CN102934201A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种单张式基板处理装置，其在直接向基板表面供应处理液，对基板进行处理时，处理液或其蒸气不会向外部飞散，在外壳的顶面等不会附着处理液或蒸气。该基板处理装置具有：外壳1；保持基板3使其处理面3a面向外壳底部1b的保持装置4，所述基板3在该外壳1内对处理面的附着物进行除去处理；对于通过保持装置4保持的基板3的处理面3a供应处理液的供应装置；用于向上述外壳1内引入气体的引入口1a；以及由外壳排出从上述引入口1a引入的气体和外壳1内的处理液蒸气的排出口1c。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及对半导体用等基板表面形成的薄膜等附着物进行去除处理的基板处理装置。

背景技术

在半导体的制造工序中，为了在基板上形成电子电路，例如设置多种薄膜，但例如在作为薄膜的抗蚀剂等不需要时，必须将其除去。

作为该除去薄膜的装置，迄今已知有，在装入了能对薄膜形成物质起作用的处理液的槽内浸入多张基板进行处理的间歇式装置，和向每一张的基板表面供应处理液进行处理的单张式装置等。

在上述间歇式的装置中，由于如上，在填充了处理液的槽内浸入基板，并除去抗蚀剂等异物，因此从基板除去的异物会残留在处理液内。因而具有处理液由上述槽的上部溢出，溢出的处理液循环，且在该循环过程内过滤，返回至槽内的系统。因而，由于从槽上部溢出的处理液循环，故无法将全部处理液循环。因此即使在循环过程内过滤，也无法完全除去处理液内的异物，处理液内的上述抗蚀剂和异物会产生残留。

此外，在由基板除去的异物比处理液比重大的情况下，即使处理液循环，异物也会滞留在槽内。

因此，即使如上述进行循环，在间歇式的处理中，也存在槽内的异物再附着的问题。

此外，在间歇处理时，需要具有多个槽，且在这些槽内分别填充处理液，依次在各槽内浸渍基板。由此必须如上所述具有多个槽，还需要在各槽内搬送基板的搬送装置，因此存在设备费用增加的缺点。

为了消除上述间歇式装置的缺点，近年来单张式的处理装置引人注目。在该单张式的处理装置中，不在槽内浸渍基板，而是向一张一张的基板供应处理液，且每次都排出使用的处理液。因此，在单张式的处理装置中，处理后异物不会再次附着。此外，不搬送基板，仅仅更换供应处理液，可以除去种类不同的薄膜。

作为该装置，例如，专利文献1中所示的装置是目前已知的。

该装置使处理面向上，且被水平支持的基板旋转，并由该表面中央的上方供应处理液。向基板中央供应的处理液在流向外圆周的过程中能剥离薄膜，且该剥离的薄膜随处理液被排出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2005-051101号公报

发明内容

发明所解决的技术问题

在上述目前的单张式处理装置中，由于基板的处理面向上，由上方供应处理液，因此在该供应侧必须具有供应装置。因此，处理液的供应装置造成妨碍，很难覆盖基板的上方，因而在上述专利文献1记载的装置中，基板的上方是开放的状态。如果该基板的上方是开放的状态，则供应的处理液或蒸气会向该外壳外飞散。

然而，根据应当除去的薄膜的种类需要，处理液是各种各样的，大部分是强酸性或碱性的。因此如果处理液向外壳外飞散，则存在会附着在外壳外的各种机器或布线上，对其产生损害的问题。

因此，为了使处理液不会向外壳外飞散，迄今，考虑将向上的基板处理面侧包括基板上的供应装置用外壳覆盖。

然而，在该情况下，基板的处理面与外壳的顶面相对，因此向处理面供应的处理液会飞溅到处理面上，该飞溅的处理液会附着在外壳的顶面上。

此外，上述处理液蒸发，此时的蒸气会附着在外壳的顶面上。

由此，在上述顶面附着的处理液或蒸气如果保持原样，则其会落下，污染已处理完的基板，或新放置的基板，因此必须将这些附着的处理液完全除去。然而，为了将其从顶面除去，例如，必须经过用纯水洗净，完全干燥其的这样的工序。由此，必须经过洗净、干燥这样的工序，因此，此时存在需要花费洗净、干燥的时间的问题。

本发明的目的是提供一种在基板表面直接供应处理液，对基板进行处理时，处理液或其蒸气不飞散，在外壳的顶面等上不会附着处理液或蒸气等的单张式基板处理装置。

解决技术问题的方案

第1发明的特征在于，具有：外壳；在该外壳内使基板的处理面面向外壳底部保持基板的保持装置，所述基板对处理面的附着物进行除去处理；向通过保持装置保持的基板处理面供应处理液的供应装置，用于向上述外壳内引入气体的引入口，用于由外壳排出从上述引入口引入的气体和外壳内的处理液蒸气的排出口。

另外，所谓基板的处理面朝向底部，只要上述处理面朝向外壳的底部方向即可，上述处理面不是水平的也是可以的。

第2发明的特征是在上述外壳上，设置向排出口导入外壳内的处理液蒸气的引导部件。

第3发明的特征是上述引导部件形成其一部分与在上述保持部件保持的基板的周围相对向的结构，形成在它们相对向的部分之间维持空隙的结构。

第4发明的特征是，对于上述保持部件保持的基板，设置用于进出外壳的出入口，形成构成该出入口的结构体的一部分与保持部件保持的上述基板的周围相对向的结构，形成在它们相对向部分之间维持空隙的结构，且在上述引入口形成该空隙。

第5发明的特征是形成夹住上述基板，形成如下的结构：夹住上述基板，在与上述供应装置相反的一侧设置加热装置，加热与上述处理面相反一侧的基板背面。

第6发明是如权利要求5所述的基板处理装置，其中，上述加热装置使用红外线，且在使用红外线的上述加热装置与上述基板相对向之间的外壳面上设置红外线导入口。

另外，上述红外线导入口可以是开放的，也可以被能透过红外线的部件塞住。

第7发明的特征是保持装置具有旋转功能，形成被保持装置保持的基板旋转的结构。

第8发明的特征是具有向上述处理面供应处理液的供应装置，由与该供应装置相同方向供应洗净用的洗净液的洗净液供应装置。

发明的效果

根据第1～第8发明，由于向将处理面朝向外壳底部保持的基板处理面供应处理液，因此处理液不会向基板上方飞散。

此外，处理面朝向底部保持的基板能发挥对供应的处理液的遮蔽功能，因此处理液不会直接向基板的上方飞散。

此外，由于形成从引入口引入的气体和处理液蒸气向排出口排出的结构，因此不会发生蒸气上升或处理液飞散至外壳的上方，即，即使外壳的顶部是开口的，处理液或蒸气也不会向外壳外泄露。

此外，上述基板对处理液能发挥出遮蔽功能，处理液的蒸气能切实地由排出口排出，因此，即使基板的上方被上述顶部面塞住，在这些顶部面上也不会附着处理液或蒸气。

由此，在外壳的顶部面上不会附着处理液或蒸气，因此无需洗净顶面，此时，能提高处理效率。

在第2发明中，通过引导部件，将外壳内的处理液蒸气顺利地导入排出口。由此可以更好地防止处理液的蒸气上升至基板的上方。

根据第3发明，由与基板周围相对向的引导部件与基板之间引入气体，通过其流动，能更切实地向排气口导入在处理面附近产生的处理液的蒸气。

根据第4发明，由于形成用于使构成气体引入口的开口进出基板的出入口，因此基板的放置操作容易。然而，进出该基板的出入口基本被基板堵塞，与基板的缝隙形成气体的引入口，因此即使引入口仅具有进出基板的大小，处理液也不会从该开口飞散。

如上述，基板能堵塞出入口的开口，起到罩子的功能，因此尤其是无需罩子。因而，与需要罩子的情况相比，部件的件数较少，外壳的结构能较为简单。此外，在具有罩子时，其需要洗净和干燥，但在本发明中，无需洗净和干燥。

根据第5发明，通过夹住基板，在与处理液供应装置的相反侧设置加热装置，对基板的背面进行加热，因此加热装置不会被处理液污染，其加热能力也不会下降。

如上所述，由于加热装置的加热能力不会下降，因此，能够更有效地加热基板。如果有效地加热基板，则能够促进向处理面供应的处理液的化学反应，从而能够更有效的除去基板的处理面的附着物。

此外，如上所述，能更有效地加热基板，因此，也不会消耗多余的能量，可以实现能量的节约。

在第6发明中，加热装置使用红外线，因此能保证加热装置与基板不会接触，可以有效地加热。作为非接触的加热装置，除此之外，还可以考虑微波照射，微波照射设备成本较高，因此使用红外线的加热装置在成本上是更有利的。

尤其是如果红外线导入口是开放的，则在加热装置和基板的背面之间没有障碍物，因此能更有效地加热基板。

根据第7发明，由于能旋转基板，因此在向处理面供应处理液时，能向整个面上均匀地导入处理液。由于如上所述能在全部处理面均匀导入处理液，因此可以进行均匀的除去处理。

此外，由于可以通过基板旋转在整个面上均匀导入处理液，因此供应装置可以没有对处理面的分布功能，可以使供应装置的结构简单化。

此外，在对附着物进行除去处理后，只要在保持基板的状态下，提高保持装置的旋转速度，则处理面的处理液会向外周方向飞散，从而也能简单地使基板干燥。

此外，在用加热装置对基板进行加热的情况下，只要旋转基板，也能容易地均匀加热基板的整个面。

根据第8方面，可以在通过保持装置保持用处理液处理过的基板状态下，用洗净液洗净。尤其能从与处理液供应相同的方向供应洗净液，洗净基板，因此该洗净液在与处理液相同的方向上飞散。由此，因为洗净液能在与处理液相同的方向上飞散，因此附着处理液的外壳内壁可以与基板同时洗净。

附图说明

图1是表示本发明第1实施方式的概略结构图。

图2是表示本发明第2实施方式的概略结构图。

图3是表示本发明第3实施方式的概略结构图。

图4是表示本发明第4实施方式的概略结构图。

具体实施方式

图1是表示本发明第1实施方式的基板处理装置结构的图。

该基板处理装置是用于从半导体基板除去作为薄膜的抗蚀剂的单张式处理装置。

此外，在该第1实施方式中，作为用于除去抗蚀剂的处理液，假定使用SPM（硫酸过氧化氢溶液），所谓的SPM，是硫酸与过氧化氢溶液的混合液，这些硫酸与过氧化氢溶液反应，生成能溶解抗蚀剂的卡罗酸（Caro’s acid），通过加热该SPM，从而可以进一步促进卡罗酸的生成。

该处理装置的外壳1在上面具有圆形的开口1a。该开口1a为了使该处理装置处理的基板3能进出外壳1，需要具有必须的最小限定的尺寸。换句话说，开口1a的直径需要比基板3的直径稍大。

此外，在上述外壳1内，具有旋转台2，该旋转台2在一面具有保持基板3的多个夹持部件4。该多个夹持部件4按照沿旋转台2上的圆周保持间隔来设置，由其外圆周夹持圆形的基板3，相对于旋转台2保持规定的距离基本保持平行。

此外，在上述夹持部件4上夹持基板3时，形成抗蚀剂的处理面3a与旋转台2是相对向的。

即，通过上述多个夹持部件4与上述旋转台2，构成了本发明的保持装置，如上所述，该保持装置使基板3的处理面3a朝向作为外壳底部的底面1b，且使基板3保持在上述开口1a的附近。由此，可以尽可能形成开口1a的周围与基板3外圆周相对向部分之间的小间隔。

此外，作为上述夹持部件4，是在作为相反侧的旋转台2的附图下侧的面上，设置作为旋转台2的旋转轴的圆筒部件5，该圆筒部件5通过在外壳1的底面1b上设置的轴承支持，自由旋转。该圆筒部件5通过滑轮6和皮带7，与电动马达M相连。因此，通过驱动电动马达M，从而可以使圆筒部件5与上述旋转台2一起旋转。然而，在本发明中，只要能使旋转台2旋转，对旋转的结构就没有限定。

用于供应抗蚀剂剥离用的处理液SPM的处理液泵8和用于供应作为洗净液的纯水的送水泵9在如上述的作为旋转轴的圆筒部件5内通过。这些处理液泵8和送水泵9的顶端开口连通在上述旋转台2的中央部分形成的贯通孔2a，形成与上述夹持部件4夹持的基板3的处理面3a相对向的结构。

另外，上述处理液泵8和送水泵9分别用未图示的支持装置独自支持，即使旋转圆筒部件5和旋转台2，也不会使这些处理液泵8和送水泵9分别旋转。

此外，如上述支持的处理液泵8和送水泵9的顶端开口与夹持部件4夹持的基板3的处理面中心部分是相对向的。因此，由处理液泵8和送水泵9顶端开口放出的液体向处理面3a的中心部分供应。

此外，在该第1实施方式中，在处理液泵8，送水泵9的顶端不设置喷头，液体直接从这些泵放出，但是也可以在上述处理液8和送水泵9的顶端安装各种喷头。由此，在安装喷头时，由其放出的液体呈雾状，或线状，可以以各种水形状供应。

此外，上述处理液泵8与以供应处理液SPM的泵等为构成要素的送液装置10连接，通过该送液装置10和处理液泵8构成本发明的处理液供应装置。另外，用于供应SPM的上述送液装置10，在泵的下流侧具有使硫酸和过氧化氢溶液混和的混和装置。

此外，送水泵9与以供应纯水的泵等作为构成要素的送水装置11连接，通过该送水泵9和上述送水装置11，构成本发明的，由与处理液供应装置的相同方向供应洗净液的洗净液供应装置。

另一方面，在上述外壳1的底面1b形成排出口1c，该排出口1c与吸引装置12连接。通过该吸引装置12吸引外壳1内，从而在上述开口1a与基板3的外圆周之间吸入空气，形成气流，通过该气流，由排出口1c将外壳1内的处理液和蒸气向外壳1外排出。

即，在该第1实施方式中，上述开口1a构成了用于进出基板3的出入口，以及本发明的气体引入口。此外，在该第1实施方式中，作为上述开口1a周围的外壳1的内圆周边缘是构成本发明出入口结构体的一部分，与上述基板3的周围是相对向的。

另外，在该第1实施方式中，由上述排出口1c将在外壳1内飞散的SPM与蒸气一起排出。

此外，在上述开口1a的上方设置了作为本发明加热装置的红外线灯13，通过该红外线灯13对基板3的背面加热。即，在该第1实施方式中，上述开口1a还兼做本发明的红外线导入口。由此，红外线导入口是开放的，因此，在红外线灯13与基板3的背面之间没有障碍物，因此能更有效地加热基板3。

另外，该红外线灯13通过支持机构15支持，能从与开口1a对应的范围内退避。因此，在由上述开口1a进出基板3时，红外线灯13能够不形成妨碍。然而，如果使红外线灯13充分离开上述开口1a来设置，则即使在基板3进出时，红外线灯13也可以不从与开口1a对应的范围内退避。

此外，图中符号14是在红外线灯13的侧面设置的遮蔽板，使由红外线灯13发出的红外线不会由侧面泄露。由此，通过设置遮蔽板14，能放置对基板3以外无需加热的部件进行加热。

此外，在上述开口1a的上方设置供应纯水的送水泵16，通过由该送水泵16供应的纯水，对基板3的背面进行洗净。另外，该送水泵16可以在与开口1a对应的范围内退避，对基板3的放置不会产生妨碍。

以下，对使用SPM作为处理液，除去处理面3a的抗蚀剂的工序进行说明。

首先，红外线灯13和送水泵16从外壳1的开口1a上让开，在处理面3a与旋转台2相对向的状态下，由上述开口1a，在旋转台2上放置基板3。放置基板3后，可以驱动马达M，使旋转台2缓慢旋转。此外，操作上述吸引装置12，在外壳1内吸引，从上述开口1a吸入空气，形成向上述排出口1c排出的气流。

另外，这里是在旋转台3旋转后，操作吸引装置12，然而其顺序哪个先开始均是可以的。

在如上述使旋转台2缓慢旋转后，控制送液装置10，由处理液泵8供应SPM。

此外，由于处理液泵8的顶端与被夹持部件4夹持的基板3的中心部分是相对向的，因此由处理液泵8放出的SPM向处理面3a的中心部分供应。由此，向处理面3a的中心部分供应的SPM通过基板3的旋转，边向圆周方向扩散边向外圆周流动。

然后，在开口1a上移动上述红外线灯13，打开电源，将基板3加热至约130℃～300℃。

另外，在该第1实施方式中，在基板3的背面侧放置作为加热装置的上述红外线灯13，因此在处理面3a侧设置的处理液的供应装置不会影响红外线灯13接近基板3，且不会受到供应的SPM的影响，可以有效地加热基板3。

如果如上述，用红外线灯13将基板3加热至约130℃～300℃，则与处理面3a接触的SPM会被基板3的热加热，促进处理面3a的化学反应，能快速地对抗蚀剂进行除去处理。

此外，在该装置中，如上述地仅使外壳1的开口1a比基板3的直径稍大，因此在开口1a的附近放置的基板3可以仅在其外圆周与开口1a的相对向的部分之间，形成非常小的环状间隙，基本堵塞开口1a，起到罩子的功能。

由此，在基板3堵塞开口1a起到罩子功能的状态下，向朝向外壳底部的处理面3a供应作为处理液的SPM，因此向处理面3a供应的SPM不会由开口1a向外壳1外飞散。

此外，由与加热至高温的基板3的处理面接触的SPM产生蒸气，该蒸气通过由上述开口1a引入的空气的流动导向排出口1c，排出，因此蒸气也不会泄露。

由此，SPM或其蒸气不会向外壳外泄露，因此位于外壳1外的线路或其他机器也不会受到损害。

基板3能起到防止SPM或蒸气由外壳1流向外部的罩子的功能，因此没有基板3被外壳的顶面覆盖，或另外设置罩子的必要。

由此，因没有基板3被外壳的顶面覆盖或另外设置罩子的必要，因此洗净、干燥变得简单。例如，如果基板3被顶面覆盖或被罩子覆盖，则必须将这些顶面或罩子洗涤或干燥，在该实施方式中，无需这些洗净和干燥。

此外，在该第1实施方式的处理装置中，蒸气不会由开口1a排出，因此红外线灯13不会被蒸气等污浊。因此，红外线的能量不会浪费，可以利用于基板3的加热。

此外，在该第1实施方式的处理装置中，由于用红外线灯13对基板3进行加热，因此可以有效地对抗蚀剂进行除去处理。例如，为了提高基板上的SPM与抗蚀剂的反应性，因此目前预先使SPM达到高温后才供应，在该情况下，SPM与温度较低的基板接触，温度降低，无法充分进行SPM与抗蚀剂的反应。且SPM的热被基板吸收，为了使其温度不会降低，必须大量供应高温的SPM。然而，如该第1实施方式，如果加热基板3，则能防止SPM的温度降低，因此无需大量供应SPM，此时，可以节约SPM。

此外，上述第1实施方式的处理装置，由于具有使旋转台2旋转从而旋转基板3的功能，因此如果旋转基板3，向处理面3a的中心部分供应SPM，则供应的SPM可以在处理面3a上均匀地导向外圆周。尤其是在该第1实施方式中，基板3的处理面3a保持朝向外壳1的底部，因此向处理面3a上供应的SPM容易落下，如上述，由于旋转基板3，因此通过其离心力，可以防止SPM落下，且能均匀地导向基板3的外圆周。因此，可以对抗蚀剂进行均匀的除去处理。

此外，由于通过旋转基板3，SPM可以均匀地导向外圆周，因此供应装置可以不具有分散功能，能够使供应装置的结构变得简单。

换句话说，只要供应装置具有可以将处理液均匀供应至全部处理面的结构，则在处理工序中，无需旋转基板3的功能。此外，也可以具有处理液的分散功能，同时旋转基板3。

此外，通过旋转旋转台2和基板3，从而还具有即使来自红外线灯13的红外线的照射范围没有覆盖基板3的整个面，也可以均匀地加热基板3这样的优点。例如，这是由于即使上述红外线的照射范围是沿基板3的直径或半径的线状，也可以旋转基板3，向基板3的全部背面照射红外线。

此外，该第1实施方式的处理装置，由于可以设置纯水的供应装置，因此在通过SPM对抗蚀剂进行除去处理后，还可以对处理面3a进行水系。因此，以下对水洗工序进行说明。

在该水洗工序中，切断红外线灯13的电源，将红外线灯13由开口1a对应的范围推开，停止供应SPM。

然后，在外壳1的开口1a上放置送水泵16的放水口，在旋转台2旋转的状态下，通过未图示的送水装置，由送水泵16向基板3上供应纯水，洗净基板3的背面。

此外，在处理面3a一侧，也可以由送水装置11供应来自送水泵9的纯水，对基板3的处理面3a也进行水洗。

此时，由于旋转台2是旋转的，因此向基板3的两面供应的纯水边向外圆周扩散，边能流动洗涤基板3的两面。

在外壳1内，沿旋转的基板3导向外圆周方向的纯水冲击外壳1的内壁，将该内壁洗净。

尤其是在该第1实施方式中，与处理液供应相同的方向供应洗净液，将基板洗净，因此洗净液的扩散和分散方向与处理液是相同的，附着处理液的外壳1内壁可以与基板同时洗净。

在基板3的两面被纯水洗净后，停止送水，提高马达M的旋转速度。再以1000（rpm）～3000（rpm）左右旋转旋转台2，通过离心力将水分完全飞散，使基板3的两面干燥。由此，利用离心力使水分飞散，因此水洗后的基板3不会附着水迹，可以在短时间内干燥。

另外，如果在旋转台2与基板3处理面3a的相对向间隔较窄的状态下，提高旋转台的旋转速度时，则存在上述相对向间隔内形成负压的倾向。如果在形成负压时将其放置，则外壳内的异物会被吸入上述相对向间隔内，其恐怕会附着在处理面3a上。

为了防止该问题，该实施方式中，在提高旋转速度时，向上述相对向间隔内供应氮气，从而不会产生负压。

此外，在上述第1实施方式中，向外壳内插入基板3的开口1a兼具本发明的气体引入口和红外线导入口，这些开口也可以分开分别设置。然而，如果是兼做上述3个开口的结构，则具有外壳1结构简化的优点。

在上述第1实施方式中，红外线灯13和送水泵16可以从上述开口1a对应的范围退让，但是如果对基板3在外壳内出入时等行程不形成妨碍，则也可以在开口1a的附近将红外线灯13或送水泵16固定式设置。

图2是表示本发明第2实施方式的基板处理装置结构的图。

该基板处理装置也是从半导体基板除去抗蚀剂的单张式处理装置。另外，与上述第1实施方式相同的结构要素使用与图1相同的符号说明，与第1实施方式相同的结构如下所述。

在该第2实施方式中，也在外壳17内设置旋转台2，在该旋转台2上设置夹持装置4。此外，该夹持装置4保持基板3的处理面3a朝向外壳17的底面17d。

此外，处理液的供应装置由处理液泵8和送液装置10构成，洗净液供应装置由送水泵9和送水装置11构成。

而且，这些结构与上述第1实施方式是相同的。

如上所述，在具有与第1实施方式相同结构的第2实施方式中，外壳17的结构与第1实施方式存在很大不同。即，外壳17设置了能开关主体17a的罩部分17b，形成打开该罩部分17b，基板3能进出的结构。

此外，在上述旋转台2上放置基板3，关闭上述罩部分17b时，作为外壳17顶面的罩部分17b的内侧与基板3的背面相对向。

因此，在向基板3的处理面3a上供应处理液时，能体现出基板3对处理液遮蔽功能，因此处理液不会覆盖在顶面上。

此外，在上述罩部分17b的中央，形成引入空气用的引入口17c，在主体17a的底面17d上，形成排出空气用的排出口17e，在吸引装置12连接该排出口17e。

因此，如果通过上述吸引装置12吸引外壳17内，则能形成由上述引入口17c流向排出口17e的气流。

另外，在该第2实施方式中，在外壳17的上方，没有设置如第1实施方式的作为加热装置的红外线灯13。因此，在SPM的供应过程，另外设置预先对其加热的未图示的加热装置。

此外，在上述罩部分17b上，固定用于向基板3供应纯水的送水泵16，在该送水泵16上连接未图示的送水装置。因此，在罩部分17b关闭的状态下，如果由该送水泵16供应纯水，则能洗净在旋转台2上保持的基板3的背面。

然后，对通过该第2实施方式的装置从基板3的处理面3a除去抗蚀剂的工序进行说明。

首先，打开外壳17的罩部分17b，在处理面3a与旋转台2相对向的状态下，在旋转台2上放置基板3。

放置基板3后，关闭罩部分17b，驱动马达M，缓慢旋转旋转台2。此时，驱动上述吸引装置12，吸引外壳17内，形成由上述开口17c流向上述排出口17e的气流。

如上述缓慢旋转旋转台2，然后控制送液装置10，由处理液泵8供应预先加热的SPM。

首先，与上述第1实施方式相同，处理液泵8的顶端与夹持部件4夹持的基板3的中心部分相对向。因此，由处理液泵8放出的SPM向处理面3a的中心部分供应。由此，向处理面3a的中心部分供应的SPM通过基板3的旋转，边向圆周方向扩散边向外圆周流动，在该过程中除去抗蚀剂。

在上述工序中，SPM的处理结束后，停止送液装置10，控制送水装置11和未图示的送水装置，由送水泵9和16供应纯水，同时对基板3的两面进行水洗。

此时，由于旋转旋转台2，因此向基板3两面供应的纯水边向外圆周扩散边流动洗涤基板3的两面。

此外，在外壳17内，由送水泵9供应的纯水通过基板3的旋转导向外圆周方向，该纯水冲击外壳17的内壁，因此在基板3洗净的同时也能将外壳17的内壁洗净。

此后，停止送水，与上述第1实施方式相同，提高马达M的旋转速度，通过离心力使水分完全飞散，在基板3上不附着水迹，从而能在短时间内干燥。

另外，在旋转台2与基板3的处理面3a相对向间隔较窄的状态下，提高旋转台2的旋转速度，则存在上述相对向间隔内形成负压的倾向。如果在形成负压时将其放置，则外壳内的异物会被吸入上述相对向间隔内，其恐怕会附着在处理面3a上。

为了防止该问题，该实施方式中，在提高旋转速度时，向上述相对向间隔内供应氮气，从而不会产生负压。

该第2实施方式的装置也是基板3的背面与外壳17的顶面相对向，处理面3a朝向底部17d，因此向处理面3a供应的SPM不会直接附着在外壳17的顶面上。

此外，通过由在罩部分17b上形成的引入口17c引入的空气流动，从而能将SPM的蒸气导向在外壳17的底面17d上形成的排出口17e，因此蒸气不会附着在外壳17内的顶面上。

因此，无需打开外壳17的罩部分17b将在顶面上附着的SPM洗掉的工序，可以有效地处理基板3。

此外，在水洗基板3时，还可以同时洗净在外壳17内附着的SPM。

另外，在该第2实施方式中，虽然没有设置用于加热基板3的加热装置，但也可以在外壳17的上方设置作为加热装置的红外线灯等。在该情况下，需要在作为罩部分17b的与基板3与对应的区域，形成用于透过红外线的红外线导入口。可以打开红外线导入口，也可以被透过红外线的玻璃等覆盖。

在任一种情况下，由上述处理液8向处理面3a供应的SPM被基板3遮蔽，且蒸气由底面的排出口17e排出，因此SPM和蒸气不会由在罩部分17b上形成的红外线导入口飞出，或蒸气不会雾化。即，通过红外线导入口，能切实加热基板3的背面。

此外，在第2实施方式中，形成通过开关罩部分17b，使基板3进出的构成，在外壳17的顶面被完全堵塞下，基板3也可以由外壳17的侧面出入。在该情况下，气体引入口和排出口的关系也与第2实施方式相同。即，形成由基板3的处理面3a上方设置的气体引入口17c，使气流流向在处理面3a的下方设置的排出口17e来排出处理液的蒸气的结构。

即使如上述外壳的顶面被完全堵住，在该顶面上也不会附着处理液或蒸气，因此无需洗净顶面。因此，即使顶面被完全堵住，也没有任何问题。

另外，在上述第1、第2实施方式中，在外壳1，17的顶面上形成本发明的空气引入口1a、17c，在外壳1，17的底面1b，17d上形成排出口1c，17e，它们的位置并不限于上述实施方式的位置。

上述引入口1a，17c设置在与基板3的处理面3a相同的水平面上，或者设置比处理面3a更上的地方，只要维持排出口1c，17e设置在比上述引入口1a，17c下方的位置关系，则如上述实施方式，由上述处理面3a的外圆周上升的蒸气通过来自上方的气流，能确实推动流向下方，蒸气不会泄露至外壳1，17外。

此外，如果上述引入口与上述处理面在相同水平面，则处理面的水平面也包含在上述引入口1a、17c开口的范围内。

然而，如果在外壳内形成空气的流动，则引入口与排出口的位置并不仅限于上述第1、第2实施方式，引入口和排出口的上下关系也没有限制。

在图3中示出了在排出口17g下方设置空气引入口17f的第3实施方式的基板处理装置的结构。

该第3实施方式的基板处理装置也是从半导体基板除去抗蚀剂的单张式处理装置，气体的引入口和排出口的位置与上述第2实施方式不同，其他结构与第2实施方式相同。因此，与上述第2实施方式相同的结构使用与图2相同的符号，各要素的详细说明省略。

该第3实施方式的基板处理装置与第2实施方式相同，具有由主体17a和能开关的罩部分17b构成的外壳17，打开罩部分17b，形成基板3能够进出的结构。

然而，在该第3实施方式中，在罩部分17b中没有形成开口，在主体17a的侧面设置气体的引入口17f和排出口17g。此外，在基板的处理面3a下方设置上述引入口17f，且在该引入口17f的上方设置排出口17g。此外，将该排出口17g与吸引装置12相连，通过该上述吸引装置12，吸引外壳17内，在外壳17内形成流向排出口17g的气流。

上述的第3实施方式的基板处理装置与上述第2实施方式相同，也从基板3的处理面3a除去抗蚀剂。

即，在外壳17内，在处理面3a与旋转台2相对向的状态下，在旋转台2上放置基板3，由底面17d侧向处理面3a供应处理液，除去抗蚀剂。

在如上述除去抗蚀剂时，驱动上述吸引装置12，吸引外壳17内部。

因此，在该第3实施方式中，也由排出口17g排出作为处理液的SPM的蒸气，不会由外壳17向外部泄露。

另外，在该第3实施方式中，空气的引入口17f在基板3处理面3a的下方，且设置在排出口17g下方。因此，形成由引入口17f引入的空气直接流向排出口17g的气流，这样难以有效排出蒸气。然而，实际上，吸引装置12不会直接从引入口17f吸引空气，而是对外壳17内的全部气体产生吸引。尤其是通过旋转上述旋转台2或供应处理液，会使外壳17内的气流紊乱，因此基本不可能仅形成由引入口17f流向排出口17g的气流。因此，在该第3实施方式的基板处理装置中，外壳17内的处理液蒸气可以由排出口17g排出。

然而，如果在处理面的附近设置引入口，将排出口设置在其下方，则能更容易地形成将处理液的蒸气强烈导向排出口的气流。

此外，在上述旋转台2上放置基板3，关闭上述罩部分17b时，作为外壳17顶面的罩部分17b的内侧与基板3的背面相对向。

因此，在向基板3的处理面3a供应处理液时，能体现基板3对处理液的遮蔽功能，因此处理液不会附着在顶面上。因此，处理液也不会从外壳17的上方飞出，也无需打开外壳17的罩部分17b，将在顶面上附着的SPM洗掉的工序，因而能有效地处理基板3。

图4所示的第4实施方式在外壳1内设置了用于排出处理液的蒸气和气体的3个排出口1d、1e、1f，具有导向这些排出口1d、1e、1f的引导部件18a、18b、18c。

此外，在该第4实施方式中，可以改变保持基板3的旋转台2的上下位置。具体地说，通过未图示的驱动装置，在维持固定在旋转台2上的筒部件5、处理液泵8和送水泵9与跟随其的部件连接的状态下，将其上下移动。

其他结构与图1所示的第1实施方式相同，与第1实施方式相同的结构要素使用与图1相同的符号，各要素的详细说明省略。

上述引导部件18a、18b、18c是中央开口的锥状部件，在筒部件5的轴方向上，分别保持规定间隔地设置在外壳1的内壁。

此外，这些引导部件18a、18b、18c的底端侧，在上段的引导部件18a与中段的引导部件18b之间，设置排出口1d，在上述中段的导向部件18b与下段的引导部件18c之间设置排出口1e，在下段的引导部件18c的下方设置排出口1f。

此外，在各排出口连接吸引装置12a、12b、12c，可以排出包含在外壳1内的处理液的蒸气的气体。

即，上述引导部件18a和18b是将处理液的蒸气导向排出口1d的引导部件，引导部件18b和18c是将处理液的蒸气导向排出口1e的引导部件，引导部件18c是将蒸气导向排出口1f的引导部件。

例如，将基板3的周围调整为与作为上段的引导部件18a的一部分的顶端相对向，操作吸引装置12a之后开始处理，则向处理面3a供应的处理液的蒸气通过上述引导部件18a和18b导向排出口1d。

此外，只要基板3的周围与中段的引导部件18b的顶端相对向，操作吸引装置12b，则处理液的蒸气被导向排出口1e，只要基板3的周围与下段的引导部件18c的顶端相对向，操作吸引装置12c，则处理液的蒸气被导向排出口1f。

由此，可以通过基板3的位置来改变引导蒸气的排出口。因此，具有如下优点：只要根据处理液的种类改变基板3的位置，分别使用排出口，则在吸引装置12a、12b、12c侧，可以按种类分离回收处理液，可以顺利地进行废弃处理或再循环。

另外，所谓的上述基板3的周围与引导部件的顶端相对向，是指调整基板3的高度，使基板3的周围靠近引导部件的顶端，从而无需使基板3的高度位置与引导部件的顶端位置严格一致，基板3与引导部件的任一个上下多少都没有关系。然而，基板3的处理面3a位于导向气体的引导部件的顶端下方，更能切实排出处理液的蒸气等。此外，基板3的背面只要位于与引导部件顶端相同的高度位置，或位于引导部件的顶端下方位置，则在由背面侧供应洗净液等的情况下，该洗净液等也可以由排出口排出。

该第4实施方式的基板处理装置也与上述第1实施方式相同，可以从基板3的处理面3a除去抗蚀剂。

即，在外壳1内，在处理面3a与旋转台2相对向的状态下，在旋转台2上放置基板3，由底面1b侧向处理面3a供应处理液，除去抗蚀剂。

然而，在该第4实施方式中，先将基板3的周围与任一引导部件的顶端相对向，然后开始处理。此外，操作与引导部件对应的吸引装置。

例如，如图4所示，在上段的引导部件18a的顶端位置与基板3的周围相对向的情况下，仅操作吸引装置12a。此外，如果开始基板3的处理，则由在外壳1的顶部形成的开口1a吸入的空气通过引导部件18a导向排出口1d，形成用于排出处理液的气流。

因此，在该第4实施方式中，作为处理液的SPM的蒸气由排出口1d排出，不会由外壳1向外部泄露。

此外，在使用SPM以外的处理液的情况下，可以先将基板3的周围与其他引导部件，例如引导部件18b的顶端相对向，然后操作吸引装置12b。由此，处理液的蒸气可以与由上述开口1a吸入的空气一起通过引导部件18b导向排出口1e。在该情况下，处理液的蒸汽由排出口1e排出，不会由外壳1向外部泄露。

另外，在该第4实施方式中，设置了3个引导部件18a、18b、18c，和排出口1d，1e，1f，引导部件和排出口的数量也可以为几个。在处理液根据种类分离排出的情况下，需要适应处理液种类的排出口、向各排出口导出气体的引导部件。

此外，在无需分离处理液种类的情况下，只要设置引导部件，就可以将从引入口引入的空气导向排出口，形成能有效排出处理液蒸气的气流。

另外，在上述第4实施方式中，各引导部件18a、18b、18c的顶端是本发明的“与上述保持部件保持的基板周围相对向的引导部件的一部分”，上述一部分是与基板周围相对向的部分，取决于引导部件的形状，也不是必须是顶端的。

在上述第1～第4实施方式中，由引入口引入空气，只要在外壳内引入的气体不会对处理液或基板产生影响，就无需对其种类进行限定。

此外，由引入口向外壳内引入气体的装置除了是与排气口连接的吸引装置以外，还可以由引入口施加压力，向外壳内推入气体。

此外，在如上述第4实施方式，没有设置多个排出口的情况下，为了由上述引入口引入的气体可以有效地与外壳内的处理液蒸气一起有效地由排出口排出，也可以在在外壳内形成引导部件。

此外，在上述第1～第4实施方式中，在外壳1，17内，水平地保持基板3，但是只要处理面3a朝向外壳的底部侧，基板3不是水平的也可以。

另外，在上述例示说明了对在处理面3a上形成的抗蚀剂进行除去处理的装置，但是本发明的基板处理装置也可以用作对抗蚀剂以外的薄膜或其他附着物进行除去处理的装置。然而，需要根据除去处理的物质，选择处理液。例如，为了对氮化膜进行除去处理，可以使用磷酸，或者使用HPM（盐酸过氧化氢溶液）、APM（氨水过氧化氢溶液），处理面3a上的各种薄膜或颗粒等附着物可以与上述抗蚀剂的除去处理同样进行处理。

此外，为了供应多种处理液，只要自上述筒部件5内设置含处理液的处理液管，就可以在同一装置内进行多种处理。

任一种方式均无需再次对附着处理液蒸气的外壳的顶面或罩部件进行洗净的洗净工序。

此外，在上述实施方式中，作为加热基板的装置，可以使用红外线灯，但是只要能不附着处理液地，非接触地对基板进行加热，则加热装置就不限于红外线灯。例如，作为加热装置，还可以考虑微波照射。然而，微波照射的设备成本较高，因此使用红外线的加热装置在成本上是有利的。此外，在使用红外线的情况下，也并不限于灯，还可以使用红外线加热器。

工业上的可利用性

本发明除了半导体基板以外，还可以对液晶玻璃基板、等离子显示器基板等的薄膜进行除去处理。

符号说明

1   外壳

1a  开口

1b  底面

1c  排出口

1d  排出口

1e  排出口

1f  排出口

2   旋转台

3   基板

3a  处理面

4   夹持部件

8   处理液管

9   送水泵

10  送液装置

11  送水装置

12  吸引装置

12a 吸引装置

12b 吸引装置

12c 吸引装置

13  红外线灯

17  外壳

17c 引入口

17d 底面

17e 排出口

18a 引导部件

18b 引导部件

18c 引导部件

Claims (8)

1.一种基板处理装置，具有：外壳；使基板的处理面面向外壳底部保持基板的保持装置，所述基板在该外壳内对处理面的附着物进行除去处理；对通过保持装置保持的基板的处理面供应处理液的供应装置；用于向上述外壳内引入气体的引入口；以及，用于由外壳排出从上述引入口引入的气体和外壳内的处理液蒸气的排出口。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，在上述外壳上设置将外壳内的处理液蒸气导向排出口的引导部件。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，上述引导部件形成其一部分与上述保持部件保持的基板周围相对向的结构，形成在它们相对向部分之间维持空隙的结构。

4.如权利要求1～3任一项所述的基板处理装置，其中，对于上述保持部件保持的基板，设置用于使其进出外壳的出入口，形成构成该出入口的结构体的一部分与保持部件保持的上述基板的周围相对向的结构，形成在它们相对向的部分之间维持空隙的结构，且在上述引入口形成该空隙。

5.如权利要求1～4任一项所述的基板处理装置，其中，形成如下结构：夹住上述基板，在与上述供应装置相反的一侧设置加热装置，加热与上述处理面相反一侧的基板背面。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，上述加热装置使用红外线，且在使用红外线的上述加热装置与上述基板相对向间的外壳面上设置红外线导入口。

7.如权利要求1～6任一项所述的基板处理装置，其中，保持装置具有旋转功能，使被保持装置保持的基板旋转。

8.如权利要求1～7任一项所述的基板处理装置，其中，具有对上述处理面供应处理液的供应装置，以及由与该供应装置相同方向供应洗净用的洗净液的洗净液供应装置。

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