CN102809964A - 电压检测电路、ecu、具备ecu的汽车 - Google Patents

Abstract

本发明提供电压检测电路、ECU和具备ECU的汽车。根据一个实施方式，阈值生成部生成设定电压，将设定电压变换为第1电流。第1电阻器的一端与检测端子连接。检测部与第1电阻器的另一端连接，检测第1电流，在向检测端子施加的施加电压在高电位侧电源电压的预定倍以上时，从检测端子侧向第1电阻器侧流过一定的检测端子输入电流。检测输出部被输入检测部的输出信号，在施加电压小于高电位侧电源电压的预定倍时向检测输出端子输出高电位侧电源电压，在施加电压在高电位侧电源电压的预定倍以上时向检测输出端子输出低电位侧电源电压。

Description

电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车

(相关文献的引用)

本申请以2011年6月1日申请的在先日本国专利申请2011-123602号为基础，要求其优先权，其内容全体通过引用结合于此。

技术领域

这里说明的实施方式涉及电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车。

背景技术

车载等的电子系统中，从电池或者电池组生成电压比较低的多个电压。生成的多个电压适用于电子设备。车载用驱动器中，设置了检测从电池或电池组等发生的具有比较高的电压的电源万一的短路(short-to-power)，保护由ECU(electronic control unit：电子控制单元)等控制的电路部不受短路损坏的电压检测电路。电压检测电路具备电阻分割电路和/或检测比较器。

由于电池或电池组的短路，检测端子电压成为高电压后，发生检测端子输入电流。检测端子输入电流具有随着检测端子电压变高而增加的问题。另外，检测端子电压成为预定电压以上的高电压后，存在超过检测比较器的耐压，检测比较器劣化或者损坏的问题。若作为检测比较器的劣化或者损坏对策而追加二极管钳位(clamp)电路，则存在检测端子输入电流增大的问题。

发明内容

本发明提供可以抑制在检测端子电压因短路成为高电位时发生的检测端子输入电流的半导体装置、ECU、具备ECU的汽车。

根据一个实施方式，电压检测电路具备阈值生成部、第1电阻器、检测部及检测输出部。阈值生成部设置在高电位侧电源(higher voltage source)和低电位侧电源(lower voltage source)间，生成设定电压，将设定电压变换为第1电流。第1电阻器的一端与检测端子连接。检测部设置在高电位侧电源和低电位侧电源间，与第1电阻器的另一端连接，检测第1电流，在向检测端子施加的施加电压在高电位侧电源电压的预定倍以上时，从检测端子侧向第1电阻器侧流过一定的检测端子输入电流。检测输出部设置在高电位侧电源和低电位侧电源间，被输入检测部的输出信号，在检测端子的电压小于高电位侧电源电压的预定倍时向检测输出端子输出第1信号，在施加电压在高电位侧电源电压的预定倍以上时向检测输出端子输出第2信号。

根据其他实施方式，ECU具备输出驱动部、电压检测电路及控制上述输出驱动部的控制部。ECU从上述输出驱动部输出输出驱动信号。输出驱动部经由检测端子输出使控制对象部工作的输出驱动信号。电压检测电路具备阈值生成部、第1电阻器、检测部、及检测输出部。阈值生成部设置在高电位侧电源和低电位侧电源间，生成比高电位侧电源电压低的设定电压，将设定电压变换为第1电流。第1电阻器的一端与检测端子连接。检测部设置在高电位侧电源和低电位侧电源间，与第1电阻器的另一端连接，检测第1电流，在向检测端子施加的施加电压在(高电位侧电源电压+设定电压)以上时，从检测端子侧向第1电阻器侧流过一定的检测端子输入电流。检测输出部设置在高电位侧电源和低电位侧电源间，输入检测部的输出信号，在施加电压小于(高电位侧电源电压+设定电压)时，向检测输出端子输出第1信号，在施加电压在(高电位侧电源电压+设定电压)以上时向检测输出端子输出第2信号。控制部经由检测输出端子被输入从检测输出部输出的信号，向检测端子施加的电压在(高电位侧电源电压+设定电压)以上时，输出停止输出驱动部的工作的控制信号。

本发明在半导体装置、ECU、具备ECU的汽车中，可以抑制检测端子电压因短路成为高电位时发生的检测端子输入电流。

附图说明

图1是第一实施方式的电压检测电路的构成的电路图。

图2是比较例的电压检测电路的构成的电路图。

图3是第一实施方式的电压检测电路短路时的示图。

图4是第一实施方式的电压检测电路的晶体管被施加高电压的说明图。

图5是第一实施方式的电源电压和阈值的关系的说明图。

图6是第一实施方式的相对于检测端子电压的特性变化的说明图。

图7是第二实施方式的电压检测电路的构成的电路图。

图8是第三实施方式的电压检测电路的构成的电路图。

图9是具备实施方式的ECU的汽车的概略构成的示图。

图10是实施方式的ECU、控制对象部、线束(wire harness)的概略图。

具体实施方式

以下，参照附图进一步说明多个实施方式。附图中，同一符号表示同一或者类似部分。

参照图9及图10说明实施方式的电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车。图9是具备ECU的汽车的概略构成的示图。图10是ECU、控制对象部、线束的概略图。

如图9所示，在汽车200设置了轮胎21、发动机22、电源23、ECU24、传感器31至34、开关35、马达36、马达37、反射镜38及反射镜39。

ECU24(electronic control unit，汽车用电子控制装置)进行汽车200内的电子控制。汽车200中，轮胎21在通常的4处配置。电源23包括电池或者电池组。电池中，发生12V的高电位侧电源(higher voltage source)，电池组中，发生数十V到数百V的高电位侧电源。发动机22从电源23供给高电位侧电源，由ECU24控制工作。传感器31至34、开关35、马达36、马达37通过ECU24控制工作。

如图10所示，在ECU24设置了调节器51、驱动器52、MCU53。从电源23向ECU24供给高电位侧电源Vcc。

调节器51从电源23输入高电位侧电源Vcc，生成降压的高电位侧电源Vdd。调节器51是例如同步整流型降压开关调节器。

作为半导体装置的驱动器52被供给高电位侧电源Vdd。在驱动器52设置了输出驱动部61及电压检测电路90。输出驱动部61经由与检测端子Pad1连接的信号线SL1，将输出驱动信号Sout2输出。输出驱动信号Sout2输入由ECU24控制的控制对象部42的马达36及马达37。马达36及马达37通过输出驱动信号Sout2控制工作。马达36及马达37是例如电动窗用马达或者反射镜38及反射镜39的角度调节用马达等，是以比较低的电压工作的马达。

包含传送高电位侧电源Vcc、高电位侧电源Vdd、低电位侧电源(lowervoltage source)(接地电位)Vss等的从各种电源线及ECU24输出的输出驱动信号Sout2的信号线SL1的各种信号线，经由与ECU24连接的线束41供给汽车200内的各种设备、电路。

在电压检测电路90设置了电阻器R1、检测端子Pad1、检测输出端子Pad2(详细的电路构成后述)。电压检测电路90在短路(short-to-power)时(例如，信号线SL1与高电位侧电源Vcc接触时)，由检测端子Pad1检测其电压，从检测输出端子Pad2输出检测输出信号Sout1。电压检测电路90用于进行短路检测和电路保护。

作为控制部的MCU(microcontroller unit，微控制器)53生成控制汽车200内的各种设备和/或电路的比较低的电压的控制信号。MCU53经由例如检测输出端子Pad2输入检测输出信号Sout1，向驱动器52输出控制信号Ssg1。MCU53在电压检测电路90检测到短路时，向驱动器52输出禁用(disable)状态的控制信号Ssg1，停止驱动器52的工作。通过驱动器52的工作的停止，不向马达36及马达37输入输出驱动信号Sout2。因此，可以防止马达36及马达37的短路导致的误工作和/或内部电路的损坏等。MCU53在由电压检测电路90没有检测到短路的通常工作时，向驱动器52输出使能(enable)状态的控制信号Ssg1，使驱动器52工作。

接着，参照附图说明在作为半导体装置的驱动器52设置的电压检测电路。图1是电压检测电路的构成的电路图。图2是比较例的电压检测电路的构成的电路图。本实施方式的电压检测电路中，由阈值生成部生成设定电压后变换为电流，由检测部控制与检测端子连接的电阻器的两端间的电压差，从而，抑制短路时发生的检测端子输入电流。

如图1所示，在电压检测电路90设置了阈值生成部1、检测部2、检测输出部3、电阻器R1、检测端子Pad1及检测输出端子Pad2。在电压检测电路90附近，配置了供给高电位侧电源Vcc的电源线。高电位侧电源Vcc设定成比向电压检测电路90供给的高电位侧电源Vdd高的电位。

电压检测电路90用作例如高电位侧电源Vcc的接触导致驱动器的短路等的电压检测电路。电压检测电路90在高电位侧电源Vcc的短路发生时用检测端子Pad1检测高电位侧电源Vcc，将从检测输出端子Pad2输出的检测输出信号Sout1设定成低电位侧电源(接地电位)Vss电平，以保护驱动器52和/或因输出驱动电流Sout2工作的控制对象部42等。该驱动器是步进马达驱动器、H桥式驱动器或者输出驱动器等。

在阈值生成部1设置了晶体管TR1至4、电阻器R2至5。阈值生成部1生成设定电压，将设定电压变换为电流Ia。

电阻器R2的一端与高电位侧电源Vdd连接，另一端与节点N1连接。电阻器R3的一端与节点N1连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电阻器R2及R3作为电阻分割电路而工作，在电阻器R2的两端间发生高电位侧电源Vdd电压的(1/n)的设定电压(其中，n＞1)。以下的说明中，判断检测端子Pad1短路的场合，作为一例，说明了检测端子Pad1的电压成为高电位侧电源Vdd电压的1.1倍{1+(1/n)}以上的场合，因此，这里，通过将电阻器R2和电阻器R3的电阻值及电阻比设定成预定的值，将n的值设定成10，在电阻器R2的两端间产生高电位侧电源Vdd电压的10％的设定电压。

晶体管TR1是NPN晶体管。晶体管TR1的集电极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，基极(控制端子)与节点N1连接，发射极(第2端子)与节点N2连接。电阻器R4的一端与节点N2连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。

电阻器R5的一端与高电位侧电源Vdd连接。电流Ia从电阻器R5的一端流向另一端侧。晶体管TR2是PNP晶体管。晶体管TR2的发射极(第1端子)与电阻器R5的另一端连接，基极(控制端子)与节点N2连接，集电极(第2端子)与节点N3连接。晶体管TR3是NPN晶体管。晶体管TR3的集电极(第1端子)与节点N3连接，基极(控制端子)与节点N4连接，发射极(第2端子)与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。晶体管TR4是NPN晶体管。晶体管TR4的集电极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，基极(控制端子)与节点N3连接，发射极(第2端子)与节点N4连接。

晶体管TR3及TR4构成电流镜像电路。供给高电位侧电源Vdd后，晶体管TR3及TR4工作。晶体管TR4对电流放大率(hfe)增大时的基极电流的降低、由早期(early)电压的降低造成的基极电流的变动等进行校正，使一定的基极电流流向节点N4。与仅仅采用基极与集电极连接的晶体管TR3的场合比较，可以实现稳定的电流镜像电路。

阈值生成部1通过晶体管TR1及晶体管TR2折返(反转)电阻器R2的两端间的设定电压，通过电阻器R5将设定电压变换为电流Ia。

电阻器R1的一端与检测端子Pad1连接，另一端与检测部2的节点N8连接。这里，电阻器R1和阈值生成部1的电阻器R5设定成同一电阻值。

在检测部2设置了晶体管TR5至10、二极管D1及二极管D2。检测部2短路时，将电阻器R1的两端间的电压设定成与电阻器R2的两端间的设定电压相同值。

二极管D1包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D1设置在高电位侧电源Vdd和节点N5间。二极管D2包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D2设置在节点N8和节点N9间。

晶体管TR5是Nch高耐压MOS晶体管。高耐压MOS晶体管也称为功率MOS晶体管。晶体管TR5的漏极(第1端子)与节点N5连接，栅极(控制端子)与高电位侧电源Vdd连接，源极(第2端子)与节点N6连接。晶体管TR5在被供给高电位侧电源Vdd时导通。

晶体管TR6是Nch高耐压MOS晶体管。晶体管TR6的漏极(第1端子)与节点N9连接，栅极(控制端子)与高电位侧电源Vdd连接，源极(第2端子)与节点N10连接。晶体管TR6在被供给高电位侧电源Vdd，检测端子Pad1达到预定的电压以上后导通。

这里，高耐压MOS晶体管是指DMOS或沟道功率MOS等。高耐压MOS晶体管与以比较低的电压工作的逻辑系统的MOS晶体管比较，栅极-漏极间耐压、栅极-源极间耐压、栅极-基板间耐压及漏极-源极间耐压可设定得高。因而，即使施加高电压，也可以显著抑制元件的劣化和/或损坏。

晶体管TR7是PchMOS晶体管。晶体管TR7的源极(第1端子)与节点N6连接，栅极(控制端子)与漏极(第2端子)及节点N7连接。晶体管TR8是PchMOS晶体管。晶体管TR8的源极(第1端子)与节点N10连接，栅极(控制端子)与晶体管TR7的栅极(控制端子)连接，漏极(第2端子)与节点N11连接。

晶体管TR7及TR8构成电流镜像电路。在晶体管TR7及TR8中，也可以取代MOS晶体管而采用MIS晶体管或者JFET。这里，晶体管TR7及TR8进行与传统的电压检测电路使用的检测比较器同样的工作。从而，最好不使用流过基极电流的NPN晶体管和PNP晶体管。

晶体管TR9是NPN晶体管。晶体管TR9的集电极(第1端子)与节点N7连接，基极(控制端子)与节点N4及晶体管TR3的基极(控制端子)连接，发射极(第2端子)与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。晶体管TR9与晶体管TR3构成电流镜像电路，电流Ib流向低电位侧电源(接地电位)Vss侧。

晶体管TR10是NPN晶体管。晶体管TR10的集电极(第1端子)与节点N11连接，基极(控制端子)与节点N4及晶体管TR3的基极(控制端子)连接，发射极(第2端子)与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。晶体管TR10与晶体管TR3构成电流镜像电路，晶体管TR6导通后，电流Ic流向低电位侧电源(接地电位)Vss侧。

在检测输出部3设置了晶体管TR11及TR12、电阻器R6及R7。检测输出部3在向检测端子Pad1施加的电压小于高电位侧电源Vdd电压的1.1倍{1+(1/n)，n为10时}时，向检测输出端子Pad2输出高电位侧电源Vdd电压的检测输出信号Sout1。检测输出部3在电压检测电路90检测到短路时(向检测端子Pad1施加的电压在高电位侧电源Vdd电压的1.1倍{1+(1/n)，n为10时}以上时)，向检测输出端子Pad2输出低电位侧电源(接地电位)Vss电压的检测输出信号Sout1。

晶体管TR11是NchMOS晶体管。晶体管TR11的漏极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，栅极(控制端子)与节点N11连接，源极(第2端子)与节点N12连接。电阻器R6的一端与节点N12连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。

电阻器R7的一端与高电位侧电源Vdd连接，另一端与节点N13连接。晶体管TR12是NPN晶体管。晶体管TR12的集电极(第1端子)与节点N13连接，基极(控制端子)与节点N12连接，发射极(第2端子)与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。从晶体管TR12的漏极侧(节点N13侧)输出检测输出信号Sout1。

如图2所示，在比较例的电压检测电路100设置了电源5、比较器6、电阻器Ra、电阻器Rb、二极管Da、检测端子Pad1及检测输出端子Pad2。在电压检测电路100附近，配置被供给高电位侧电源Vcc的电源线。

电阻器Ra的一端与检测端子Pad1连接，另一端与节点Na连接。电阻器Rb的一端与节点Na连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电阻器Ra及Rb作为电阻分割电路而工作，从节点Na输出电阻分割后的电压。节点Na的电压根据检测端子Pad1的电压变化。

二极管Da的阴极与节点Na连接，阳极与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。二极管Da在电压检测电路100短路后(例如，检测端子Pad1成为高电位侧电源Vcc时)，以不向比较器6施加高电压的方式，防止节点Na成为预定电压以上的电压(起到二极管钳位电路的功能)。

电源5设置在比较器6的输入侧的(-)端口和低电位侧电源(接地电位)Vss间，发生基准电压Vref。

作为检测比较器的比较器6设置在高电位侧电源Vdd和低电位侧电源(接地电位)Vss间。比较器6的输入侧的(+)端口与节点Na连接，在输入侧的(-)端口输入基准电压Vref，将比较放大的信号作为检测输出信号Sout1向检测输出端子Pad2输出。

检测端子Pad1不足预定电压时，输出比较器6比较放大的检测输出信号Sout1，电压检测电路100短路，检测端子Pad1为预定电压以上时，比较器6输出低电位侧电源(接地电位)Vss的检测输出信号Sout1。

因而，比较例的电压检测电路100中，短路后，随着检测端子Pad1的电压上升，从检测端子Pad1侧流向电阻器Ra侧的检测端子输入电流增大。例如高电位侧电源Vcc为40V的场合，作为检测端子输入电流，流过数十μA以上的电流。另外，二极管钳位电路即二极管Da起作用后，检测端子输入电流进一步增大。

接着，参照图3至6说明连接于检测端子的线短路的场合。图3是电源检测电路短路的场合的示图。如图3所示，电压检测电路90中，检测端子Pad1若与高电位侧电源Vcc接触，则高电位侧电源Vcc和高电位侧电源Vdd的关系设定成

Vcc＞＞Vdd  式(1)，

因此在电压检测电路90发生短路。这里，例如高电位侧电源Vdd设定成5V，高电位侧电源Vcc设定成40V(电池组)。

电压检测电路90短路后，检测端子输入电流Iin开始从检测端子Pad1侧流向电阻器Ra侧。晶体管TR6导通后，晶体管TR3及TR10构成的电流镜像电路工作，检测端子输入电流Iin成为电流Ic电平。

图4是向电压检测电路的晶体管施加高电压的说明图。如图4所示，电压检测电路90短路后，电阻器R1的一端成为高电位侧电源Vcc电压，高电压经由电阻器R1及二极管D2施加到节点N9(晶体管TR6的漏极)。此时，晶体管TR6的漏极-基板间、漏极-源极间及漏极-栅极间被施加高电压。

但是，由于晶体管TR6采用Nch高耐压MOS晶体管，因此即使漏极侧施加高电压，也可以防止特性的劣化和损坏的发生。

另外，为Pb(铅)电池的场合，高电位侧电源Vcc可为12V，为多级电池组的场合，高电位侧电源Vcc可为144V等。任一场合中，晶体管TR6通过采用具有高电位侧电源Vcc以上的耐压的高耐压MOS晶体管，可以防止晶体管TR6的特性劣化、损坏的发生。

图5是电源电压和阈值的关系的说明图。如图5所示，例如高电位侧电源Vdd电压为5V时，即使向电压检测电路90供给的高电位侧电源Vdd电压变化±10％，阈值的变化也非常小，阈值设定成近似1.1。该设定在短路发生后向检测端子Pad1施加阈值电压(5.5V)以上的电压时，用于将从检测输出端子Pad2输出的检测输出电压Vout1设定成低电位侧电源(接地电位)Vss电平。短路的场合，在电阻器R1的两端间施加高电位侧电源Vdd电压的10％。

图6是相对于检测端子电压的特性变化的说明图。图6是向检测端子Pad1施加直线地升压的检测端子电压Vpad1时的特性图。图中的第1区域是通常工作区域。图中的第2区域是短路发生时的工作区域。

如图6所示，检测端子电压Vpad1在第1区域的低电压区域成为反偏置，不流过检测端子输入电流Iin。即，在检测输出端子Vpad1不足高电位侧电源Vdd的1.1倍(阈值5.5V)的第1区域中，检测输出部3的晶体管TR11、TR12截止，作为检测输出信号Sout1输出的检测输出电压Vout1成为高电位侧电源Vdd电压(5V)。检测端子电压Vpad1上升，接近阈值电压(5.5V)后，开始流过检测端子输入电流Iin。

检测部2的高电位侧电源Vdd电压和节点N7间的基准电压Vref、电流I(TR5)表示为

Vref＝Vf(D1)+{Ron(TR5)×I(TR5)}+Vth(TR7)  式(2)

I(TR5)＝[Vdd×{r2/(r2+r3)}]/r5            式(3)

这里，Vf(D1)是二极管D1的正向电压，Ron(TR5)是晶体管TR5的导通电阻，I(TR5)是流过晶体管TR5的电流，Vth(TR7)是晶体管TR7的阈值电压，r2是电阻器R2的电阻值，r3是电阻器R3的电阻值，r5是电阻器R5的电阻值。

检测部2的高电位侧电源Vdd电压和节点N7间的电位差Vdn7若接近基准电压Vref，则开始流过检测端子输入电流Iin。

例如电流Ic的(1/2)的电流I1流过基极接地的二极管D2时的检测端子Pad1和节点N11间的电位差Vpn11表示为

Vpn11＝Vf(D2)+{(Ron(TR6)×I1)/2}+Vth(TR8)+{(r1×I1)/2}  式(4)

例如，高电位侧电源Vcc设定成40V，高电位侧电源Vdd设定成5V，短路判断的阈值电压设定成5.5V时，基极接地的二极管D2的电流Ic成为(1/2)后，正向电压Vf比电流Ic时降低18mV。因而，检测端子电压Vpad1为比阈值(5.5V)低40mV的电压时，检测端子输入电流Iin即电流I1仅仅流过电流Ic的(1/2)。

检测端子电压Vpad1成为高电位侧电源Vdd的1.1倍(阈值电压5.5V)后，晶体管TR6导通，晶体管TR3及TR10构成的电流镜像电路工作，从检测输出部3作为检测输出信号Sout1输出的检测输出电压Vout1成为低电位侧电源(接地电位)Vss电压。

检测端子电压Vpad1成为高电位侧电源Vdd的1.1倍(阈值电压5.5V)以上后，电阻器R5和电阻器R1设定成相同电阻值，通过阈值生成部1和检测部2的工作，在电阻器R1的两端间施加高电位侧电源Vdd的10％的一定电压。因而，高电位侧电源Vdd的1.1倍(阈值电压5.5V)以上的第2区域中，流过具有一定电流值的检测端子输入电流Iin，检测输出部3的晶体管TR11导通，节点N12升压到大于低电位侧电源(接地电位)Vss或节点N12与低电位侧电源(接地电位)Vss相比升压，晶体管TR12导通，因此，作为检测输出信号Sout1输出的检测输出电压Vout1成为低电位侧电源(接地电位)Vss电压。作为一定电流值，例如检测端子输入电流Iin流过7μA。该值与比较例比，为显著小的值。

第2区域的检测端子输入电流Iin的电流值(7μA)可以比在比较例的电压检测电路100流过的检测端子输入电流Iin的电流值显著降低。另外，比较例的电压检测电路100中，必须根据情况考虑短路的场合施加的高电压值。从而，比较例的电压检测电路100中，包含比较器6在内，必须再设计被施加高电压的元件。

本实施方式的电压检测电路90中，不需要再设计。另外，本实施方式的电压检测电路90中，电阻器R1及R5设定成同一电阻值，电阻器R1及R5设定成适当电阻值，因此，可以将高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍的电压设定为固定的阈值。与短路时的高电压值无关，无需进行阈值设定的重设。

如上所述，本实施方式的电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车中，在汽车200设置了轮胎21、发动机22、电源23、ECU24、传感器31至34、开关35、马达36、马达37、反射镜38及反射镜39。在ECU24设置了调节器51、驱动器52、MCU53。在驱动器52设置了阈值生成部1、检测部2、检测输出部3、电阻器R1、检测端子Pad1及检测输出端子Pad2。在阈值生成部1设置了晶体管TR1至4、电阻器R2至5。在检测部2设置了晶体管TR5至10、二极管D1及二极管D2。检测部2在短路时，将电阻器R1的两端间的电压设定成与电阻器R2的两端间的设定电压相同的值。

因而，可以显著抑制短路时发生的检测端子输入电流Iin。检测端子输入电流Iin与短路时施加的高电压值无关，可以设为一定(恒定)值。另外，可以防止短路时的高电压导致的构成电压检测电路90的内部元件的劣化和损坏。从而，考虑短路的元件的再设计变得不必要。与短路时的高电压无关，阈值设定的重设变得不必要。另外，短路时输出驱动部61停止，因此可以防止驱动器52的劣化、损坏，提供具有高可靠性的ECU24。另外，短路时由ECU24控制的控制对象部42停止工作，因此可以防止控制对象部42的劣化、损坏，实现具备ECU的汽车200的高可靠性。

另外，本实施方式中，阈值生成部1包括双极晶体管，检测部2及检测输出部3包括BiCMOS，但是不限于此。例如，阈值生成部1、检测部2及检测输出部3也可以设为CMOS构成(其中，除了高耐压MOS晶体管即晶体管TR5及TR6)。

另外，本实施方式中，将电压检测电路90用作车载用驱动器52的电压检测电路，但是不限于此。作为产业用、民用设备用输出驱动的电压检测电路使用的场合，例如与多个高电压电源布线相邻配置。

参照附图说明第二实施方式的电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车。图7是电压检测电路的构成电路图。本实施方式中，变更了检测部和检测输出部的构成。

以下，与第一实施方式相同的构成部分附上相同符号，部分的说明省略，仅仅说明不同的部分。

如图7所示，在电压检测电路91设置了阈值生成部1、检测部2a、检测输出部3a、电阻器R1、检测端子Pad1及检测输出端子Pad2。在电压检测电路91附近，配置了被供给高电位侧电源Vcc的电源线。电压检测电路91与第一实施方式同样，设置在电子控制汽车的ECU的驱动器内。电压检测电路91与第一实施方式的电压检测电路90同样工作(动作)，作为驱动器的电池短路等的电压检测电路使用。

在检测部2a设置了电流源13、晶体管TR9、晶体管TR10、晶体管TR21至TR26及二极管D22至25。检测部2a与第一实施方式的检测部2同样工作。检测部2a在短路时(检测端子Pad1与高电位侧电源Vcc接触时)，将电阻器R1的两端间的电压设定成与电阻器R2的两端间的设定电压相同的值。

二极管D22包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D22设置在高电位侧电源Vdd和节点N22间。二极管D23包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D23设置在电阻器R1和节点N25间。

晶体管TR21是Nch高耐压MOS晶体管。晶体管TR21的漏极(第1端子)与节点N22连接，栅极(控制端子)与高电位侧电源Vdd连接，源极(第2端子)与节点N23连接。晶体管TR21在供给高电位侧电源Vdd时导通。

晶体管TR22是Nch高耐压MOS晶体管。晶体管TR22的漏极(第1端子)与节点N25连接，栅极(控制端子)与高电位侧电源Vdd连接，源极(第2端子)与节点N26连接。晶体管TR22被供给高电位侧电源Vdd，检测端子Pad1成为预定的电压以上后导通。

二极管D24包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D24设置在节点N23和节点N24及晶体管TR9的集电极(第1端子)间。二极管D25包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D25设置在节点N26和节点N27及晶体管TR10的集电极(第1端子)间。

晶体管TR9与第1实施方式同样，在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流Ib。晶体管TR10与第1实施方式同样，在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流Ic。

电流源13和晶体管TR23至26构成比较器。该比较器比较节点N24的电压和节点N27的电压，将比较放大的信号从节点N28输出。

晶体管TR23是PNP晶体管。晶体管TR23的发射极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，基极(控制端子)与节点N30连接，集电极(第2端子)与节点N28连接。晶体管TR24是PNP晶体管。晶体管TR24的发射极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，基极(控制端子)与晶体管TR23的基极(控制端子)、集电极(第2端子)及节点N30连接。晶体管TR23及TR24构成电流镜像电路，起到比较器的负载的功能。

晶体管TR25是NPN晶体管。晶体管TR25的集电极(第1端子)与节点N28连接，基极(控制端子)与节点N24连接，发射极(第2端子)与节点N29连接。晶体管TR26是NPN晶体管。晶体管TR26的集电极(第1端子)与节点N30连接，基极(控制端子)与节点N27连接，发射极(第2端子)与节点N29连接。晶体管TR25及TR26形成差动对。

电流源13的一端与节点N29连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电流源13在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流。

包括电流源13和晶体管TR23至26的比较器在节点N24的电压比节点N27的电压大时(图6的第1区域)，从节点N28输出“Low”电平的信号。在节点N24的电压比节点N27的电压小时(图6的第2区域)，从节点N28输出“High”电平的信号。

在检测输出部3a设置了电流源14、迟滞(hysteresis)比较器15、反相器16及晶体管TR27。检测输出部3a与第一实施方式同样，在向检测端子Pad1施加的电压不足高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍时，向检测输出端子Pad2输出高电位侧电源Vdd电压的检测输出信号Sout1。检测输出部3a与第一实施方式同样，在电压检测电路91检测到短路时(向检测端子Pad1施加的电压在高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍以上时)，向检测输出端子Pad2输出低电位侧电源(接地电位)Vss电压的检测输出信号Sout1。

晶体管TR27是PNP晶体管。晶体管TR27的发射极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，基极(控制端子)与节点N28连接，集电极(第2端子)与节点N31连接。

电流源14的一端与节点N31连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电流源14在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流。

迟滞比较器15的输入侧与节点N31连接，输出侧与节点N32连接。反相器16的输入侧与节点N32连接，输出侧与检测输出端子Pad2连接。

根据这样的第二实施方式，具有与第一实施方式同样的阈值生成部1，进行基于阈值设定的节点N24的电压和基于检测端子Pad1的端子电压的节点N27的电压的比较，将与基于该比较结果的节点N28的电压相应的检测输出信号Sout1向检测输出端子Pad2输出。

节点N24的电压比节点N27的电压大，节点N28为“Low”电平时(图6的第1区域)，晶体管TR27导通，节点N31升压为比低电位侧电源(接地电位)Vss高的电压。迟滞比较器15的输出侧的节点N32成为“Low”电平，通过反相器16使信号反相，检测输出信号Sout1即检测输出电压Vout1成为高电位侧电源Vdd电压。

节点N27的电压比节点N24的电压大，节点N28为“High”电平时(图6的第2区域)，晶体管TR27截止，节点N31成为低电位侧电源(接地电位)Vss电平。迟滞比较器15的输出侧的节点N32成为“High”电平，通过反相器16使信号反相，检测输出信号Sout1即检测输出电压Vout1成为低电位侧电源(接地电位)Vss。

这样，第二实施方式中的电压检测电路91在检测短路，向检测端子Pad1施加的电压在高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍以上时，与第一实施方式的电压检测电路90同样，可以显著降低检测端子输入电流Iin的值。本实施方式的电压检测电路91中，不需要再进行元件设计，通过阈值生成部1的设定，可以将高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍的电压设定为固定阈值。与短路时的高电压值无关，无需进行阈值设定的重设。

如上所述，本实施方式的电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车中，阈值生成部1、检测部2a、检测输出部3a、电阻器R1、检测端子Pad1及检测输出端子Pad2设置在汽车搭载的ECU的驱动器内。在阈值生成部1设置了晶体管TR1至4、电阻器R2至5。在检测部2a设置了电流源13、晶体管TR9、晶体管TR10、晶体管TR21至TR26及二极管D22至25。检测部2a在短路时，将电阻器R1的两端间的电压设定成与电阻器R2的两端间的设定电压相同的值。

因而，可以显著抑制短路时发生的检测端子输入电流Iin。检测端子输入电流Iin与短路时施加的高电压值无关，可以设为一定值。另外，可以防止短路时的高电压导致的构成电压检测电路91的内部元件的劣化、损坏。从而，考虑短路的元件的再设计变得不必要。与短路时的高电压无关，阈值设定的重设变得不必要。另外，与短路时施加的高电位侧电源电压的值无关，可以防止驱动器的损坏，因此可以提供高可靠性的ECU。另外，可以防止ECU控制的控制对象部的劣化、损坏，实现具备ECU的汽车的高可靠性。

另外，本实施方式中，比较器包括双极晶体管，但是不限于此。例如也可以是CMOS构成和/或BiCMOS构成。

参照附图说明第三实施方式的电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车。图8是电压检测电路的构成电路图。本实施方式中，由阈值生成部对设定电压进行设定。

如图8所示，在电压检测电路92设置了阈值生成部1b、检测部2b、检测输出部3b、电阻器R22、检测端子Pad1及检测输出端子Pad2。电压检测电路92与第一实施方式同样，设置在电子控制汽车的ECU的驱动器内。在电压检测电路92附近，配置了被供给高电位侧电源Vcc的电源线。电压检测电路92与第一实施方式的电压检测电路90同样工作。电压检测电路92作为驱动器的电池短路等的电压检测电路使用。

在阈值生成部1b设置了电阻器R21及二极管D21。阈值生成部1b在电阻器R21的两端间生成高电位侧电源Vdd的(1/n)的电压即设定电压。

电阻器R21的一端与高电位侧电源Vdd连接，另一端与节点N21连接。二极管D21的阴极与节点N21连接，阳极与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。

电阻器R22的一端与检测端子Pad1连接，另一端与检测部2b的二极管D23连接。在电阻器R22的两端间设定高电位侧电源Vdd的(1/n)的电压即设定电压。

在检测部2b设置了电流源11至13、晶体管TR21、晶体管TR22、晶体管TR25、晶体管TR26、晶体管TR41、电阻器R41及二极管D22至25。检测部2b在短路时，将电阻器R22的两端间的电压设定成与电阻器R21的两端间的设定电压相同值。

二极管D22包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D22设置在高电位侧电源Vdd和节点N22间。二极管D23包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D23设置在电阻器R22和节点N25间。

晶体管TR21是Nch高耐压MOS晶体管。晶体管TR21的漏极(第1端子)与节点N22连接，栅极(控制端子)与节点N21连接，源极(第2端子)与节点N23连接。晶体管TR21在供给高电位侧电源Vdd时导通。

晶体管TR22是Nch高耐压MOS晶体管。晶体管TR22的漏极(第1端子)与节点N25连接，栅极(控制端子)与节点N21连接，源极(第2端子)与节点N26连接。晶体管TR22在供给高电位侧电源Vdd，检测端子Pad1成为预定的电压以上后导通。

二极管D24包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D24设置在节点N23和节点N24间。二极管D25包括基极与集电极连接的NPN晶体管。二极管D25设置在节点N26和节点N27间。

电流源11的一端与节点N24连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电流源11在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流。电流源12的一端与节点N27连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电流源12在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流。

电流源13、晶体管TR25、晶体管TR26、晶体管TR41及电阻器R41构成比较器。该比较器比较节点N24的电压和节点N27的电压，将比较放大的信号从节点N42输出。

电阻器R41的一端与高电位侧电源Vdd连接，另一端与节点N41及晶体管TR25的集电极(第1端子)连接。电阻器R41起到负载的功能。

晶体管TR41是PchMOS晶体管。晶体管TR41的源极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，栅极(控制端子)与漏极(第2端子)、节点N42及晶体管TR26的漏极(第1端子)连接。

晶体管TR25是NPN晶体管。晶体管TR25的集电极(第1端子)与节点N41连接，基极(控制端子)与节点N24连接，发射极(第2端子)与节点N29连接。晶体管TR26是NPN晶体管。晶体管TR26的集电极(第1端子)与节点N42连接，基极(控制端子)与节点N27连接，发射极(第2端子)与节点N29连接。晶体管TR25及TR26形成差动对。

电流源13的一端与节点N29连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电流源13在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流。

节点N24的电压比节点N27的电压大时(图6的第1区域)，节点N42成为“High”电平。节点N24的电压比节点N27的电压小时(图6的第2区域)，节点N42成为“Low”电平。

在检测输出部3b设置了电流源14、迟滞比较器15、反相器16、晶体管TR42、晶体管TR43及电阻器R42。检测输出部3b与第一实施方式、第二实施方式同样，在向检测端子Pad1施加的电压不足高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍时，向检测输出端子Pad2输出高电位侧电源Vdd电压的检测输出信号Sout1。检测输出部3b与第一实施方式、第二实施方式同样，在电压检测电路92检测短路时(向检测端子Pad1施加的电压在高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍以上时)，向检测输出端子Pad2输出低电位侧电源(接地电位)Vss电压的检测输出信号Sout1。

晶体管TR42是PchMOS晶体管。晶体管TR42的源极(第1端子)与高电位侧电源Vdd连接，栅极(控制端子)与晶体管TR41的栅极(控制端子)及节点N42连接，漏极(第2端子)与节点N43连接。晶体管TR42与晶体管TR41构成电流镜像电路。

电流源14的一端与节点N43连接，另一端与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。电流源14在低电位侧电源(接地电位)Vss侧流过电流。

电阻器R42的一端与高电位侧电源Vdd连接，另一端与节点N44连接。晶体管TR43是NchMOS晶体管。晶体管TR43的漏极(第1端子)与节点44及迟滞比较器15的输入侧连接，栅极(控制端子)与节点N43连接，源极(第2端子)与低电位侧电源(接地电位)Vss连接。

根据这样的第三实施方式，进行基于阈值生成部1b的阈值设定的节点N24的电压和基于检测端子Pad1的端子电压的节点N27的电压的比较，将与基于该比较结果的节点N28的电压相应的检测输出信号Sout1向检测输出端子Pad2输出。

节点N24的电压比节点N27的电压大，节点N42为“High”电平时(图6的第1区域)，节点N43为“Low”电平，晶体管TR43截止，节点N44为“High”电平，节点N32为“Low”电平，检测输出信号Sout1即检测输出电压Vout1成为高电位侧电源Vdd电压。

节点N27的电压比节点N24的电压大，节点N42为“Low”电平时(图6的第2区域)，节点N43为“High”电平，晶体管TR43导通，节点N44为“Low”电平，节点N32为“High”电平，检测输出信号Sout1即检测输出电压Vout1成为低电位侧电源(接地电位)Vss。

该第三实施方式中的电压检测电路92中，也在检测短路，向检测端子Pad1施加的电压在高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍以上时，与第一实施方式的电压检测电路90和第二实施方式的电压检测电路91同样，可以显著降低检测端子输入电流Iin的值。本实施方式的电压检测电路92中，不需要元件再设计，通过阈值生成部1b的设定，可以将高电位侧电源Vdd电压的{1+(1/n)}倍的电压设定为固定阈值。与短路时的高电压值无关，无需进行阈值设定的重设。

如上所述，本实施方式的电压检测电路、ECU、具备ECU的汽车中，设置了阈值生成部1b、检测部2b、检测输出部3b、电阻器R22、检测端子Pad1及检测输出端子Pad2。在阈值生成部1b设置了电阻器R21及二极管D21。在检测部2b设置了电流源11至13、晶体管TR21、晶体管TR22、晶体管TR25、晶体管TR26、晶体管TR41、二极管D22至25及电阻器R41。检测部2b在短路时，将电阻器R22的两端间的电压设定成与电阻器R21的两端间的设定电压相同的值。

因而，可以显著抑制短路时发生的检测端子输入电流Iin。检测端子输入电流Iin与短路时施加的高电压值无关，可以设为一定值。另外，可以防止短路时的高电压导致的构成电压检测电路92的内部元件的劣化、损坏。从而，考虑短路的元件的再设计变得不必要。与短路时的高电压无关，阈值设定的重设变得不必要。另外，与短路时施加的高电位侧电源电压的值无关，可以防止驱动器的损坏，因此，可以提供高可靠性的ECU。另外，可以防止ECU控制的控制对象部的劣化、损坏，因此可以实现具备ECU的汽车的高可靠性。

虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式只是例示，而不是限定发明的范围。这些新实施方式可以各种形态实施，在不脱离发明的要旨的范围，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形是发明的范围和要旨所包含的，也是权利要求的范围记载的发明及其均等的范围所包含的。

Claims (13)

1.一种电压检测电路，其特征在于，具备：

阈值生成部，其设置在高电位侧电源和低电位侧电源间，生成高电位侧电源电压的(1/n)的设定电压(其中，n＞1)，将上述设定电压变换为第1电流；

第1电阻器，其一端与检测端子连接；

检测部，其设置在上述高电位侧电源和上述低电位侧电源间，与上述第1电阻器的另一端连接，检测上述第1电流，在向上述检测端子施加的施加电压在上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍以上时，使一定的检测端子输入电流从上述检测端子侧流向上述第1电阻器侧；和

检测输出部，其设置在上述高电位侧电源和上述低电位侧电源间，被输入上述检测部的输出信号，在上述施加电压小于上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍时向检测输出端子输出第1信号，在上述施加电压为上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍以上时向上述检测输出端子输出第2信号。

2.如权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，

上述阈值生成部具有第2至第5电阻器及第1至第4晶体管，

上述第2电阻器的一端与上述高电位侧电源连接，

上述第3电阻器的一端与上述第2电阻器的另一端连接，另一端与上述低电位侧电源连接，上述第2电阻器和上述第3电阻器构成电阻分割电路，在上述第2电阻器的两端间产生上述高电位侧电源电压的(1/n)的上述设定电压，

上述第1晶体管的第1端子与上述高电位侧电源连接，控制端子与上述第2电阻器的另一端连接，

上述第4电阻器的一端与上述第1晶体管的第2端子连接，另一端与上述低电位侧电源连接，

上述第5电阻器的一端与上述高电位侧电源连接，

上述第2晶体管的第1端子与上述第5电阻器的另一端连接，控制端子与上述第1晶体管的第2端子连接，

上述第3晶体管的第1端子与上述第2晶体管的第2端子连接，第2端子与上述低电位侧电源连接，

上述第4晶体管的第1端子与上述高电位侧电源连接，控制端子与上述第3晶体管的第1端子连接，第2端子与上述第3晶体管的控制端子连接，

上述检测电路具有第5至第10晶体管，

上述第5晶体管的第1端子经由第1二极管与上述高电位侧电源连接，控制端子与上述高电位侧电源连接，

上述第6晶体管的第1端子经由第2二极管与上述第1电阻器的另一端连接，

上述第7晶体管的第1端子与上述第5晶体管的第2端子连接，控制端子与该晶体管的第2端子连接，

上述第8晶体管的第1端子与上述第6晶体管的第2端子连接，控制端子与上述第7晶体管的控制端子连接，与上述第7晶体管构成电流镜像电路，

上述第9晶体管的第1端子与上述第7晶体管的第2端子连接，控制端子与上述第3晶体管的控制端子连接，第2端子与上述低电位侧电源连接，与上述第3晶体管构成电流镜像电路，

上述第10晶体管的第1端子与上述第8晶体管的第2端子连接，控制端子与上述第3晶体管的控制端子连接，第2端子与上述低电位侧电源连接，与上述第3晶体管构成电流镜像电路。

3.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，

上述第5及第6晶体管是高耐压MOS晶体管。

4.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，

上述第1晶体管是NPN晶体管，上述第2晶体管是PNP晶体管。

5.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，

上述第3、4、9、10晶体管是NPN晶体管。

6.如权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，

上述第7、8晶体管是Pch MOS晶体管或Pch MIS晶体管。

7.如权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，

上述电压检测电路设置在车载驱动器、工业设备驱动器及民用设备驱动器。

8.一种电压检测电路，其特征在于，具备：

阈值生成部，其具有一端与高电位侧电源连接的第1电阻器和阴极与上述第1电阻器的另一端连接而阳极与低电位侧电源连接的第1二极管，在上述第1电阻器的两端间生成高电位侧电源电压的(1/n)的设定电压；

第2电阻器，其一端与检测端子连接；

检测部，其设置在上述高电位侧电源和上述低电位侧电源间，从上述阈值生成部被输入从上述高电位侧电源电压以上述设定电压降压后的电压，与上述第2电阻器的另一端连接，在向上述检测端子施加的施加电压在上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍以上时，使一定的检测端子输入电流从上述检测端子侧流向上述第2电阻器侧；和

检测输出部，其设置在上述高电位侧电源和上述低电位侧电源间，被输入从上述检测部输出的信号，在上述施加电压小于上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍时向检测输出端子输出第1信号，在上述施加电压在上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍以上时向上述检测输出端子输出第2信号。

9.如权利要求8所述的电压检测电路，其特征在于，

上述检测部具有第1及第2晶体管、第1及第2电流源及比较器，

上述第1晶体管的第1端子经由第2二极管与上述高电位侧电源连接，控制端子与上述第1电阻器的另一端连接，

上述第2晶体管的第1端子经由第3二极管与上述第2电阻器的另一端连接，控制端子与上述第1电阻器的另一端连接，

上述第1电流源的一端经由第4二极管与上述第1晶体管的第2端子连接，另一端与上述低电位侧电源连接，

上述第2电流源的一端经由第5二极管与上述第2晶体管的第2端子连接，另一端与上述低电位侧电源连接，

上述比较器被输入从上述第1电流源的一端侧输出的信号和从上述第2电流源的一端侧输出的信号，将比较放大的信号向上述检测输出部输出。

10.如权利要求9所述的电压检测电路，其特征在于，

上述第1及第2晶体管是高耐压MOS晶体管。

11.一种ECU，具备输出驱动部、电压检测电路及控制上述输出驱动部的控制部，从上述输出驱动部输出输出驱动信号，其特征在于，

上述输出驱动部经由检测端子输出使控制对象部工作的上述输出驱动信号，

上述电压检测电路具备：

阈值生成部，其设置在高电位侧电源和低电位侧电源间，生成高电位侧电源电压的(1/n)的设定电压(其中，n＞1)，将上述设定电压变换为第1电流；

第1电阻器，其一端与检测端子连接；

检测部，其设置在上述高电位侧电源和上述低电位侧电源间，与上述第1电阻器的另一端连接，检测上述第1电流，在向上述检测端子施加的施加电压在上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍以上时，使一定的检测端子输入电流从上述检测端子侧流向上述第1电阻器侧；和

检测输出部，其设置在上述高电位侧电源和上述低电位侧电源间，被输入上述检测部的输出信号，在上述施加电压小于上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍时向检测输出端子输出第1信号，在上述施加电压为上述高电位侧电源电压的{1+(1/n)}倍以上时向上述检测输出端子输出第2信号；

上述控制部，经由上述检测输出端子被输入从上述检测输出部输出的信号，在向上述检测端子施加的电压在(上述高电位侧电源电压+上述设定电压)以上时，输出使上述输出驱动部的工作停止的控制信号。

12.如权利要求11所述的ECU，其特征在于，

上述控制部是MCU。

13.如权利要求11所述的ECU，其特征在于，

上述高电位侧电源、上述低电位侧电源及上述输出驱动信号经由线束供给在汽车设置的设备。

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