WO2011155651A1 - 유기 반도체 제조장치 - Google Patents

유기 반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2011155651A1
WO2011155651A1 PCT/KR2010/003809 KR2010003809W WO2011155651A1 WO 2011155651 A1 WO2011155651 A1 WO 2011155651A1 KR 2010003809 W KR2010003809 W KR 2010003809W WO 2011155651 A1 WO2011155651 A1 WO 2011155651A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
deposition material
organic semiconductor
semiconductor manufacturing
manufacturing apparatus
deposition
Prior art date
Application number
PCT/KR2010/003809
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
강창호
권현구
최호중
김정진
Original Assignee
에스엔유 프리시젼 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스엔유 프리시젼 주식회사 filed Critical 에스엔유 프리시젼 주식회사
Priority to JP2013514087A priority Critical patent/JP5553131B2/ja
Priority to CN201080067316.2A priority patent/CN102934253B/zh
Publication of WO2011155651A1 publication Critical patent/WO2011155651A1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/52—Means for observation of the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/544—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement in the gas phase
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating

Definitions

  • the present invention relates to an organic semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to an organic semiconductor manufacturing apparatus used to deposit an organic material on a substrate.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • the OLED panel has an organic light emitting material formed in a space between a lower plate having a form in which an ITO transparent electrode pattern is formed as a positive electrode on a transparent glass substrate and an upper plate in which a metal electrode is formed as a negative electrode on the substrate.
  • a display device using a property of emitting light with a current flowing through an organic light emitting material when a predetermined voltage is applied between an electrode and the metal electrode.
  • the organic semiconductor manufacturing apparatus is the equipment used to manufacture such an LED panel.
  • it is repeatedly performed a variety of methods such as etching, deposition and surface modification on the transparent substrate.
  • a method of depositing a deposition material on a transparent substrate a method of uniformly spraying the deposition material on a transparent substrate with an injector is used.
  • the thickness of the deposition material deposited on the transparent substrate is measured by a separate sensor.
  • the sensor indirectly measures the thickness of the deposition material deposited on the transparent substrate by measuring the injection amount of the deposition material sprayed through the injector.
  • the sensor is generally disposed between the injector and the transparent substrate.
  • the transparent substrate and the injector are disposed to have a predetermined distance. Accordingly, in the process of spraying the deposition material in the injector there is a problem that some of the deposition material is lost without being deposited on the transparent substrate.
  • such an organic semiconductor manufacturing apparatus generally includes a plurality of injectors, and a sensor is disposed in each injector.
  • the organic semiconductor manufacturing apparatus includes the first and second injection devices
  • the first sensor is disposed in the first injection device
  • the second sensor is disposed in the second injection device.
  • the reliability is lowered in measuring the thickness of the deposition material deposited on the transparent substrate.
  • An object of the present invention is to provide an organic semiconductor manufacturing apparatus with a minimum gap between the transparent substrate and the injection device.
  • the storage member is stored the deposition material to be deposited on the substrate, the heating member for vaporizing the deposition material stored in the storage member, the vaporized deposition material is injected
  • An injection member and a transfer member having one end connected to the storage member and the other end connected to the injection member to transfer the deposition material from the storage member to the injection member, and the deposition material transferred along the transfer member.
  • the sensing unit is disposed adjacent to the transfer member, the distance between the transparent substrate and the injection apparatus can be minimized. Therefore, it is possible to minimize the loss of some deposition material without being deposited on the transparent substrate in the process of spraying the deposition material in the injection device, it is possible to reduce the semiconductor manufacturing cost.
  • the organic semiconductor manufacturing apparatus in the organic semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, not only the deposition material injected from the adjacent injection members is not deposited on the sensing unit, but also the amount of injection of the deposition material injected from each transfer member can be accurately measured. Therefore, in measuring the thickness of the deposition material deposited on the transparent substrate, it is possible to improve the measurement reliability.
  • FIG. 1 is a side view showing an organic semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 2 is a side view showing an extract of the sensing unit in the organic semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 3 is a side view showing a modification of the sensing unit in the organic semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • An organic semiconductor manufacturing apparatus includes a storage member in which a deposition material to be deposited on a substrate is stored, a heating member to vaporize the deposition material stored in the storage member, an injection member in which the vaporized deposition material is sprayed, and one end is stored.
  • a transfer member connected to the member, the other end connected to the injection member to transfer the deposition material from the storage member to the injection member, wherein at least a portion of the deposition material transferred along the transfer member is leaked outwardly.
  • the organic semiconductor manufacturing apparatus 100 includes a storage member 110, a heating member 120, an injection member 130, and a transfer member 140. It includes.
  • the storage member 110 stores a deposition material to be deposited on the substrate 10.
  • a storage member 110 may be a storage tank in which an internal space is formed.
  • the deposition material may be deposited on the substrate 10 while the substrate 10 is vertically disposed.
  • the deposition material may include an organic material, an inorganic material, a metal material, and the like.
  • the heating member 120 vaporizes the deposition material stored in the storage member 110.
  • An example of the heating member 120 may be a heating coil.
  • the heating coil is arranged to contact the circumferential surface of the storage tank. When electricity is applied to the heating coil, heat is generated from the heating coil. This heat causes the deposition material to heat up and vaporize.
  • the injection member 130 sprays the vaporized deposition material.
  • An example of the injection member 130 may be formed in a pipe shape and a plurality of injection holes are formed along the longitudinal direction.
  • the injection member 130 may be disposed in parallel with the substrate 10.
  • the injection member 130 maintains the state parallel to the substrate 10 by the driving device (not shown) and moves the deposition material while moving in one direction.
  • the driving device not shown
  • the deposition material may be sprayed onto the substrate while being moved in the right direction.
  • the spraying member 130 may be sprayed toward the substrate 10 moving in one direction in the stopped state.
  • the transfer member 140 is connected at one end to the storage member 110 and at the other end to the injection member 130.
  • the transfer member 140 allows the deposition material to be transferred from the storage member 110 to the injection member 130.
  • the transfer member 140 may be heated to a specific temperature. This is to prevent the vaporized deposition material from condensing.
  • the organic semiconductor manufacturing apparatus 100 includes an exposure unit 150, the sensing unit 160.
  • the exposed portion 150 is formed on at least a portion of the transfer member 140 so that at least a portion of the deposition material transferred along the transfer member 140 flows out. That is, as an example of the exposed portion 150 may be a hole formed on the outer surface of the transfer member 140. In addition, another example of the exposed part 150 may be a pipe having a specific diameter and communicating with the transfer member 140. Some of the deposition material is transferred to the outside of the transport member 140 among the deposition material transported along the transport member 140 through the exposed portion 150.
  • the sensing unit 160 is disposed adjacent to the exposure unit 150.
  • the sensing unit 160 detects an outflow amount of the deposition material flowing out through the exposure unit 150.
  • the thickness of the deposition material deposited on the substrate 10 may be indirectly measured through the flow rate of the deposition material measured by the sensing unit 160.
  • the sensing unit 160 is not disposed between the injection member 130 and the transparent substrate 10, the distance between the transparent substrate 10 and the injection apparatus can be minimized. have. Therefore, it is possible to minimize the loss of some deposition material without being deposited on the transparent substrate 10 in the process of spraying the deposition material in the injection device, it is possible to reduce the manufacturing cost.
  • the injection member 130, the transfer member 140 and the storage member 110 may be formed in a plurality.
  • the injection members 130 may be disposed parallel to the substrate 10. Since the sensing unit 160 is disposed adjacent to the transfer member 140 unlike the conventional organic semiconductor manufacturing apparatus, the deposition material sprayed from the adjacent spray member 130 is not deposited on the sensing unit 160. In addition, it is possible to accurately measure the injection amount of the deposition material injected from each of the transfer members 140. Therefore, in measuring the thickness of the deposition material deposited on the transparent substrate 10, it is possible to improve the measurement reliability.
  • the organic semiconductor manufacturing apparatus 100 may further include a nozzle not shown.
  • a nozzle is formed in the exposed portion 150 to control the amount of deposition material flowing out. It is preferable that the diameter of such a nozzle is 1 mm-10 mm. If the diameter of the nozzle is smaller than 1 mm, it may be difficult or too small to be deposited. And, if the diameter of the nozzle exceeds 10mm, an excessive amount of deposition material may be injected.
  • an example of the structure of the sensing unit 160 may include a base member 161, a sliding member 162, and a sensor 164.
  • the base member 161 may be fixedly coupled to the transfer member 140. Alternatively, the base member 161 may be disposed adjacent to the transfer member 140 without being fixedly coupled to the transfer member 140.
  • the sliding member 162 is coupled to the base member 161 and is formed to move in a direction away from or close to the transport member 140.
  • the sensor 164 is coupled to the sliding member 162.
  • the sensor 164 may be a vapor sensor or a QCM (Quartz Crystal Microbalance).
  • the steam sensor 164 measures the injection amount of the deposition material flowing out of the exposed portion 150.
  • the sensor 164 may be detachably coupled to the sliding member 162. Accordingly, the replacement of the aged sensor 164 can be easily made.
  • the sensor 164 can measure the deposition material flowing out of the exposed portion 150 more accurately, but the sensor 164 More deposition material is deposited per unit time, which shortens the cycle of replacing the sensor 164.
  • the sensor 164 when the distance between the sensor 164 and the exposed portion 150 is further increased, it is difficult for the sensor 164 to accurately measure the deposition material flowing out of the exposed portion 150, but it is deposited on the sensor 164. Less material is deposited per unit time, resulting in a longer period of replacement of the sensor 164.
  • the sensing unit 160 having the above structure may change the distance between the sensor 164 and the exposed part 150 by the sliding member 162. Therefore, while maintaining the replacement cycle of the sensor 164 properly, the sensor 164 can accurately measure the deposition material flowing out of the exposed portion 150.
  • FIG. 3 it may further include a rotating member 163 as a modification of the sensing unit 160.
  • the rotating member 163 is rotatably coupled to the sliding member 162.
  • the rotating member 163 may be hinged to the sliding member 162.
  • the hinge member which couples the rotating member 163 and the sliding member 162 may have a friction member, which is not shown, so that a constant frictional force can be generated.
  • An example of such a friction member may be a metal plate disposed between the surfaces in which the rotating member 163 and the sliding member contact each other.
  • the rotation angle of the rotating member 163 may be fixed by the friction member in a specific rotation state with respect to the sliding member 162.
  • the sensor 164 is coupled to the rotating member 163 described above.
  • the sensor 164 By changing the distance between the sensor 164 and the exposed portion 150 by rotating the rotating member 163 as described above, while maintaining the replacement cycle of the sensor 164 properly, the sensor 164 is exposed portion ( 150, it is possible to accurately measure the deposition material flowing out from.
  • the organic semiconductor manufacturing apparatus 100 may further include a deposition preventing member not shown.
  • the deposition preventing member When the deposition preventing member is disposed adjacent to each other while a plurality of sensing units 160 are formed, the deposition material deposited from the exposed portion 150 is disposed between the sensing units 160 and adjacent to the sensing unit 160. Can be prevented.
  • One example of the shape of the deposition preventing member may be a plate shape.
  • the sensing unit 160 may be accommodated in a separate sealed chamber. By such a structure, it is possible to prevent the deposition material flowing out of the exposure unit 150 from being deposited on the member around the sensing unit 160.
  • the conveying member 140 is formed so that at least a portion is bent at a specific angle, the exposed portion 150 may be formed in the bent portion of the conveying member 140.
  • Such a structure can reduce the size of the organic semiconductor manufacturing apparatus. In addition, this is to facilitate the maintenance and repair of the organic semiconductor manufacturing apparatus.
  • the present invention can be used to deposit organic materials on a substrate in the manufacture of organic semiconductors.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

투명기판과 분사장치 사이의 간격을 최소화하고, 인접한 센서로 증착물이 증착되지 않게 한 유기 반도체 제조장치가 개시된다. 이를 위한, 유기 반도체 제조장치는 이송부재를 따라 이송되는 증착물질 중 적어도 일부가 외부로 유출되도록 이송부재의 적어도 일부에 형성된 노출부와, 노출부에 인접하게 배치되어 노출부를 통하여 유출되는 증착물질의 유출량을 감지하는 감지유닛을 포함한다. 이에 따라, 인접한 분사부재로부터 분사되는 증착물질이 감지유닛에 증착되지 않을 뿐만 아니라, 각각의 이송부재로부터 분사되는 증착물질의 분사량을 정확하게 측정할 수 있다. 그러므로, 투명기판 상에 증착된 증착물질의 두께를 측정하는데 있어서, 측정 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

유기 반도체 제조장치
본 발명은 유기 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판에 유기물을 증착시키는데 사용되는 유기 반도체 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 오엘이디 패널(OLED: Organic Light Emitting Diodes)은 LCD패널보다 낮은 전압에서 구동이 가능하고 박형화, 광시야각, 빠른 응답속도 등 LCD에서 문제로 지적되고 있는 결점을 해소할 수 있다. 이러한 오엘이디 패널은 투명 유리 기판 상에 양전극으로서 ITO 투명 전극 패턴이 형성되어 있는 형태를 가진 하판과 기판 상에 음전극으로서 금속 전극이 형성되어 있는 상판사이의 공간에 유기 발광성 소재가 형성되어, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 소정의 전압이 인가될 때 유기 발광성 소재에 전류가 흐르면서 빛을 발광하는 성질을 이용하는 디스플레이 장치이다.
유기 반도체 제조장치는 상기와 같은 오엘이디 패널을 제조하는데 사용되는 장비이다. 상기와 같은 구조로 이루어진 오엘이디 패널을 제조하는데 있어서, 투명기판에 식각, 증착 및 표면개질 등의 다양한 방법을 반복적으로 수행하게 된다. 투명기판에 증착물질을 증착하는 방법의 일예로, 분사장치로 증착물질을 투명기판 상에 균일하게 분사하는 방법이 사용된다. 이러한 증착방법에서 투명기판 상에 증착된 증착물질의 두께는 별도의 센서에 의해 측정된다. 센서는 분사장치를 통하여 분사되는 증착물질의 분사량을 측정하여 투명기판 상에 증착된 증착물질의 두께를 간접적으로 측정한다. 여기서, 센서는 분사장치와 투명기판 사이에 배치되는 것이 일반적이다. 그리고, 분사장치로부터 분사되는 증착물질이 센서에 의해 간섭되어 투명기판에 증착되지 않는 영역이 발생되는 것을 방지하고자, 투명기판과 분사장치가 일정한 거리를 이루도록 배치된다. 이에 따라, 분사장치에서 증착물질이 분사되는 과정에서 일부 증착물질이 투명기판에 증착되지 않고 유실되는 문제점이 있다.
또한, 상기와 같은 유기 반도체 제조장치는 복수의 분사장치를 포함하는 것이 일반적이고, 각각의 분사장치에는 센서가 배치된다. 예를 들어, 유기 반도체 제조장치가 제1 및 제2분사장치를 포함하는 경우, 제1분사장치에는 제1센서가 배치되고, 제2분사장치에는 제2센서가 배치된다. 제1분사장치로부터 증착물질이 분사되는 과정에서 인접한 제2센서로 증착물질의 일부가 증착되어 제2센서가 제2분사장치로부터 분사되는 증착물질의 분사량을 정확하게 측정하기가 어렵다. 이에 따라, 투명기판 상에 증착된 증착물질의 두께를 측정하는데 있어서, 신뢰성이 떨어지게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 투명기판과 분사장치 사이의 간격을 최소화 한 유기 반도체 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 인접한 센서로 증착물질이 증착되지 않게 한 유기 반도체 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 반도체 제조장치는, 기판에 증착될 증착물질이 저장된 저장부재와, 상기 저장부재에 저장된 증착물질을 기화시키는 가열부재와, 기화된 증착물질이 분사되는 분사부재와, 일단은 저장부재에 연결되고, 타단은 분사부재에 연결되어 상기 저장부재로부터 상기 분사부재로 증착물질이 이송될 수 있게 하는 이송부재를 포함하며, 상기 이송부재를 따라 이송되는 증착물질 중 적어도 일부가 외부로 유출되도록 상기 이송부재의 적어도 일부에 형성된 노출부와, 상기 노출부에 인접하게 배치되어 상기 노출부를 통하여 유출되는 증착물질의 유출량을 감지하는 감지유닛을 포함한다.
본 발명에 따른 유기 반도체 제조장치는 종래의 유기 반도체 제조장치와 다르게 감지유닛이 이송부재에 인접하게 배치되어 있으므로, 투명기판과 분사장치 사이의 거리를 최소화할 수 있다. 따라서, 분사장치에서 증착물질이 분사되는 과정에서 일부 증착물질이 투명기판에 증착되지 않고 유실되는 것을 최소화할 수 있으므로, 반도체 제조비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 반도체 제조장치에서는 인접한 분사부재로부터 분사되는 증착물질이 감지유닛에 증착되지 않을 뿐만 아니라, 각각의 이송부재로부터 분사되는 증착물질의 분사량을 정확하게 측정할 수 있다. 그러므로, 투명기판 상에 증착된 증착물질의 두께를 측정하는데 있어서, 측정 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기 반도체 제조장치를 도시한 측면도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기 반도체 제조장치에서 감지유닛을 발췌하여 도시한 측면도.
도 3은 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기 반도체 제조장치에서 감지유닛의 변형예를 도시한 측면도.
본 발명에 따른 유기 반도체 제조장치는, 기판에 증착될 증착물질이 저장된 저장부재와, 상기 저장부재에 저장된 증착물질을 기화시키는 가열부재와, 기화된 증착물질이 분사되는 분사부재와, 일단은 저장부재에 연결되고, 타단은 분사부재에 연결되어 상기 저장부재로부터 상기 분사부재로 증착물질이 이송될 수 있게 하는 이송부재를 포함하며, 상기 이송부재를 따라 이송되는 증착물질 중 적어도 일부가 외부로 유출되도록 상기 이송부재의 적어도 일부에 형성된 노출부와, 상기 노출부에 인접하게 배치되어 상기 노출부를 통하여 유출되는 증착물질의 유출량을 감지하는 감지유닛을 포함한다.
이하 첨부된 도면에 따라서 본 발명의 기술적 구성을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기 반도체 제조장치(100)는, 저장부재(110)와, 가열부재(120)와, 분사부재(130)와, 이송부재(140)를 포함한다.
저장부재(110)에는 기판(10)에 증착될 증착물질이 저장된다. 이러한 저장부재(110)의 일예로 내부공간이 형성된 저장탱크일 수 있다. 그리고, 기판(10)이 수직으로 배치된 상태에서 증착물질이 기판(10)에 증착될 수 있다. 증착물질의 일예로 유기물질, 무기물질, 금속물질 등을 포함할 수 있다.
가열부재(120)는 저장부재(110)에 저장된 증착물질을 기화시킨다. 가열부재(120)의 일예로 발열코일일 수 있다. 발열코일은 저장탱크의 둘레면에 접촉되도록 배치된다. 발열코일에 전기가 인가되면, 발열코일로부터 열이 발생된다. 이러한 열에 의해 증착물질이 가열되어 기화된다.
분사부재(130)는 기화된 증착물질을 분사시킨다. 분사부재(130)의 일예로 파이프형상으로 이루어져서 길이방향을 따라 복수개의 분사홀들이 형성된 것일 수 있다. 이러한 분사부재(130)는 기판(10)과 평행하게 배치될 수 있다. 그리고, 분사부재(130)는 미도시된 구동장치에 의해 기판(10)과 평행한 상태를 유지함과 아울러 일방향으로 이동하면서 증착물질을 분사한다. 예를 들어, 파이프형상의 분사부재(130)가 상하방향으로 배치된 상태에서 오른쪽 방향으로 이동되면서 증착물질을 기판에 분사할 수 있다. 이와 다르게, 분사부재(130)는 정지된 상태에서 일방향으로 이동하는 기판(10)을 향하여 분사되는 것도 가능하다.
이송부재(140)는 일단은 저장부재(110)에 연결되고, 타단은 분사부재(130)에 연결된다. 이송부재(140)는 저장부재(110)로부터 분사부재(130)로 증착물질이 이송될 수 있게 한다. 이송부재(140)는 특정 온도로 가열될 수 있다. 이는 기화된 증착물질이 응축되는 것을 방지하기 위함이다.
한편, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기 반도체 제조장치(100)는 노출부(150)와, 감지유닛(160)을 포함한다.
노출부(150)는 이송부재(140)를 따라 이송되는 증착물질 중 적어도 일부가 외부로 유출되도록 이송부재(140)의 적어도 일부에 형성된다. 즉, 노출부(150)의 일예로 이송부재(140)의 외면에 형성된 홀일 수 있다. 또한, 노출부(150)의 다른 일예로 특정 직경을 가지며, 이송부재(140)와 연통된 파이프일 수 있다. 이러한 노출부(150)를 통하여 이송부재(140)를 따라 이송되는 증착물질 중에서 일부의 증착물질이 이송부재(140) 외부로 유출된다.
감지유닛(160)은 노출부(150)에 인접하게 배치된다. 감지유닛(160)은 노출부(150)를 통하여 유출되는 증착물질의 유출량을 감지한다. 감지유닛(160)에 의해 측정된 증착물질의 유출량을 통하여 기판(10)에 증착된 증착물질의 두께를 간접적으로 측정할 수 있다.
이러한 구조는 종래의 유기 반도체 제조장치와 다르게 감지유닛(160)이 분사부재(130)와 투명기판(10) 사이에 배치되어 있지 않으므로, 투명기판(10)과 분사장치 사이의 거리를 최소화할 수 있다. 따라서, 분사장치에서 증착물질이 분사되는 과정에서 일부 증착물질이 투명기판(10)에 증착되지 않고 유실되는 것을 최소화할 수 있으므로, 제조비용을 절감할 수 있다.
한편, 기판(10)에는 다양한 종류의 증착물질이 증착될 수 있다. 이를 위해 유기 반도체 제조장치(100)에서 분사부재(130)와, 이송부재(140)와, 저장부재(110)는 복수개로 이루어질 수 있다. 분사부재(130)들은 기판(10)에 대해 평행하게 배치될 수 있다. 전술한 감지유닛(160)은 종래의 유기 반도체 제조장치와 다르게 이송부재(140)에 인접하게 배치되어 있으므로, 인접한 분사부재(130)로부터 분사되는 증착물질이 감지유닛(160)에 증착되지 않을 뿐만 아니라, 각각의 이송부재(140)로부터 분사되는 증착물질의 분사량을 정확하게 측정할 수 있다. 그러므로, 투명기판(10) 상에 증착된 증착물질의 두께를 측정하는데 있어서, 측정 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 유기 반도체 제조장치(100)는 미도시된 노즐을 더 포함할 수 있다.
미도시된 노즐은 노출부(150)에 형성되어 외부로 유출되는 증착물질의 양을 제어한다. 이러한 노즐의 직경은 1㎜ 내지 10㎜ 인 것이 바람직하다. 노즐의 직경이 1㎜ 보다 작은 경우 증착물질이 분사되기 어렵거나 너무 적은 양이 분사될 수 있다. 그리고, 노즐의 직경이 10㎜를 초과하는 경우, 과도한 양의 증착물질이 분사될 수 있다.
한편, 도 2를 참조하면, 감지유닛(160)의 구조의 일예로, 베이스부재(161)와, 슬라이딩부재(162)와, 센서(164)를 포함할 수 있다.
베이스부재(161)는 이송부재(140)에 고정결합된 것일 수 있다. 이와 다르게, 베이스부재(161)는 이송부재(140)에 고정결합되지 않고 이송부재(140)와 인접하게 배치된 것일 수 있다.
슬라이딩부재(162)는 베이스부재(161)에 결합되어 이송부재(140)로부터 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동되도록 형성된다.
센서(164)는 슬라이딩부재(162)에 결합된다. 센서(164)의 일예로 증기센서(Vapor Sensor) 또는 QCM(Quartz Crystal Microbalance) 일 수 있다. 증기센서(164)는 노출부(150)로부터 유출되는 증착물질의 분사량을 측정한다. 이러한 센서(164)는 슬라이딩부재(162)에 탈착가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 노후된 센서(164)의 교체가 용이하게 이루어질 수 있다.
한편, 센서(164)와 노출부(150) 사이의 거리가 더욱 가까워지는 경우, 센서(164)가 노출부(150)로부터 유출되는 증착물질을 더욱 정확하게 측정할 수는 있으나, 센서(164)에 증착물질이 단위 시간당 더욱 많이 증착되어 센서(164)를 교체하는 주기가 짧아지게 된다. 이와 반대로, 센서(164)와 노출부(150) 사이의 거리가 더욱 멀어지는 경우, 센서(164)가 노출부(150)로부터 유출되는 증착물질을 더욱 정확하게 측정하기는 어려우나, 센서(164)에 증착물질이 단위 시간당 더욱 적게 증착되어 센서(164)를 교체하는 주기가 길어지게 된다.
상기와 같은 구조로 이루어진 감지유닛(160)은 슬라이딩부재(162)에 의해 센서(164)와 노출부(150) 사이의 거리를 변경시킬 수 있다. 그러므로, 센서(164)의 교체주기를 적절하게 유지함과 동시에 센서(164)가 노출부(150)로부터 유출되는 증착물질을 정확하게 측정할 수 있게 한다.
한편, 도 3을 참조하면, 감지유닛(160)의 변형예로 회전부재(163)를 더 포함할 수 있다.
회전부재(163)는 슬라이딩부재(162)에 회전가능하도록 결합된다. 회전부재(163)는 슬라이딩부재(162)에 힌지결합될 수 있다. 회전부재(163)와 슬라이딩부재(162)를 결합하는 힌지에는 일정한 마찰력이 발생될 수 있도록, 미도시된 마찰부재가 배치될 수 있다. 이러한 마찰부재의 일예로 회전부재(163)와 슬라이딩 부재가 접촉된 면들 사이에 배치된 금속 플레이트일 수 있다. 이러한 마찰부재에 의해 회전부재(163)가 슬라이딩부재(162)에 대해 특정 회전된 상태에서 그 회전된 각도가 고정될 수 있다. 이 경우, 센서(164)는 전술한 회전부재(163)에 결합된다.
상기와 같이 회전부재(163)가 회전되게 하여 센서(164)와 노출부(150) 사이의 거리를 변경시킴으로써, 센서(164)의 교체주기를 적절하게 유지함과 동시에 센서(164)가 노출부(150)로부터 유출되는 증착물질을 정확하게 측정할 수 있게 한다.
한편, 유기 반도체 제조장치(100)는 미도시된 증착방지부재를 더 포함할 수 있다. 증착방지부재는 감지유닛(160)이 복수개로 이루어지면서 서로 인접하게 배치되는 경우, 감지유닛(160)들 사이에 배치되어 인접한 감지유닛(160)으로 노출부(150)로부터 유출된 증착물질이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 이러한 증착방지부재의 형상의 일예로 판형상 일 수 있다.
또한, 감지유닛(160)은 별도의 밀폐된 챔버 내에 수용되는 것도 가능하다. 이러한 구조에 의해 노출부(150)로부터 유출된 증착물질이 감지유닛(160) 주변의 부재에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 이송부재(140)는 적어도 일부가 특정 각도로 절곡되도록 형성되며, 노출부(150)는 상기 이송부재(140)의 절곡된 부분에 형성될 수 있다. 이러한 구조에 의해 유기 반도체 제조장치의 크기를 감소시킬 수 있다. 또한, 유기 반도체 제조장치의 유지/보수를 편리하게 하기 위함이다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명은 유기 반도체를 제조하는 과정에서 기판에 유기물을 증착시키는데 사용될 수 있다.

Claims (6)

  1. 기판에 증착될 증착물질이 저장된 저장부재와, 상기 저장부재에 저장된 증착물질을 기화시키는 가열부재와, 기화된 증착물질이 분사되는 분사부재와, 일단은 저장부재에 연결되고, 타단은 분사부재에 연결되어 상기 저장부재로부터 상기 분사부재로 증착물질이 이송될 수 있게 하는 이송부재를 포함하는 유기 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 이송부재를 따라 이송되는 증착물질 중 적어도 일부가 외부로 유출되도록 상기 이송부재의 적어도 일부에 형성된 노출부; 및
    상기 노출부에 인접하게 배치되어 상기 노출부를 통하여 유출되는 증착물질의 유출량을 감지하는 감지유닛;
    을 포함하는 유기 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    감지유닛은:
    베이스부재;
    상기 베이스부재에 결합되어 상기 이송부재로부터 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동되는 슬라이딩부재; 및
    상기 슬라이딩부재에 결합된 센서;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 제조장치.
  3. 제1항에 있어서,
    감지유닛은:
    베이스부재;
    상기 베이스부재에 결합되어 상기 이송부재로부터 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동되는 슬라이딩부재;
    상기 슬라이딩부재에 회전가능하도록 결합된 회전부재; 및
    상기 회전부재에 결합된 센서;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 제조장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 감지유닛은 복수개로 이루어지며,
    상기 감지유닛들 사이에 배치되어 인접한 감지유닛으로 증착물질이 증착되는 것을 방지하는 적어도 하나의 증착방지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 제조장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노출부에 형성되어 외부로 유출되는 증착물질의 양을 제어하는 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 제조장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 노즐의 직경은 1㎜ 내지 10㎜ 인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 제조장치.
PCT/KR2010/003809 2010-06-10 2010-06-14 유기 반도체 제조장치 WO2011155651A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013514087A JP5553131B2 (ja) 2010-06-10 2010-06-14 有機半導体製造装置
CN201080067316.2A CN102934253B (zh) 2010-06-10 2010-06-14 有机半导体制造设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100055019A KR101019947B1 (ko) 2010-06-10 2010-06-10 유기 반도체 제조장치
KR10-2010-0055019 2010-06-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011155651A1 true WO2011155651A1 (ko) 2011-12-15

Family

ID=43938499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2010/003809 WO2011155651A1 (ko) 2010-06-10 2010-06-14 유기 반도체 제조장치

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5553131B2 (ko)
KR (1) KR101019947B1 (ko)
CN (1) CN102934253B (ko)
TW (1) TWI431831B (ko)
WO (1) WO2011155651A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114525474A (zh) * 2022-03-10 2022-05-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140105670A (ko) * 2013-02-22 2014-09-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 두께 측정 유닛 및 이를 구비한 유기 박막 증착 장치
KR102158138B1 (ko) * 2014-08-07 2020-09-23 주식회사 선익시스템 증착 장치
CN105177510B (zh) * 2015-10-21 2018-04-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060018746A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착 장치
KR100658710B1 (ko) * 2003-11-24 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자의 수직 증착 방법 및 그 장치
EP1777320A2 (en) * 2005-10-21 2007-04-25 Samsung SDI Co., Ltd. Apparatus and method for depositing thin films
KR100753145B1 (ko) * 2005-11-23 2007-08-30 주식회사 탑 엔지니어링 유기발광소자의 유기물질 증착장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004225058A (ja) * 2002-11-29 2004-08-12 Sony Corp 成膜装置および表示パネルの製造装置とその方法
JP4013859B2 (ja) * 2003-07-17 2007-11-28 富士電機ホールディングス株式会社 有機薄膜の製造装置
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
JP4844867B2 (ja) * 2005-11-15 2011-12-28 住友電気工業株式会社 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658710B1 (ko) * 2003-11-24 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자의 수직 증착 방법 및 그 장치
KR20060018746A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착 장치
EP1777320A2 (en) * 2005-10-21 2007-04-25 Samsung SDI Co., Ltd. Apparatus and method for depositing thin films
KR100753145B1 (ko) * 2005-11-23 2007-08-30 주식회사 탑 엔지니어링 유기발광소자의 유기물질 증착장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114525474A (zh) * 2022-03-10 2022-05-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102934253A (zh) 2013-02-13
JP2013529257A (ja) 2013-07-18
JP5553131B2 (ja) 2014-07-16
TWI431831B (zh) 2014-03-21
CN102934253B (zh) 2015-06-17
KR101019947B1 (ko) 2011-03-09
TW201145638A (en) 2011-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011155651A1 (ko) 유기 반도체 제조장치
CN1934284B (zh) 蒸发流化的有机物质的方法
CN203440443U (zh) 用于沉积的掩模
CN103305796A (zh) 蒸发源装置及真空蒸镀装置、以及有机el显示装置的制造方法
KR101182226B1 (ko) 도포 장치, 이의 도포 방법 및 이를 이용한 유기막 형성 방법
KR20080061666A (ko) 유기 박막 증착 장치
KR101754356B1 (ko) 증발원, 증착물질 공급장치, 및 이를 포함하는 증착장치
KR102002849B1 (ko) 증착 장치
KR20130128012A (ko) 증착 방법 및 증착 장치
CN109722625A (zh) 成膜装置、成膜方法以及电子器件制造方法
CN109837505A (zh) 成膜装置、成膜方法以及有机el显示装置的制造方法
CN103451625B (zh) 沉积设备和利用其制造有机发光二极管显示器的方法
US10446417B2 (en) Hot vacuum drying device applied for flexible substrate
CN103031520A (zh) 蒸发源及成膜装置
CN101372736A (zh) 坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置
KR20160103611A (ko) 증착 장치
CN102732836A (zh) 真空蒸镀装置及有机el显示装置的制造方法
KR20150081154A (ko) 증착 장치
CN103572215A (zh) 蒸镀装置及利用此的蒸镀量测量方法
CN107012432B (zh) 一种蒸发源及蒸镀装置
KR100966089B1 (ko) 박막 코팅 장치
KR101852953B1 (ko) 유기 발광 장치의 제조 시스템과 방법 및 도너 기판 세트
KR101796593B1 (ko) 어레이 테스트 장치
WO2012153887A1 (ko) 원료물질 공급장치
KR100748451B1 (ko) 유기발광소자의 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080067316.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10852937

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013514087

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10852937

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1