CN101372736A - 坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置 - Google Patents

坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101372736A
CN101372736A CNA2008102140203A CN200810214020A CN101372736A CN 101372736 A CN101372736 A CN 101372736A CN A2008102140203 A CNA2008102140203 A CN A2008102140203A CN 200810214020 A CN200810214020 A CN 200810214020A CN 101372736 A CN101372736 A CN 101372736A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
heating unit
band
thermopair
contact part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008102140203A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101372736B (zh
Inventor
鲁硕原
姜泰旻
成镇旭
李相奉
李承默
朴镇佑
金善浩
郑明钟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN101372736A publication Critical patent/CN101372736A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101372736B publication Critical patent/CN101372736B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种坩埚加热装置和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置。该坩埚加热装置包括：坩埚，其包括用于容纳淀积材料的主体和设置在所述主体并具有喷嘴的盖；带，其通过接触部分与所述坩埚相连；热电偶，其与所述带相连；壳体，其用于容纳所述坩埚和所述带；和加热器，其设置在所述壳体内部，用于加热所述淀积材料。

Description

坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置
技术领域
本发明的各方面涉及一种坩埚加热装置，和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置，更具体而言，涉及一种包括具有接触部分的带的坩埚加热装置，和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置。
背景技术
近年来，利用诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平板显示器(FPD)的薄轻型结构的优点，广泛进行着实现大型显示器和改善显示器质量的研究。在FPD中，OLED可为下一代FPD，其能够提供快速反应速度，无需滤色片即可实现颜色标识，并且无需使用单独的光源即可解决传统OLED的问题。
一般而言，OLED具有形成在基板上的像素电极的预定图案。诸如空穴传输层、有机发射层、电子传输层等有机层相继形成在像素层上，并且相反电极形成在有机层上。
OLED有机层可通过光刻蚀法形成。然而，在光刻蚀法过程中，有机层在抗层离的过程中和蚀刻过程中会暴露于湿气中。当淀积有机层时该湿气会造成问题。
为了解决上述问题，可以采用一种在真空腔室中蒸发、升华和真空淀积有机材料的方法以形成有机层。这种真空淀积方法包括将基板放置在真空腔室中以便在其上形成有机层。随后，包括多个图案部分的图案掩膜设置在该基板下方。同时，一种坩埚加热装置以预定距离设置在图案掩膜下方，该坩埚加热装置包含用于在基板上淀积的有机材料。
该坩埚加热装置使用加热器蒸发具有图案掩膜上的图案的有机材料，以在基板上形成有机层。因此，该坩埚加热装置是对有机层的特征造成直接影响的重要装置。
传统的坩埚加热装置包括坩埚，其包括一个具有开放上部的主体以容纳将要被淀积的材料，以及与该主体的上部配合并具有开口用于喷射材料的盖。温度控制部分设置在坩埚加热装置的外侧，用于控制该坩埚加热装置的温度。温度控制部分通过热电偶电连接至主体。因此，由于容纳在主体内的淀积材料的温度可由热电偶获得，所以有可能通过调节加热该坩埚的加热器来控制材料的淀积。
在传统坩埚加热装置中，坩埚的热电偶和主体之间点接触。因此，当热电偶被连接或者断开以实现对坩埚的维护或者更换淀积材料时，很难将热电偶与主体接触在相同的位置。因此，很难再现相同的温度。
另一方面，非接触热电偶可连接至与主体的外侧间隔一定距离的带，而不直接连接至主体。因此，加热器和淀积材料的温度均被检测，使得检测到的温度比淀积材料的实际温度高，从而造成温度准确性的问题。
发明内容
本发明的各方面提供一种坩埚加热装置，和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置，所述坩埚加热装置通过包括具有接触部分的带能够提高温度精确性和温度准确性。
根据本发明的各方面，一种坩埚加热装置包括：坩埚，其包括用于容纳淀积材料的主体，和设置在该主体上并具有喷嘴的盖；带，其通过多个接触部分连接至坩埚的外下区域，并连接至热电偶的一个端子；壳体，用于容纳坩埚和带，并具有开放的上部；和加热器，设置在壳体内部，用于加热淀积材料。
根据本发明的另一方面，一种淀积装置包括：腔室；位于所述腔室上部并具有多个图案部分的图案掩膜；和坩埚加热装置，包括：坩埚，其包括用于容纳淀积材料的主体和设置在主体上并具有喷嘴的盖；带，其通过多个接触部分连接至坩埚的外下区域，并连接至热电偶的一个端子；壳体，用于容纳坩埚和带，并具有开放的上部；和加热器，其设置在壳体内部，用于加热淀积材料。
本发明的其他方面和/或优点一部分将在下文中描述，一部分根据说明书显而易见，或者可通过应用本发明得知。
附图说明
根据下文对示例性实施例的描述并结合附图，本发明的这些和/或其他方面和优点将变得显而易见和更为容易理解，其中：
图1为根据本发明的示例性实施例的坩埚加热装置的剖视图；
图2为根据本发明的示例性实施例的坩埚加热装置的带的透视图；和
图3为根据本发明的示例性实施例的包括坩埚加热装置的淀积装置的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明示例于附图中的示例性实施例，其中全文中相同的附图标记代表相同的元件。以下将参照附图对实施例进行描述以阐释本发明。
图1为根据本发明的示例性实施例的坩埚加热装置100的剖视图，图2为根据本发明的示例性实施例的坩埚加热装置100的带200的透视图。参照图1和图2，坩埚加热装置100包括用于容纳淀积材料120的坩埚130，具有用于紧固坩埚130的接触部分210的带200，与带200相连的热电偶，用于加热坩埚130的加热器410和用于容纳以上部件的壳体400。
热电偶310的一个端子连接至带200的下部，以测量带200的温度。热电偶310的另一端子连接至设置在坩埚加热装置100外侧的温度控制器300。温度控制器300可通过控制加热器410来控制淀积材料120的温度。
坩埚130包括圆柱形主体110，该主体具有开口和用于盖住该开口的盖140。淀积材料120放置于主体110内。淀积材料120可以是任何合适的可蒸发材料，例如任何通常使用的有机淀积材料。
喷嘴141安装在盖140的中心，以释放淀积材料120。坩埚130可由任何合适的材料形成，例如氧化铝(Al2O3)、氮化硼(BN)、石英、钛(Ti)等。上述材料可为高耐熔性材料。坩埚130具有良好的导热性，并且可以有效地和均匀地将热量辐射至淀积材料120。
带200的接触部分210接触坩埚130的底部，带200的其余部分远离坩埚130的底部。坩埚130可插入带200和/或从带200移出。
接触部分210从带200的弯曲部开始形成。接触部分210例如可为梯形、半圆形、三角形或者长方形。形成在带200上的切口(cut)分割接触部分210。接触部分通常是柔韧的，以便与坩埚130配合。
因此，通过检测加热器的温度和坩埚130的温度，可以精确地确定淀积材料的温度。该双重检测过程比传统的非接触类型的热电偶检测过程更为精确。
与传统点接触类型的热电偶相比，接触部分210提供了使带200与坩埚130更为精确和可重复的连接。因此，即使当坩埚130与坩埚加热装置100连接或者断开以实现对坩埚130的维护或者更换淀积材料时，也可以始终如一地将坩埚130放置在带200中，并且热电偶310保持与带200相连，从而提高温度测量的准确性和/或精确性。
带200可由与接触部分210相同的材料形成。例如，带200的其余部分和接触部分210可由不锈钢(SUS)形成。
加热器410可为卷绕式加热线，但由于加热器410可为任何合适的加热设备，所以并不限于此。加热器410环绕坩埚130，但并不直接加热热电偶310。热电偶310可通过例如壳体400与加热器410绝缘。更特别地，加热器410环绕整个坩埚130，以均匀地加热坩埚130，从而改善淀积材料120的蒸发速度和淀积的均匀性。
壳体400容纳坩埚130、带200和加热器410。壳体400保护和支撑以上部件。
温度控制器300连接至热电偶310的另一端子。温度控制器300根据淀积材料120的温度控制加热器410，从而控制淀积材料120的温度。
热电偶310可连接至带200的下部，以精确地测量淀积材料120的温度，而不会被加热器410热干扰。热电偶310的使用基于以下理论：当不同导热金属的两个端子相互电连接时，电流根据端子之间的温度差流动。因此，通过使用连接至带200的热电偶310检测坩埚130的温度，可以确定淀积材料120的温度。
图3为根据本发明的示例性实施例的包括坩埚加热装置100的淀积装置800的剖视图。参照图3，淀积装置800包括：腔室500，设置在腔室500中的坩埚加热装置100，设置在坩埚加热装置100上方用于成型从坩埚100发出的淀积材料的图案掩膜700，和设置在图案掩膜700上的基板710，成型的淀积材料淀积在该基板上。
空气可通过泵(未示出)从腔室500蒸发出。在腔室中产生的真空状态帮助淀积材料淀积至基板710上。坩埚加热装置100加热淀积材料120以蒸发淀积材料120。
淀积装置800包括传送单元600，用于将坩埚加热装置100移动跨越基板710，以使整个基板710可被均匀地涂覆薄膜。传送单元600可根据特定的处理条件以各种速度移动坩埚加热装置100。传送单元600包括丝杠610，用于旋转丝杠610的马达630，和用于沿丝杠610引导坩埚加热装置100的导件620。丝杠610例如可为滚珠丝杠。
图案掩膜700设置在坩埚加热装置100与基板710之间，以使淀积材料在基板710上成型。图案掩膜700由坚硬的金属材料制成，从而具有较薄的厚度。因此，可以抑制图案掩膜700的弯曲，和防止由阴影现象造成的不规则淀积。
根据图案掩膜700的多个图案部分，基板710设置在图案掩膜700上，以使薄膜的预定图案淀积在基板710上。像素电极以及诸如孔传输层、有机发射层、电子传输层等有机层相继形成在基板710上，从而形成在有机层上具有相反电极的OLED(未示出)。
从前面所述可以看出，根据本发明的示例性实施例的淀积装置中的坩埚加热装置，可应用于迅速淀积OLED的有机层，也可应用于包括平板显示器的各种薄膜淀积技术。然而，本发明并不限于此。坩埚加热装置和淀积装置提供了改善的温度再现性和温度准确性，以实现改善的薄膜淀积操作。
尽管显示和描述了本发明一些示例性实施例，本领域技术人员可以理解的是，在不脱离保护范围限定在权利要求书和其等同替代物中的本发明的原则和精神的情况下，可以改变这些实施例。

Claims (21)

1.一种坩埚加热装置，包括：
坩埚；
带，与所述坩埚的底部相连，具有用于接触所述坩埚的底部的接触部分；
热电偶，具有与所述带相连的第一端子；
壳体，用于容纳所述坩埚和所述带；和
加热器，设置在所述壳体内部，用于加热容纳于所述坩埚内的淀积材料。
2.如权利要求1所述的坩埚加热装置，其中，所述热电偶连接至位于所述壳体底部附近的所述带的一部分。
3.如权利要求1所述的坩埚加热装置，进一步包括与所述热电偶的第二端子相连的温度控制器。
4.如权利要求1所述的坩埚加热装置，其中，所述接触部分和所述带的其余部分由相同的材料形成。
5.如权利要求1所述的坩埚加热装置，其中，所述接触部分和所述带的其余部分由不锈钢形成。
6.如权利要求1所述的坩埚加热装置，其中，所述接触部分从所述带的上部弯曲。
7.如权利要求1所述的坩埚加热装置，其中，所述加热器环绕所述坩埚。
8.如权利要求1所述的坩埚加热装置，其中，所述热电偶与所述加热器绝缘。
9.如权利要求1-8任一项所述的坩埚加热装置，所述接触部分是柔韧的。
10.一种淀积装置，包括：
腔室；
图案掩膜，设置在所述腔室的上部；和
坩埚加热装置，包括：
坩埚，
带，与所述坩埚的底部相连，具有用于接触所述坩埚的底部的接触部分，
热电偶，具有与所述带相连的第一端子，
壳体，用于容纳所述坩埚和所述带，和
加热器，设置在所述壳体内部，用于加热容纳于所述坩埚内的淀积材料。
11.如权利要求10所述的淀积装置，其中，所述热电偶连接至位于所述壳体底部附近的所述带的一部分。
12.如权利要求10所述的淀积装置，进一步包括与所述热电偶的第二端子相连的温度控制器。
13.如权利要求10所述的淀积装置，其中，所述接触部分和所述带的其余部分由相同的材料形成。
14.如权利要求10所述的淀积装置，其中，所述接触部分和所述带的其余部分由不锈钢形成。
15.如权利要求10所述的淀积装置，其中，所述接触部分从所述带的上部弯曲。
16.如权利要求10所述的淀积装置，其中，所述加热器环绕所述坩埚。
17.如权利要求10所述的淀积装置，其中，所述热电偶与所述加热器绝缘。
18.一种用于加热坩埚的加热装置，包括:
主体；
带，与所述坩埚的底部相连，具有被弯曲用于接触所述坩埚的底部的接触部分；
热电偶，具有与所述带相连的第一端子；和
加热器，设置在所述主体内部，用于加热所述坩埚。
19.如权利要求18所述的加热装置，其中，所述接触部分为梯形、半圆形、三角形或者长方形。
20.如权利要求18所述的加热装置，其中，形成在所述带上的切口分割所述接触部分。
21.如权利要求18所述的加热装置，进一步包括与所述热电偶的第二端子相连的温度控制器。
CN2008102140203A 2007-08-23 2008-08-22 坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置 Expired - Fee Related CN101372736B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0084933 2007-08-23
KR1020070084933A KR100929035B1 (ko) 2007-08-23 2007-08-23 가열용기 및 이를 구비한 증착장치
KR1020070084933 2007-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101372736A true CN101372736A (zh) 2009-02-25
CN101372736B CN101372736B (zh) 2012-12-19

Family

ID=40380976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008102140203A Expired - Fee Related CN101372736B (zh) 2007-08-23 2008-08-22 坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8075693B2 (zh)
KR (1) KR100929035B1 (zh)
CN (1) CN101372736B (zh)
TW (1) TWI379451B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102168248A (zh) * 2010-02-26 2011-08-31 绿阳光电股份有限公司 蒸发源装置
CN108203805A (zh) * 2018-01-27 2018-06-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀设备及其磁性固定板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012109248A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Fluxana GmbH & Co. KG Herstellung von Analyseproben
TWI477625B (zh) * 2012-12-26 2015-03-21 Au Optronics Corp 蒸鍍裝置
KR102219435B1 (ko) * 2019-05-28 2021-02-24 경기대학교 산학협력단 노즐 및 노즐을 포함한 증착 장치
CN114583060A (zh) * 2020-12-01 2022-06-03 杭州纤纳光电科技有限公司 钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法与设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55122870A (en) 1979-03-12 1980-09-20 Fujitsu Ltd Vacuum vapor deposition method
US4377339A (en) 1981-08-03 1983-03-22 Gte Products Corporation Projection optical lithography apparatus
US4426569A (en) * 1982-07-13 1984-01-17 The Perkin-Elmer Corporation Temperature sensor assembly
US4553022A (en) * 1984-06-04 1985-11-12 The Perkin-Elmer Corporation Effusion cell assembly
JPS62160460A (ja) 1986-01-08 1987-07-16 Fuji Electric Co Ltd 真空蒸着用蒸発源
JPH0656577A (ja) 1992-08-07 1994-03-01 Fujitsu Ltd 分子線源セル
US5315091A (en) * 1993-03-02 1994-05-24 Leco Corporation Resistively heated sample preparation apparatus
JPH1059797A (ja) 1996-08-13 1998-03-03 Anelva Corp 蒸着装置の蒸着源
JP3817054B2 (ja) 1998-02-06 2006-08-30 株式会社アルバック 蒸着源用るつぼ、及び蒸着装置
KR100490537B1 (ko) 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2004353084A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP2005206914A (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Sony Corp 斜方蒸着装置及び蒸着基板の製造装置
JP2006111961A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Nippon Seiki Co Ltd 蒸着源装置
KR100592304B1 (ko) * 2004-11-05 2006-06-21 삼성에스디아이 주식회사 가열 용기와 이를 구비한 증착 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102168248A (zh) * 2010-02-26 2011-08-31 绿阳光电股份有限公司 蒸发源装置
CN108203805A (zh) * 2018-01-27 2018-06-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀设备及其磁性固定板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090020286A (ko) 2009-02-26
TWI379451B (en) 2012-12-11
TW200913346A (en) 2009-03-16
CN101372736B (zh) 2012-12-19
KR100929035B1 (ko) 2009-11-26
US20090050053A1 (en) 2009-02-26
US8075693B2 (en) 2011-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101372736B (zh) 坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置
US20180017447A1 (en) Emi/rf shielding of thermocouples
KR20150012514A (ko) 증착장치용 증착원
TWI394854B (zh) 具最小化凝結效應之汽相沈積源
WO2005067423A2 (en) Disposition source using pellets for making oleds
JP2004091926A (ja) 有機薄膜形成装置の加熱容器
KR101108152B1 (ko) 증착 소스
JP2007031829A (ja) 蒸発装置
KR20110082820A (ko) 유기전계발광 디스플레이 패널 제조용 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR100812504B1 (ko) 전도성 고경도 탄소박막의 제조 방법 및 박막 전계 발광소자용 전극으로의 응용
KR20140085092A (ko) 증발원 가열 장치
CN107779816A (zh) 沉积掩模组件
JP2008276998A (ja) 膜厚センサ、薄膜形成装置、有機ｅｌ表示装置の製造装置、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR101156430B1 (ko) 증착 소스 및 유기 발광 소자 제조 방법
TWI704244B (zh) 用於沈積已蒸發材料於一基板上的蒸發源、沈積設備、測量蒸發源之蒸汽壓力的方法、用以決定一已蒸發材料的一蒸發率的方法、及測量蒸汽壓力差的方法
KR100830237B1 (ko) 대면적 기판 처리 시스템의 서셉터 구조물
JP2014181387A (ja) 蒸発源及びその蒸発源を用いた真空蒸着装置
KR20120139387A (ko) 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR101010646B1 (ko) 히터블록
KR20140136650A (ko) 박막 증착 방법
WO2020244733A1 (en) Evaporator arrangement, deposition system, and evaporation method
KR101322865B1 (ko) 증발형 증착 장치 및 증착 방법
TWI823643B (zh) 石墨烯加熱晶片溫度的校準方法
KR20110016767A (ko) 줄 가열을 이용한 증착 장치 및 방법
KR20080074521A (ko) 유기소자의 증착공정을 위한 벨트소스 증착용 직렬형유기물 증발소스

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
PB01 Publication
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090116

Address after: Gyeonggi-do, South Korea

Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi-do, South Korea

Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090116

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20120929

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20120929

Address after: Gyeonggi-do, South Korea

Applicant after: Samsung Display Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi-do, South Korea

Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121219

Termination date: 20200822

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee