CN102893466A - 边缘发射的半导体激光器 - Google Patents

边缘发射的半导体激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN102893466A
CN102893466A CN2011800240495A CN201180024049A CN102893466A CN 102893466 A CN102893466 A CN 102893466A CN 2011800240495 A CN2011800240495 A CN 2011800240495A CN 201180024049 A CN201180024049 A CN 201180024049A CN 102893466 A CN102893466 A CN 102893466A
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact site
semiconductor laser
emission
semiconductor body
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800240495A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102893466B (zh
Inventor
哈拉尔德·柯尼希
乌韦·施特劳斯
沃尔夫冈·雷耶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN102893466A publication Critical patent/CN102893466A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102893466B publication Critical patent/CN102893466B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282—Passivation layers or treatments
    • H01S5/0283—Optically inactive coating on the facet, e.g. half-wave coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2036—Broad area lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明提出一种边缘发射的半导体激光器（1001），其具有：半导体本体（1），所述半导体本体包括适合于产生电磁辐射的有源区（5）；在所述有源区（5）上的至少两个小面（7），所述小面形成谐振器（55）；至少两个在侧向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在半导体本体（1）的外面（11）上。

Description

边缘发射的半导体激光器
技术领域
本发明提出一种边缘发射的半导体激光器以及一种用于制造边缘发射的半导体激光器的方法。
本申请要求德国专利申请102010020625.3的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
发明内容
待实现的目的在于，提出一种边缘发射的半导体激光器，其光学输出功率是可调节的。另一待实现的目的在于，提出一种用于制造边缘发射的半导体激光器的有效的和简单的方法。
根据边缘发射的半导体激光器的至少一个实施形式，所述边缘发射的半导体激光器包括半导体本体，所述半导体本体包括至少一个适合于产生电磁辐射的有源区。例如，半导体本体借助于衬底形成，半导体层序列外延地生长到所述衬底上。半导体本体也能够包括多个有源区，所述有源区在竖直方向上相叠地设置。“竖直方向”在本文中表示竖直于外延生长的半导体层序列的方向。因此，有源区“层叠状”相叠地设置，并且因此能够构成“堆叠的”激光器结构。
有源区能够为发射从紫外光到红外光范围内的辐射的层。优选地，有源区包括pn结、双异质结构、单量子阱结构（SQW，single quantumwell）或多重量子阱结构（MQW，multi quantum well）以用于产生辐射。在此，名称量子阱结构在量子化维度方面不表示任何意义。因此，所述量子阱结构还包括量子阱、量子线和量子点和所述结构的任意组合。
根据边缘发射的半导体激光器的至少一个实施形式，所述边缘发射的半导体激光器在有源区处具有形成谐振器的至少两个小面。小面在此能够理解为平坦的边界面。“平坦的”在此表示，小面的尤其是在有源区和波导部的区域中的表面粗糙度明显小于待由边缘发射的半导体激光器在其工作时产生的光的波长，优选小于该波长的一半，尤其优选小于该波长的四分之一。至少两个小面在竖直方向上延伸，并且因此在侧向方向上，即在半导体激光器的发射方向上对有源区限界。换言之，有源区在侧向方向上设置在至少两个小面之间。小面形成边缘发射的半导体激光器的半导体本体的侧面。“侧向方向”在此表示：平行于外延生长的半导体层序列的方向。优选地，边缘发射的半导体激光器的两个小面位于半导体本体的彼此相对置的侧上。如果半导体激光器例如由空气或具有比有源区的折射率更低的光学折射率的另一材料所包围，那么在小面/空气边界面上部分地反射由有源区产生的电磁辐射。如果现在两个小面位于半导体本体的彼此相对置的侧上，那么两个小面形成光学谐振器。优选地，侧向方向平行于谐振器的通过小面构成的谐振器轴线延伸。因此，将由有源区产生的电磁辐射的一部分经由至少一个小面从半导体激光器中耦合输出。
根据边缘发射的半导体激光器的至少一个实施形式，所述半导体激光器包括至少两个在侧向方向上彼此通过至少一个中间区域隔开的接触部位，所述接触部位安装在半导体本体的外面上。优选地，接触部位设置在半导体本体的相同侧上。在边缘发射的半导体激光器的俯视图中，中间区域通过两个分别在侧向方向上彼此邻接的接触部位和例如半导体本体的朝向接触部位的外面来限界。换言之，接触部位分别通过中间区域彼此分离。因此，在边缘发射的半导体激光器的小面之间且在侧向方向上存在有在侧向方向上彼此分离的中间区域。例如，在外面上设置有两个、四个、八个或更多的接触部位。换言之，在侧向方向上的接触部位的数量确定谐振器的谐振器长度。
接触部位用于半导体激光器的电接触，并且在外部电接触的情况下优选构成相同电势的电接触部。例如，接触部位是边缘发射的半导体激光器的正极。为了电接触，接触部位能够直接与半导体本体接触。例如，中间区域构成为不导电的或不可电接触的。
优选地，中间区域和接触部位在谐振器的整个长度上交替，以至于也在谐振器的中部，在接触部位和中间区域中实现激光器的连接区域的结构化。
例如，在半导体激光器的俯视图中，接触部位分别具有相同的几何基本形状。能够考虑的是，接触部位成形为矩形、正方形、卵形、圆形或椭圆形。在此，接触部位的棱边能够具有其他的、更小的结构。根据边缘发射的半导体激光器的至少一个实施形式，半导体激光器具有半导体本体，其中半导体本体包括至少一个适合于产生电磁辐射的有源区。此外，半导体激光器在有源区处具有至少两个小面，所述小面形成谐振器。至少两个在侧向方向上通过至少一个中间区域彼此隔开的接触部位安装在半导体本体的外面上。
此外，在此描述的边缘发射的半导体激光器在此基于下述知识，通过半导体激光器的接触部位的布置和外部特性能够确定输出功率。如果例如边缘发射的半导体激光器经由唯一的、在侧向方向上贯通的且连续的接触部位电接触，那么这具有下述缺点，在这种接触部位和半导体激光器的半导体本体之间构成的接触面仅能够完全地被电接触，也就是说在这样的接触面的整个伸展上电接触。如果这样的接触部位贯通地在构成半导体激光器的谐振器的两个小面之间延伸，那么能够通过这种接触部位，与接触面的大小和结构无关地单独对半导体激光器的有源区通电。因此，经由唯一的电接触部位仅例如能够以绝对的通电强度或电压大小来调节边缘发射的半导体激光器的光学输出功率。
现在，为了能够单独地调节和匹配半导体激光器的设备和光学输出功率，在此描述的半导体激光器利用下述思想，将至少两个在侧向方向上通过至少一个中间区域彼此隔开的接触部位安装在半导体本体的外面上。现在能够根据单独的需求，从外部电接触一个、多个或全部在侧向方向上彼此隔开设置的接触部位。因此，根据电接触的接触部位的数量或布置，能够单独地对有源区进行通电，由此同样地，光学输出功率能够与关于接触面的大小和/或伸展的相应需求相匹配。
根据至少一个实施形式，对接触部位能够彼此独立地进行接触和/或通电。有利地，不仅能够对预设数量的接触部位进行通电和接触，也还能够由于独立的可通电性而对接触部位的每一个以不同的电流强度进行通电。就此而言，能够在半导体本体中叠加的不同电流强度可以与不同的接触样式组合。
根据至少一个实施形式，边缘发射的半导体激光器具有多个设置成矩阵状的接触部位，所述接触部位安装在半导体本体的外面上，并且不仅在侧向方向上而且也在横向于侧向方向延伸的横向方向上分别通过中间区域彼此隔开地设置。
“矩阵状”在本文中表示：多个接触部位优选以行和列的形式安装在半导体本体的外面上。在此，接触部位不必强制地以有规律的网格形式施加在半导体本体的外面上。
不仅侧向方向，而且横向于侧向方向延伸的横向方向也位于共同的平面中，所述平面平行于外延生长的半导体层序列延伸。同样地，如在侧向方向上将接触部位彼此隔开的中间区域是下述中间区域：所述中间区域在横向方向上将接触部位彼此隔开，在半导体本体的外面的俯视图中，其例如通过两个分别在横向方向上彼此邻接的接触部位的侧面和半导体本体的朝向外面的接触部位来限界。例如，接触部位设置成2×2、4×4、8×8或更大的矩阵。换言之，接触部位在横向方向上的数量确定半导体本体的宽度，进而确定有源区的宽度。因此，在横向方向上设置的接触部位的数量能够确定或调整发射面积，进而同样确定或调整光学输出功率。在本文中能够考虑的是，不仅在侧向方向上而且也在横向方向上，仅每隔一个接触部位是电接触的。同样地，可以根据需要改变的任意其他的接触样式也是能够考虑的。
根据至少一个实施形式，在横向方向上相邻的接触部位之间的区域中，将至少一个结构化沟槽引入半导体本体中，其中在结构化沟槽的区域中至少局部完全地移除半导体本体的部分，并且结构化沟槽在竖直方向上不伸至有源区。
例如，结构化沟槽在两个小面之间贯通地并且连续地在侧向方向上延伸。换言之，那么，结构化沟槽构成连续的区域。特别地，至少一个结构化沟槽具有与结构化沟槽的开口相对置的底面以及两个侧面，所述侧面通过底面彼此连接。因此，侧面和底面完全通过半导体层序列形成。因此，结构化沟槽例如为在半导体层序列中的凹部。优选地，接触元件在横向方向上在两侧分别与一个或多个结构化凹槽相邻。换言之，因此侧向地设置的接触元件和两个结构化沟槽能够彼此平行地延伸。因此，通过在横向方向上在两侧设置在接触元件旁的结构化沟槽构成宽条形激光器或脊形激光器（ridge laser）。因此，脊宽度，即半导体本体在横向方向上直接在接触元件下方的伸展是半导体激光器的相应的脊宽度。
因为结构化沟槽在竖直方向上不伸至有源区，所以结构化沟槽不中断有源区，而是仅仅将半导体本体的位于接触面和有源区之间的半导体材料进行结构化。
根据至少一个实施形式，边缘发射的半导体激光器包括至少一个另外的沟槽，所述沟槽设置在至少两个分别具有多个、在横向方向上相邻的接触部位的区块之间。此外，沟槽优选具有最少30μm的厚度。
根据至少一个实施形式，在从外部对至少两个在侧向方向上相邻的接触部位进行通电的情况下，至少以0.3倍于有源区的最大通电密度jmax对有源区的在竖直方向上不与接触部位重叠的区域进行通电。优选地，在不重叠的区域之内的通电密度位于有源区的激光器激发阈值（也就是门限阈值）之上。有源区的在竖直方向上不与接触部位重叠的区域的这种最小通电密度确保：有源区在侧向方向上既不具有通电间隙，也不具有例如沿着有源区的断续的通电密度差。换言之，在侧向方向上隔开的接触部位确实允许对通电分布进行调节，然而，所述通电分布优选持续地，也就是说没有梯级或中断地在侧向方向上延伸。
根据至少一个实施形式，两个在侧向方向上相邻的接触部位的间距最高为接触部位的最大侧向伸展。在本文中，“最大侧向伸展”表示接触部位的在侧向方向上的最大伸展。通过接触部位的这样选择的最大间距能够使得接触部位的足够用于对有源区进行通电的接触面可供用于对有源区进行通电。
根据至少一个实施形式，接触部位在侧向方向上以彼此间相同的和/或有均匀的间隔设置在半导体本体的外面上。这能够表示，中间区域在半导体本体的整个侧向伸展上的间距是恒定的。
根据至少一个实施形式，接触部位以在侧向方向上周期变化的间距设置在半导体本体的外面上。例如，两个不同大小的间距在侧向方向上相互交替。
根据至少一个实施形式，接触部位的最大侧向伸展是恒定的。如果接触部位是矩形的，那么接触部位的至少一个平行于侧向方向延伸的棱边长度在接触部位的每一个中是相同的。此外，接触部位在其他几何尺寸或全部几何尺寸方面分别能够是相同的。例如，全部接触部位在俯视图中能够具有相同的面积。
根据边缘发射的半导体激光器的至少一个实施形式，在竖直方向上且在接触部位和半导体本体之间至少局部地设置有欧姆接触层。欧姆接触层用于将接触部位与半导体本体电接触。优选地，欧姆接触层用金属材料形成。例如，将欧姆接触层施加到半导体本体的外面上。因此，通过欧姆接触层构成的电阻器实现接触部位与半导体本体的电接触。
根据至少一个实施形式，在接触部位的每一个中的最大的竖直伸展在侧向方向上是恒定的。在本文中，“最大竖直伸展”表示接触部位在竖直方向上的最大伸展。因此，能够考虑的是，接触部位在全部几何尺寸方面是彼此相同的。例如，接触部位成形为方形或立方形。
根据至少一个实施形式，欧姆接触层包含下述材料中的至少一种：Ti、Cr、Pt、Pd。所述材料对于在接触部位和半导体本体之间构成电阻器或者欧姆接触层而言被证实为是尤其有利的。
根据至少一个实施形式，将浸润层至少局部地施加到欧姆接触层上。例如，将浸润层施加到整个欧姆接触层上。此外，也能够将浸润层直接施加到半导体本体的半导体材料上，例如施加在中间区域的区域中。因此，在所述部位上，例如在浸润层和半导体本体之间不存在欧姆接触层。浸润层能够用银和/或金形成。同样能够考虑的是，浸润层用其他金属材料和/或导电材料形成。有利地，浸润层实现与焊剂材料的浸润，以至于借助于焊剂材料能够将接触部位机械固定地焊接到浸润层上。
根据至少一个实施形式，浸润层的厚度最大为接触部位的最大竖直伸展的四分之一、优选最大为其十分之一。
欧姆接触层和浸润层的厚度总和优选最大为1μm，例如500nm。
根据至少一个实施形式，在至少一个小面上至少局部地施加至少一个钝化层，所述钝化层包含下述材料中的至少一种：二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铝、硅。也就是说，钝化层与小面直接接触。例如，将钝化层施加到半导体本体的小面上，所述钝化层完全由上述材料中的一种制成。此外可能的是，半导体本体的小面交替地施加有由上述材料制成的不同的层。优选地，将一个或多个所述钝化层施加到有源区的所有暴露的部位上。同样能够考虑的是，钝化层同样施加到半导体本体的其他暴露的部位上，例如施加在欧姆接触层的暴露的部位和结构化沟槽的区域中。
此外，提出一种用于制造边缘发射的半导体激光器的方法。例如，能够借助于该方法制造如结合一个或多个上述实施形式所描述的边缘发射的半导体激光器。这就是说，针对在此描述的半导体激光器所列举的特征也针对在此描述的方法公开，并且反之亦然。
在用于制造边缘发射的半导体激光器的第一步骤中提供半导体本体，其中半导体本体包括至少一个适合于产生电磁辐射的有源区。
在另一步骤中，将多个设置成矩阵状的接触部位施加到半导体本体的外面上，其中接触部位不仅在侧向方向上，而且也在横向于侧向方向延伸的横向方向上通过中间区域彼此隔开地设置。
在又一步骤中，通过沿着在横向方向上延伸的分割线将半导体本体切割成各个边缘发射的半导体激光器产生在有源区上的至少两个小面，其中分割线没有延伸经过中间区域的每一个。也就是说，在侧向方向上存在至少一个下述中间区域：分割线没有延伸经过所述中间区域，进而没有在半导体本体的在竖直方向上与该中间区域重叠的部位处切割半导体本体。
优选地，至少两个小面借助于刻刮或折断产生。优选地，机械地或借助于聚焦的激光束来进行刻刮。在刻刮时，例如在竖直方向上将断裂核（Bruchkeime）置入半导体材料中。通过接下来的折断过程，将半导体材料折断成例如激光棒的形式的各个半导体激光器，并且因此在半导体激光器的侧面上产生折断面。因此，折断面构成小面。替选地，至少两个小面能够通过湿法化学的或干化学的刻蚀工艺产生。如果例如通过锯割产生小面，那么接下来能够借助于抛光或打磨来平整所述小面。优选地，形成至少两个小面，所述小面构成半导体本体的彼此相对置的且优选彼此平面平行地设置的侧面，使得光学有源区与小面一起构成谐振器。
如果边缘发射的半导体激光器例如通过切割接触部位来制造，那么这然而具有下述缺点：接触部位的金属材料由于穿过这种接触部位的分割而例如能够导致在小面上的金属凸出部，进而小面例如能够在其表面性质方面变差。就此而言，在小面上通过分割贯通的接触部位引起的损伤能够损害边缘发射的半导体激光器的光学输出功率和/或使用寿命。
这种边沿侧的损伤能够通过将接触部位在侧向方向上由后续的小面“向后拉”来避免。由此，尽管在所述部位上没有穿过接触部位而是仅穿过半导体本体切割，然而已经在切割之前，通过相应接触部位的侧向伸展确定半导体本体的侧向伸展。
现在，为了说明一种方法，其中一方面在切割期间没有由于接触部位的金属凸出部而例如在半导体本体的小面上出现损伤，并且同时，在切割之前还未通过接触部位的伸展来确定半导体激光器的侧向伸展，在此描述的方法还能够利用下述思想：在半导体本体的外面上设置多个设置成矩阵状的接触部位，其中接触部位不仅在侧向方向上，而且也在横向于侧向方向延伸的横向方向上通过中间区域隔开地设置。在下一步骤中，通过沿着分割线将半导体本体切割成各个边缘发射的半导体激光器而在有源区处产生至少两个小面，其中分割线不延伸经过整个中间区域。换言之，能够根据需要沿着分割线切割半导体本体，其中至少一个由所述方法制造的半导体激光器包括至少两个接触部位。因此有利的是，在此提出的方法不仅尤其节约材料，而是也单独地匹配于使用者的需求。因此，在由所述方法制造的、边缘发射的半导体激光器中，例如能够调节谐振器长度，所述谐振器长度平行于侧向方向延伸。
根据所述方法的至少一个实施形式，分割线延伸经过每第n个中间区域，其中n>1。如果例如n=2，那么能够考虑的是，产生边缘发射的半导体激光器，其中接触部位在侧向方向上成对地设置。
根据所述方法的至少一个实施形式，在将接触部位安装到半导体本体的外面上前，在半导体本体的外面上，在至少一个中间区域的区域中将至少一个导出结构引入半导体本体中。例如，导出结构是在半导体本体中的凹部。有利地，例如在将接触部位焊接到半导体本体的外面上期间，能够通过导出结构将由于焊接产生的气泡或多余的焊剂材料从接触部位和外面之间的浸润面中导出或排出。
根据至少一个实施形式，接触部位具有在侧向方向上至少15μm的间距。这种间距范围实现例如借助于机械锯割或借助于聚焦的激光束来进行切割。换言之，通过这种间距能够调节接触部位之间的锯痕宽度。
根据至少一个实施形式，在切割之前，在半导体本体的外面上且在横向方向上相邻的接触部位之间引入至少一个沟槽，其中在沟槽的区域中将半导体本体的部分至少局部地完全移除，并且沟槽将有源区在横向方向上进行划分。例如，沟槽贯通地并且连续地在侧向方向上延伸。优选地，沟槽分别具有至少30μm的宽度。因此换言之，沟槽构成连续的区域。特别地，至少一个沟槽具有两个侧面以及与沟槽的开口相对置的底面，所述侧面通过底面彼此连接。因此，侧面和底面完全由半导体本体构成。因此，所述沟槽能够是半导体本体中的凹部。优选地，沟槽不间断地并且连续地在侧向方向上延伸。例如，沟槽确定在横向方向上的边缘发射的半导体激光器的后续的伸展，即边缘发射的半导体激光器的激光条宽度。换言之，沟槽能够用作用于后续切割的标记。例如，沟槽借助于铣削或干化学或湿法化学的刻蚀方法被引入半导体本体中。
根据至少一个实施形式，在切割之前，在半导体本体的暴露的部位上至少局部地施加至少一个钝化层，所述钝化层包含下述材料中的至少一种：二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铝和/或硅。例如，将钝化层施加到半导体本体在沟槽的区域中的暴露的部位上。同样地，能够将钝化层完全地施加到半导体本体的和/或欧姆接触层的所有暴露的部位上。
根据至少一个实施形式，将半导体本体沿着至少一个沟槽切割成各个边缘发射的半导体激光器。有利地，除了已经提到的标记功能之外，沟槽也同样实现简化的切割，因为在沟槽的区域中，半导体本体的竖直的伸展更薄，并且由于沟槽的竖直的伸展而不必穿过有源区来进行切割。由此，在有源区上避免由于切割半导体本体引起的机械的和/或热的损伤。
根据至少一个实施形式，至少局部地将至少一个钝化层施加到在切割半导体本体之后暴露的折断面上，例如半导体激光器的小面上。
附图说明
接下来，根据实施例和所属的附图，详细阐明在此描述的边缘发射的半导体激光器以及在此描述的方法。
图1A至1C示出在此描述的边缘发射的半导体激光器的实施例的示意俯视图和侧视图。
图1D示出在此描述的边缘发射的半导体激光器的实施例之内的电流密度分布的示意图。
图2A至2E示出用于制造在此描述的边缘发射的半导体激光器的实施例的各个制造步骤的不同的视图。
在实施例和附图中，相同的或起同作用的组成部分分别设有相同的附图标记。所示出的元件不能够视为是按照比例的，相反地，为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
具体实施方式
在图1A中，借助在侧向方向100上的示意侧视图示出在此描述的具有半导体本体1的边缘发射的半导体激光器1001。半导体本体1包括有源区5。
在外面11上设置有2×2矩阵形式的四个接触部位2。接触部位2在侧向方向100上通过中间区域22以35μm的侧向间距222彼此隔开地设置。此外，接触元件2在横向于侧向方向100延伸的横向方向101上通过中间区域23分离。边缘发射的半导体激光器1001能够通过接触元件2和通过施加到半导体本体1的背离接触元件2的表面上的另一电接触部90电接触。例如，接触元件2形成正极并且另一电接触部90形成负极。在电接触的情况下，有源区5发射从紫外光至红外光的范围内的电磁辐射。
此外，边缘发射的半导体激光器100具有两个小面7，所述两个小面在侧向方向100上相对置，并且在有源区5的区域中构成激光谐振器55，其中经由小面7中的一个将电磁辐射从边缘发射的半导体激光器1001中耦合输出。
将贯通地和连续地在侧向方向100上延伸的结构化沟槽6引入在横向方向101上相邻的接触部位2之间，所述结构化沟槽的侧面61和底面62完全地通过半导体本体1形成。借助于结构化沟槽6在边缘发射的半导体激光器1001中形成脊部R1和R2。换言之，边缘发射的半导体激光器1001为脊形激光器或宽条形激光器。
在横向方向101上，将阶梯31和32引入半导体本体1中，所述阶梯在竖直方向V上中断有源区5。阶梯31和32在侧向方向100上贯通地和连续地延伸，并且因此在横向方向101上对有源区5限界。将至少一个钝化层13完全地施加到阶梯31和32的暴露的部位上。
欧姆接触层4施加到脊部R1和R2的区域中的外面11上。当前，欧姆接触层4包含TiPt或CrPt。此外，将以金形成的浸润层12施加到欧姆接触层4的在竖直方向V上与接触部位2重叠的区域上。有利地，浸润层12实现充分的焊剂浸润，以至于能够机械固定地并且可良好电接触地安装接触部位2。
在图1B中示出图1A的半导体激光器1001的示意俯视图。还能够看出在侧向方向100上相对置的小面7，所述小面共同形成激光谐振器55。此外，将钝化层13完全地施加到在小面7上，所述钝化层用下述材料中的至少一种制成：二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铝和/或硅。
在图1C中，借助在横向方向101上的示意侧视图示出边缘发射的半导体激光器1001。其中示出电流密度指引线
Figure BDA00002402772700111
电流在半导体本体1内沿着所述电流密度被引导。能够看出的是，有源区5的在竖直方向V上不与接触部位2重叠的区域51被更少量地通电。在有源区5的区域51中的通电强度例如与设置在有源区5和接触部位2之间的半导体材料的横向电导率相关。当前，接触部位2设置成，使得在有源区5的区域51中的通电密度j至少为有源区5的最大通电密度jmax的0.5倍。另一电接触部90在图1C中示为贯通的和连续的层。同样能够考虑的是，另一电接触部90在竖直方向V上与接触部位2重叠。因此，另一电接触部90能够与接触部位2相同地构成，并且借助于各个、分别相邻的接触元件来形成。
图1D示出在半导体本体1之内沿着边缘发射的半导体激光器1001的侧向方向100的电流密度分布的示意图。能够看出的是，在竖直方向V上，直接在接触元件2的下方用最大的通电密度jmax对有源区5通电。在有源区5的区域51之内且在侧向方向100上，通电密度j具有平台形的最小值jmin，所述最小值为有源区5的最大通电密度jmax的一半。换言之，最好对有源区5的在竖直方向V上直接位于接触元件2下方的区域通电。
结合图2A至2E，借助示意图详细阐明用于制造边缘发射的半导体激光器1001的在此描述的方法。
图2A示出由半导体本体1以及施加到外面11上的设置成矩阵状的接触部位2所组成的复合体1000的示意俯视图。当前，将接触部位2设置成网格形，其中所述接触部位2中的每个在侧向方向100上通过中间区域22并且在横向方向101上通过中间区域23彼此隔开地设置。在接触部位2和半导体本体1之间的竖直方向V上设置有欧姆接触层4，所述欧姆接触层通过在横向方向101上分别通过中间区域23彼此分离的各个单独条带41形成，所述单独条带分别在侧向方向100上贯通地和连续地延伸。换言之，在竖直方向V上，接触部位2与欧姆接触层4局部地全等。由欧姆接触层4的厚度连同浸润层12的厚度一起形成的总厚度D当前最高为接触部位2的最大竖直伸展21的一半。
此外，在图2A中示出两条分割线102和103。分割线102在横向方向101上贯通地延伸经过中间区域22。分割线103在沟槽3之内并且沿着沟槽3延伸。沟槽3在侧向方向100上贯通地和连续地延伸，并且在竖直方向V上中断半导体本体1的有源区5。沟槽3具有优选至少30μm的宽度。
在图2B中示出另一步骤，其中沿着分割线102和103将半导体本体1切割成各个边缘发射的半导体激光器1001。通过切割制造的边缘发射的半导体激光器1001具有四个设置成矩阵状的接触部位2。也就是说，在外面11上，不仅在侧向方向100上而且也在横向方向101上分别设置有两个彼此隔开设置的接触部位2。两个相对置的、平面平行的小面7分别通过分割来形成，所述小面形成激光谐振器55。有利地，通过具有浸润层12的欧姆接触层4的这种比接触部位“薄”的总厚度避免：由于例如切割欧姆接触层4和浸润层12产生的金属残余物而在小面7上引起干扰。
图2C示出图1A的复合体1000的在侧向方向100的方向上的示意侧视图。在横向方向101上设置的接触部位2之间，将沟槽3引入半导体本体1中，其中在图2C中能够看出的是，沟槽3在横向方向101上划分有源区5。
图2D示出在横向方向101的方向上的复合体1000。又能够看出的是，在侧向方向100上彼此隔开的接触元件2以及在侧向方向100上贯通的有源区5。
在图2E中，同样从侧向方向100示出复合体1000，然而其中附加地在成对相邻的接触部位2之间将结构化沟槽6引入半导体本体1中，然而所述结构化沟槽不伸至有源区5。换言之，结构化沟槽6不划分有源区5。在切割半导体本体1之后，借助于结构化沟槽6构成脊形激光器。此外，将钝化层13完全地施加到半导体本体1的在沟槽3的区域中暴露的部位上。同样地，钝化层13能够施加到半导体本体1的其他的暴露的部位上。在沿着沟槽3切割半导体本体1之后，例如在每个半导体激光器1中构成阶梯31和32。
本发明没有由于借助实施例进行描述而受到限制。相反地，本发明包括每个新的特征以及特征的任意组合，这尤其是包括在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未在权利要求或者实施例中明确说明。

Claims (15)

1.边缘发射的半导体激光器（1001），具有：
-半导体本体（1），所述半导体本体包括至少一个适合于产生电磁辐射的有源区（5）；
-至少两个在所述有源区（5）上的小面（7），所述小面形成谐振器（55）；
-至少两个在横向方向（100）上通过至少一个中间区域（22）彼此隔开的接触部位（2），所述接触部位安装在所述半导体本体（1）的外面（11）上。
2.根据上一项权利要求所述的边缘发射的半导体激光器（1001），
所述边缘发射的半导体激光器具有多个设置成矩阵状的接触部位（2），所述接触部位安装在所述半导体本体（1）的所述外面（11）上，并且不仅在侧向方向（100）上而且也在横向于所述侧向方向（100）延伸的横向方向（101）上分别通过中间区域（22，23）彼此隔开地设置。
3.根据权利要求1或2所述的边缘发射的半导体激光器，
其中至少一个结构化沟槽（6）在横向方向（101）上相邻的接触部位（2）之间的区域中被引入所述半导体本体（1）中，其中在所述结构化沟槽（6）的区域中，所述半导体本体（1）的部分至少局部地被完全移除，其中所述结构化沟槽（6）在竖直方向上没有伸至所述有源区（5）。
4.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光器（1001），
其中在对至少两个在侧向方向（100）上相邻的接触部位从外部进行通电的情况下，以至少0.3倍于所述有源区（5）的最大通电密度jmax对所述有源区（5）的在竖直方向（V）上不与所述接触部位（2）重叠的区域（51）进行通电。
5.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光器（1001），其中两个在侧向方向（100）上相邻的接触部位（2）的间距（222）最大为所述接触部位（2）的最大侧向伸展（221）。
6.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光器（1001），
其中在竖直方向（V）上，在所述接触部位（2）和所述半导体本体（1）之间至少局部地设置有欧姆接触层（4）。
7.根据前一项权利要求所述的边缘发射的半导体激光器（1001），
其中所述欧姆接触层（4）包含下述材料中的至少一种：Ti、Pt、Cr、Pd。
8.根据权利要求6至7之一所述的边缘发射的半导体激光器（1001），
其中在所述欧姆接触层（4）上至少局部地施加浸润层（12）。
9.根据权利要求6至8之一所述的边缘发射的半导体激光器（1001），
其中在至少一个小面（7）上至少局部地施加至少一个钝化层（13），所述钝化层包含下述材料中的至少一种：SiO2、SiN、TiO2、Al2O3、rSi。
10.用于制造边缘发射的半导体激光器（1001）的方法，具有下面的步骤：
-提供半导体本体（1），其中所述半导体本体（1）包括至少一个适合于产生电磁辐射的有源区（5）；
-将多个设置成矩阵状的接触部位（2）施加在所述半导体本体（1）的外面（11）上，其中所述接触部位（2）不仅在侧向方向（100）上而且也在横向于所述侧向方向（100）延伸的横向方向（101）上通过中间区域（22，23）彼此隔开地设置；
-通过沿在横向方向（101）上延伸的分割线（102）将所述半导体本体（1）切割成各个边缘发射的半导体激光器（1001），在所述有源区（5）处产生至少两个小面（7），其中
-所述分割线（102）没有延伸经过所述中间区域（22）的每一个。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中所述分割线（102）延伸经过每第n个中间区域（22），其中n>1。
12.根据权利要求10或11所述的方法，
其中所述接触部位（2）在侧向方向（100）上具有至少15μm的间距。
13.根据权利要求10至12之一所述的方法，
其中在所述切割之前，，在横向方向（101）上相邻的接触部位（2）之间且在所述半导体本体（1）的所述外面（11）上引入至少一个沟槽（3），其中在所述沟槽（3）的区域中，至少局部地将半导体本体（1）的部分完全地移除，并且所述沟槽（3）在横向方向（101）上划分所述有源区（5）。
14.根据权利要求13所述的方法，
其中将所述半导体本体（1）沿着所述至少一个沟槽（3）切割成各个边缘发射的半导体激光器（100）。
15.根据权利要求10至14之一所述的方法，
其中制造根据权利要求1至9之一所述的边缘发射的半导体激光器（1001）。
CN201180024049.5A 2010-05-14 2011-05-09 边缘发射的半导体激光器 Active CN102893466B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010020625.3 2010-05-14
DE102010020625.3A DE102010020625B4 (de) 2010-05-14 2010-05-14 Verfahren zur Herstellung eines kantenemittierenden Halbleiterlasers
PCT/EP2011/057415 WO2011141421A2 (de) 2010-05-14 2011-05-09 Kantenemittierender halbleiterlaser

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102893466A true CN102893466A (zh) 2013-01-23
CN102893466B CN102893466B (zh) 2015-11-25

Family

ID=44343957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180024049.5A Active CN102893466B (zh) 2010-05-14 2011-05-09 边缘发射的半导体激光器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8976829B2 (zh)
EP (1) EP2569832B1 (zh)
CN (1) CN102893466B (zh)
DE (1) DE102010020625B4 (zh)
WO (1) WO2011141421A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109075529A (zh) * 2016-04-14 2018-12-21 欧司朗光电半导体有限公司 边缘发射的半导体激光器
CN110474230A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法
CN113540966A (zh) * 2017-08-28 2021-10-22 欧司朗Oled股份有限公司 边缘发射的激光棒

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010020625B4 (de) 2010-05-14 2024-02-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines kantenemittierenden Halbleiterlasers
DE102016101942B4 (de) * 2016-02-04 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung
DE102020125719A1 (de) * 2020-10-01 2022-04-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauteil mit strukturierter anschlussfläche und verfahren zum betreiben eines bauteils
US11831129B2 (en) * 2020-12-23 2023-11-28 Lumentum Operations Llc Vertical cavity surface emitting laser design with shorter oxidation length and/or larger number of trenches

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1886875A (zh) * 2003-12-22 2006-12-27 松下电器产业株式会社 半导体激光装置和激光投影装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4694459A (en) * 1985-05-31 1987-09-15 Xerox Corporation Hybrid gain/index guided semiconductor lasers and array lasers
JPH01251686A (ja) * 1988-03-30 1989-10-06 Canon Inc レーザ出射装置
US4881237A (en) * 1988-08-26 1989-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays
JP3611593B2 (ja) 1994-02-14 2005-01-19 日本オプネクスト株式会社 半導体光素子の作製方法
DE19708385A1 (de) 1997-03-01 1998-09-03 Deutsche Telekom Ag Wellenlängenabstimmbares optoelektronisches Bauelement
JP3618989B2 (ja) 1997-12-24 2005-02-09 株式会社東芝 半導体レーザ装置
US6618409B1 (en) * 2000-05-03 2003-09-09 Corning Incorporated Passivation of semiconductor laser facets
JP4504610B2 (ja) 2002-03-01 2010-07-14 株式会社日立製作所 リッジ型半導体レーザ素子
US7269195B2 (en) * 2002-03-04 2007-09-11 Quintessence Photonics Corporation Laser diode with an amplification section that has a varying index of refraction
JP4439193B2 (ja) 2003-03-20 2010-03-24 富士通株式会社 半導体光増幅器及び光増幅方法
JP4579033B2 (ja) 2005-03-31 2010-11-10 富士通株式会社 光半導体装置とその駆動方法
GB2427752A (en) 2005-06-28 2007-01-03 Bookham Technology Plc High power semiconductor laser diode
JP5365510B2 (ja) * 2007-03-06 2013-12-11 富士通株式会社 半導体集積素子
DE102008012859B4 (de) * 2007-12-21 2023-10-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserlichtquelle mit einer Filterstruktur
DE102008014092A1 (de) * 2007-12-27 2009-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaserchip mit einem strukturierten Kontaktstreifen
DE102008018928A1 (de) 2008-04-15 2009-10-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102009035639B4 (de) 2009-07-31 2019-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Breitstreifenlaser mit einem epitaktischen Schichtenstapel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010020625B4 (de) 2010-05-14 2024-02-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines kantenemittierenden Halbleiterlasers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1886875A (zh) * 2003-12-22 2006-12-27 松下电器产业株式会社 半导体激光装置和激光投影装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109075529A (zh) * 2016-04-14 2018-12-21 欧司朗光电半导体有限公司 边缘发射的半导体激光器
US10714901B2 (en) 2016-04-14 2020-07-14 Osram Oled Gmbh Edge-emitting semiconductor laser
CN109075529B (zh) * 2016-04-14 2020-11-20 欧司朗光电半导体有限公司 边缘发射的半导体激光器
CN113540966A (zh) * 2017-08-28 2021-10-22 欧司朗Oled股份有限公司 边缘发射的激光棒
US11923662B2 (en) 2017-08-28 2024-03-05 Osram Oled Gmbh Edge-emitting laser bar
CN113540966B (zh) * 2017-08-28 2024-04-12 欧司朗Oled股份有限公司 边缘发射的激光棒
CN110474230A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 欧司朗光电半导体有限公司 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011141421A3 (de) 2012-06-28
CN102893466B (zh) 2015-11-25
US20130128909A1 (en) 2013-05-23
EP2569832A2 (de) 2013-03-20
US8976829B2 (en) 2015-03-10
DE102010020625B4 (de) 2024-02-22
EP2569832B1 (de) 2019-12-11
WO2011141421A2 (de) 2011-11-17
DE102010020625A1 (de) 2011-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102893466A (zh) 边缘发射的半导体激光器
JP7191167B2 (ja) 半導体レーザーダイオード
KR101413860B1 (ko) 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법
JP2008252069A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
KR20120040741A (ko) 방사선 방출 반도체 소자
TW201440250A (zh) 發光二極體晶粒及其製造方法
CN109309340B (zh) 用于制造多个激光二极管的方法和激光二极管
US20150222094A1 (en) Light-emitting array
KR101364721B1 (ko) 전극 패드를 갖는 발광 다이오드 칩
JP2015170750A (ja) 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法
CN108879325B (zh) 一种vcsel阵列芯片及制作方法
CN102598440A (zh) 边发射半导体激光器
EP1496583A1 (en) A vertical cavity surface emitting laser having improved transverse mode control and a method of forming the same
JP2008244121A (ja) 窒化物半導体素子の製造方法
JP2013239471A (ja) 発光ダイオード素子の製造方法
JP6598202B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
US9466947B2 (en) Semiconductor laser diode with shortened cavity length
US9577167B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP6140101B2 (ja) 半導体光装置
JPWO2018043229A1 (ja) 半導体レーザ素子
JP2010258050A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JP2017112203A (ja) 半導体発光素子
JP6165517B2 (ja) 発光素子
JP2003347675A5 (zh)
JP6292956B2 (ja) 発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant