CN102890376B - 电光装置、投影型显示装置、电子设备及电光装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电光装置、投影型显示装置、电子设备及电光装置的制造方法。提供即使不用插头用的特殊的金属，利用以其他目的形成于电光装置的膜，也能够不占用大的面积且在像素电极的表面不产生大的凹凸地形成像素电极的导通部分的电光装置、投影型显示装置及电子设备。在电光装置中，在设置于像素电极的下层侧的绝缘膜（第1绝缘膜）形成柱状凸部，第2电极层（导电层）的导通部重叠于如此的柱状凸部的顶端面。虽然在第2电极层与像素电极之间设置层间绝缘膜（第2绝缘膜），但是，在如此的层间绝缘膜的表面上导通部露出。因此，若将像素电极叠层于层间绝缘膜，则像素电极与导通部导通。

Description

电光装置、投影型显示装置、电子设备及电光装置的制造方法

技术领域

本发明涉及液晶装置等的电光装置、投影型显示装置及电子设备。更详细地，涉及电光装置中的像素电极周边的构成。

背景技术

在用于液晶装置和/或有机电致发光装置等的电光装置的元件基板中，具备像素电极的像素配置为矩阵状，像素电极介由形成于绝缘膜的接触孔导通于下层侧的导电层（例如，参照专利文献1）。

在如此的电光装置中，若接触孔的平面尺寸大，则显示质量下降。例如，在液晶装置中，若接触孔的平面尺寸大，在像素电极的表面会形成大的凹凸，则无法适当地形成取向膜。并且，在透射型的液晶装置的情况下，因为在接触孔中，光不透射，所以显示光量减少。并且，在反射型的液晶装置的情况下，若在像素电极的表面形成大的凹凸，则在产生凹凸的部位处，光的反射方向紊乱的结果，形成凹凸的部分不参与显示。

另一方面，存在采用以下构成的情况：在层间绝缘膜的接触孔内埋入插头，介由如此的插头使像素电极与下层侧的电极导通（例如，参照专利文献2）。根据如此的构成，接触孔的平面尺寸小亦无妨，并且在像素电极的表面不形成大的凹凸。

专利文献1特开2006-317903号公报

专利文献2特开2011-64849号公报

可是，在利用插头的导通结构的情况下，为了形成插头，必需重新准备在电光装置中通常不使用的钨等的金属材料，所以成本增大。并且，在采用通过插头产生的导通结构的情况下，必需进行直到接触孔填满为止对插头用的金属膜进行溅射成膜得厚的工序和以化学机械抛光等的方法使层间绝缘膜平坦化的工序，因为在这些工序之中的对插头用的金属膜进行溅射成膜得厚时必需很多的时间，所以生产率降低。

发明内容

鉴于以上的问题点，本发明的目的在于提供即使不用插头用的特殊的金属，利用以其他目的形成于电光装置的膜，也能够不占用大的面积且在像素电极的表面不产生大的凹凸地形成像素电极的导通部分的电光装置、投影型显示装置及电子设备。

用于解决所述问题，本发明涉及的电光装置特征为：具有多个像素电极、第1绝缘膜、导电层和第2绝缘膜，所述多个像素电极设置于基板的一方的面侧，所述第1绝缘膜设置于所述基板与所述像素电极之间，在俯视与所述像素电极重叠的位置具备朝向所述像素电极突出的柱状凸部，所述导电层设置于该第1绝缘膜与所述像素电极之间，具备俯视重叠于所述柱状凸部的顶端面的导通部，所述第2绝缘膜设置于所述导电层与所述像素电极之间，在所述像素电极侧的面使所述导通部露出；所述像素电极叠层于所述第2绝缘膜的该像素电极侧的面而与所述导通部导通。

并且，本发明涉及的电光装置的制造方法特征为：包括第1绝缘膜形成工序、柱状凸部形成工序、导电层形成工序、第2绝缘膜形成工序、导通部露出工序和像素电极形成工序，所述第1绝缘膜形成工序在基板的一方的面侧形成第1绝缘膜；所述柱状凸部形成工序对所述第1绝缘膜的表面部分性地进行蚀刻而在所述第1绝缘膜形成朝向上方突出的柱状凸部；所述导电层形成工序在包括所述柱状凸部的形成区域的所述第1绝缘膜上形成导电层；所述第2绝缘膜形成工序在该导电层上形成第2绝缘膜；所述导通部露出工序从表面侧去除所述第2绝缘膜而在所述导电层中使俯视重叠于所述柱状凸部的顶端面的部分作为导通部露出；所述像素电极形成工序在包括所述导通部的露出区域的所述第2绝缘膜上形成像素电极。

在本发明中，在设置于像素电极与基板之间的第1绝缘膜，在与像素电极重叠的位置形成朝向像素电极突出的柱状凸部，导电层的导通部重叠于如此的柱状凸部的顶端面。并且，虽然在导电层与像素电极之间设置第2绝缘膜，但是在如此的第2绝缘膜的像素电极侧的面上导通部露出。因此，若将像素电极叠层于第2绝缘膜，则像素电极与导通部导通。因此，相比于利用形成于绝缘膜的接触孔而使像素电极与导电层导通的结构，接触部的平面尺寸小亦无妨，并且在像素电极的表面也不会产生大的凹凸。并且，能够利用以其他目的形成于所谓的导电层和/或绝缘膜等的电光装置的膜而进行像素电极的导通，不必厚厚地蒸镀插头用的特殊的金属。

在本发明中，优选：所述导通部的所述像素电极侧的面与所述第2绝缘膜的所述像素电极侧的面形成连续的平坦面。根据如此的构成，能够将像素电极形成于平坦面上。

在本发明中，优选：具备设置于所述导电层与所述基板之间的电容电极层和设置于所述电容电极层与所述导电层之间的电介质层；通过所述电容电极层、所述电介质层及所述导电层构成存储电容。即，优选：利用构成存储电容的电极层（导电层）而进行像素电极的导通。

在本发明中，优选：所述第1绝缘膜设置于所述电容电极层与所述导电层之间；在所述电容电极层与所述导电层俯视重叠的区域设置开口部。根据如此的构成，即使电介质层薄，也能够通过第1绝缘膜防止第1绝缘膜的端部与电容电极层的短路。

在本发明中，能够采用在俯视与所述多个像素电极之中的相邻的像素电极之间重叠的区域设置所述导电层及所述电容电极层的构成。因为即便是如此的构成，在本发明中，导电层也处于比电容电极层靠近像素电极的位置，所以液晶的取向不会由于产生于像素电极与电容电极层之间的电位而紊乱。

在本发明中，优选：所述柱状凸部设置于俯视重叠于所述电容电极层的位置。根据如此的构成，因为能够按电容电极层的膜厚，将柱状凸部及导通部设置于上方，所以与像素电极的导通变得容易。

在本发明中，在将电光装置构成为液晶装置的情况下，所述基板成为在与对置配置于所述一方的面侧的对置基板之间对液晶层进行保持的构成。

应用本发明的电光装置能够在各种电子设备中用于直视型显示装置等的各种显示装置。并且，应用本发明的电光装置能够用于投影型显示装置。如此的投影型显示装置具有出射照射于应用本发明的电光装置的照明光的光源部和对通过所述电光装置调制的光进行投影的投影光学系统。

附图说明

图1是表示应用本发明的电光装置的电构成的框图。

图2是用于应用本发明的电光装置的液晶面板的说明图。

图3是应用本发明的电光装置的像素的说明图。

图4是表示应用本发明的电光装置的制造工序的要部的说明图。

图5是表示应用本发明的电光装置的制造工序的要部的说明图。

图6是表示应用本发明的电光装置的效果的说明图。

图7是应用本发明的投影型显示装置及光学单元的概略构成图。

符号的说明

7a··第2电极层（导电层），7s··导通部的表面，7t··导通部，9a··像素电极，9t··接触部分，10··元件基板，10f··像素间区域，10w··基板主体，30··像素晶体管，44··绝缘膜（第1绝缘膜），45··层间绝缘膜（第2绝缘膜），100··电光装置，110、1000··投影型显示装置，440··柱状凸部，450··层间绝缘膜的表面

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式进行说明。还有，在以下的说明中，在各种电光装置之中的液晶装置及其制造方法中，以在使像素电极9a与第2电极层7a（导电层）导通的情况下应用本发明的例为中心进行说明。并且，在以下的说明中参照的附图中，为了使各层和/或各构件在图面上成为可以识别的程度的大小，使比例尺按层和/或构件而异示出。并且，虽然在流过像素晶体管的电流的方向反转的情况下，源与漏可替换，但是在本说明中，以连接像素电极侧（像素侧源漏区域）为漏，以连接数据线侧（数据线侧源漏区域）为源。并且，当对形成于元件基板的层进行说明时，所谓上层侧或者表面侧是指与元件基板的基板主体所处之侧相反侧（对置基板所处之侧），并且所谓下层侧是指元件基板的基板主体所处之侧（与对置基板所处之侧的相反侧）。

（电光装置（液晶装置）的说明）

（整体构成）

图1是表示应用本发明的电光装置的电构成的框图。还有，图1因为到底是表示电构成的框图，所以关于电容电极层等延伸的方向等、布置示意性地示出。

在图1中，本方式的电光装置100（液晶装置）具有TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式和/或VA（Vertical Alignment，垂直对齐）模式的液晶面板100p，液晶面板100p在其中央区域具备矩阵状地排列多个像素100a的图像显示区域10a（像素区域）。在液晶面板100p中，在后述的元件基板10（参照图2等）中，在图像显示区域10a的内侧多条数据线6a及多条扫描线3a纵横地延伸，在对应于它们的交点的位置构成像素100a。在多个像素100a的各自，形成包括场效应型晶体管的像素晶体管30及后述的像素电极9a。在像素晶体管30的源电连接数据线6a，在像素晶体管30的栅电连接扫描线3a，在像素晶体管30的漏，电连接像素电极9a。

在元件基板10中，在比图像显示区域10a靠外周侧设置扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101。数据线驱动电路101电连接于各数据线6a，将从图像处理电路供给的图像信号依次供给于各数据线6a。扫描线驱动电路104电连接于各扫描线3a，将扫描信号依次供给于对各扫描线3a。

在各像素100a中，像素电极9a与形成于后述的对置基板20（参照图2等）的共用电极介由液晶层而对置，并构成液晶电容50a。并且，在各像素100a，用于防止以液晶电容50a保持的图像信号的变动，与液晶电容50a并联地附加存储电容55。在本方式中，用于构成存储电容55，跨多个像素100a的第1电极层5a形成为电容电极层。在本方式中，第1电极层5a导通于施加共用电位Vcom的共用电位线5c。

（液晶面板100p的构成）

图2是用于应用本发明的电光装置100的液晶面板100p的说明图，图2（a）、（b）分别是从对置基板侧一起看各构成要件和液晶面板100p的俯视图及其H-H′剖视图。

如示于图2（a）、（b）地，在液晶面板100p中，元件基板10（电光装置用的元件基板）与对置基板20隔着预定的间隙通过密封材料107而贴合，密封材料107沿着对置基板20的外缘地设置为框状。密封材料107为包括光固化树脂和/或热固化性树脂等的粘接剂，掺合用于使两基板间的距离成为预定值的玻璃纤维，或者玻璃珠等的间隙材料。

在如此的构成的液晶面板100p中，元件基板10及对置基板20均为四边形，在液晶面板100p的基本中央，参照图1进行了说明的图像显示区域10a设置为四边形的区域。对应于如此的形状，密封材料107也设置为基本四边形，在密封材料107的内周缘与图像显示区域10a的外周缘之间，基本四边形的周边区域10b设置为框缘状。在元件基板10中，在图像显示区域10a的外侧，沿着元件基板10的一条边形成数据线驱动电路101及多个端子102，沿着相邻于该一条边的另一条边形成扫描线驱动电路104。还有，在端子102，连接柔性布线基板（未图示），在元件基板10，介由柔性布线基板输入各种电位和/或各种信号。

虽然详情后述，但是在元件基板10的一方的面10s及另一方的面10t之中的一方的面10s侧，在图像显示区域10a，矩阵状地形成参照图1进行了说明的像素晶体管30及电连接于像素晶体管30的像素电极9a，在如此的像素电极9a的上层侧形成取向膜16。

并且，在元件基板10的一方的面10s侧，在周边区域10b，形成与像素电极9a同时形成的虚设像素电极9b（参照图2（b））。关于虚设像素电极9b，可采用与虚设的像素晶体管电连接的构成、不设置虚设的像素晶体管而直接电连接于配线的构成或者处于未施加电位的浮置状态的构成。如此的虚设像素电极9b当在元件基板10中使形成取向膜16的面通过抛光平坦化时，对图像显示区域10a与周边区域10b的高度位置进行压缩，有助于使形成取向膜16的面成为平坦面。并且，如果将虚设像素电极9b设定为预定的电位，则能够防止在图像显示区域10a的外周侧端部的液晶分子的取向的紊乱。

在对置基板20中与元件基板10对置的一方的面侧形成共用电极21，在共用电极21的上层形成取向膜26。共用电极21作为对置基板20的基本整面或者多个带状电极跨多个像素100a而形成。并且，在对置基板20中与元件基板10对置的一方的面侧，在共用电极21的下层侧形成遮光层108。在本方式中，遮光层108形成为沿着图像显示区域10a的外周缘延伸的框缘状，作为分隔件而起作用。在此，遮光层108的外周缘位于在与密封材料107的内周缘之间隔开间隙的位置，遮光层108与密封材料107不相重叠。还有，在对置基板20中，遮光层108有时也在与通过相邻的像素电极9a夹着的像素间区域重叠的区域等形成为黑矩阵部。

在如此地构成的液晶面板100p中，在元件基板10，在比密封材料107靠外侧与对置基板20的角部分重叠的区域，形成用于在元件基板10与对置基板20之间取得电导通的基板间导通用电极109。在如此的基板间导通用电极109，配置包括导电微粒的基板间导通材料109a，对置基板20的共用电极21介由基板间导通材料109a及基板间导通用电极109电连接于元件基板10侧。因此，共用电极21从元件基板10侧被施加共用电位Vcom。密封材料107以基本相同的宽度尺寸沿着对置基板20的外周缘而设置。因此，密封材料107基本为四边形。但是，密封材料107设置为，在与对置基板20的角部分重叠的区域中避开基板间导通用电极109而通过内侧，密封材料107的角部分基本为圆弧状。

在如此的构成的电光装置100中，若通过ITO和/或IZO等的透光性的导电膜形成像素电极9a及共用电极21，则能够构成透射型的液晶装置。相对于此，若通过ITO（Indium TinOxide，氧化铟锡）和/或IZO（Indium Zinc Oxide，氧化铟锌）等的透光性导电膜形成共用电极21，并通过铝等的反射性导电膜形成像素电极9a，则能够构成反射型的液晶装置。在电光装置100为反射型的情况下，从对置基板20侧入射的光在元件基板10侧的基板进行反射、出射的期间被调制而对图像进行显示。在电光装置100为透射型的情况下，从元件基板10及对置基板20之中的一方侧的基板入射的光在透射另一方侧的基板、出射的期间被调制而对图像进行显示。

电光装置100能够用作移动电子计算机、便携电话机等的电子设备的颜色显示装置，该情况下，在对置基板20，形成滤色器（未图示）和/或保护膜。并且，在电光装置100中，相应于使用的液晶层50的种类和/或常白模式/常黑模式的类别，相位差膜和/或偏振板等相对于液晶面板100p配置为预定的朝向。而且，电光装置100在后述的投影型显示装置（液晶投影机）中，能够用作RGB用的光阀。该情况下，因为在RGB用的各电光装置100的各自，介由RGB色分解用的分色镜分解后的各色的光作为投影光分别入射，所以不用形成滤色器。

在本方式中，电光装置100为在后述的投影型显示装置中用作RGB用的光阀的透射型的液晶装置，以从对置基板20入射的光透射元件基板10而出射的情况为中心进行说明。并且，在本方式中，电光装置100以具备作为液晶层50采用介电各向异性为负的向列液晶化合物的VA模式的液晶面板100p的情况为中心进行说明。

（像素的具体性构成）

图3是应用本发明的电光装置100的像素的说明图，图3（a）、（b）分别是在元件基板10中相邻的像素的俯视图及在相当于图3（a）的F-F′线的位置对电光装置100进行了剖切时的剖视图。还有，在图3（a）中，用以下的线表示各区域。

扫描线3a＝粗的实线

半导体层1a＝细而短的虚线

数据线6a及漏电极6b＝一点划线

第1电极层5a及中继电极5b＝细而长的虚线

第2电极层7a＝二点划线

像素电极9a＝粗而短的虚线

如示于图3（a）地，在元件基板10，在多个像素100a的各自形成矩形状的像素电极9a，沿着与通过相邻的像素电极9a夹着的纵横的像素间区域10f重叠的区域形成数据线6a及扫描线3a。更具体地，沿着与像素间区域10f之中延伸于第1方向（X方向）的第1像素间区域10g重叠的区域而扫描线3a延伸，并且沿着与延伸于第2方向（Y方向）的第2像素间区域10h重叠的区域而数据线6a延伸。数据线6a及扫描线3a分别直线性地延伸，在数据线6a与扫描线3a相交叉的区域形成像素晶体管30。在元件基板10，与数据线6a重叠地，形成参照图1进行了说明的第1电极层5a（电容电极层）。

如示于图3（a）、（b）地，元件基板10以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体10w、形成于基板主体10w的液晶层50侧的表面（一方的面10s侧）的像素电极9a、像素开关用的像素晶体管30及取向膜16为主体而构成。对置基板20以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体20w、形成于其液晶层50侧的表面（与元件基板10对置的一方的面侧）的共用电极21及取向膜26为主体而构成。

在元件基板10中，在基板主体10w的一方的面侧，形成包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜的扫描线3a。在本方式中，扫描线3a由钨硅化物（WSix）等的遮光性导电膜构成，也作为对于像素晶体管30的遮光膜而起作用。在本方式中，扫描线3a由膜厚为200nm程度的硅化钨构成。还有，在基板主体10w与扫描线3a之间，有时也设置硅氧化膜等的绝缘膜。

在基板主体10w的一方的面10s侧，在扫描线3a的上层侧，形成硅氧化膜等的绝缘膜12，在如此的绝缘膜12的表面，形成具备半导体层1a的像素晶体管30。在本方式中，绝缘膜12例如具有通过采用四乙氧基硅烷（Si（OC₂H₅）₄）的减压CVD法和/或采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的硅氧化膜和通过高温CVD法形成的硅氧化膜（HTO（HighTemperature Oxide，高温氧化物）膜）的2层结构。

像素晶体管30具备半导体层1a和栅电极3c，所述半导体层1a在扫描线3a与数据线6a的交叉区域中使长边方向朝向扫描线3a的延伸方向；所述栅电极3c延伸于与半导体层1a的长度方向正交的方向而重叠于半导体层1a的长度方向的中央部分。并且，像素晶体管30在半导体层1a与栅电极3c之间具有透光性的栅绝缘层2。半导体层1a具备相对于栅电极3c隔着栅绝缘层2对置的沟道区域1g，并且在沟道区域1g的两侧具备源区域1b及漏区域1c。在本方式中，像素晶体管30具有LDD结构。从而，源区域1b及漏区域1c分别在沟道区域1g的两侧具备低浓度区域1b1、1c1，在相对于低浓度区域1b1、1c1与沟道区域1g相反侧相邻的区域具备高浓度区域1b2、1c2。

半导体层1a由多晶硅膜等构成。栅绝缘层2包括由使半导体层1a热氧化后的硅氧化膜构成的第1栅绝缘层2a和由通过CVD法等形成的硅氧化膜等构成的第2栅绝缘层2b的2层结构。栅电极3c包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜，在半导体层1a的两侧，介由贯通第2栅绝缘层2b及绝缘膜12的接触孔12a、12b导通于扫描线3a。在本方式中，栅电极3c具有膜厚为100nm程度的导电性的多晶硅膜和膜厚为100nm程度的硅化钨膜的2层结构。

还有，在本方式中，在透射电光装置100之后的光在其他构件进行了反射时，以防止如此的反射光入射于半导体层1a而在像素晶体管30产生起因于光电流的误工作为目的，通过遮光膜形成扫描线3a，但是，也可以在栅绝缘层2的上层形成扫描线，并使其一部分成为栅电极3c。该情况下，示于图3的扫描线3a仅以遮光为目而形成。

在栅电极3c的上层侧形成包括硅氧化膜等的透光性的层间绝缘膜41，在层间绝缘膜41的上层，通过相同类型的导电膜形成数据线6a及漏电极6b。层间绝缘膜41例如包括通过采用硅烷（SH₄）与一氧化二氮（N₂O）的等离子CVD法等形成的硅氧化膜等。

数据线6a及漏电极6b包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，数据线6a及漏电极6b具有将膜厚为20nm的钛（Ti）膜、膜厚为50nm的氮化钛（TiN）膜、膜厚为350nm的铝（Al）膜和膜厚为150nm的TiN膜按该顺序进行叠层而形成的4层结构。数据线6a介由贯通层间绝缘膜41及第2栅绝缘层2b的接触孔41a导通于源区域1b（数据线侧源漏区域）。漏电极6b在与第1像素间区域10g重叠的区域中形成为，一部分与半导体层1a的漏区域1c（像素电极侧源漏区域）重叠，介由贯通层间绝缘膜41及第2栅绝缘层2b的接触孔41b导通于漏区域1c。

在数据线6a及漏电极6b的上层侧形成包括硅氧化膜等的透光性的层间绝缘膜42。层间绝缘膜42例如包括通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的硅氧化膜等。

在层间绝缘膜42的上层侧，第1电极层5a及中继电极5b通过相同类型的导电膜形成。第1电极层5a及中继电极5b包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，第1电极层5a及中继电极5b具有膜厚为350nm程度的Al膜和膜厚为150nm程度的TiN膜的2层结构。第1电极层5a与数据线6a同样，沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸。中继电极5b在与第1像素间区域10g重叠的区域中形成为，一部分与漏电极6b重叠，介由贯通层间绝缘膜42的接触孔42a导通于漏电极6b。

在第1电极层5a及中继电极5b的上层侧形成硅氧化膜等的透光性的绝缘膜44（第1绝缘膜）作为蚀刻停止层，在如此的绝缘膜44，在与第1电极层5a重叠的区域形成开口部44b。在本方式中，绝缘膜44包括通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的硅氧化膜等。在此，开口部44b虽然在图3（a）中将图示进行省略，但是形成为具备以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第1像素间区域10g重叠的区域延伸的部分和以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸的部分的L字形状。

在绝缘膜44的上层侧形成透光性的电介质层40，在如此的电介质层40的上层侧形成第2电极层7a。第2电极层7a包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，第2电极层7a包括膜厚为300nm程度的TiN膜。作为电介质层40，除了能够采用硅氧化膜和/或硅氮化膜等的硅化合物以外，还能够采铝氧化膜、钛氧化膜、钽氧化膜、铌氧化膜、铪氧化膜、镧氧化膜和锆氧化膜等的高介电系数的电介质层。第2电极层7a形成为具备以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第1像素间区域10g重叠的区域延伸的部分和以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸的部分的L字形状。从而，第2电极层7a之中的沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸的部分在绝缘膜44的开口部44b中，介由电介质层40重叠于第1电极层5a。如此地，在本方式中，第1电极层5a、电介质层40及第2电极层7a在与第1像素间区域10g重叠的区域构成存储电容55。

并且，在第2电极层7a中，沿着与第1像素间区域10g重叠的区域延伸的部分与中继电极5b部分性地重叠，介由贯通电介质层40及绝缘膜44的接触孔44a导通于中继电极5b。

在第2电极层7a的上层侧形成透光性的层间绝缘膜45，在层间绝缘膜45的上层侧，形成包括膜厚为20nm程度的ITO膜等的透光性导电膜的像素电极9a。层间绝缘膜45例如包括通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的硅氧化膜等。像素电极9a在数据线6a与扫描线3a的交叉区域的附近与第2电极层7a部分性地重叠，在后述的接触部分9t中，像素电极9a与第2电极层7a相导通。

在像素电极9a的表面形成取向膜16。取向膜16包括聚酰亚胺等的树脂膜或者硅氧化膜等的斜向蒸镀膜。在本方式中，取向膜16为包括SiO_X（x＜2）、SiO₂、TiO₂、MgO、Al₂O₃、In₂O₃、Sb₂O₃、Ta₂O₅等的斜向蒸镀膜的无机取向膜（垂直取向膜）。

在对置基板20中，在石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体20w的液晶层50侧的表面（对置于元件基板10侧的面），形成包括ITO膜等的透光性导电膜的共用电极21，覆盖如此的共用电极21地形成取向膜26。取向膜26与取向膜16同样，包括聚酰亚胺等的树脂膜、或者硅氧化膜等的斜向蒸镀膜。在本方式中，取向膜26为包括SiO_X（x＜2）、SiO₂、TiO₂、MgO、Al₂O₃、In₂O₃、Sb₂O₃、Ta₂O₅等的斜向蒸镀膜的无机取向膜（垂直取向膜）。如此的取向膜16、26使用于液晶层50的介电各向异性为负的向列液晶化合物垂直取向，液晶面板100p作为常黑的VA模式工作。

还有，在参照图1及图2进行了说明的数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104，构成具备n沟道型的驱动用晶体管与p沟道型的驱动用晶体管的互补型晶体管电路等。在此，驱动用晶体管利用像素晶体管30的制造工序的一部分而形成。因此，在元件基板10中形成数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104的区域也具有与示于图3（b）的截面构成基本同样的截面构成。

（像素电极9a周边的详细构成）

在本方式的电光装置100中，在形成使像素电极9a与第2电极层7a导通的接触部分9t时，首先，在绝缘膜44（第1绝缘膜）中与像素电极9a重叠的位置形成朝向像素电极9a突出的柱状凸部440。并且，第2电极层7a（导电层）直到与柱状凸部440重叠的区域为止地形成，在第2电极层7a中俯视重叠于柱状凸部440的部分成为与像素电极9a导通的导通部7t。在第2电极层7a上形成层间绝缘膜45（第2绝缘膜），在如此的层间绝缘膜45的表面450上，导通部7t的表面7s露出。从而，形成于层间绝缘膜45的表面450的像素电极9a与导通部7t的表面7s相接，导通于第2电极层7a。

在此，层间绝缘膜45的表面450成为平坦面，并且，层间绝缘膜45的表面450与导通部7t的表面7s形成连续的平面。因此，像素电极9a形成于平坦面上，所以，像素电极9a的表面平坦。从而，取向膜16在像素电极9a的表面上形成于平坦面上。

在本方式中，柱状凸部440形成于俯视与第1电极层5a及数据线6a重叠的位置。因此，柱状凸部440按第1电极层5a的膜厚量及数据线6a的膜厚量位于上方。

并且，在本方式中，虽然在与在第1方向（X方向）上相邻的像素电极9a之间（第2像素间区域10h）重叠的区域，形成被施加共用电位Vcom的第1电极层5a及被施加与像素电极9a相同电位Vsig的第2电极层7a，但是第2电极层7a位置比第1电极层5a靠上层侧（像素电极9a侧）。并且，在与在第2方向（Y方向）上相邻的像素电极9a之间（第1像素间区域10g）重叠的区域，形成被施加扫描信号的扫描线3a及被施加与像素电极9a相同电位Vsig的第2电极层7a，但是第2电极层7a位置比扫描线3a靠上层侧（像素电极9a侧）。

（电光装置100的制造方法）

图4及图5是表示应用本发明的电光装置100的制造工序的要部的说明图。还有，虽然说明于以下的工序在能够取得多块元件基板10的大型基板的状态下进行，但是在以下的说明中，无关于尺寸地，作为元件基板10进行说明。并且，在以下的说明中，因为直到形成第1电极层5a为止能够采用公知的方法，所以将说明进行省略。

在本方式的电光装置100的制造工序之中的形成元件基板10的工序中，通过公知的方法，如示于图4（a）地，在形成第1电极层5a及中继电极5b之后，在第1绝缘膜形成工序中，通过使用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等，形成包括膜厚为600nm程度的硅氧化膜的绝缘膜44（第1绝缘膜）。第1电极层5a例如具有膜厚为350nm程度的Al膜和膜厚为150nm程度的TiN膜的2层结构。

接下来，在示于图4（b）的柱状凸部形成工序中，在绝缘膜44之中的与应当形成像素电极9a的区域重叠的位置形成掩模44r，并在该状态下，对绝缘膜44的表面进行蚀刻。其结果，在绝缘膜44形成朝向上方突出的柱状凸部440。作为如此的蚀刻，能够利用采用CF₄（四氟化碳）和/或CHF₃（三氟甲烷）等的氟族气体的RIE（反应性离子蚀刻/Reactive IonEtching）等，如此的蚀刻的蚀刻各向异性高，并且蚀刻量的控制变得容易。因此，能够在绝缘膜44容易且可靠地形成柱状凸部440。

接下来，在示于图4（c）的开口部形成工序中，在绝缘膜44的表面形成在应当形成开口部44b的区域开口的掩模44s，并在该状态下，对绝缘膜44进行蚀刻而形成开口部44b。

接下来，在示于图4（d）的电介质层形成工序中，在绝缘膜44的上层侧形成电介质层40。

接下来，在示于图4（e）的接触孔形成工序中，在电介质层40的表面形成在应当形成接触孔44a的区域开口的掩模44t，并在该状态下，对电介质层40及绝缘膜44进行蚀刻，在与中继电极5b重叠的位置形成接触孔44a。

接下来，在导电层形成工序中，如示于图4（f）地，在电介质层40的表面形成导电层7之后，如示于图5（a）地，在应当形成第2电极层7a的区域形成掩模7r，并在该状态下对电介质层40及导电层7进行蚀刻而形成第2电极层7a。此时，第2电极层7a之中的重叠于柱状凸部440的前端面的部分为导通部7t。当进行如此的工序时，绝缘膜44在与第2电极层7a的端部重叠的位置作为蚀刻停止层存在。因此，即使电介质层40薄，也能够通过绝缘膜44防止在第1电极层5a与第2电极层7a之间的短路。在本方式中，第2电极层7a例如包括膜厚为300nm程度的TiN膜。

接下来，在示于图5（b）的第2绝缘膜形成工序中，通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等，形成包括膜厚为2000nm程度的硅氧化膜的层间绝缘膜45（第2绝缘膜）。

接下来，在示于图5（c）的导通部露出工序中，从表面450侧去除层间绝缘膜45而使第2电极层7a的导通部7t的表面7s露出。在如此的导通部露出工序中，例如，对层间绝缘膜45的表面进行抛光。在如此的抛光工序，能够利用化学机械抛光，在化学机械抛光中，通过包括于抛光液的化学成分的作用和抛光剂与元件基板10的相对移动，能够以高速得到平滑的抛光面。更具体地，在抛光装置中，边使贴付有包括无纺布、发泡聚氨酯、多孔质氟树脂等的抛光布（垫）的固定盘和对元件基板10进行保持的保持器相对旋转，边进行抛光。此时，例如，将包括平均粒直径为0.01～20μm的氧化铈微粒、作为分散剂的丙烯酸酯电介质及水的抛光剂供给到抛光布与元件基板10之间。其结果，层间绝缘膜45的表面450成为平坦面，并且层间绝缘膜45的表面450与导通部7t的表面7s形成连续的平面。

并且，在从表面450侧去除层间绝缘膜45而使第2电极层7a的导通部7t的表面7s露出时，也可以采用所谓的凹蚀法（etch back）。在如此的凹蚀法中，在层间绝缘膜45的表面形成树脂层之后，直到导通部7t的表面7s露出为止，对树脂层与层间绝缘膜45以相同的蚀刻速度进行干蚀刻。

接下来，在像素电极形成工序中，如示于图5（d）地，在通过溅射法等，在层间绝缘膜45的表面，形成膜厚为20nm程度的ITO膜等的像素电极用导电膜9之后，如示于图5（e）地，在应当形成像素电极9a的区域形成掩模9r，并在该状态下对像素电极用导电膜9进行蚀刻而形成像素电极9a。其结果，像素电极9a与第2电极层7a的导通部7t的表面7s相接，并成为与第2电极层7a导通的状态。

然后，如示于图3地形成取向膜16。还有，此以下的工序因为能够利用公知的方法，所以将说明进行省略。

（本方式的主要效果）

如以上说明地，在本方式的电光装置100及其制造方法中，在设置于像素电极9a的下层侧（像素电极9a与基板主体10w之间）的绝缘膜44（第1绝缘膜），在与像素电极9a重叠的位置形成朝向像素电极9a突出的柱状凸部440，第2电极层7a（导电层）的导通部7t重叠于如此的柱状凸部440的前端面。并且，虽然在第2电极层7a与像素电极9a之间设置层间绝缘膜45（第2绝缘膜），但是在如此的层间绝缘膜45的表面450上导通部7t露出。因此，若将像素电极9a叠层于层间绝缘膜45，则像素电极9a与导通部7t导通。因此，相比于利用形成于绝缘膜的接触孔而使像素电极与导电层导通的结构，接触部的平面尺寸小亦无妨，并且在像素电极9a的表面也不会产生大的凹凸。并且，能够利用第2电极层7a和/或绝缘膜（绝缘膜44以及层间绝缘膜45）等的因其他目的形成于电光装置100的膜而进行像素电极9a的导通。即，能够利用构成存储电容55的第2电极层7a和/或作为蚀刻停止层的绝缘膜44而进行像素电极9a的导通。因此，根据本方式，存在不必将插头用的特殊的金属蒸镀得厚等的优点。

并且，在本方式中，因为导通部7t的表面7s与层间绝缘膜45的表面450形成连续的平坦面，所以能够将像素电极9a形成于平坦面上。因此，像素电极9a的表面平坦。从而，能够将取向膜16在像素电极9a的表面中形成于平坦面上，能够合适地形成取向膜16。并且，柱状凸部440形成于俯视与第1电极层5a及数据线6a重叠的位置。因此，柱状凸部440因为按第1电极层5a的膜厚量及数据线6a的膜厚量位于上方，所以在层间绝缘膜45的表面上容易使导通部7t露出等，适合形成像素电极9a的接触部分9t。

（本方式的另外的效果）

图6是表示应用本发明的电光装置100的效果的说明图，图6（a）、（b）是示意性地表示应用本发明的电光装置100中的像素电极间的构成的说明图及示意性地表示比较例中的像素电极间的构成的说明图。

如示于图3及图6（a）地，在本方式的电光装置100中，虽然在与在X方向上相邻的像素电极9a之间（第2像素间区域10f）重叠的区域，设置第2电极层7a（导电层）及第1电极层5a（电容电极层），但是在本方式中，第2电极层7a位置比第1电极层5a靠上层侧（靠近像素电极9a的位置）。因此，液晶层50的取向不会由于产生于像素电极9a与第1电极层5a之间的电位而紊乱。

更具体地，如示于图6（a）、（b）地，在电光装置100中，通过形成于元件基板10侧的像素电极9a和在对置基板20中被施加有共用电位Vcom的共用电极21之间的纵向方向的电场（以箭头V1表示的电场）对液晶层50的液晶分子的取向进行控制，并按每像素地进行光调制。在此，在第1电极层5a施加共用电位Vcom，在第2电极层7a，施加与像素电极9a相同的电位Vsig。因此，如在图6（b）表示比较例地，若第1电极层5a位置比第2电极层7a靠上层侧（靠近像素电极9a的位置），则在像素电极9a的端部与第1电极层5a之间产生多余的电场（以箭头V2表示的电场），并在与像素电极9a的端部附近产生电位分布的紊乱。

相对于此，在本方式中，第2电极层7a位于比第1电极层5a靠上层侧（靠近像素电极9a的位置）。因此，因为并不产生如以箭头V2表示的多余的电场，所以在像素电极9a的端部附近不会产生电位分布的紊乱，即使在像素电极9a的端部中也能够对液晶分子的取向适当地进行控制。还有，虽然在相对于像素电极9a位置相邻的像素电极9a与第2电极层7a之间也产生电场，但是因为若与施加于第1电极层5a的电位（共用电位Vcom）进行比较，则电位差小，所以不会产生大的影响。

（其他的实施方式）

虽然在上述实施方式中，对在透射型的电光装置100应用本发明的例进行了说明，但是也可以在反射型的电光装置100应用本发明。

并且，虽然在上述实施方式中，对在电光装置100应用本发明的例进行了说明，但是也可以在有机电致发光装置等电光装置100以外的电光装置应用本发明。

（向电子设备的搭载例）

（投影型显示装置及光学单元的构成例）

图7是应用本发明的投影型显示装置及光学单元的概略构成图，图7（a）、（b）分别是采用透射型的电光装置的投影型显示装置的说明图及采用反射型的电光装置的投影型显示装置的说明图。

相对于示于图7（a）的投影型显示装置110为采用透射型的液晶面板作为液晶面板的例，示于图7（b）的投影型显示装置1000为采用反射型的液晶面板作为液晶面板的例。但是，如在以下进行说明地，投影型显示装置110、1000都具有光源部130、1021、被供给来自光源部130、1021的互不相同的波长域的光的多个电光装置100、对从多个电光装置100出射的光进行合成而出射的十字分色棱镜119、1027（光合成光学系统）和对通过光合成光学系统合成的光进行投影的投影光学系统118、1029。并且，在投影型显示装置110、1000中，采用具备电光装置100及交十字分色棱镜119、1027（光合成光学系统）的光学单元200。

（投影型显示装置的第1例）

示于图7（a）的投影型显示装置110为将光照射到设置于观察者侧的屏幕111并对在该屏幕111进行了反射的光进行观察的所谓投影型的投影型显示装置。投影型显示装置110具备：具备光源112的光源部130；分色镜113、114；液晶光阀115～117；投影光学系统118；十字分色棱镜119（合成光学系统）；和中继系统120。

光源112以供给包括红色光R、绿色光G及蓝色光B的光的超高压水银灯构成。分色镜113构成为，使来自光源112的红色光R透射，并对绿色光G及蓝色光B进行反射。并且，分色镜114构成为，使在分色镜113反射的绿色光G及蓝色光B之中的蓝色光B透射并对绿色光G进行反射。如此地，分色镜113、114构成将从光源112出射的光分离为红色光R和绿色光G和蓝色光B的色分离光学系统。

在此，在分色镜113与光源112之间，从光源112按顺序配置积分器121及偏振变换元件122。积分器121构成为，使从光源112照射的光的照度分布均匀化。并且，偏振变换元件122构成为，使来自光源112的光成为例如具有s偏振的特定的振动方向的偏振。

液晶光阀115为对透射分色镜113在反射镜123进行了反射的红色光相应于图像信号进行调制的透射型的电光装置。液晶光阀115具备λ/2相位差板115a、第1偏振板115b、电光装置100（红色用液晶面板100R）及第2偏振板115d。在此，入射于液晶光阀115的红色光R因为即使透射分色镜113而光的偏振也不会发生变化，所以s偏振原封不动。

λ/2相位差板115a为将入射于液晶光阀115的s偏振变换为p偏振的光学元件。并且，第1偏振板115b为遮断s偏振而使p偏振透射的偏振板。而且，电光装置100（红色用液晶面板100R）构成为，将p偏振通过相应于图像信号的调制变换为s偏振（如果为中间调则为圆偏振或椭圆偏振）。进而，第2偏振板115d为遮断p偏振而使s偏振透射的偏振板。从而，液晶光阀115构成为，相应于图像信号对红色光R进行调制，并使调制过的红色光R朝向十字分色棱镜119出射。

还有，λ/2相位差板115a及第1偏振板115b在与不使偏振变换的透光性的玻璃板115e相接的状态下配置，能够避免λ/2相位差板115a及第1偏振板115b由于发热而变形。

液晶光阀116为对在分色镜113进行了反射之后在分色镜114进行了反射的绿色光G相应于图像信号进行调制的透射型的电光装置。如此的液晶光阀116与液晶光阀115同样地，具备第1偏振板116b、电光装置100（绿色用液晶面板100G）及第2偏振板116d。入射于液晶光阀116的绿色光G为在分色镜113，114反射而入射的s偏振。第1偏振板116b为遮断p偏振而使s偏振透射的偏振板。并且，电光装置100（绿色用液晶面板100G）构成为，将s偏振通过相应于图像信号的调制变换为p偏振（如果为中间调则为圆偏振或椭圆偏振）。而且，第2偏振板116d为遮断s偏振而使p偏振透射的偏振板。从而，液晶光阀116构成为，相应于图像信号对绿色光G进行调制，并使调制过的绿色光G朝向十字分色棱镜119出射。

液晶光阀117为对在分色镜113进行反射并透射分色镜114之后经由中继系统120的蓝色光B相应于图像信号进行调制的透射型的电光装置。如此的液晶光阀117与液晶光阀115、116同样地，具备λ/2相位差板117a、第1偏振板117b、电光装置100（蓝色用液晶面板100B）及第2偏振板117d。在此，入射于液晶光阀117的蓝色光B因为在分色镜113进行反射而透射分色镜114之后在中继系统120的后述的2个反射镜125a、125b进行反射，所以成为s偏振。

λ/2相位差板117a为将入射于液晶光阀117的s偏振变换为p偏振的光学元件。并且，第1偏振板117b为遮断s偏振而使p偏振透射的偏振板。并且，电光装置100（蓝色用液晶面板100B）构成为，将p偏振通过相应于图像信号的调制变换为s偏振（如果为中间调则为圆偏振或椭圆偏振）。进而，第2偏振板117d为遮断p偏振而使s偏振透射的偏振板。从而，液晶光阀117构成为，相应于图像信号对蓝色光B进行调制，并使调制过的蓝色光B朝向十字分色棱镜119出射。还有，λ/2相位差板117a及第1偏振板117b在与玻璃板117e相接的状态下配置。

中继系统120具备中继透镜124a、124b与反射镜125a、125b。中继透镜124a、124b用于防止由于蓝色光B的光路长引起的光损失而设置。在此，中继透镜124a配置于分色镜114与反射镜125a之间。并且，中继透镜124b配置与反射镜125a、125b之间。反射镜125a配置为，使透射分色镜114从中继透镜124a出射的蓝色光B朝向中继透镜124b进行反射。并且，反射镜125b配置为，使从中继透镜124b出射的蓝色光B朝向液晶光阀117进行反射。

十字分色棱镜119为将2个分色膜119a、119b正交配置为X字型而成的色合成光学系统。分色膜119a为对蓝色光B进行反射而使绿色光G透射的膜，分色膜119b为对红色光R进行反射而使绿色光G透射的膜。从而，十字分色棱镜119构成为，对在液晶光阀115～117的各自调制过的红色光R和绿色光G和蓝色光B进行合成，并朝向投影光学系统118出射。

还有，从液晶光阀115、117入射于十字分色棱镜119的光为s偏振，从液晶光阀116入射于十字分色棱镜119的光为p偏振。通过如此地使入射于十字分色棱镜119的光成为不相同的种类的偏振，能够在十字分色棱镜119中对从各液晶光阀115～117入射的光进行合成。在此，一般地，分色膜119a、119b的s偏振的反射晶体管特性优异。因此，使在分色膜119a、119b反射的红色光R及蓝色光B成为s偏振，并使透射分色膜119a、119b的绿色光G成为p偏振。投影光学系统118构成为，具有投影透镜（图示省略），将在十字分色棱镜119合成后的光投影于屏幕111。

（投影型显示装置的第2例）

示于图7（b）的投影型显示装置1000具有产生光源光的光源部1021、将从光源部1021出射的光源光分离为红色光R、绿色光G及蓝色光B的3色的色光的色分离导光光学系统1023和通过从色分离导光光学系统1023出射的各色的光源光照明的光调制部1025。并且，投影型显示装置1000具备对从光调制部1025出射的各色的像光进行合成的十字分色棱镜1027（合成光学系统）和将经由十字分色棱镜1027的像光投影于屏幕（未图示）的投影光学系统1029。

在如此的投影型显示装置1000中，光源部1021具备光源1021a、一对蝇眼光学系统1021d、1021e、偏振变换构件1021g和重叠透镜1021i。在本方式中，光源部1021具备包括抛物面的反射器1021f，出射平行光。蝇眼光学系统1021d、1021e包括在与系统光轴正交的面内配置为矩阵状的多个要件透镜，通过这些要件透镜对光源光进行分割使之个别地聚光·发散。偏振变换构件1021g将从蝇眼光学系统1021e出射的光源光变换为例如平行于附图的仅p偏振分量而供给于光路下流侧光学系统。重叠透镜1021i通过使经由偏振变换构件1021g的光源光作为整体适当会聚，可以对设置于光调制部1025的多个电光装置100分别均匀地进行重叠照明。

色分离导光光学系统1023具备十字分色镜1023a、分色镜1023b和反射镜1023j、1023k。在色分离导光光学系统1023中，来自光源部1021的基本白色的光源光入射于十字分色镜1023a。在构成十字分色镜1023a的一方的第1分色镜1031a反射后的红色光R在反射镜1023j反射而透射分色镜1023b，介由入射侧偏振板1037r、一方面使p偏振透射另一方面对s偏振进行反射的线栅偏振板1032r及光学补偿板1039r，p偏振原封不动地，入射于电光装置100（红色用液晶面板100R）。

并且，在第1分色镜1031a反射后的绿色光G在反射镜1023j反射，然后，在分色镜1023b也反射，介由入射侧偏振板1037g、一方面使p偏振透射另一方面对s偏振进行反射的线栅偏振板1032g及光学补偿板1039g，p偏振原封不动地，入射于电光装置100（绿色用液晶面板100G）。

相对于此，在构成十字分色镜1023a的另一方的第2分色镜1031b反射后的蓝色光B，在反射镜1023k反射，介由入射侧偏振板1037b、一方面使p偏振透射另一方面对s偏振进行反射的线栅偏振板1032b及光学补偿板1039b，p偏振原封不动地，入射于电光装置100（蓝色用液晶面板100B）。还有，光学补偿板1039r、1039g、1039b通过对向电光装置100的入射光及出射光的偏振状态进行调整，对液晶层的特性光学性地进行补偿。

在如此地构成的投影型显示装置1000中，经由光学补偿板1039r、1039g、1039b入射的3色的光分别在各电光装置100中受调制。此时，从电光装置100出射的调制光之中的s偏振的分量光在线栅偏振板1032r、1032g、1032b进行反射，并介由出射侧偏振板1038r、1038g、1038b入射于十字分色棱镜1027。在十字分色棱镜1027，形成X字状地相交叉的第1电介质多层膜1027a及第2电介质多层膜1027b，一方的第1电介质多层膜1027a对红色光R进行反射，并且另一方的第2电介质多层膜1027b对蓝色光B进行反射。从而，3色的光在十字分色棱镜1027中合成，出射于投影光学系统1029。而且，投影光学系统1029将以十字分色棱镜1027合成的彩色的像光以预期的倍率投影于屏幕（未图示。）。

（其他的投影型显示装置）

还有，关于投影型显示装置，也可以构成为，作为光源部，采用出射各色的光的LED光源等，将从如此的LED光源出射的色光分别供给于不同的液晶装置。

（其他的电子设备）

关于应用本发明的电光装置100，除了上述的电子设备之外，也可以在便携电话机、信息便携终端（PDA：Personal Digital Assistants，个人数字助理）、数字照相机、液晶电视机、汽车导航装置、可视电话机、POS终端、具备触摸屏的设备等的电子设备中用作直视型显示装置。

Claims (11)

1.一种电光装置，其特征在于，具有：

多个像素电极，其设置于基板的一方的面侧；

第1绝缘膜，其设置于所述基板与所述像素电极之间，在俯视与所述像素电极重叠的位置具备朝向所述像素电极突出的柱状凸部；

导电层，其设置于该第1绝缘膜与所述像素电极之间，具备俯视重叠于所述柱状凸部的顶端面的导通部；和

第2绝缘膜，其设置于所述导电层与所述像素电极之间，在所述像素电极侧的面使所述导通部露出；

所述像素电极叠层于所述第2绝缘膜的该像素电极侧的面而与所述导通部导通。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

所述导通部的所述像素电极侧的面与所述第2绝缘膜的所述像素电极侧的面形成连续的平坦面。

3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，具备：

电容电极层，其设置于所述导电层与所述基板之间；和

电介质层，其设置于所述电容电极层与所述导电层之间；

通过所述电容电极层、所述电介质层及所述导电层构成存储电容。

4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征在于：

所述第1绝缘膜设置于所述电容电极层与所述导电层之间；

在所述电容电极层与所述导电层俯视重叠的区域设置开口部。

5.根据权利要求4所述的电光装置，其特征在于：

在俯视与所述多个像素电极之中的相邻的像素电极之间重叠的区域设置所述导电层及所述电容电极层。

6.根据权利要求3所述的电光装置，其特征在于：

所述柱状凸部设置于俯视重叠于所述电容电极层的位置。

7.根据权利要求4或5所述的电光装置，其特征在于：

所述柱状凸部设置于俯视重叠于所述电容电极层的位置。

8.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，

所述基板在与对置配置于所述一方的面侧的对置基板之间对液晶层进行保持。

9.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

第1绝缘膜形成工序，其在基板的一方的面侧形成第1绝缘膜；

柱状凸部形成工序，其对所述第1绝缘膜的表面部分性地进行蚀刻而在所述第1绝缘膜形成朝向上方突出的柱状凸部；

导电层形成工序，其在包括所述柱状凸部的形成区域的所述第1绝缘膜上形成导电层；

第2绝缘膜形成工序，其在该导电层上形成第2绝缘膜；

导通部露出工序，其从表面侧去除所述第2绝缘膜而在所述导电层中使俯视重叠于所述柱状凸部的顶端面的部分作为导通部露出；和

像素电极形成工序，其在包括所述导通部的露出区域的所述第2绝缘膜上形成像素电极。

10.一种投影型显示装置，其特征在于：

具备权利要求1～8中任一项所述的电光装置；

具有光源部和投影光学系统，所述光源部出射照射于所述电光装置的照明光，所述投影光学系统对通过所述电光装置调制后的光进行投影。

11.一种电子设备，其特征在于：

具备权利要求1～8中任一项所述的电光装置。