CN102792453A - 太阳电池中降低表面再结合与强化光捕捉 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示用于提升太阳电池的一或多个介电层(302，303)的抗反射特性并降低所产生载子的表面再结合的方法。在某些实施例中，在介电层中引入掺杂剂，以提升其抗反射特性。在其他实施例中，在介电层(302，303)9中引入物质(800)以形成电场，由电场将少数载子以离开表面并朝触点的方式排斥。在另一实施例中，对抗反射涂层引入移动物质，藉此使载子被排斥离开太阳电池的表面。藉由在太阳电池的表面形成屏障，可降低表面处所不期望的再结合。

Description

太阳电池中降低表面再结合与强化光捕捉
技术领域
本发明涉及太阳电池中的介电质(dielectrics)，更具体而言，涉及用于强化太阳电池的介电层的光学特性的方法。
背景技术
离子植入(ion implantation)是一种用于向基板内引入能改变导电类型的杂质的标准技术。所期望的杂质材料在离子源中被离子化，离子被加速而形成具有规定能量的离子束，然后离子束射于基板的表面上。离子束中的高能离子渗透入基板材料的主体内并嵌于基板材料的晶格(crystalline lattice)中而形成具有所期望导电类型的区域。
太阳电池利用无成本的天然资源来提供无污染且可平等获取的能源。由于对环境问题的关切以及能源成本的攀升，可由硅基板制成的太阳电池在全球变得日趋重要。高效能太阳电池的制造或生产成本的任何降低或者高效能太阳电池的效率的任何提升皆会在全世界对太阳电池的制作产生积极影响。此将使此种干净能源技术具有更广的可利用性。
太阳电池通常由p-n半导体接面(semiconducting junction)组成。图1是选择性射极太阳电池(selective emitter solar cell)的剖视图。对射极200进行掺杂并对触点202之下的区域201提供额外掺杂剂(dopant)可提高太阳电池210的效率(例如，当太阳电池连接至电路时所转换及收集功率的百分比)。对区域201进行较重的掺杂会提高导电性，而在触点202之间进行较轻的掺杂则会提高电荷收集性。触点202可相隔约2毫米至3毫米。区域201的跨度可仅为约100微米至300微米。图2是指叉背接触式(interdigitated back contact，IBC)太阳电池220的剖视图。在IBC太阳电池中，接面处于太阳电池220的背面上。在本具体实施例中，掺杂图案为交替的p型及n型掺杂区。可对p+射极203与n+背面场204进行掺杂。此种掺杂可使IBC太阳电池中的接面发挥功能或具有提高的效率。
图1的选择性射极太阳电池与图2的IBC太阳电池二者皆具有抗反射涂层(anti-reflective coating，ARC)205。举例而言，此ARC 205可为SixNy。为改善ARC层205的光捕捉，SixNy层可在其下面具有氧化膜206。氧化膜206可具有高于硅的折射率。SixNy ARC 205可具有高于氧化物206的折射率，并更将光折射回太阳电池的硅中。此种类型的折射会减少反射光的量并提高电池效率。
将氧化层206与ARC 205一起使用会具有缺点。在表面介面处，例如在硅与介电层(即ARC 205及氧化层206)之间的悬键(dangling bond)处，会发生载子再结合(carrier recombination)。此外，光捕捉并非最佳，且介电层(例如氮化层或氧化层)会吸收紫外(ultraviolet，UV)光。此会降低太阳电池的UV收集效率。因此，在此项技术中需要提供能增强太阳电池的介电层的光学特性的改良方法。
发明内容
本发明揭示用于提升太阳电池的一或多个介电层的抗反射特性并降低所产生载子的表面再结合的方法。在某些实施例中，在介电层中引入掺杂剂，以提升其抗反射特性。在其他实施例中，在介电层中引入物质以形成电场，由电场将少数载子离开表面朝触点排斥。在另一实施例中，对抗反射涂层引入移动物质，藉此使载子被排斥离开太阳电池的表面。藉由在太阳电池的表面形成屏障，可降低表面处所不期望的再结合。
附图说明
为更佳地理解本发明，请参照以引用方式倂入本文之附图，附图中：
图1是选择性射极太阳电池的剖视图；
图2是指叉背接触式太阳电池的剖视图；
图3是实例性太阳电池的一部分的剖视图；
图4A至图4E是使用本文所揭示的第一种方法制造太阳电池的实施例；
图5A至图5B是p型及n型掺杂剂的植入后及氧化后分布；
图6是实例性太阳电池的一部分的剖视图，其显示载子的场漂移；
图7是使用本文所揭示的第二种方法的具有场的实例性太阳电池的一部分的剖视图；
图8是使用本文所揭示的第三种方法的实例性太阳电池的一部分的剖视图，此实例性太阳电池在介电质的表面上具有移动电荷；
图9是使用本文所揭示的第三种方法的实例性太阳电池的一部分的剖视图，此实例性太阳电池具有扩散至介电质内的移动电荷；
图10是实例性IBC太阳电池的一实施例的剖视图；
图11A至图11E是使用本文所揭示的第二种方法制造太阳电池的实施例。
具体实施方式
以下，将结合太阳电池来阐述此系统的实施例。然而，此方法的实施例亦可与例如半导体基板、影像感测器(image sensor)或平面面板(flatpanel)一起使用。此方法的实施例可与例如束线(beam-line)型或等离子体掺杂(plasma doping)型离子植入机一起使用。因此，本发明并非仅限于以下所述的具体实施例。
为改善氧化层206与ARC 205的一起使用，最佳化的表面场效应(surface field effect)可使少数载子离开表面或远离介电层并强化在触点处的收集。此可防止或降低在表面介面处的载子再结合。将氧化层206与ARC205最佳化便可强化光捕捉。藉由减小诸如氧化物或氮化物的介电层的厚度，将会减少此等层所吸收的UV光的量。本文所述方法的实施例会提升抗反射特性或光收集效率并降低所产生载子的表面再结合。此可提升太阳电池的总体效率。此可藉由提高表面层的折射率或藉由于太阳电池的表面形成电场来达成。
根据第一种方法，为改良太阳电池，可对表面钝化层进行掺杂。在某些实施例中，表面钝化层与抗反射涂层205可以相同。在其他实施例中，表面钝化层可为氧化层206，在其顶上涂覆有抗反射涂层205。
此表面钝化层可为氧化物、氮化物、氮氧化物(oxy-nitride)或非晶硅(α-Si)，其是在其形成过程中或形成之后被进行掺杂。此种掺杂会提高层的折射率并强化全内反射(total internal reflection)。图3是实例性太阳电池的一部分的剖视图。尽管此处是揭示此种特定太阳电池设计，然此方法的实施例亦可应用于其他太阳电池设计，例如具有经p型掺杂的射极的太阳电池设计。太阳电池300中的n型射极301可设置于p型基板(图未示出)上，以形成接面。用作表面钝化层的氧化层303位于n型射极301与ARC 302之间。举例而言，ARC 302可为α-Si、Al2O3、化学式为AlxOy的另一种材料、Si3N4、SiN、或化学式为SixNy的另一种材料、氧化铟锡(indium tin oxide)或化学式为(InxSnyOz)的另一种材料、或SnO2或TiO2抑或任何用作抗反射涂层的介电质。在n型射极301与氧化层303之间以及在氧化层303与ARC 302之间的介面处会发生再结合，导致太阳电池300出现效率损失。触点304可为金属，其经由欧姆触点(ohmic contact)306而接触经n++掺杂的区域305。欧姆触点306可藉由烧结制程(firing process)形成。将膏糊(paste)引入至太阳电池的表面并加热之，以使膏糊扩散入太阳电池内。在经烧结的触点中，膏糊中的银形成硅化物(silicide)，硅化物通常会形成欧姆触点306。使用欧姆触点306会达成高的再结合及高的收集效率。
在第一种方法中，在氧化之前对基板进行掺杂。可将诸如B、Al、Ga、In或Tl的掺杂剂植入n型射极301的硅中，此可使用超浅植入(ultrashallow implant)达成。越轻的物质对于此种方法而言可越有效，尽管亦可使用其他物质。藉由使用小于约5千电子伏(keV)的植入能量，植入深度可小于射极深度的约10％。此为超浅植入的一实例，尽管亦可能为其他深度。在进行氧化以形成氧化层303期间，具有负偏析系数(segregation coefficient)的掺杂剂将自射极301偏析至氧化层303内。此等物质的剂量可根据氧化物中所需掺杂剂的量加以选择。大多数掺杂剂趋于在氧化物生长过程中优先偏析至氧化物内。此浓度取决于此等掺杂剂在所生长氧化物中的溶解度。较佳地，在所生长氧化物中需要最多达0.1％至1％的掺杂剂，端视所用的掺杂剂而定，此可需要1014/立方公分至5×1015/立方公分的初始植入剂量。
举例而言，在一个具体实施例中，在进行氧化以形成氧化层303过程中，先前植入于n型射极301中的硼优先偏析至氧化层303中。发生偏析可能是因为硼在氧化物中的溶解度大于在硅中的溶解度，但亦可能存在其他机理。此植入是在任何其他掺杂制程之后执行，例如在任何射极或表面场所需的掺杂制程之后执行。掺杂剂自射极301向氧化层303的此种偏析将会增大氧化层303的折射率。
图4A至图4E是使用本文所揭示的第一种方法来制造太阳电池的实施例。在图4A中，使用植入400来进行n型掺杂。此将形成掺杂剂浓度约为1E20/立方公分的n型射极301。在图4B中，使用植入401来进行p型掺杂。此可为使用例如B+进行的超浅植入，由此形成掺杂剂浓度约为1E18/立方公分的植入层403。举例而言，植入层的厚度可为所生长氧化物的厚度的约1/3。在图4C中，使用植入402来形成n++掺杂层305。植入402可使用例如具有孔的遮罩(mask)来执行。此n++掺杂层用于达成更佳的载子收集。在图4D中，使用氧化及退火制程来形成氧化层303。植入层403中的掺杂剂由氧化层303移动或偏析至氧化层303并将氧化层303掺杂至大于约1E19/立方公分的浓度。在图4E中，进行金属化(metallization)，以形成触点304及欧姆触点306。然后，在触点304周围沉积ARC 302。
植入401可藉由等离子体掺杂式、等离子体浸渍式、或束线式离子植入机来执行。等离子体掺杂系统可得到改良的表面峰值分布(peakprofile)而不是非逆行性分布(non-retrograde profile)，乃因其主要是由表面源扩散驱动的。在一个实例中，植入401所用的掺杂剂剂量介于约1E13/立方公分至7E15/立方公分之间。此植入401亦可以于集中式组态(cluster configuration)执行，此集中式组态包括一系列的预处理或后处理。
图5A至图5B是p型掺杂剂及n型掺杂剂的植入后及氧化后分布。图5A至图5B显示具有n型射极的太阳电池。图5A中的n型曲线对应于图4A的植入400，p型曲线则对应于图4B中的植入401。图5B所示的所得分布对应于射极在图4D所示的氧化后的最终状态。
如上文所解释，除射极掺杂(图4A的植入400)外，亦执行p型植入(图4B的植入401)。如图5B所示，尽管p型掺杂剂的分布可取决于氧化层303的厚度，p型掺杂剂(例如B(硼))偏析至氧化层303内。图5B所示的分布可以是厚度为约50埃至300埃的氧化物。此p型植入可为超浅植入，但p型植入的深度取决于将在氧化过程中生长的氧化层的厚度。举例而言，可进行0.4千电子伏的B植入，然后生长50埃的氧化物。在另一实施例中，可进行约2千电子伏的BF2植入，然后生长50埃的氧化物。
经掺杂的氧化层303具有高于未经掺杂氧化层的折射率。经掺杂氧化层303亦具有增强的折射特性并使少数载子自n型射极301的表面转向。因太阳电池300的表面的大部分未被触点304覆盖，故经掺杂氧化层303有助于抑制少数载子在n型射极301与氧化层303之间介面处的再结合。
在一个具体实施例中，可将植入400或植入402与植入401相结合，以形成植入层403。在一个实例中，此等相结合的植入可经由介电质(例如ARC 302)执行。换言之，参见图4，在某些实施例中，图4C至图4E所示的步骤中的某些或全部可在图4A至图4B所示的步骤之前执行。
在替代实施例中，太阳电池300的射极可为p型射极。因此，太阳电池300的接面可反转。对于p型射极，ARC 302可为AlxOy，例如AlO或Al2O3。类似于氮化物的情形，使用诸如H、F、B、或BF2的物质在AlxOy中或经由AlxOy进行的植入仍可改良此介电质。
此第一种方法将会增大介电层的折射率，并可提供会在太阳电池300中形成表面积聚层的最佳化表面场效应。藉此，可使少数载子离开太阳电池300的表面并可强化在触点304处对少数载子的收集。此将提升太阳电池300的效率。因介电层在被掺杂时将会改变其折射率，故介电质的厚度及介电质所吸收的光量可减小。减小介电质的厚度会降低购置成本(cost of ownership)及制造成本。此外，藉由对掺杂剂梯度进行微调，可形成渐变(graded)的钝化层并可获得对所期望光波长的增强的节制(temperance)。可藉由微调或具有渐变的折射率来控制将频谱的哪一部分优先反射回射极中。
在第二种方法中，对介电层进行处理，以在表面钝化层和/或抗反射涂层中形成固定的电荷。此可藉由自沉积源进行热扩散或藉由离子植入来执行。光生(photogenerated)少数载子的表面再结合是太阳电池出现效率损失的一原因。在理想情况下，少数载子应在场中朝触点漂移而贡献于所产生的电流。因触点仅覆盖太阳电池的表面的一部分，故光生载子到达表面并在非触点区域中再结合的可能性相当高。对于正面接触式太阳电池(例如图1的选择性射极太阳电池)，触点区域被最小化，以提高所进入光的入射及吸收效率。太阳电池中的横向或侧向场可提高太阳电池的效率。可在表面钝化层或ARC中执行掺杂，以形成固定的电荷并因而形成电场。此所得的介电质电场将排斥朝太阳电池的表面的无触点的区域中漂移的载子。此有助于将载子排斥离开表面并使载子沿横向朝触点扩散。
图6是实例性太阳电池300的一部分的剖视图，其显示载子的场漂移。如虚线603所示，光生载子600朝触点304以及朝氧化层303与n型射极301之间的介面漂移。显著数量的载子600朝不存在触点304的太阳电池300的表面漂移。在某些实例中，触点304的总面积可小于太阳电池300的整个表面积的约1％。因此，载子600到达触点304而产生电流的机率较低。
图7是使用本文所揭示的第二种方法的具有场的实例性太阳电池300的一部分的剖视图。ARC 302或表面钝化层中的场601(由ARC 302中的线表示)可用于使在远离触点304的区域中扩散至太阳电池300的表面的载子600沿侧向或横向朝触点304漂移。在某些实施例中，形成正电场601以排斥正的少数载子。在其他实施例中，可形成负电场601，以排斥负电荷。此电场601可布置于太阳电池300的表面中所有未设置触点304的区域中。载子600将被ARC 302中的场601排斥回至射极301中。在一个实例中，会因侧向掺杂梯度而发生朝触点304的侧向漂移。此乃因，举例而言，触点304之下的n++掺杂层305可能较n型射极301得到更重的掺杂。
场601可使用各种方法形成。举例而言，可藉由对ARC 302进行掺杂或植入来形成场601。亦可藉由在ARC 302的沉积制程中建立残留固定电荷而形成场601。
正电场601可藉由对ARC 302或表面钝化层植入诸如Si、C、He、Ar、Ne、Kr、Xe或H的物质而形成。负电场601则可藉由对ARC 302或表面钝化层植入诸如F、Cl、Br或N的物质而形成。此植入可在束线式、等离子体浸渍式或等离子体掺杂式离子植入机中以单一晶圆式组态、批次式组态或集中式组态来执行。植入的能量取决于ARC 302或钝化层的厚度。当被植入时，掺杂剂可造成空位(vacancy)，而空位会部分地造成场601，因此植入能量应被选择成使掺杂剂保持于介电层中。掺杂剂可集中于介电质的最靠近n型射极301的一半中或介电质的最靠近n型射极301的底部中。移动(trickle)至太阳电池300的p型掺杂区或n型掺杂区中的任何掺杂剂皆可能会造成缺陷并增强表面再结合。
图11A至图11E是使用本文所揭示的第二种方法制造太阳电池的实施例。在图11A中，使用植入950进行n型掺杂。此将形成掺杂剂浓度约为1E20/平方公分的n型射极301。在图11B中，则使用植入951来形成n++掺杂层305。植入951可使用例如具有孔的遮罩来执行。此n++掺杂层用于达成更佳的载子收集。在图11C中，使用氧化来形成氧化层303。在图11D中，进行金属化来形成触点304及欧姆触点306。然后，在触点304周围沉积ARC 302。在图11E中，如上文所述，使用植入952来掺杂表面钝化层或ARC 302。
植入952可藉由等离子体掺杂式、等离子体浸渍式、或束线式离子植入机来执行。此植入952亦可以集中式组态执行，此集中式组态包括一系列的预处理或后处理。
此外，可将对ARC 302或表面钝化层的植入952与用于形成射极或n++掺杂层的植入950、951相结合。藉此，可在至少部分地同时进行的制程中将对太阳电池300的接面的掺杂与改变介电质中的电场相结合。此会减少制程步骤的数量并降低制造成本。所用掺杂剂既可为p型，亦可为n型。
ARC 302或钝化层中的固定电荷场亦可在此等层的沉积过程中形成。举例而言，在ARC 302中沉积Si3N4过程中，可降低流动氮的比率，以使固定的正电荷增多。在沉积过程中使用额外的原位掺杂剂(例如B、C、Ge、O、Sn、S或Se)亦可增加介电质的固定电荷。
此第二方法将排斥载子600，以提升触点304捕捉载子600的效率并进而增强太阳电池300的效率。无需为达成此等效应而沉积额外的层(例如Al2O3)，因此，制造成本降低。藉由不包括此等不需要的额外层，可提升光收集效率。载子捕捉效率会有助于电流，因此太阳电池300的效率及电流得到增大。场601仅形成于介电质的无触点304的区域中，因而此会增强对在太阳电池300的表面进行再结合的屏障。此外，以此种方式进行掺杂不会改变ARC 302的特性。
为得到高效率的太阳电池，可能需要良好的钝化以达成表面再结合的降低并因而达成更高的太阳电池效率。p型掺杂区与n型掺杂区的ARC及钝化方案可不相同。n型表面的钝化介面需要带有正电荷，以吸引并维持电子的表面积聚层。类似地，p型表面的钝化介面需要带有负电荷，以吸引并维持电洞的表面积聚层。因此，SixNyARC层是用于n型表面的最佳ARC层，乃因其在ARC层中具有全部正电荷。具有负电荷的Al2O3或α-Si则用于钝化p型表面。对于高效率电池(例如图2的IBC太阳电池)而言，此会造成整合问题。在如此小的空间中钝化n型区与p型区二者将会增大处理的复杂度及整合的复杂度。
图10是实例性IBC太阳电池的一实施例的剖视图。亦可具有除图10所示的以外的其他设计，且本文所揭示的实施例并非仅限于图10的设计。IBC太阳电池900在ARC 302之下具有交替的n型区901与p型区902。ARC层302不仅具有抗反射层的作用，且亦具有钝化层的作用。使用SiN层来钝化n型表面，并使用Al2O3来钝化p型表面。因此，此ARC更适合被称为钝化层而非抗反射涂层，当如在本IBC实施例中一样用于背面时尤其如此。在一个实例中，ARC 302可为氮化物，此适合于n型区901。在本具体实施例中，为形成至少p型区902所进行的植入可经由ARC 302进行。此可使用容许对所期望区域进行植入的具有孔的遮罩或使用其他图案化技术(例如微影)。经由ARC 302对p型区902进行植入将会在ARC 302中形成电荷区域903。ARC 302中的此等电荷区域903将会改变ARC 302中的电荷极性，以适合于p型区902，乃因需要使用负电荷来钝化p型区902。因此，至少对于p型区902而言，对ARC 302的植入与对IBC太阳电池900的植入可相同。此方法会降低购置处理成本并提高整合生产量。
另一选择为可分别在不同的植入中完成对接面的掺杂与为改变钝化特性而对介电质进行的植入。
在第三种方法中，使用移动物质在介电层中形成电场。诸如Na、Li、Ca、K、或其他第1A族元素、抑或其他第2A族元素的移动物质在介电层内保持离子化并在间隙中移动。此等物质亦可优先地偏析至ARC302与氧化层303间的介面或氧化层303与例如n型射极301的硅之间的介面。此等物质可用于形成场。
图8是使用本文所揭示的第三种方法的实例性太阳电池300的一部分的剖视图，此实例性太阳电池300在介电层302的表面上具有移动电荷。物质800(在本具体实施例中为Na)位于ARC 302的表面上。可将太阳电池300浸于NaCl溶液中或以NaCl溶液喷涂。此将会在氮化物介电质(例如ARC 302)的表面上涂覆Na原子或离子。在替代方法中，Na亦可在沉积ARC 302或氧化层303过程中被倂入。
图9是使用本文所揭示的第三种方法的实例性太阳电池的一部分的剖视图，此实例性太阳电池具有扩散入介电质内的移动电荷。藉由热制程(thermal process)，物质800在本实例中扩散入ARC 302与氧化层303之间的介面。在一个实施例中，此热制程介于约40··与300··之间，但也可为其他温度范围。当位于此介面处时，物质800将载子600朝太阳电池300的主体排斥。因此，物质800将使得在远离触点304的区域中扩散至太阳电池300的表面的载子600发生侧向或横向漂移。物质800将载子600朝触点304排斥，如图9中的虚线所示。发生侧向漂移可能是由于存在侧向掺杂剂梯度，此乃因触点304之下的区域(在本实例中为n++掺杂层305)较太阳电池300的其余部分受到更重的掺杂。
用于物质800的Na或其他移动杂质可藉由溶质涂覆而被合并(incorporated)，但亦可藉由介电质形成过程、藉由沉积、藉由气相沉积(例如化学气相沉积或物理气相沉积)、藉由物质800的离子植入、或藉由在物质800的存在下对太阳电池300进行退火而被合并。因第1A族及第2A族元素趋于被正离子化，因而此等元素仅排斥介面处的电洞。为排斥电子，需要使用负电场。在本实例中，可使用带负电荷的物质800，例如F、Cl、Br或I。此等带负电荷的物质可藉由溶质涂覆、藉由介电质形成过程、藉由沉积、藉由气相沉积、藉由离子植入、或藉由在此等带负电荷物质的存在下对太阳电池300进行退火而被倂入。
此第三方法将会排斥载子600，以提升触点304捕捉载子的效率并进而增强太阳电池300的效率。可免除沉积额外的层的需求，因此会降低制造成本。喷涂或浸浴(bath)是相对廉价的处理步骤。场仅形成于介电质的无触点304的区域中，故此会增强对在太阳电池300的表面上进行再结合的屏障。此外，以此种方式进行掺杂不会改变ARC 302的特性。
本发明的范围不受本文所描述的特定实施例限制。实际上，本领域技术人员自前文描述以及附图将明白除本文所述的实施例之外的本发明的其他各种实施例及修改。因此，希望此些其他实施例及修改属于本发明的范围内。另外，尽管本文已出于特定目的在特定环境中的特定实施方案的上下文中描述了本发明，但本领域技术人员将认识到，本发明的有用性不限于此，且可出于任何数目的目的在任何数目的环境下有益地实施本发明。因此，应鉴于本文所述的本发明的全部广度及精神而解释下文所陈述的申请专利范围。

Claims (17)

1.一种提升太阳电池的效率的方法，包括：
将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中，以形成射极，所述第一掺杂物质具有第一导电类型；
将第二掺杂物质引入所述射极，所述第二物质具有与所述第一物质相反的导电类型；以及
对所述顶面施用表面钝化层，藉此使所述第二掺杂物质自所述射极偏析并进入所述表面钝化层中。
2.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述第一导电类型为n型，且所述第二掺杂物质是由下列所构成的族群中选出：B、Al、Ga、In或Tl。
3.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述表面钝化层包括氧化物。
4.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述两个引入步骤是依序地执行。
5.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述两个引入步骤是至少部分地同时执行。
6.一种提升太阳电池的效率的方法，包括：
将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中，以形成射极，所述第一掺杂物质具有第一导电类型；以及
对所述顶面施用表面钝化层，藉此将第二掺杂物质引入所述表面钝化层，以形成用于排斥所述射极中的少数载子的电场。
7.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述射极为n型，且所述第二物质是由下列所构成的族群中选出：Si、C、He、Ar、Ne、Kr、Xe及H。
8.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述射极为p型，且所述第二物质是由下列所构成的族群中选出：F、Cl、Br及N。
9.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述第二物质被植入所述表面钝化层中。
10.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述第二物质是在沉积制程期间被引入。
11.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述第二物质是由下列所构成的族群中选出：Na、Li、Ca、K、第1A族元素及第2A族元素。
12.一种提升太阳电池的效率的方法，包括：
将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中，以形成射极，所述第一掺杂物质具有第一导电类型；
对所述顶面施用表面钝化层；
对所述表面钝化层施用移动物质，藉此由所述移动物质形成用于排斥所述射极中的少数载子的电场。
13.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法，其中所述射极为n型，且所述移动物质是由下列所构成的族群中选出：Na、Li、Ca、K、第1A族元素及第2A族元素。
14.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法，其中将所述移动物质喷涂于所述表面钝化表面上。
15.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法，其中将所述太阳电池浸于包含所述移动物质的溶液中。
16.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法，其中将所述移动物质沉积于所述表面钝化层上。
17.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法，其中藉由在所述第二移动物质的存在下对所述太阳电池进行退火来引入所述移动物质。
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