07 | 2020-09-23 | 주식회사 선익시스템 | 증착 장치 |
| CN105177510B (zh) | 2015-10-21 | 2018-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
| CN114525474A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-05-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀坩埚及蒸镀装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005281808A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、成膜装置、成膜方法、有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネル |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004225058A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-08-12 | Sony Corp | 成膜装置および表示パネルの製造装置とその方法 |
| JP4013859B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2007-11-28 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機薄膜の製造装置 |
| KR100658710B1 (ko) * | 2003-11-24 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자의 수직 증착 방법 및 그 장치 |
| KR20060018746A (ko) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
| KR20070043541A (ko) * | 2005-10-21 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
| JP4844867B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-12-28 | 住友電気工業株式会社 | 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置 |
| KR100753145B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2007-08-30 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 유기발광소자의 유기물질 증착장치 |
-
2010
- 2010-06-10 KR KR1020100055019A patent/KR101019947B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-06-14 JP JP2013514087A patent/JP5553131B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-14 WO PCT/KR2010/003809 patent/WO2011155651A1/ko active Application Filing
- 2010-06-14 CN CN201080067316.2A patent/CN102934253B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-17 TW TW099119652A patent/TWI431831B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005281808A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、成膜装置、成膜方法、有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201145638A (en) | 2011-12-16 |
| KR101019947B1 (ko) | 2011-03-09 |
| WO2011155651A1 (ko) | 2011-12-15 |
| CN102934253B (zh) | 2015-06-17 |
| JP5553131B2 (ja) | 2014-07-16 |
| CN102934253A (zh) | 2013-02-13 |
| TWI431831B (zh) | 2014-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5553131B2 (ja) | 有機半導体製造装置 | |
| KR102002849B1 (ko) | 증착 장치 | |
| KR100645719B1 (ko) | 물질증착용 증착원 및 이를 구비한 증착장치 | |
| KR101431043B1 (ko) | 증착 장치 | |
| KR101296911B1 (ko) | 평판표시소자의 제조장치 및 그의 정전기량 검출장치 및검출방법 | |
| KR100659762B1 (ko) | 증발원, 증착장치 및 이를 이용한 증착방법 | |
| JP4705624B2 (ja) | 基板エッチング装置及びこれを利用した液晶表示素子製造ライン | |
| KR101754356B1 (ko) | 증발원, 증착물질 공급장치, 및 이를 포함하는 증착장치 | |
| TW201337013A (zh) | 蒸發源裝置及真空蒸鍍裝置及有機ｅｌ顯示裝置之製造方法 | |
| KR101108152B1 (ko) | 증착 소스 | |
| TW200304876A (en) | Method and apparatus for manufacturing a display, such as, for instance, a polymer OLED display, a display and a substrate for use in the method | |
| CN103451625B (zh) | 沉积设备和利用其制造有机发光二极管显示器的方法 | |
| KR100615302B1 (ko) | 가열용기 지지대 및 이를 구비한 증착장치 | |
| CN103031520A (zh) | 蒸发源及成膜装置 | |
| KR102144783B1 (ko) | 선형 증발원 및 이를 포함하는 증착장치 | |
| CN103572215B (zh) | 蒸镀装置及利用此的蒸镀量测量方法 | |
| KR20140105670A (ko) | 유기 박막 두께 측정 유닛 및 이를 구비한 유기 박막 증착 장치 | |
| US8899714B2 (en) | Inkjet apparatus for depositing liquid crystal | |
| KR20130080241A (ko) | 연속박막증착장치 | |
| KR101345409B1 (ko) | 증발원 및 이를 포함한 증착장치 | |
| KR20210080959A (ko) | 증착장치 | |
| JP2014065958A (ja) | 成膜装置 | |
| KR101418714B1 (ko) | 증발원 및 이를 구비한 증착 장치 | |
| KR20150012383A (ko) | 박막증착장치 | |
| KR20160018253A (ko) | 증착 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140513 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5553131 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |