CN102844945A - 电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块 - Google Patents

电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102844945A
CN102844945A CN2011800194139A CN201180019413A CN102844945A CN 102844945 A CN102844945 A CN 102844945A CN 2011800194139 A CN2011800194139 A CN 2011800194139A CN 201180019413 A CN201180019413 A CN 201180019413A CN 102844945 A CN102844945 A CN 102844945A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
emitting laser
type
index layer
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800194139A
Other languages
English (en)
Inventor
清水均
川北泰雅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of CN102844945A publication Critical patent/CN102844945A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
    • H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18358—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

一种电子元件，其具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其中，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。从而，提供一种降低了寄生电容的电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。

Description

电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块
技术领域
本发明涉及电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。
背景技术
例如，公开了一种具有内腔结构的面发光激光器作为光互连用的光源（参照专利文献1、2）。内腔结构是指从构成光谐振器的两个反射镜（例如DBR（Distributed BraggReflector：分布布拉格反射器）反射镜）的内侧，不经由一个或者两个反射镜而向有源层注入电流的结构。
专利文献1所公开的面发光激光器在基板上形成有下部DBR反射镜。并且，在该下部DBR反射镜上依次形成有n型接触层与有源层，并且在n型接触层上形成有n侧电极。此外，在有源层的上侧形成有p侧电极，在该p侧电极的更上侧形成有上部DBR反射镜。专利文献1所公开的面发光激光器具有能够不经由上部以及下部DBR反射镜两者而向有源层注入电流的双内腔结构。专利文献1所公开的面发光激光器通过具有内腔结构，从而实现了低阈值电流以及高功率效率。
其中，在不经由下部DBR反射镜而向有源层注入电流的内腔结构的情况中，通常为了寄生电容的降低等，下部DBR反射镜由不掺杂的半导体构成。
专利文献1美国特许第6750071号说明书
专利文献2日本特开2004-103754号公报
非专利文献1S.Sekiguchi，etal.，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.36，pp.2638-2639(1997)
发明内容
发明要解决的课题
可是，也会产生如下的问题，即，不限于面发光激光器，在施加调制后的电信号并使其动作的电子元件的情况下，通过寄生电容使电子元件的截止频率降低，或者在阵列状地构成电子元件的情况下元件间的串扰增大等。特别是近年来强烈期待一种在请求20GHz以上的截止频率的高频特性过程中，降低了寄生电容的电子元件。
本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种降低了寄生电容的电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，并达成目的，本发明的电子元件具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其特征在于，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。
此外，本发明的电子元件的特征在于，在上述发明中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，具有：下部半导体多层膜反射镜，其由第1低折射率层与具有比该第1低折射率层高的折射率的第1高折射率层的周期结构构成；上部多层膜反射镜，其由第2低折射率层与具有比该第2低折射率层高的折射率的第2高折射率层的周期结构构成；有源层，其设置于所述下部半导体多层膜反射镜与所述上部多层膜反射镜之间；以及下部接触层，其设置于所述有源层与所述下部半导体多层膜反射镜之间，形成有用于向所述有源层供给电流的下部电极，其中，在所述下部半导体多层膜反射镜的至少一部分中，所述第1低折射率层与所述第1高折射率层具有互不相同的导电型。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，所述具有互不相同的导电型的第1低折射率层与第1高折射率层中的p型以及n型的载流子浓度全部小于1×1017cm-3。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，所述下部半导体多层膜反射镜包含具有取入所述碳的性质的元素。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，具有取入所述碳的性质的元素为铝（Al）。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaAs构成，所述第1高折射率层由（Al）GaAs构成。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaInP构成，所述第1高折射率层由（Al）GaInP构成。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由InP构成，所述第1高折射率层由AlGaInAs构成。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，具有：电流狭窄层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述有源层之间，具有由Al1-xGaxAs构成的电流注入部以及由通过选择性氧化形成的（Al1-xGax）2O3构成的电流狭窄部，其中0≤x＜0.2；上部接触层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述电流狭窄层之间，形成有用于向所述有源层供给电流的上部电极；以及高导电率层，其设置于所述上部接触层与所述电流狭窄层之间，具有比所述上部接触层高的导电率。
此外，本发明的面发光激光器的特征在于，在上述发明中，截止频率在20GHz以上。
此外，本发明的面发光激光器阵列的特征在于，通过将在上述发明的任意一个所述的面发光激光器排列成一维或者二维的阵列状而得到。
此外，本发明的光源的特征在于，具有：上述发明的任意一个所述的面发光激光器或者上述发明的面发光激光器阵列；以及向所述面发光激光器或者所述面发光激光器阵列施加调制信号的控制器。
此外，本发明的光模块的特征在于，具有：上述发明的任意一个所述的面发光激光器、上述发明的面发光激光器阵列或者上述发明的光源。
发明效果
根据本发明，实现如下的效果，即能够实现进一步降低了寄生电容的电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。
附图说明
图1是示意性地示出第一实施方式的光源的结构的图。
图2是图1所示的面发光激光器的A-A线主要部分剖视图。
图3是表示计算出的DBR反射镜的载流子浓度与电容之间关系的图。
图4是在基板上制作了DBR反射镜的样品的示意性剖视图。
图5是表示DBR反射镜的p型载流子浓度与电容之间关系的测量结果的图。
图6是表示不掺杂的GaAs的形成条件与导电性之间关系的图。
图7是示意性地示出第二实施方式的面发光激光器阵列的示意性立体图。
图8是图7所示的面发光激光器阵列的示意性俯视图。
图9是第三实施方式的面发光激光器封装的示意性剖视图。
图10是第四实施方式的光拾取器的示意性的部分剖视图。
图11是示出第五实施方式的两个光收发模块经由2根光波导连接的状态的示意性俯视图。
图12是示出图11所示的光收发模块中的面发光激光器与光波导的光耦合部分的一个例子的侧视图。
图13是示出面发光激光器与光波导的光耦合部分的另一例子的侧视图。
图14是示出面发光激光器与光波导的光耦合部分的又一例子的部分剖面侧视图。
图15是示出面发光激光器与光波导的光耦合部分的另一例子的侧视图。
图16是第六实施方式的波长复用传输系统的示意性结构图。
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块的实施方式。另外，不是通过该实施方式限定本发明。此外，实施方式中所说明的特征的全部组合对发明的解决手段未必是必须的。此外，在附图中，对相同或者对应的要素酌情标注相同标号。此外，附图是示意性的，对于各层的厚度与宽度之间的关系、各层的比率等，有必要留意与现实不同的情况。即便在附图的相互之间也包含相互尺寸关系和比率不同的部分。
（第一实施方式）
图1是示意性地示出本发明的第一实施方式的光源100的结构的图。如图1所示，该光源100具有：作为电子元件的一个例子的面发光激光器101、以及对面发光激光器101进行控制的控制器102。图2是图1所示的面发光激光器101的A-A线主要部分剖视图。
如图1、2所示，该面发光激光器101具有：作为层叠于面方位（001）的n型GaAs基板1上的下部半导体多层膜反射镜发挥作用的下部DBR反射镜2、作为下部接触层的n型接触层3、作为下部电极的n侧电极4、n型包层5、有源层6、p型包层7、下部组成倾斜层8、电流狭窄层9、上部组成倾斜层10、p型间隔层11、p型高导电率层12、p型间隔层13、作为上部接触层的p型接触层14、作为上部电极的p侧电极15、作为上部多层膜反射镜发挥作用的上部DBR反射镜16、n侧引出电极17以及p侧引出电极18。
下部DBR反射镜2与上部DBR反射镜16形成光谐振器。有源层6设置于下部DBR反射镜2与上部DBR反射镜16之间。电流狭窄层9设置于上部DBR反射镜16与有源层6之间。p型接触层14设置于上部DBR反射镜16与电流狭窄层9之间。n型接触层3设置于下部DBR反射镜2与有源层6之间。上部组成倾斜层10以及下部组成倾斜层8以夹着电流狭窄层9的方式形成，上部组成倾斜层10配置于p型接触层14侧，下部组成倾斜层8配置于有源层6侧。p型高导电率层12设置于p型接触层14与电流狭窄层9之间。
此外，从n型包层5到p型接触层14的层叠结构形成为通过蚀刻处理等成型为柱状的平顶柱（メサポスト）M。平顶柱直径例如为直径30μm。此外，n型接触层3延伸设置到平顶柱M的外周侧。并且，p侧电极15形成于p型接触层14上，n侧电极4形成于n型接触层3上。
接着，具体说明各结构要素。下部DBR反射镜2隔着不掺杂GaAs缓冲层形成于n型GaAs基板1上。下部DBR反射镜2形成为半导体多层膜反射镜，该半导体多层膜反射镜由作为由p型的Al0.9Ga0.1As构成的第1低折射率层的低折射率层2a与作为由n型的GaAs构成的第1高折射率层的高折射率层2b的周期结构构成。当设低折射率层2a与高折射率层2b的对为1对时，下部DBR反射镜2例如由40．5对构成。此外，低折射率层2a以及高折射率层2b的厚度为λ／4n（λ：振荡波长；n：折射率）。低折射率层2a的p型载流子浓度以及高折射率层2b的n型载流子浓度全部为5×1016cm-3。
n型接触层3以及n型包层5以n型GaAs为材料形成。p型包层7以p型AlGaAs为材料形成（例如，优选Al0．3Ga0.7As。）。n型包层5和p型包层7以夹着有源层6的方式形成，形成分离局限式异质(SCH：Separate Confinement Heterostructure)结构。
此外，p型间隔层11以p型AlGaAs为材料形成。p型高导电率层12以p型AlGaAs为材料形成。p型间隔层13以p型AlGaAs为材料形成。并且，p型接触层14以p型GaAs为材料形成。
此外，n型包层5、p型包层7、p型间隔层11、13中，以使载流子浓度例如为1×1018cm-3左右的方式添加有p型或者n型掺杂剂，确切地为p型或者n型的导电型。此外，n型接触层3、p型接触层14的载流子浓度例如分别为2×1018cm-3、×1019cm-3左右。此外，p型高导电率层12的载流子浓度为3×1019cm-3，并且导电率高于p型间隔层11、13，且高于p型接触层14。该p型高导电率层12成为从p侧电极15注入的电流的纸面横向的路径，并发挥作用以便更高效地将电流注入有源层6。
另外，从高导电率、低电阻的角度来看，p型高导电率层12的载流子浓度优选为3×1019cm-3以上，从制造上的容易度来看优选为1×1021cm-3以下。此外，p型高导电率层也可设置2层以上。
电流狭窄层9由作为电流注入部的开口部9a和作为电流狭窄部的选择性氧化层9b构成。开口部9a由Al1-xGaxAs（0≤x＜0.2）构成，选择性氧化层9b由（Al1-xGax）2O3构成。另外，x例如为0.02。该电流狭窄层9例如厚度为30nm，通过选择性氧化由Al1-xGaxAs构成的含铝层来形成。即，选择性氧化层9b通过使该含铝层从外周部沿着层叠面使预定范围氧化，从而沿开口部9a的外周形成为环状。选择性氧化层9b具有绝缘性，通过使从p侧电极15注入的电流狭窄后集中于开口部9a内，从而提高开口部9a正下方的有源层6内的电流密度。另外，开口部9a的开口直径例如为6μm，但是优选为4μm～15μm，更优选为5μm～10μm。
有源层6具有3层的量子阱层6a与2层的障壁层6b交替层叠的多量子阱结构（MQW：Multiple Quantum Well）。另外，量子阱层6a例如由Ga0.75In0.25As等的GaInAs系半导体材料构成。障壁层6b例如由GaAs构成。对该有源层6设定其半导体材料的组成以及膜厚，以使得该有源层6利用从p侧电极15注入后通过电流狭窄层9变狭窄的电流，发出至少包含850nm以上的波长的光的自然投放光。
上部DBR反射镜16形成为电介质多层膜反射镜，该电介质多层膜反射镜由作为第2低折射率层发挥作用的SiO2层与作为第2高折射率层发挥作用的SiN层的周期结构构成。当设SiO2层和SiN层的对为1对时，上部DBR反射镜16例如由9对构成。SiO2层以及SiN层的厚度分别与下部DBR反射镜2同样为λ／4n。另外，由于上部DBR反射镜16的直径小于p型接触层14的直径，因此，p型接触层14延伸设置到上部DBR反射镜16的外周侧。
p侧电极15用于向有源层6注入电流，在p型接触层14的上述延伸设置的部分的表面上，以包围上部DBR反射镜16的方式形成为环状。即，p侧电极15不隔着上部DBR反射镜16而形成于p型接触层14上。另一方面，n侧电极4形成于延伸设置到平顶柱M的外周侧的n型接触层3的延伸设置部分的表面上，用于向有源层6注入电流，并以包围平顶柱M的周围的方式形成为C字状。即，n侧电极4不隔着下部DBR反射镜2而形成于n型接触层3上。此外，n侧引出电极17以及p侧引出电极18分别与n侧电极4以及p侧电极15连接。由此，该面发光激光器101具有能够不经由下部DBR反射镜2以及上部DBR反射镜16两者向有源层6注入电流的双内腔结构。
此外，控制器102经由n侧引出电极17以及p侧引出电极18与p侧电极15以及n侧电极4电连接。该控制器102构成为向p侧电极15与n侧电极4之间施加预定的偏置电压以及调制电压，例如由激光器驱动用的公知的IC驱动器来实现，其中，上述调制电压作为以该偏置电压为中心在正负方向具有几乎相同振幅的调制信号。调制电压的调制频率例如在10GHz以上。
接着，说明该光源100的动作。首先，控制器102向p侧电极15与n侧电极4之间施加偏置电压以及调制电压，注入电流。关于p侧的载流子（空穴），主要如图2的路径P所示，从p侧电极15通过p型接触层14、p型间隔层13，在高导电率的p型高导电率层12中沿纸面横向在层内流过，之后通过p型间隔层11、上部组成倾斜层10，集中于电流狭窄层9的开口部9a内后以密度升高的状态，经由下部组成倾斜层8注入有源层6。另一方面，关于n侧的载流子（电子），从n侧电极4通过n型接触层3、n型包层5，注入有源层6。
注入了载流子的有源层6产生自然投放光。所产生的自然投放光通过有源层6的光放大作用与光谐振器的作用，以850nm以上的波长、例如1000nm波段的波长进行激光振荡。其结果，该面发光激光器101从上部DBR反射镜16上侧输出与调制信号对应的激光信号光。
其中，面发光激光器101具有双内腔结构。其结果，该面发光激光器101由于存在于p侧电极15以及n侧电极4与有源层6之间的异质界面的数量少，因此，具有低阈值电流特性以及高功率效率特性。
并且，该面发光激光器101的下部DBR反射镜2由p型的低折射率层2a与n型的高折射率层2b的周期结构构成。其结果，在低折射率层2a与高折射率层2b的pn结的界面，耗尽层扩大，因此，下部DBR反射镜2的电容降低。其结果，该面发光激光器101由于寄生电容降低，因此，防止了截止频率的降低，更高速地进行动作。
（制造方法）
接着，说明本第一实施方式的光源100的制造方法的一个例子。首先，使用MBE、气源MBE、MOCVD等公知的生长方法，在表面层叠了不掺杂GaAs缓冲层的n型GaAs基板1上，依次层叠形成下部DBR反射镜2、n型接触层3、n型包层5、有源层6、p型包层7、下部组成倾斜层8、由用于形成电流狭窄层9的Al1-xGaxAs组成的含铝层、上部组成倾斜层10、p型间隔层11、p型高导电率层12、p型间隔层13、p型接触层14。
另外，在使用MOCVD法的情况下，作为原料气体，使用三甲基镓（TMGa）、三甲基铝（TMAl）作为有机金属材料，使用砷化氢（AsH3）等作为As材料。此外，在形成n型的半导体层时，掺杂作为n型的掺杂剂的例如硅（Si），在形成p型的半导体层时，掺杂作为p型的掺杂剂的例如锌（Zn）。下部DBR反射镜2的高折射率层2b是有意地掺杂n型的掺杂剂而形成的。低折射率层2a是有意地掺杂p型的掺杂剂而形成。
但是，如以往的面发光激光器那样，在使用MOCVD法使不掺杂的下部DBR反射镜生长时，如非专利文献1所示，有机金属材料中的碳（C）被无意地自动掺杂于半导体层中，下部DBR反射镜很容易变成载流子浓度为1×1017cm-3以上的p型的导电型。特别是，如低折射率层那样包含铝（Al）作为构成元素时，Al由于具有将C一同取入半导体层中的性质，因此，p型的载流子浓度很容易变高。下部DBR反射镜如此地容易变成p型的导电型的现象也容易在使用MBE法的情况中发生，其中，该MBE法使用有机金属材料。下部DBR反射镜如此地变成p型的导电型的情况下，下部DBR反射镜的电容增大。
与此相对，本第一实施方式的下部DBR反射镜2在使高折射率层2b生长时，即便自动掺杂了C，也掺杂n型的掺杂剂以变成n型的导电型。并且，通过形成该n型的高折射率层2b与p型的低折射率层2a的周期结构，从而，使空乏层在下部DBR反射镜2内扩大。因此，不会产生以往的不掺杂的下部DBR反射镜那样的电容增大的问题。
此外，在使用AsH3的情况下，通过使AsH3的流量增加，从而，能够使通过自动掺杂而掺杂于半导体层中的C的浓度减小。但是，根据该方法，由于AsH3的使用量非常多，因此，制造成本增高。与此相对，如果采用本第一实施方式的下部DBR反射镜2的结构的话，不会提高制造成本，而能够降低下部DBR反射镜的电容，因此为优选。
接着，使用上提（lift-off）法，在p型接触层14上形成p侧电极15。接着，利用SiN膜覆盖p侧电极15，使用酸性蚀刻液等进行蚀刻直至到达n型包层5的深度，形成圆柱状的平顶柱M。
接着，在水蒸气氛围中进行热处理，从平顶柱M的外周侧对含铝层进行选择性氧化，形成电流狭窄层9。由此，电流狭窄层9能够通过含铝层的选择性氧化，简单且高精度地形成为期望的形状。
接着，在平顶柱M的外周侧的n型接触层3的表面形成n侧电极4，并且，形成n侧引出电极17以及p侧引出电极18。
接着，在形成上部DBR反射镜16之后，对n型GaAs基板1的背面进行研磨，形成期望的厚度，进行元件分离，从而完成面发光激光器101。并且，将该面发光激光器101与具有激光器驱动用的公知的IC驱动器的控制器102连接，光源100完成。
（DBR反射镜的电容）
接着，更具体地说明DBR反射镜的电容。首先，一边改变载流子浓度的设定值，一边计算通过由Al0.9Ga0．1AS构成的低折射率层和由GaAs构成的高折射率层的40.5对的周期结构构成的、80μm×80μm尺寸的DBR反射镜的电容。进行该计算时，作为计算1计算低折射率层以及高折射率层的导电型互不相同的情况（即，任意一个为p型，另一个为n型），作为计算2计算低折射率层以及高折射率层均为p型的情况。另外，关于载流子浓度，设在成对的低折射率层以及高折射率层中为相同的载流子浓度。此外，设波长λ为1100nm，各折射率层的厚度为λ／4n。
图3是表示计算出的DBR反射镜的载流子浓度与电容之间的关系的图。线l1、l2分别表示计算1、计算2的结果。此外，线l3表示DBR反射镜的电容不受其中所包含的载流子的影响，仅是由GaAs的介电常数确定的电容的情况时的值。该值为0．12pF。即，线L3示出DBR反射镜的实质性电容的下限。
图3示出计算1比计算2电容小的情况。即，确认了如第一实施方式那样，通过采用低折射率层以及高折射率层的导电型互不相同的结构，从而能够降低DBR反射镜的电容。特别是，由于通过在本结构中使载流子浓度小于1×1017cm-3，从而，使电容降低到完全不受DBR反射镜内的载流子的影响的程度的值，因此，为优选。
接着，说明在基板上制作DBR反射镜，并测量其电容的实验。图4是在基板上制作了DBR反射镜的样品S的示意性剖视图。制作成的样品S是利用MOCVD法在背面形成了欧姆电极S1的n型GaAs基板S2上层叠形成通过由Al0．9Ga0．1AS构成的低折射率层和由GaAs构成的高折射率层的40.5对的周期结构构成的DBR反射镜S3，并且，在DBR反射镜S3上形成欧姆电极S4，切割成600μm×600μm的尺寸。
另外，在制作时，制作了以下的样品组1、2。样品组1中，低折射率层为p型，高折射率层为n型，按照每个样品改变载流子浓度。此外，样品组2中，低折射率层以及高折射率层全部为p型，按照每个样品改变载流子浓度。另外，在各样品组中，关于载流子浓度，设在成对的低折射率层以及高折射率层中为相同的载流子浓度。此外，设波长λ为1100nm，各折射率层的厚度为λ／4n。
图5是表示DBR反射镜的p型载流子浓度与电容之间关系的测量结果的图。另外，关于纵轴的电容，为了与计算进行比较，换算成80μm×80μm的尺寸的值。此外，在纵轴以及横轴中，“E”为表示10的幂数的符号，例如，“1.E＋01”是指“1.0×101”。此外，与图3相同，线l1、l2分别表示计算1、计算2的结果，线l3表示根据GaAs的介电常数确定的DBR反射镜的电容的值、即0.12pF。此外，“黑三角”表示样品组1的测量结果，“黑圈”表示样品组2的测量结果。
如图5所示，实验性地确认了以下情况，即各样品组的测量结果与所对应的计算相当一致，能够通过使低折射率层以及高折射率层的导电型互不相同的结构来降低DBR反射镜的电容。
如以上所说明地那样，本第一实施方式的光源100的寄生电容降低，能更高速地进行动作。特别是，本第一实施方式的光源100能够实现近年来所要求的截止频率在20GHz以上的高频特性。
（第一实施方式的变形例）
接着，说明第一实施方式的变形例的光源100。第一实施方式的变形例的光源100具有图1以及图2所示的结构，除下部DBR反射镜2以外具有与第一实施方式的光源100相同的结构。第一实施方式的变形例的光源100的下部DBR反射镜2隔着不掺杂GaAs缓冲层形成于n型GaAs基板1上。下部DBR反射镜2由半导体多层膜反射镜形成。形成下部DBR反射镜2的半导体多层膜反射镜通过由p型的Al0.9Ga0.1As形成的作为第1低折射率层的低折射率层2a与由n型的GaAs形成的作为第1高折射率层的高折射率层2b的周期结构形成。下部当设低折射率层2a与高折射率层2b的对为1对时，DBR反射镜2例如具有40．5对的低折射率层2a和高折射率层2b。此外，低折射率层2a以及高折射率层2b的厚度全部为λ／4n（λ：振荡波长；n：折射率）。作为一个例子，低折射率层2a的p型载流子浓度为1×1016cm-3，高折射率层2b的n型载流子浓度为1×1015cm-3。低折射率层2a以及高折射率层2b都是在不有意地掺杂p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂的情况下形成的。
图6是表示不掺杂的GaAs的形成条件与导电性之间关系的图。即，在图6中，横轴表示通过MOCVD法形成全部不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方的不掺杂的GaAs时的生长温度（℃），纵轴表示AsH3的流量（ccm）。图6的图中的圆形记号表示实验结果。如实验结果所示，在710℃的生长温度下，当设AsH3的流量为210ccm，不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方来形成GaAs时，形成p型载流子浓度为1×1015cm-3的GaAs。此外，在710℃的生长温度下，当设AsH3的流量为840ccm，不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方来形成GaAs时，形成n型载流子浓度为1×1015cm-3的GaAs。
当形成GaAs时的生长温度升高或者AsH3的流量增大时，促进了TMG中所包含的甲基的分解，因此，不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方而形成的GaAs成为n型。即，在图6的右上区域中形成n型的GaAs。另一方面，当GaAs的生长温度低或者AsH3的流量减小时，如图6的左下区域所示，不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方而形成的GaAs成为p型。如上所述，即便不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方，由于残留的杂质，所形成的GaAs也具有p型或者n型的导电型。对残留于GaAs中的杂质所包含的p型的掺杂剂的总量与n型的掺杂剂的总量进行比较时，由总量多的掺杂剂的导电型确定GaAs的导电型。p型的掺杂剂例如为碳（C）、锌（Zn）等，n型的掺杂剂例如为硅（Si）、锡（Sn）等。即，如果n型的掺杂剂的总量多于残留的杂质中所包含的p型的掺杂剂的总量的话，则GaAs成为n型。此外，如果p型的掺杂剂的总量多于残留的杂质中所包含的n型的掺杂剂的总量的话，则GaAs成为p型。
与此相对，当不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方，而通过MOCVD法形成高铝组成的AlGaAs时，不管形成条件如何，所形成的AlGaAs都不为n型。这是由于TMA中所包含的甲基与铝原子的键合能量高。其中，高铝组成的AlGaAs是指Al1-xGaxAs（x≥0．5）。为了形成n型的高铝组成的AlGaAs，也可掺杂硅（Si）、锡（Sn）等n型的掺杂剂。
第一实施方式的变形例的光源100的下部DBR反射镜2全部都不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂而形成。即，不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方而通过MOCVD法交替地形成作为第1低折射率层的低折射率层2a以及作为第1高折射率层的高折射率层2b。作为一个例子，不有意地添加p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂中的任意一方，而是利用p型的Al0.9Ga0.1As形成作为第1低折射率层的低折射率层2a，利用n型的GaAs形成作为第1高折射率层的高折射率层2b。此时，例如，设形成温度为710℃，AsH3的流量为840ccm。由此，低折射率层2a的p型载流子浓度为1×1016cm-3，高折射率层2b的n型载流子浓度为1×1015cm-3。
第一实施方式的变形例的光源100的面发光激光器101的下部DBR反射镜2由p型的低折射率层2a与n型的高折射率层2b的周期结构构成。其结果，在低折射率层2a与高折射率层2b的pn结的界面，耗尽层扩大，因此，下部DBR反射镜2的电容降低。其结果，该面发光激光器101由于寄生电容降低，因此，防止了截止频率的降低，可更高速地进行动作。
（第二实施方式）
接着，作为本发明的第二实施方式，对使用本发明的面发光激光器用于光互连用的信号光源等的面发光激光器阵列装置进行说明。图7是第二实施方式的面发光激光器阵列装置的示意性立体图。如图7所示，该面发光激光器阵列装置200在称作CLCC（Ceramic Leaded Chip Carrier：带引脚的陶瓷芯片载体）的公知的扁平封装201上安装了面发光激光器阵列芯片210。另外，面发光激光器阵列芯片210通过未图示的布线与金属脚轮（caster）（电极）202连接。
图8是图7所示的面发光激光器阵列芯片210的示意性俯视图。如图8所示，面发光激光器阵列芯片210具有：面发光激光器阵列部205，其设置于中央部，通过二维排列40个本发明的面发光激光器206而构成；以及多个电极衬垫203，其设置于面发光激光器阵列部205的周围，通过未图示的布线与面发光激光器阵列部205的各面发光激光器206的电极连接。并且，各电极衬垫203与扁平封装201的金属脚轮202连接。并且，金属脚轮202与用于控制各面发光激光器206的发光的外部的控制电路（未图示）电连接。另外，例如，能够使用第一实施方式的面发光激光器101作为面发光激光器206。
接着，对该面发光激光器阵列装置200的动作进行说明。面发光激光器阵列部205的各面发光激光器206从外部的控制电路经由金属脚轮202与电极衬垫203施加偏置电压与调制电压，从各自的上部出射预定波长的激光信号光。
该面发光激光器阵列装置200由于降低了寄生电容，并且也抑制了面发光激光器206间的电串扰，因此，也抑制了调制时的颤动，因此，能够进行高速动作。
另外，该面发光激光器阵列装置200的面发光激光器阵列部205虽然二维排列面发光激光器206，但是，也可一维排列。此外，也没有特别限定用于构成面发光激光器阵列部205的面发光激光器206的数目。例如，作为光互连用的信号光源，虽然一维地排列4～15个面发光激光器，但是，在目前的光模块中也被很好地使用。
（第三实施方式）
接着，作为本发明的第三实施方式，对作为具有本发明的面发光激光器的光源、用于光互连用的信号光源等的面发光激光器封装进行说明。图9是本第三实施方式的面发光激光器封装的示意性剖视图。如图9所示，该面发光激光器封装300具有：本发明的面发光激光器312、放置面发光激光器312的基板311、设置于基板311上的电极313、以及具有用于连接面发光激光器312和电极313的接线314的面发光激光器模块310、收纳面发光激光器模块310的外壳320、设置于面发光激光器模块310的上方并通过臂324保持于外壳320上的透镜323、设置于外壳320上部的光纤安装部321、插通保持于光纤安装部321中的光纤322。电极313与用于控制面发光激光器模块310的发光状态的外部的控制电路（未图示）电连接。另外，例如，能够使用第一实施方式的面发光激光器101作为面发光激光器312。
接着，对该面发光激光器封装300的动作进行说明。面发光激光器312从外部的控制电路经由电极313与接线314施加偏置电压与调制电压，从其上部出射预定波长的激光信号光L1。透镜323对激光信号光L1进行聚光，与光纤322耦合。光纤322传输所耦合的激光信号光L1。
该面发光激光器封装300由于降低了寄生电容，因此，能够进行高速动作。
（第四实施方式）
接着，作为本发明的第四实施方式，对作为具有本发明的面发光激光器的光源、用于光存储介质的写入/读出装置的光拾取器进行说明。图10是本第四实施方式的光拾取器的示意性的部分剖视图。如图10所示，该光拾取器301具有：面发光激光器模块330，其由本发明的面发光激光器332、放置面发光激光器332的基板331、设置于基板331上的电极333、放置于基板331上的驱动IC334、依次连接面发光激光器332与驱动IC334与电极333的接线335以及对这些部件进行密封的树脂336构成；设置于面发光激光器模块330的上方的半透半反镜340；设置于面发光激光器模块330与半透半反镜340之间的衍射光栅341；设置于半透半反镜340与光存储介质360之间的透镜342；夹着半透半反镜340而设置于光存储介质360的相反侧的光传感器350。
另外，例如，能够使用第一实施方式的面发光激光器101作为面发光激光器332。此外，树脂336的上部加工成凸状，并构成透镜336a。此外，电极333与用于控制光拾取器301的发光状态的未图示的外部的控制电路（未图示）电连接。
接着，针对记录于光存储介质360中的信息的读出的情况来说明该光拾取器301的动作。面发光激光器332利用从外部的控制电路经由电极333与接线335被供给电力与电信号的驱动IC334，施加偏置电压与调制电压，从其上部出射激光信号光L2。树脂336的透镜336a使激光信号光L2为平行光（激光信号光L3）。半透半反镜340使激光信号光L3聚光于光存储介质360的预定部位。于是，激光信号光L3被光存储介质360反射，并产生包含记录于光存储介质360中的信息的反射信号光L4。反射信号光L4依次通过透镜342、半透半反镜340。并且，光传感器350接受反射信号光L4。之后，光传感器350将反射信号光L4转换成电信号，转换后的电信号发送到与写入/读出装置连接的个人计算机等，并进行所记录的信息的读出。
该光拾取器301由于降低了寄生电容，因此，能够进行高速动作。
另外，在上述第三、第四实施方式中，也可将各面发光激光器适当地置换成例如第二实施方式的面发光激光器阵列装置。
此外，在上述第三、第四实施方式中，虽然将本发明的面发光激光器用于通信用的面发光激光器封装或者用于光存储介质的写入/读出装置的光拾取器，但是，本发明的面发光激光器不限于此，也能够用作测量设备、激光指示器、光学鼠标等光学设备、或者打印机、光致抗蚀剂的扫描曝光用光源、激光抽运用光源、加工用光纤激光器的光源。
（第五实施方式）
本发明的面发光激光器以及面发光激光器阵列能够与光波导组合后构成各种各样的光模块。以下，作为本发明的第五实施方式对作为具有使用了本发明的面发光激光器的光模块的光收发模块进行说明。图11是示出第五实施方式的两个光收发模块400A、400B经由2根光波导410A、410B连接起来的状态的示意性俯视图。在图11中，光收发模块400A具有：保持部件401A；设置于保持部件401A上的各要素，即，用于放置光纤等的光波导410A、410B并进行它们的定位的间隔件406A，经由光波导410A发送光信号的本发明的面发光激光器402A，对经由光波导410B发送来的光信号进行接收并转换成电信号的受光元件403A，对面发光激光器402A的发光状态进行控制的驱动电路404A，以及对受光元件403A转换后的电信号进行放大的放大电路405A。利用来自外部的控制部（未图示）的控制信号，通过驱动电路404A对面发光激光器402A进行发光控制。此外，将受光元件403A转换后的电信号经由放大电路405A发送到控制部。另外，为了避难复杂性，对驱动电路404A和面发光激光器402A以及放大电路405A和受光元件403A的引线焊接省略了记载。
另外，光收发模块400B具有与光收发模块400A相同的结构，但是，与光收发模块400A相比发送的结构和接收的结构相互替换。光收发模块400B包括：保持部件401B；设置于保持部件401B上的各要素，即，用于进行光波导410A、410B的定位的间隔件406B、经由光波导410B发送光信号的本发明的面发光激光器402B、对经由光波导410A发送来的光信号进行接收并转换成电信号的受光元件403B、对面发光激光器402B的发光状态进行控制的驱动电路404B以及对由受光元件403B转换后的电信号进行放大的放大电路405B。利用来自外部的控制部（未图示）的控制信号，通过驱动电路404B对面发光激光器402B进行发光控制。此外，由受光元件403B转换后的电信号经由放大电路405B发送到控制部。
该光收发模块400A、400B由于使用降低了寄生电容的本发明的面发光激光器402A、402B，因此，能够进行高速动作。
接着，对图11所示的光收发模块400A、400B中的面发光激光器402A、402B与光波导410A、410B的光耦合部分进行具体说明。另外，以下，使用光收发模块400A和面发光激光器402A与光波导410A进行光耦合部分的说明，但是，这些光耦合部分也能够适用于光收发模块400B、面发光激光器402B与光波导410B的组合。
首先，图12是示出图11所示的光收发模块400A中的面发光激光器402A与光波导410A的光耦合部分的一个例子的侧视图。如图12所示，光波导410A的端面被加工成相对于其光轴大致倾斜45度，且在端面形成有作为光耦合单元的反射膜411A，进行镜面加工。此外，面发光激光器402A与反射膜411A的相对位置由间隔件406A定位，调整成使面发光激光器402A位于反射膜411A的下方。并且，从面发光激光器402A出射的光信号L6被反射膜411A反射后与光波导410A耦合，在光波导410A内传播。
图13是示出面发光激光器402A与光波导410A的光耦合部分的另一例子的侧视图。在图13所示的例子中，作为光耦合单元，在面发光激光器402A上且光波导410A的端面侧方，具有与面发光激光器402A对置的入射面420a以及与光波导410A的端面对置的出射面420b，在内部设置有反射镜组件420，该反射镜组件420设置有反射面421。并且，从面发光激光器402A出射的光信号L6从入射面420a入射到反射镜组件420，被反射面421反射，从出射面420b出射后在光波导410A的端面耦合，在光波导410A内传播。另外，也可在反射镜组件420的入射面420a和/或出射面420b上设置用于进行准直和聚光的微透镜（阵列）。
此外，图14是示出面发光激光器402A与光波导410A的光耦合部分的又一例子的部分剖面侧视图。在图14所示的例子中，在放置于间隔件406A上的连接器外壳430内保持有作为光纤的光波导410A，并且，作为光耦合单元，被保持成使光纤线芯431平缓地弯曲，且一个端面与光波导410A连接，并且另一个端面与面发光激光器402A对置的方式。并且，从面发光激光器402A出射的光信号L6从光纤线芯431的端面入射后在光纤线芯431中传播，之后在光波导410A内耦合后传播。
此外，图15是示出面发光激光器402A与光波导410A的光耦合部分的又一例子的部分剖面侧视图。在图15所示的例子中，在放置于间隔件406A上的光波导410A上形成有楔形的槽412A，该槽具有相对于光轴大致倾斜45度的倾斜内面。此外，在该倾斜内面形成有反射膜411A，并进行镜面加工。并且，槽412A与反射膜411A构成光耦合单元。此外，面发光激光器402A在该槽412A上的位置上，直接安装到光波导410A上。另外，该面发光激光器402A构成为向其基板侧、即下方出射光信号L6。并且，从面发光激光器402A出射的光信号L6被形成于槽412A的倾斜内面上的反射膜411A反射后与光波导410A耦合，在光波导410A内传播。
（第六实施方式）
接着，作为本发明的第六实施方式，对使用本发明的面发光激光器以及面发光激光器阵列的光通信系统进行说明。图16是本第六实施方式的波长复用传输系统的示意性结构图。如图16所示，该波长复用传输系统500具有：作为计算机、主板或者芯片等的信号生成处理单元501；通过电气布线508A、508B与信号生成处理单元501连接，并由CPU、MPU、波长控制电路等构成的通信控制电路502；分别通过电气布线509A、509B与通信控制电路502连接的面发光激光器阵列503以及受光元件集成部504；通过光纤阵列510A与面发光激光器阵列503连接的波长复用光合波器505；通过光纤阵列510B与受光元件集成部504连接的波长复用光分波器506；分别通过1根光纤511A、511B与波长复用光合波器505以及波长复用光分波器506连接的网络、PC、主板、芯片等通信对象507。另外，面发光激光器阵列503一维或者二维地排列振荡波长互不相同的本发明的面发光激光器。
接着，说明波长复用传输系统500的动作。信号生成处理单元501生成应发送到通信对象507的电信号，并经由电气布线508A发送到通信控制电路502。通信控制电路502经由电气布线509A将驱动电力提供给面发光激光器阵列503，同时，将互不相同的信号提供给构成面发光激光器阵列503的各面发光激光器使得生成光信号。构成光纤阵列510A的各光纤与构成面发光激光器阵列503的各面发光激光器光学耦合，按照每个信号光，利用不同的光纤将产生的各光信号传输到波长复用光合波器505。波长复用光合波器505将所传输的各光信号进行波长复用合波后耦合到一根光纤511A。光纤511A将波长复用合波后的光信号传输到通信对象507。
另一方面，波长复用光分波器506按照每个波长将从通信对象507经由光纤511B传输来的进行了波长复用合波的光信号进行分波，使每个光信号与构成光纤阵列501B的各光纤耦合。光纤阵列510B将各光信号传输到受光元件集成部504。构成光纤阵列510B的各光纤，构成受光元件集成部504的各受光元件与构成光纤阵列501B的各光纤光学耦合，接收各光信号后转换成电信号，将各电信号经由电气布线509B传输到通信控制电路502。通信控制电路502将各电信号经由电气布线508B传输到信号生成处理单元501。信号生成处理单元501进行各电信号的信号处理。
该波长复用传输系统500由于使用降低了寄生电容的本发明的面发光激光器阵列503，因此，能够实现高速且大电容的波长复用传输。此外，通过波长复用光合波器505使来自构成面发光激光器阵列503的各面发光激光器的各光信号与一根光纤511A耦合，因此，能够通过一根光纤高吞吐量地进行大容量的信号传输。
另外，根据用途，在该波长复用传输系统500的结构中，也能够通过光纤阵列使面发光激光器阵列503以及受光元件集成部504各自与通信对象507连接而形成并行传输系统。并且，本发明的面发光激光器阵列由于具有良好的高频调制特性，因此，能够以超过50Gbit／s的传输速度实现超过200米的长距离通信。
此外，在上述实施方式中，整个下部DBR反射镜由具有互不相同的导电型的第1低折射率层与第1高折射率层构成，但是，本发明不限于此，也可以是至少在下部DBR反射镜的一部分中，第1低折射率层与第1高折射率层具有互不相同的导电型。此外，在上述实施方式中，虽然第1低折射率层是p型，第1高折射率层是n型，但是，只要是互不相同的导电型就可以，因此，第1低折射率层也可以是n型，第1高折射率层也可以是p型。
此外，在上述实施方式中，虽然上部DBR反射镜整体由电介质多层膜构成，但是，也可以是至少其一部分为电介质多层膜，其他部分为半导体多层膜的结构。此外，关于上部DBR反射镜，也可由半导体多层膜构成，并在上部DBR反射镜上形成有上部电极。即，关于有源层的上部，不一定非得是内腔结构。
此外，构成面发光激光器的半导体材料不限于AlGaAs系、GaInAs系，能够根据激光器振荡波长使用InP系等其他半导体材料。本发明虽然利用GaAs基板示出了实施例，但是也可为InP基板。此时，供氧化的层为AlGaInAs或者AlInAs。
此外，下部半导体多层膜反射镜的半导体材料根据激光器振荡波长进行适当选择。例如，可以是第1低折射率层由AlGaAs构成，第1高折射率层由（Al）GaAs构成。此外，也可以是第1低折射率层由AlGaInP构成，第1高折射率层由（Al）GaInP构成。此外，还可以是第1低折射率层由InP构成，第1高折射率层由AlGaInAs构成。其中，（Al）GaAs以及（Al）GaInP是指也包含Al的组成为零的情况。
此外，在上述实施方式中，在基板与有源层之间形成有n型半导体层，在有源层的上侧形成有p型半导体层，但是，也可在有源层的上侧形成n型半导体层。
此外，上述实施方式虽然是将本发明用于面发光激光器，但是，本发明不限于此，例如也可用于半导体调制器等其他电子元件。即，如果是具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，且在半导体多层结构的至少一部分中，第1半导体层与第2半导体层具有互不相同的导电型的电子元件，则在第1半导体层与第2半导体层的pn结的界面处，耗尽层扩大，因此，能够降低其寄生电容，适合高速动作。
此外，并不是通过该实施方式限定本该发明。适当组合上述各实施方式的各结构要素后构成的内容也包含在本发明中。本领域技术人员也明了能够在上述实施方式中加入多种变更或者改良。加入此种变更或者改良的方式也可包含在本发明的技术范围内，这根据权利要求的记载是显而易见的。
标号说明
1：基板；2：下部DBR反射镜；2a：低折射率层；2b：高折射率层；3：n型接触层；4：n侧电极；5：n型包层；6：有源层；6a：量子阱层；6b：障壁层；7：p型包层；8：下部组成倾斜层；9：电流狭窄层；9a：开口部；9b：选择性氧化层；10：上部组成倾斜层；11、13：p型间隔层；12：p型高导电率层；14：p型接触层；15：p侧电极；16：上部DBR反射镜；17：n侧引出电极；18：p侧引出电极；100：光源；101、206、312、332、402A、402B：面发光激光器；102：控制器；200：面发光激光器阵列装置；201：扁平封装；202：金属脚轮；203：电极衬垫；205：面发光激光器阵列部；210：面发光激光器阵列芯片；300：面发光激光器封装；301：光拾取器；310、330：面发光激光器模块；313、333：电极；314、335：接线；320：外壳；321：光纤安装部；322、511A、511B：光纤；323、336a、342：透镜；324：臂；334：驱动IC；336：树脂；340：半透半反镜；341：衍射光栅；350：光传感器；360：光存储介质；400A、400B：光收发模块；401A、401B：保持部件；403A、403B：受光元件；404A、404B：驱动电路；405A、405B：放大电路；406A、406B：间隔件；410A、410B：光波导；411A：反射膜；412A：槽；420：反射镜组件；421：反射面；431：光纤线芯；500：波长复用传输系统；501：信号生成处理单元；502：通信控制电路；503：面发光激光器阵列；504：受光元件集成部；505：波长复用光合波器；506：波长复用光分波器；507：通信对象；508A、508B、509A、509B：电气布线；510A、510B：光纤阵列；l1～l3：线；L1～L3：激光信号光；L4：反射信号光；L6：光信号；P：路径。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
（2012年2月1日（01.02.2012）国际事务局受理）
1.（修改后）一种电子元件，其具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其特征在于，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型，
所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。
2.（删除）
3.一种面发光激光器，其特征在于，具有：
下部半导体多层膜反射镜，其由第1低折射率层与具有比该第1低折射率层高的折射率的第1高折射率层的周期结构构成；上部多层膜反射镜，其由第2低折射率层与具有比该第2低折射率层高的折射率的第2高折射率层的周期结构构成；
有源层，其设置于所述下部半导体多层膜反射镜与所述上部多层膜反射镜之间；以及
下部接触层，其设置于所述有源层与所述下部半导体多层膜反射镜之间，形成有用于向所述有源层供给电流的下部电极，
其中，在所述下部半导体多层膜反射镜的至少一部分中，所述第1低折射率层与所述第1高折射率层具有互不相同的导电型。
4.根据权利要求3所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有互不相同的导电型的第1低折射率层与第1高折射率层中的p型以及n型的载流子浓度全部小于1×1017cm-3。
5.根据权利要求3或者4所述的面发光激光器，其特征在于，所述下部半导体多层膜反射镜包含具有取入所述碳的性质的元素。
6.根据权利要求5所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有取入碳的性质的元素为铝（Al）。
7.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaAs构成，所述第1高折射率层由（Al）GaAs构成。
8.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaInP构成，所述第1高折射率层由（Al）GaInP构成。
9.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由InP构成，所述第1高折射率层由AlGaInAs构成。
10.根据权利要求3～9的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，具有：
电流狭窄层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述有源层之间，具有由Al1-xGaxAs构成的电流注入部以及由通过选择性氧化形成的（Al1-xGax）2O3构成的电流狭窄部，其中0≤x＜0.2；
上部接触层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述电流狭窄层之间，形成有用于向所述有源层供给电流的上部电极；以及
高导电率层，其设置于所述上部接触层与所述电流狭窄层之间，具有比所述上部接触层高的导电率。
11.根据权利要求3～10的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，截止频率在20GHz以上。
12.根据权利要求4～11的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，所述第1低折射率层以及所述第1高折射率层都是在不有意地掺杂p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂的情况下形成。
13.根据权利要求4～11的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，所述第1低折射率层以及所述第1高折射率层之中的具有n型的导电型的层是有意地掺杂n型的掺杂剂而形成的。
14.一种面发光激光器阵列，其特征在于，通过将权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器排列成一维或者二维的阵列状而得到。
15.一种光源，其特征在于，具有：
权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器或者权利要求14所述的面发光激光器阵列；以及
向所述面发光激光器或者所述面发光激光器阵列施加调制信号的控制器。
16.一种光模块，其特征在于，具有权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器、权利要求14所述的面发光激光器阵列或者权利要求15所述的光源。

Claims (16)

1.一种电子元件，其具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其特征在于，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。
2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。
3.一种面发光激光器，其特征在于，具有：
下部半导体多层膜反射镜，其由第1低折射率层与具有比该第1低折射率层高的折射率的第1高折射率层的周期结构构成；上部多层膜反射镜，其由第2低折射率层与具有比该第2低折射率层高的折射率的第2高折射率层的周期结构构成；
有源层，其设置于所述下部半导体多层膜反射镜与所述上部多层膜反射镜之间；
以及下部接触层，其设置于所述有源层与所述下部半导体多层膜反射镜之间，形成有用于向所述有源层供给电流的下部电极，
其中，在所述下部半导体多层膜反射镜的至少一部分中，所述第1低折射率层与所述第1高折射率层具有互不相同的导电型。
4.根据权利要求3所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有互不相同的导电型的第1低折射率层与第1高折射率层中的p型以及n型的载流子浓度全部小于1×1017cm-3。
5.根据权利要求3或者4所述的面发光激光器，其特征在于，所述下部半导体多层膜反射镜包含具有取入所述碳的性质的元素。
6.根据权利要求5所述的面发光激光器，其特征在于，所述具有取入碳的性质的元素为铝（Al）。
7.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaAs构成，所述第1高折射率层由（Al）GaAs构成。
8.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由AlGaInP构成，所述第1高折射率层由（Al）GaInP构成。
9.根据权利要求3～6的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，在所述下部半导体多层膜反射镜中，所述第1低折射率层由InP构成，所述第1高折射率层由AlGaInAs构成。
10.根据权利要求3～9的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，具有：
电流狭窄层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述有源层之间，具有由Al1-xGaxAs构成的电流注入部以及由通过选择性氧化形成的（Al1－xGax）2O3构成的电流狭窄部，其中0≤x＜0.2；
上部接触层，其设置于所述上部多层膜反射镜与所述电流狭窄层之间，形成有用于向所述有源层供给电流的上部电极；
以及高导电率层，其设置于所述上部接触层与所述电流狭窄层之间，具有比所述上部接触层高的导电率。
11.根据权利要求3～10的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，截止频率在20GHz以上。
12.根据权利要求4～11的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，所述第1低折射率层以及所述第1高折射率层都是在不有意地掺杂p型的掺杂剂以及n型的掺杂剂的情况下形成。
13.根据权利要求4～11的任一项所述的面发光激光器，其特征在于，所述第1低折射率层以及所述第1高折射率层之中的具有n型的导电型的层是有意地掺杂n型的掺杂剂而形成的。
14.一种面发光激光器阵列，其特征在于，通过将权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器排列成一维或者二维的阵列状而得到。
15.一种光源，其特征在于，具有：
权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器或者权利要求14所述的面发光激光器阵列；以及
向所述面发光激光器或者所述面发光激光器阵列施加调制信号的控制器。
16.一种光模块，其特征在于，具有权利要求3～13的任一项所述的面发光激光器、权利要求14所述的面发光激光器阵列或者权利要求15所述的光源。
CN2011800194139A 2010-10-04 2011-09-29 电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块 Pending CN102844945A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010225075 2010-10-04
JP2010-225075 2010-10-04
PCT/JP2011/005506 WO2012046420A1 (ja) 2010-10-04 2011-09-29 電子素子、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源、および光モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102844945A true CN102844945A (zh) 2012-12-26

Family

ID=45927427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011800194139A Pending CN102844945A (zh) 2010-10-04 2011-09-29 电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8638832B2 (zh)
JP (1) JP5075292B2 (zh)
CN (1) CN102844945A (zh)
DE (1) DE112011102431B4 (zh)
WO (1) WO2012046420A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977186A (zh) * 2016-05-10 2016-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 湿法刻蚀装置及其防爆方法
CN109088309A (zh) * 2018-10-16 2018-12-25 厦门乾照半导体科技有限公司 一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法
CN110100359A (zh) * 2017-01-12 2019-08-06 柏林工业大学 垂直腔表面发射激光器
CN111095699A (zh) * 2017-09-15 2020-05-01 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法、以及投影仪
CN114373806A (zh) * 2020-10-14 2022-04-19 华为技术有限公司 光电器件及其制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3206237A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-16 Exalos AG Light emitting device with transparent conductive group-iii nitride layer
US9812609B1 (en) * 2016-04-11 2017-11-07 X Development Llc Semiconductor device including oxide current aperture
JP2019012721A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよびその製造方法、電子機器、ならびにプリンター
US10707195B2 (en) 2018-10-09 2020-07-07 Waymo Llc Multichannel monostatic rangefinder

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03265124A (ja) * 1990-03-15 1991-11-26 Fujitsu Ltd 原子層ドープ半導体構造体
JP2003179308A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光型半導体レーザ素子
JP2006245473A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Ricoh Co Ltd 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光スイッチング方法および光送信モジュールおよび光伝送装置
JP2009246035A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 長波長帯域面発光レーザ素子
JP2009283722A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光レーザ素子

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245622A (en) * 1992-05-07 1993-09-14 Bandgap Technology Corporation Vertical-cavity surface-emitting lasers with intra-cavity structures
US6148016A (en) * 1997-11-06 2000-11-14 The Regents Of The University Of California Integrated semiconductor lasers and photodetectors
AU2003256382A1 (en) 2002-07-06 2004-01-23 Optical Communication Products, Inc. Method of self-aligning an oxide aperture with an annular intra-cavity contact in a long wavelength vcsel
JP2004103754A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ素子および面発光レーザモジュールおよび面発光レーザアレイおよび光伝送システム
JP4069383B2 (ja) * 2003-03-18 2008-04-02 富士ゼロックス株式会社 表面発光型半導体レーザおよびその製造方法
US20050249254A1 (en) * 2004-04-14 2005-11-10 Deppe Dennis G Current-confinement heterostructure for an epitaxial mode-confined vertical cavity surface emitting laser
WO2006039341A2 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser having multiple top-side contacts
US7391800B2 (en) * 2005-02-02 2008-06-24 Ricoh Company, Ltd. Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03265124A (ja) * 1990-03-15 1991-11-26 Fujitsu Ltd 原子層ドープ半導体構造体
JP2003179308A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光型半導体レーザ素子
JP2006245473A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Ricoh Co Ltd 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置および光スイッチング方法および光送信モジュールおよび光伝送装置
JP2009246035A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 長波長帯域面発光レーザ素子
JP2009283722A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光レーザ素子

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105977186A (zh) * 2016-05-10 2016-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 湿法刻蚀装置及其防爆方法
CN105977186B (zh) * 2016-05-10 2019-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 湿法刻蚀装置及其防爆方法
CN110100359A (zh) * 2017-01-12 2019-08-06 柏林工业大学 垂直腔表面发射激光器
CN110100359B (zh) * 2017-01-12 2021-06-18 柏林工业大学 垂直腔表面发射激光器
CN111095699A (zh) * 2017-09-15 2020-05-01 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法、以及投影仪
CN109088309A (zh) * 2018-10-16 2018-12-25 厦门乾照半导体科技有限公司 一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法
CN109088309B (zh) * 2018-10-16 2024-01-26 厦门乾照半导体科技有限公司 一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法
CN114373806A (zh) * 2020-10-14 2022-04-19 华为技术有限公司 光电器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5075292B2 (ja) 2012-11-21
US20130215922A1 (en) 2013-08-22
US8638832B2 (en) 2014-01-28
JPWO2012046420A1 (ja) 2014-02-24
DE112011102431B4 (de) 2014-03-06
DE112011102431T5 (de) 2013-08-22
WO2012046420A1 (ja) 2012-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102844945A (zh) 电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块
US10305250B2 (en) III-Nitride nanowire array monolithic photonic integrated circuit on (001)silicon operating at near-infrared wavelengths
US6593602B2 (en) Edge emission type semiconductor device for emitting super luminescent light, its manufacture and spatial optical communication device
US8494022B2 (en) Surface emitting laser, surface emitting laser array, light source and optical module
US20060285566A1 (en) Surface-emitting laser diode with tunnel junction and fabrication method
US8300671B2 (en) Surface emitting laser
US7274720B2 (en) Semiconductor laser element having InGaAs compressive-strained quantum-well active layer
JP2021193756A (ja) 光半導体素子、光モジュール及び光半導体素子の製造方法
US11563307B2 (en) High speed high bandwidth vertical-cavity surface-emitting laser
JP2008153547A (ja) 埋込導波路型受光素子
JP2010140967A (ja) 光モジュール
KR20230006848A (ko) 콜로이드 양자점 광 방출기 및 검출기
JP4143324B2 (ja) 発光素子、光電子集積装置、電気機器、及び光伝送システム
TW202315254A (zh) 包含多主動層與光柵層的半導體雷射二極體
JP2006173328A (ja) 光素子、光モジュール、および、光伝送装置
JP2010003883A (ja) 半導体レーザ素子、光モジュールおよび光トランシーバ
JP2005223351A (ja) 面発光半導体レーザ、当該レーザを用いた光送受信モジュール及び当該レーザを用いた並列情報処理装置
US20230352910A1 (en) Light emitting element, light emitting element unit, electronic device, light emitting device, sensing device, and communication device
CN113544920B (zh) 超模式滤波波导发射器
JP4046466B2 (ja) 半導体分布ブラッグ反射鏡、面発光型半導体レーザ並びにこれを用いた光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信システム
JP2002261400A (ja) レーザ、レーザ装置および光通信システム
JP2002252418A (ja) 光通信システム
US20190165541A1 (en) Optical semiconductor integrated device, method of manufacturing optical semiconductor integrated device, and optical communication system
TWI838888B (zh) 包含多主動層與光柵層的半導體雷射二極體
US20230327404A1 (en) Inverted slab-coupled optical waveguide

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121226