CN102826853A - 一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种陶瓷基板，提供一种弯曲强度高、热导率高的高强度氮化铝陶瓷基板，同时提供一种所述高强度氮化铝陶瓷基板的制造方法。所述高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体95～105重量份；稀土氧化物4～8重量份；含硅氧化物0.05～0.5重量份；溶剂40～45重量份；分散剂1～3重量份；粘结剂8～12重量份；增塑剂3～7重量份。
Description
技术领域
本发明涉及一种陶瓷基板，具体涉及一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制造方法。
背景技术
随着大功率模块电路集成度的提高以及大功率LED的发展，对所用绝缘基板材料提出了更高的要求，氮化铝陶瓷材料由于具有较高的热导率，已广泛应用于各种大功率电子原件的绝缘基板材料。然而，在一些小型化应用领域，除了具有较高的热导率外，还要求氮化铝陶瓷基板具有较高的机械性能，尤其是在厚度小于0.38mm的薄板中，要求氮化铝陶瓷基板具有较高的抗弯强度。在一些功率组件的散热基板或半导体器件的托架应用中，为了获得较好的机械性能和抗热震性能，人们往往采用控制晶粒生长的方法来获得细晶显微结构。例如，中国专利公开号200510072778.4公开了一种氮化铝烧结体的制备方法，采用烧结体中残留0.005-0.1wt%碳的方法来控制氮化铝晶粒的生长，同时采用CaO-Y2O3做助烧剂，在低于1700℃的烧结温度下获得晶粒在0.5-2.0μm的细晶氮化铝陶瓷，这种陶瓷具有较高的强度和抗热震性能，但是热导率却降低了。除了采用合适液相控制晶粒生长外，采用快速烧结也可以获得较细的晶粒。中国专利公开号03825296.1公开了一种氮化铝烧结体，采用脉冲电流快速烧结附加后续长时间热处理的工艺来获得小晶粒的致密氮化铝烧结体，该烧结体具有较高的强度，符合镜面抛光的要求，可以应用于高精度微细布线，但同样存在热导率降低的问题。
发明内容
因此，针对以上内容，本发明提供一种弯曲强度高、热导率高的高强度氮化铝陶瓷基板，同时提供一种制造所述高强度氮化铝陶瓷基板的方法。
为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：
氮化铝粉体 95～105重量份
稀土氧化物 4～8重量份
含硅氧化物 0.05～0.5重量份
溶剂 40～45重量份
分散剂 1～3重量份
粘结剂 8～12重量份
增塑剂 3～7重量份。
进一步的改进是：所述稀土氧化物为三氧化二钇。
进一步的改进是：所述含硅氧化物为气相法白炭黑或沉淀法白炭黑，所述含硅氧化物的粒径为0.01～1μm。
进一步的改进是：所述溶剂为无水乙醇与丁醇按重量百分比为1：2的比例混合的混合物，所述分散剂为鱼油，所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛，所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯。
所述高强度氮化铝陶瓷基板的制造方法，包括以下步骤：
（1）流延浆料的配制：将95～105重量份的氮化铝粉体、4～8重量份的稀土氧化物、0.05～0.5重量份的含硅氧化物、18～21重量份的溶剂、 1～3重量份的溶剂、1～3重量份的分散剂一起球磨混合23.5～24.5h，然后与22～24重量份的溶剂、8～12重量份的粘结剂、3～7重量份的增塑剂一起再混合11.5～12.5h，再经过真空除泡处理4.8～5.2h，得到粘度为18000～22000cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度在0.2～0.8mm之间的流延坯体，将该流延坯体在500～650℃排胶1.8～2.2h，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1790～1890℃进行无压烧结，烧结时采用氢气、氮气混合气氛保护。
进一步的改进是：所述步骤（3）中，氢气、氮气的流量比为1:1～2。
通过采用前述技术方案，本发明的有益效果是： 本发明在氮化铝粉体中添加特定含量的稀土氧化物、含硅氧化物以及溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂，采用高温烧结的方法，使得氮化铝陶瓷基板的第二相在烧结过程中分布于氮化铝晶粒的三角晶界处，在三角晶界处分布有一定的液相，对晶粒之间的结合产生“粘结”作用，从而获得弯曲强度高、热导率高的高强度氮化铝陶瓷基板，所得基板的显微结构为：粘结第二相分布于三角晶界处，断裂为穿晶断裂。进一步的，在高强度氮化铝陶瓷基板的制造过程中，采用氢气、氮气混合流动气氛进行保护，并且氢气、氮气的流量比控制在1：1～2，同时本发明采用的白炭黑的主要成份为二氧化硅，其添加量在0.05～0.5重量份，能够使液相集中在三角晶界处同时又不会对热导率造成损害。
具体实施方式
以下将结合具体实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
若未特别指明，实施例中所采用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段，所采用的试剂和产品也均为可商业获得的。未详细描述的各种过程和方法是本领域中公知的常规方法，所用试剂的来源、商品名以及有必要列出其组成成分者，均在首次出现时标明。
实施例一
一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体（德山曹达商业氮化铝粉）1000g，三氧化二钇50g，粒径为0.05μm的气相法白炭黑0.5g，无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物430g，鱼油20g，聚乙烯醇缩丁醛100g，邻苯二甲酸二丁酯50g。
其制造方法，包括以下步骤：（1）流延浆料的配制：将1000g的氮化铝粉体、50g的三氧化二钇、0.5g粒径为0.05μm的气相法白炭黑、230g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物、20g的鱼油一起球磨混合24h，然后与200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物，100g的聚乙烯醇缩丁醛、50g的邻苯二甲酸二丁酯一起再混合12h，再经过真空除泡处理5h，得到粘度为20000cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度为0.6mm的流延坯体，然后冲压成100×100mm的方片，将成型的方片在排胶炉中缓慢升温至600℃并保温2h，充分排出其中的有机物，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1850℃进行无压烧结，烧结时采用氢气氮气混合气氛保护，氢气氮气的流速比为1：2。
实施例二
一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体（德山曹达商业氮化铝粉）1010g，三氧化二钇50g，粒径为0.1μm的气相法白炭黑1g，无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物440g，鱼油25g，聚乙烯醇缩丁醛110g，邻苯二甲酸二丁酯60g。
其制造方法，包括以下步骤：（1）流延浆料的配制：将1010g的氮化铝粉体、50g的三氧化二钇、1g粒径为0.1μm的气相法白炭黑、240g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物、25g的鱼油一起球磨混合24h，然后与200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物，110g的聚乙烯醇缩丁醛、60g的邻苯二甲酸二丁酯一起再混合12h，再经过真空除泡处理5h，得到粘度为21000cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度为0.7mm的流延坯体，然后冲压成100×100mm的方片，将成型的方片在排胶炉中缓慢升温至550℃并保温2h，充分排出其中的有机物，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1860℃进行无压烧结，烧结时采用氢气氮气混合气氛保护，氢气氮气的流速比为1：2。
实施例三
一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体（德山曹达商业氮化铝粉）1020g，三氧化二钇50g，粒径为0.2μm的气相法白炭黑3g，无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物450g，鱼油26g，聚乙烯醇缩丁醛115g，邻苯二甲酸二丁酯65g。
其制造方法，包括以下步骤：（1）流延浆料的配制：将1020g的氮化铝粉体、50g的三氧化二钇、3g粒径为0.2μm的气相法白炭黑、230g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物、26g的鱼油一起球磨混合24h，然后与220g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物，115g的聚乙烯醇缩丁醛、65g的邻苯二甲酸二丁酯一起再混合12h，再经过真空除泡处理5h，得到粘度为21500cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度为0.8mm的流延坯体，然后冲压成100×100mm的方片，将成型的方片在排胶炉中缓慢升温至580℃并保温2h，充分排出其中的有机物，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1870℃进行无压烧结，烧结时采用氢气氮气混合气氛保护，氢气氮气的流速比为1：2。
实施例四
一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体（德山曹达商业氮化铝粉）1000g，三氧化二钇50g，粒径为0.05μm的气相法白炭黑5g，无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物400g，鱼油16g，聚乙烯醇缩丁醛100g，邻苯二甲酸二丁酯65g。
其制造方法，包括以下步骤：（1）流延浆料的配制：将1000g的氮化铝粉体、50g的三氧化二钇、5g粒径为0.05μm的气相法白炭黑、200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物、16g的鱼油一起球磨混合24h，然后与200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物，100g的聚乙烯醇缩丁醛、65g的邻苯二甲酸二丁酯一起再混合12h，再经过真空除泡处理5h，得到粘度为19500cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度为0.8mm的流延坯体，然后冲压成100×100mm的方片，将成型的方片在排胶炉中缓慢升温至620℃并保温2h，充分排出其中的有机物，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1800℃进行无压烧结，烧结时采用氢气氮气混合气氛保护，氢气氮气的流速比为1：2。
实施例五
一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体（德山曹达商业氮化铝粉）1040g，三氧化二钇60g，粒径为0.07μm的气相法白炭黑0.5g，无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物420g，鱼油19g，聚乙烯醇缩丁醛120g，邻苯二甲酸二丁酯45g。
其制造方法，包括以下步骤：（1）流延浆料的配制：将1040g的氮化铝粉体、60g的三氧化二钇、0.5g粒径为0.07μm的气相法白炭黑、200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物、16g的鱼油一起球磨混合24h，然后与220g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物，120g的聚乙烯醇缩丁醛、45g的邻苯二甲酸二丁酯一起再混合12h，再经过真空除泡处理5h，得到粘度为19500cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度为0.5mm的流延坯体，然后冲压成100×100mm的方片，将成型的方片在排胶炉中缓慢升温至640℃并保温2h，充分排出其中的有机物，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1810℃进行无压烧结，烧结时采用氢气氮气混合气氛保护，氢气氮气的流速比为1：2。
实施例六
一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体（德山曹达商业氮化铝粉）1000g，三氧化二钇70g，粒径为0.1μm的气相法白炭黑0.5g，无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物400g，鱼油20g，聚乙烯醇缩丁醛100g，邻苯二甲酸二丁酯50g。
其制造方法，包括以下步骤：（1）流延浆料的配制：将1000g的氮化铝粉体、70g的三氧化二钇、0.5g粒径为0.1μm的气相法白炭黑、200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物、20g的鱼油一起球磨混合24h，然后与200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物，100g的聚乙烯醇缩丁醛、50g的邻苯二甲酸二丁酯一起再混合12h，再经过真空除泡处理5h，得到粘度为21000cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度为0.5mm的流延坯体，然后冲压成100×100mm的方片，将成型的方片在排胶炉中缓慢升温至610℃并保温2h，充分排出其中的有机物，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1860℃进行无压烧结，烧结时采用氢气氮气混合气氛保护，氢气氮气的流速比为1：2。
实施例七
一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，所述流延浆料的各组分及其含量为：氮化铝粉体（德山曹达商业氮化铝粉）990g，三氧化二钇80g，粒径1μm的气相法白炭黑5g，无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物400g，鱼油20g，聚乙烯醇缩丁醛100g，邻苯二甲酸二丁酯50g。
其制造方法，包括以下步骤：（1）流延浆料的配制：将990g的氮化铝粉体、80g的三氧化二钇、5g粒径为1μm的气相法白炭黑、200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物、20g的鱼油一起球磨混合24h，然后与200g的无水乙醇与丁醇按1：2（重量比）进行混合的混合物，100g的聚乙烯醇缩丁醛、50g的邻苯二甲酸二丁酯一起再混合12h，再经过真空除泡处理5h，得到粘度为21000cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度为0.6mm的流延坯体，然后冲压成100×100mm的方片，将成型的方片在排胶炉中缓慢升温至600℃并保温2h，充分排出其中的有机物，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1800℃进行无压烧结，烧结时采用氢气氮气混合气氛保护，氢气氮气的流速比为1：2。
实施例八
将实施例2中得到的流延成型方片在排胶炉中缓慢升温至600℃并保温2h，得到氮化铝流延生坯，将流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1850℃下进行无压烧结，烧结时采用氢气、氮气混合流动气氛保护，氢气、氮气的流量比为1：1.7。
实施例九
将实施例2中得到的流延成型方片在排胶炉中缓慢升温至620℃并保温2h，得到氮化铝流延生坯，将流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1860℃下进行无压烧结，烧结时采用氢气、氮气混合流动气氛保护，氢气、氮气的流量比为1：1.3。
实施例十
将实施例2中得到的流延成型方片在排胶炉中缓慢升温至650℃并保温2h，得到氮化铝流延生坯，将流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1870℃下进行无压烧结，烧结时采用氢气、氮气混合流动气氛保护，氢气、氮气的流量比为1：1。
实施例一至实施例七所得到的氮化铝陶瓷基板的体积密度、弯曲强度及热导率如表1所示：
表1 氮化铝陶瓷基板的性能
| 体积密度（g/cm3） | 弯曲强度（MPa） | 热导率（W/m·K） | |
| 实施例一 | 3.32 | 487 | 178 |
| 实施例二 | 3.32 | 496 | 176 |
| 实施例三 | 3.31 | 472 | 171 |
| 实施例四 | 3.31 | 465 | 164 |
| 实施例五 | 3.32 | 493 | 164 |
| 实施例六 | 3.33 | 492 | 162 |
| 实施例七 | 3.34 | 498 | 161 |
实施例八至实施例十所得到的氮化铝陶瓷基板的体积密度、弯曲强度及热导率如表2所示：
表2 氮化铝陶瓷基板的性能
| 氢气氮气的流速比 | 体积密度（g/cm3） | 弯曲强度（MPa） | 热导率（W/m·K） | |
| 实施例八 | 1：1.7 | 3.32 | 486 | 175 |
| 实施例九 | 1：1.3 | 3.31 | 482 | 173 |
| 实施例十 | 1：1 | 3.29 | 472 | 172 |
其中，本发明实施例的陶瓷基板的热导率采用热传导分析仪hot disk进行测量。
发明在氮化铝粉体中添加特定含量的稀土氧化物、含硅氧化物以及溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂，采用高温烧结的方法，使得氮化铝陶瓷基板的第二相在烧结过程中分布于氮化铝晶粒的三角晶界处，在三角晶界处分布有一定的液相，对晶粒之间的结合产生“粘结”作用，从而获得弯曲强度高、热导率高的高强度氮化铝陶瓷基板，所得基板的显微结构为：粘结第二相分布于三角晶界处，断裂为穿晶断裂。进一步的，在高强度氮化铝陶瓷基板的制造过程中，采用氢气、氮气混合流动气氛进行保护，并且氢气、氮气的流量比控制在1：1～2，同时本发明采用的白炭黑的主要成份为二氧化硅，其添加量在0.05～0.5重量份，能够使液相集中在三角晶界处同时又不会对热导率造成损害。
本发明中流延浆料的各组分及含量在以下范围内皆可实现本发明的目的：氮化铝粉体95～105重量份；稀土氧化物4～8重量份；含硅氧化物0.05～0.5重量份；溶剂40～45重量份；分散剂 1～3重量份；粘结剂 8～12重量份；增塑剂3～7重量份。其中稀土氧化物优选的为三氧化二钇，也可为氧化钪、氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥中的任意一种，含硅氧化物优选的为气相法白炭黑，而沉淀法白炭黑亦可，含硅氧化物的粒径在0.01～1μm皆可，溶剂，分散剂，粘结剂，增塑剂选择公知技术领域常用的试剂皆可实现本发明的目的。
在制备过程中，球磨处理时间在23.5～24.5h，真空除泡处理时间在4.8～5.2h，流延浆料粘度在18000～22000cps，流延坯体厚度在0.2～0.8mm，排胶处理温度在500～650℃，排胶处理时间在1.8～2.2h，无压烧结温度控制在1790～1890℃之间，氢气、氮气的流量比在1：1～2之间，在以上范围内皆可实现本发明的目的。
以上所记载，仅为利用本创作技术内容的实施例，任何熟悉本项技艺者运用本创作所做的修饰、变化，皆属本创作主张的专利范围，而不限于实施例所揭示者。
Claims (6)
1.一种高强度氮化铝陶瓷基板，由流延浆料经流延成型和高温烧结而成，其特征在于，所述流延浆料的各组分及其含量为：
氮化铝粉体 95～105重量份
稀土氧化物 4～8重量份
含硅氧化物 0.05～0.5重量份
溶剂 40～45重量份
分散剂 1～3重量份
粘结剂 8～12重量份
增塑剂 3～7重量份。
2.根据权利要求1所述的高强度氮化铝陶瓷基板，其特征在于：所述稀土氧化物为三氧化二钇。
3.根据权利要求1所述的高强度氮化铝陶瓷基板，其特征在于：所述含硅氧化物为气相法白炭黑或沉淀法白炭黑，所述含硅氧化物的粒径为0.01～1μm。
4.根据权利要求1或2或3所述的高强度氮化铝陶瓷基板，其特征在于：所述溶剂为无水乙醇与丁醇按重量百分比为1：2的比例混合的混合物，所述分散剂为鱼油，所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛，所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯。
5.一种高强度氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）流延浆料的配制：将95～105重量份的氮化铝粉体、4～8重量份的稀土氧化物、0.05～0.5重量份的含硅氧化物、18～21重量份的溶剂、 1～3重量份的溶剂、1～3重量份的分散剂一起球磨混合23.5～24.5h，然后与22～24重量份的溶剂、8～12重量份的粘结剂、3～7重量份的增塑剂一起再混合11.5～12.5h，再经过真空除泡处理4.8～5.2h，得到粘度为18000～22000cps的流延浆料；
（2）流延生坯的制备：将流延浆料经流延成型机，流延得到厚度在0.2～0.8mm之间的流延坯体，将该流延坯体在500～650℃排胶1.8～2.2h，得到氮化铝流延生坯；
（3）陶瓷基板的制备：将氮化铝流延生坯放入高温钨真空电阻炉，在1790～1890℃进行无压烧结，烧结时采用氢气、氮气混合气氛保护。
6.根据权利要求5所述的高强度氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤（3）中，氢气、氮气的流量比为1:1～2。
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| CN (1) | CN102826853B (zh) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104556983A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 广东华辉煌光电科技有限公司 | 一种汽车led灯散热器用陶瓷 |
| CN104844221A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-08-19 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN105367072A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种高致密度抗裂的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367069A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种含白炭黑的经济高效强韧氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367070A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367075A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367071A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种光滑抗弯的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367073A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种纳米羟基磷灰石改性的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367100A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种防腐蚀高致密度纳米氮化钛增强的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367076A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种高韧低膨胀系数的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367074A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种低裂纹抗折高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367110A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种硫酸钙晶须弥散增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367103A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105384444A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-09 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种含纳米碳球的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105472881A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 南通金源智能技术有限公司 | 一种3d打印石墨烯电路板 |
| CN107522495A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-12-29 | 李军廷 | 一种使用流延法制备氮化铝电子陶瓷基板的方法和流延法制备陶瓷用溶剂 |
| CN111875386A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-11-03 | 福建臻璟新材料科技有限公司 | 一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法 |
| CN112876260A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-06-01 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种超薄氮化铝陶瓷基片的生产工艺 |
| CN113121244A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-16 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制备方法 |
| CN114538932A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-05-27 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种共烧氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN115010499A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-09-06 | 广东工业大学 | 一种稀土氟化物与氧化钪双掺制备高性能氮化铝陶瓷基板的方法 |
| CN118561605A (zh) * | 2024-08-02 | 2024-08-30 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1152298A (zh) * | 1995-07-11 | 1997-06-18 | 株式会社东芝 | 氮化铝烧结体及其制造方法 |
| CN1203206A (zh) * | 1998-07-24 | 1998-12-30 | 清华大学 | 陶瓷基板的流延法制备工艺 |
| CN1421418A (zh) * | 2003-01-10 | 2003-06-04 | 清华大学 | 高热导率氮化铝陶瓷 |
| CN101386539A (zh) * | 2008-10-16 | 2009-03-18 | 清华大学 | 氮化铝陶瓷材料及其制备方法 |
-
2012
- 2012-09-04 CN CN201210322367.6A patent/CN102826853B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1152298A (zh) * | 1995-07-11 | 1997-06-18 | 株式会社东芝 | 氮化铝烧结体及其制造方法 |
| CN1203206A (zh) * | 1998-07-24 | 1998-12-30 | 清华大学 | 陶瓷基板的流延法制备工艺 |
| CN1421418A (zh) * | 2003-01-10 | 2003-06-04 | 清华大学 | 高热导率氮化铝陶瓷 |
| CN101386539A (zh) * | 2008-10-16 | 2009-03-18 | 清华大学 | 氮化铝陶瓷材料及其制备方法 |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104556983A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-29 | 广东华辉煌光电科技有限公司 | 一种汽车led灯散热器用陶瓷 |
| CN106467396B (zh) * | 2015-04-20 | 2019-05-21 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN104844221A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-08-19 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN106467396A (zh) * | 2015-04-20 | 2017-03-01 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN104844221B (zh) * | 2015-04-20 | 2016-12-07 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN105367100A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种防腐蚀高致密度纳米氮化钛增强的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367071A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种光滑抗弯的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367073A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种纳米羟基磷灰石改性的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367075A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367076A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种高韧低膨胀系数的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367074A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种低裂纹抗折高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367110A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种硫酸钙晶须弥散增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367103A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105384444A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-09 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种含纳米碳球的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367070A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367069A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种含白炭黑的经济高效强韧氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105367072A (zh) * | 2015-10-27 | 2016-03-02 | 合肥龙多电子科技有限公司 | 一种高致密度抗裂的氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法 |
| CN105472881A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 南通金源智能技术有限公司 | 一种3d打印石墨烯电路板 |
| CN107522495A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-12-29 | 李军廷 | 一种使用流延法制备氮化铝电子陶瓷基板的方法和流延法制备陶瓷用溶剂 |
| CN111875386A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-11-03 | 福建臻璟新材料科技有限公司 | 一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法 |
| CN111875386B (zh) * | 2020-08-07 | 2022-10-18 | 福建臻璟新材料科技有限公司 | 一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法 |
| CN112876260A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-06-01 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种超薄氮化铝陶瓷基片的生产工艺 |
| CN113121244A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-16 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制备方法 |
| CN114538932A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-05-27 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种共烧氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN114538932B (zh) * | 2022-03-21 | 2022-12-06 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种共烧氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN115010499A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-09-06 | 广东工业大学 | 一种稀土氟化物与氧化钪双掺制备高性能氮化铝陶瓷基板的方法 |
| CN118561605A (zh) * | 2024-08-02 | 2024-08-30 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
| CN118561605B (zh) * | 2024-08-02 | 2024-10-15 | 福建华清电子材料科技有限公司 | 一种高性能氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102826853B (zh) | 2014-12-17 |
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