CN102760633B - 等离子体处理装置及等离子体处理方法 - Google Patents

等离子体处理装置及等离子体处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比。等离子体处理装置（100），其激发气体来对被处理体进行等离子体处理，并具备：处理容器（100）；供给预期的气体的气体供给源（905）；分流从气体供给源（905）供给的气体的主气体流路（330）；与主气体流路（330）的下游侧连接的多个支气体流路（螺钉325）；设置于多个支气体流路上用于缩窄支气体流路的多个节流部（细管335）；以及在每个支气体流路上设置的1个或2个以上的气体释放孔（345），其用于将经过多个支气体流路上所设置的多个节流部后的气体释放到处理容器（100）的内部。

Description

等离子体处理装置及等离子体处理方法
本申请是申请日为2009年06月03日、申请号为200980121462.6、发明名称为“等离子体处理装置及等离子体处理方法”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及利用电磁波生成等离子体，在被处理体上施加等离子体处理的等离子体处理装置及等离子体处理方法。尤其是涉及向处理容器内导入气体。
背景技术
在等离子体处理装置中，进行着伴有成膜、蚀刻等化学反应的处理。在处理中，为了遍及被处理体所有表面生成均等的等离子体，需要使处理所需的气体密度及化学反应所生成的反应生成气体的密度均等。气体通常从与被处理体对置的面上以大致等间距设置的多个气体释放孔导入到处理容器内(例如，参照专利文献1)。
然而，尽管等间距地设置了多个气体释放孔，但从离气体供给源较近的气体释放孔释放出的气体流量仍会多于从离气体供给源较远的气体释放孔释放出的气体流量。例如，在从主气体流路向多个支气体流路分流气体的情况下，如果主气体流路的气体流导不足以远大于支气体流路的气体流导时，则会出现虽然从靠近气体供给源的支气体流路上设置的气体释放孔释放出充足的气体，但到达远离气体供给源的支气体流路的气体较少，无法从较远的支气体流路的气体释放孔中释放充足的气体的情况。结果造成处理室内的气体密度不均等，生成了不均等的等离子体。为了避免此类现象，必须设计气体供给路，使主气体流路的气体流导足以大于多个支气体流路的气体流导，从主气体流路向支气体流路均等地分配气体。
专利文献1:日本特开平2-114530号公报
作为使主气体流路的气体流导相对于支气体流路的气体流导充分大的1个方法，考虑减少气体释放孔的个数。然而，当减少气体释放孔的个数后，会在向被处理体供给的气体流速上产生不均，无法进行均等的处理。
因此，作为使主气体流路的气体流导相对于支气体流路的气体流导的充分大的另1个方法，还考虑使气体释放孔的直径变细。然而，当使气体释放孔的直径变细后，气体的流速会达到360m/s的音速，为此需过度搅拌释放到处理室内的气体，扰乱了气流，导致过度促进了化学反应等，因此无法进行优良的处理。
发明内容
因此，本发明正是鉴于上述问题而做出的，本发明的目的在于提供一种能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比的等离子体处理装置。
为了解决上述课题，根据本发明的一个观点，提供一种等离子体处理装置，其激发气体来对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，具备：处理容器；供给预期的气体的气体供给源；主气体流路，其使从上述气体供给源供给的气体流入到装置内；多个支气体流路，与上述主气体流路的下游侧连接；多个节流部，被设置于上述多个支气体流路，用于缩窄上述支气体流路；以及上述多个支气体流路上分别设置的1个或2个以上的气体释放孔，被用于将经过上述多个支气体流路上所设置的多个节流部后的气体释放到上述处理容器的内部。
据此，在多个支气体流路上设置有用于缩窄支气体流路的多个节流部。由此，能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比。例如，在流过上述预期的气体时的上述节流部的气体流导能够比设置在该节流部下游侧的上述1个或2个以上的气体释放孔的气体流导之和小、且比上述主气体流路的气体流导小。其结果，不受距气体供给源的距离影响，能够从主气体流路向多个支气体流路均等地分配气体，能够向处理室内均等地供给气体。
另外，由于在靠近主气体流路的位置设置节流部，在支气体流路的根源处调整气体流导，故无需像以往那样通过缩小支气体流路的前端的气体释放孔来调整气体流导。由此，能够避免释放到处理室内的气体的流速达到音速，一定程度地降低了气体的流速，并且呈层流状地导入到处理室内。结果，使得处理室内的气体的密度均等，均等地生成等离子体。
亦可是，在流过上述预期的气体时，上述节流部的气体流导比设置在该节流部下游侧的上述1个或2个以上的气体释放孔的气体流导之和小，且比上述主气体流路的气体流导小。
亦可是，将上述主气体流路及上述多个支气体流路嵌入到与上述被处理体对置的上述处理容器的盖体中。
亦可是，将上述多个支气体流路大致等间距设置。
亦可是，当设定流过上述预期的气体时的各节流部的气体流导为Cr、设置于该各节流部的下游侧的上述气体释放孔的数量为N时，对上述多个节流部来说Cr/N值大致相等。
亦可是，在流过上述预期的气体时，当设定各节流部的气体流导为Cr、设置于该各节流部的下游侧的气体释放孔的数量为N时，节流部相对于上述等离子体处理装置的中心越靠近上述等离子体处理装置的外周部，Cr/N值越大。据此，通过使向外周侧供给的气体流量多于向中央供给的气体流量，能够超预期地确保外周侧的等离子体密度。
亦可是，节流部相对于上述等离子体处理装置的中心越靠近上述等离子体处理装置的外周部，上述气体释放孔的直径越大。据此，能够在确保气体的喷射速度为恒定的同时，使外侧的气体流量多于内侧的气体流量。
亦可是，上述多个节流部分别是内径大致相等的细管。使节流部的内径恒定，可通过调整其长度来调整流导。
亦可是，上述多个节流部分别是内径大致相等的细管。
还提供一种等离子体处理装置，其具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板、和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所需的电磁波，在上述处理容器的盖体下表面设置1个或2个以上的介电体，该介电体使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且介电体部分露出到上述处理容器的内部，沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部被设置为与上述介电体邻接，该等离子体处理装置还具备：供给预期的气体的气体供给源；以及多个气体释放孔，用于将从上述气体供给源供给的气体释放到上述处理容器的内部。
据此，能够使电磁波沿着露出到处理容器的内部的金属面传播。由此，从多个气体释放孔释放出来的气体被均等地离解，能够生成均匀性高的等离子体。
亦可是，具备与上述介电体板邻接的金属电极，上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第1气体释放孔，从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在未设有上述介电体板的上述处理容器的盖体的下表面，与上述介电体板邻接地设置有金属罩，上述多个气体释放孔包括在上述金属罩上开口的多个第2气体释放孔，从上述金属罩的多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在未设有上述介电体板的上述处理容器的盖体的下表面，与上述介电体板邻接地在比上述介电体板靠外侧的上述处理容器的盖体上设置有侧罩，上述多个气体释放孔包括在上述侧罩上开口的多个第2气体释放孔，从上述侧罩的多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
通过在金属电极、金属罩及侧罩上设置多个气体释放孔，能够抑制既有的在介电体表面发生的蚀刻以及抑制反应生成物堆积于处理容器内面，降低污染、粒子。另外，便于加工，能够大幅削减成本。
亦可是，在上述金属电极的内部设置有第1气体流路，经由上述第1气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在上述金属电极与上述介电体板之间设置有第1气体流路，经由上述第1气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，上述第1气体流路是形成于上述金属电极的与上述介电体板邻接的面或者上述介电体板的与上述金属电极邻接的面中的至少任一面的槽。
亦可是，在上述金属罩或者侧罩中至少任一方的内部设置有第2气体流路，经由上述第2气体流路从上述多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在上述金属罩或者侧罩中的至少任一方与上述盖体之间设置有第2气体流路，经由上述第2气体流路从上述多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，上述第2气体流路是形成于上述金属罩及侧罩的与上述盖体邻接的面或者上述盖体的与上述金属罩及侧罩邻接的面中的至少任一面的槽。
亦可是，上述槽的深度为0.2mm以下。这是由于，通过设定成考虑到电子的平均自由行程的槽的深度，避免了电子主动撞击到气体流路的壁面，在气体流路内发生异常放电。
亦可是，上述介电体及上述金属电极被用螺钉固定于上述盖体，上述金属罩及侧罩被用螺钉固定于上述盖体的本体部分，上述第1及第2气体流路与设置于上述螺钉的内部或侧面的第3气体流路或者第5气体流路连结。
亦可是，在上述第1气体释放孔及上述金属罩或者侧罩中的至少任一方上设置的第2气体释放孔被以大致等间距配置。
亦可是，在用于将上述介电体及上述金属电极固定于上述盖体的螺钉上形成上述支气体流路，在上述多个螺钉的内部设置有第3气体流路，上述多个气体释放孔包括在上述多个螺钉上开口的多个第3气体释放孔，经由上述第3气体流路从上述多个第3气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，上述多个第3气体释放孔的气体流导比上述第3气体流路的气体流导小。
亦可是，上述第3气体释放孔为圆筒形，上述第1气体释放孔、上述第2气体释放孔及上述第3气体释放孔的直径及长度分别大致相等。
亦可是，上述第1气体释放孔及上述第2气体释放孔被以大致等间距配置。
亦可是，上述第1气体释放孔、上述第2气体释放孔及上述第3气体释放孔被以大致等间距配置。
亦可是，上述第1气体释放孔、上述第2气体释放孔或者第3气体释放孔中的至少任一方，设置于在上述金属电极、上述金属罩或者侧罩中的至少一个金属面形成的凸部中。
亦可是，在上述螺钉的内部侧面设置有第4气体流路，将通过了上述第3气体流路的气体经由上述第4气体流路导向上述第1气体流路或者上述第2气体流路。
亦可是，上述第1气体流路、上述第2气体流路及上述第3气体流路的气体流导比上述第4气体流路的气体流导大。
亦可是，上述第3气体释放孔的流导与上述第4气体流路的流导大致相等。
亦可是，上述第4气体流路及上述第3气体释放孔为圆筒形，上述第4气体流路的直径及长度与上述第3气体释放孔的直径及长度大致相等。
亦可是，在上述螺钉与上述盖体之间设置有第5气体流路，经由上述第5气体流路从上述第1气体流路及上述第2气体流路向上述多个第1气体释放孔及上述多个第2气体释放孔导入气体。
亦可是，设置有第6气体流路，该第6气体流路用于将通过了上述主气体流路的气体导向上述第5气体流路。
亦可是，上述第6气体流路朝向被处理体倾斜地配置。
亦可是，上述节流部与上述主气体流路邻接地配置，以使得上述第6气体流路的气体流导比上述主气体流路的气体流导小。
亦可是，上述节流部与上述主气体流路邻接地配置，以使得上述第3气体流路的气体流导比上述主气体流路的气体流导小。
亦可是，上述多个气体释放孔包括多个第5气体释放孔，该多个第5气体释放孔在露出于上述处理容器的盖体上开口，从上述多个第5气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在上述介电体板的各个的容器内侧设置有金属电极，上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第1气体释放孔，从上述多个第5气体释放孔及第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在上述盖体的内部设置有第7气体流路，经由上述第7气体流路从上述第5气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，上述第1气体释放孔及上述第5气体释放孔为圆筒形，上述第1气体释放孔与上述第5气体释放孔的直径及长度分别大致相等。
亦可是，上述第5气体释放孔的气体流导与上述第3气体释放孔的气体流导大致相等。
亦可是，上述多个第3气体释放孔具有与上述第5气体释放孔大致相同的粗细。
亦可是，上述主气体流路设置于上述盖体的内部，上述多个主气体流路向上述多个支气体流路的气体流路分流气体。
亦可是，上述盖体由上部盖体与下部盖体构成，上述主气体流路设置于上述上部盖体与上述下部盖体的边界部分。
亦可是，具有气体释放部，其配置于上述处理容器内空间的上述盖体下部的空间与容纳上述基板的空间之间的空间，且向容纳上述基板的空间释放从与上述气体供给源不同的气体供给源供给的气体。
亦可是，具备下段喷淋部件，该下段喷淋部件与上述多个支气体流路连结，且配置于上述盖体与被处理体之间的空间，从被上述节流部缩窄的上述多个支气体流路的气体流路内向上述下段喷淋部件通气，从上述下段喷淋部件向上述处理容器内导入气体。
为了解决上述课题，根据本发明的另一观点，提供一种等离子体处理装置，其具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所需的电磁波，在上述处理容器的盖体下表面设置1个或2个以上的介电体，该介电体使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且介电体的一部分露出到上述处理容器的内部，沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部，被设置为与上述介电体邻接，该等离子体处理装置具备：第1气体供给源，其供给含有等离子体激发用气体的第1气体；第2气体供给源，其供给预期的第2气体；第1气体释放部，其将从上述第1气体供给源供给的上述第1气体释放到上述处理容器的内部空间的与上述盖体下表面邻接的第1空间；以及第2气体释放部，其将从上述第2气体供给源供给的上述第2气体释放到上述处理容器内空间的上述第1空间与容纳了上述基板的空间之间的第2空间。
亦可是，上述第2气体释放部，包括多个气体导通路和至少1个气体释放孔，该多个气体导通路经过上述盖体内部而延伸到上述第2空间附近，该至少1个气体释放孔设置在上述气体导通路的各通路上，被用于向上述第2空间释放上述第2气体。
亦可是，上述第2气体释放部由多孔质体形成。
亦可是，上述第2气体释放部为狭缝状的开口。
亦可是，上述多个气体导通路包括第1气体管和多个第2气体管，该第1气体管以与被处理体呈大致垂直的状态配置，该多个第2气体管以与被处理体呈大致水平的状态与上述第1气体管连结。
亦可是，上述多个第2气体管以上述第1气体管为中心呈大致等角度配置。
亦可是，多个上述第1气体管被等间距配置，在各个第1气体管上连结由4根上述第2气体管。
亦可是，在上述多个第2气体管的与被处理体对置的面等间隔地设置有多个上述气体释放孔。
亦可是，上述多个气体导通路以与被处理体呈规定角度的状态配置。
亦可是，对上述第3气体管进行如下配置：从上述盖体的下表面的多个部分起，使多根第3气体管相对于各部分呈大致等角度的方式朝不同的方向延伸，并到达上述第2空间附近。
亦可是，在上述多个第3气体管的末端部设置上述气体释放孔，上述气体释放孔被大致等间隔地配置在与被处理体平行的同一平面上。
为了解决上述课题，根据本发明的另一观点，提供一种等离子体处理装置，被用于激发气体来对被处理体进行等离子体处理，具备：处理容器；供给预期的气体的气体供给源；主气体流路，其中流过从上述气体供给源供给的气体；多个支气体流路，其与上述主气体流路的下游侧连接；多个节流部，其设置在上述多个支气体流路上，缩窄了上述多个支气体流路；以及多个下段气体释放部件，其在每一上述支气体流路上具有1个或2个以上的气体释放部，并将通过了上述多个支气体流路的气体释放到上述盖体与被处理体之间的空间，其中上述气体释放部通过固定于上述多个支气体流路而配置在上述处理容器的内侧的盖体与被处理体之间的空间。
据此，能够利用节流部增大主气体流路与支气体流路的气体流导之比。其结果，能够均等地向处理室内供给气体，而且无需考虑气体流导而缩小气体释放孔，能够降低气体的流速使气体呈层流状导入。结果，能够使处理室内的气体的密度均等，均等地生成等离子体。
亦可是，上述多个下段气体释放部件被固定在形成有上述支气体流路的多个螺钉上、或者与上述支气体流路一体形成。
亦可是，上述多个下段气体释放部件的气体释放部由多孔质体形成。
亦可是，上述多个下段气体释放部件的气体释放部为狭缝状的开口。
亦可是，上述多个下段喷淋部件由第1气体管和多个第2气体管形成，该第1气体管以与被处理体呈大致垂直的状态配置，该多个第2气体管以与被处理体呈大致水平的状态与上述第1气体管连结。
亦可是，上述多个第2气体管以上述第1气体管为中心呈大致等角度进行配置。
亦可是，上述第1气体管被等间距配置了多个，各个第1气体管连结有4根上述第2气体管。
亦可是，在上述多个第2气体管的与被处理体对置的面上等间隔地形成有多个上述第4气体释放孔。
亦可是，上述多个下段喷淋部件分别由1或者2个以上的第3气体管形成，将气体从设置于上述第3气体管的多个上述第4气体释放孔导入到上述处理容器内。
亦可是，上述多个下段喷淋部件由多根上述第3气体管形成，上述多根第3气体管被固定在形成有上述支气体流路的多个螺钉上，且以上述多个螺钉为中心呈大致等角度进行配置。
亦可是，在上述多个螺钉上各连结有4根上述第3气体管，上述4根第3气体管的末端部被大致等间隔地配置在与被处理体平行的同一平面上。
为了解决上述课题，根据本发明的另一观点，提供一种等离子体处理方法，从气体供给源供给预期的气体，向主气体流路流通上述供给的预期的气体，向装置内流入经过上述主气体流路的气体，从气体释放孔向上述处理容器的内部释放经过了多个节流部的气体，其中该气体释放孔被设置在上述多个支气体流路上，且在每一上述支气体流路中设有1个或2个以上的该气体释放孔，该多个节流部被设置在与上述主气体流路的下游侧连接的上述多个支气体流路上，用于缩窄上述多个支气体流路，使上述导入的气体等离子体化，从而在上述处理容器内对被处理体进行等离子体处理。
为了解决上述课题，根据本发明的另一观点，提供一种等离子体处理方法，使用下述的等离子体处理装置，其具备：金属制的处理容器；其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所需的电磁波，在上述处理容器的盖体下表面设置1个或2个以上的介电体，该介电体使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分露出到上述处理容器的内部，沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部，被设置为与上述介电体邻接，从气体供给源供给预期的气体，将上述供给的气体从多个气体释放孔释放到上述处理容器的内部，上述多个气体释放孔包括在上述盖体上开口的多个第5气体释放孔，利用导入到上述处理容器内的电磁波激发被释放到上述处理容器内的预期的气体，对被处理体进行等离子体处理。
为了解决上述课题，根据本发明的另一观点，提供一种等离子体处理方法，从气体供给源供给预期的气体，向主气体流路流通上述供给的预期的气体，向与上述主气体流路的下游侧连接的多个支气体流路流入经过上述主气体流路的气体，从气体释放部向上述处理容器的内部释放经过了多个节流部的气体，其中该气体释放部在每一上述支气体流路中设有1个或2个以上，且被设置在多个下段喷淋部件上，该多个下段喷淋部件固定于上述多个支气体流路，且配置在上述处理容器的内侧的盖体与被处理体之间的空间，该多个节流部被设置在上述多个支气体流路上，用于缩窄上述多个支气体流路，使上述导入的气体等离子体化，在上述处理容器内对被处理体进行等离子体处理。
为了解决上述课题，根据本发明的另一观点，提供一种等离子体处理装置，其具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所必需的电磁波，在上述处理容器的盖体下表面设置1个或2个以上的介电体，该介电体使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分露出到上述处理容器的内部，沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部被设置为与上述介电体邻接，该等离子体处理装置还具备：供给预期的气体的气体供给源；多个气体释放孔，其将从上述气体供给源供给的气体释放到上述处理容器的内部，上述多个气体释放孔包括在上述盖体上开口的多个第1气体释放孔。
亦可是，在上述介电体板的各个上的容器内侧设置有金属电极，上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第2气体释放孔，从上述多个第1及第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在上述盖体的内部设置有第1气体流路，经由上述第1气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，在上述金属电极与上述介电体板之间设置有第2气体流路，经由上述第2气体流路从上述多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，上述第2气体流路是在上述金属电极的与上述介电体板邻接的面或者上述介电体板的与上述金属电极邻接的面中的至少任一面形成的槽。
亦可是，上述盖体包括在未设有介电体的部分设置的金属罩及侧罩，上述多个第1气体释放孔在上述金属罩及侧罩上开口。
亦可是，在上述金属罩及侧罩的内部或上述金属罩及侧罩与上述盖体之间设置有与上述第1气体流路连结的第3气体流路，经由上述第3气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
亦可是，上述第3气体流路是在上述金属罩及侧罩的与上述盖体邻接的面或者上述盖体的与上述金属罩及侧罩邻接的面中的至少任一面形成的槽。
亦可是，上述槽的深度为0.2mm以下。
亦可是，上述介电体及上述金属电极通过第1螺钉安装于上述盖体，上述金属罩及侧罩通过第2螺钉安装于上述盖体的本体部分，上述第2及第3气体流路分别经由设置于上述第1及第2螺钉的内部或侧面的气体通路与上述第1气体流路连结。
亦可是，上述第1气体释放孔及上述第2气体释放孔被以大致等间距配置。
亦可是，具有气体释放部，其配置于上述处理容器内空间的上述盖体下部的空间与容纳上述基板的空间之间的空间，且向容纳上述基板的空间释放出从与上述气体供给源不同的气体供给源供给的气体。
如上所述，根据本发明，能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比。
附图说明
图1是第1实施方式所涉及的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图2是图1的1-1剖面图。
图3是图1的3-3剖面图。
图4A是表示用于防止气体从螺钉外周漏出的机构的图。
图4B是表示用于防止气体从螺钉外周漏出的机构的图。
图4C是表示用于防止气体从螺钉外周漏出的机构的图。
图4D是表示用于防止气体从螺钉外周漏出的机构的图。
图4E是表示用于防止气体从螺钉外周漏出的机构的图。
图5是表示相对于释放气体流量的释放气体流量的均匀性及流导比的曲线。
图6是第1实施方式的变形例所涉及的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图7是第2实施方式所涉及的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图8是图7的4-4剖面图。
图9是同实施方式所涉及的多孔质体的下段喷淋孔的纵向横剖面及仰视图。
图10是第3实施方式所涉及的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图11是图10的8-8剖面图。
图12是第4实施方式所涉及的半导体用的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图13是图12的10-10剖面图。
图14是图12的12-12剖面图。
图15是第5实施方式所涉及的半导体用的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图16是图15的13-13剖面图。
图17是第6实施方式所涉及的半导体用的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图18是图17的15-15剖面图。
图19是第7实施方式所涉及的半导体用的微波等离子体处理装置的纵向剖面图。
图20是图19的17-17剖面图。
图21是太阳能电池用的等离子体处理装置的图。
图中符号说明如下：
10：波等离子体处理装置
100：处理容器
200：容器本体
300：盖体
300a：上部盖体
300b：下部盖体
305：介电体板
310：金属电极
310a：第1气体流路
320：金属罩
320a：第2气体流路
325：螺钉
325a：第3气体流路
325a1：第4气体流路
325c：第5气体流路
330,330a,330b：主气体流路
335,335a,335b：细管
340,340a、340b：槽
345a：第1气体释放孔
345b、345b1、345b2：第2气体释放孔
35c：第3气体释放孔
345d：第5气体释放孔
360：细孔
365：第6气体流路
370：下段气体喷嘴
370a：第1气体管
370b：第2气体管
370b1,370c1：第4气体释放孔
370c：第3气体管
350：侧罩
360：细孔
400：第7气体流路
410：下段气体喷淋板
430a、430c：垫圈
355a、430b：波形垫圈
430d：盘簧
430e：锥垫圈
435：螺母
610：第1同轴管
620：第2同轴管
900：微波源
905：气体供给源
910：冷却剂供给源
Cel：单元
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。其中在以下的说明及附图中，对于具有同一构成及功能的构成要素标注同一符号，并省略重复说明。
(第1实施方式)
首先，参照图1对本发明的第1实施方式所涉及的微波等离子体处理装置的构成进行说明。图1示意性地表示本装置的纵向剖面图。图1表示了图2的2-O-O’-2剖面。图2是微波等离子体处理装置10的顶面，表示图1的1-1剖面。第1实施方式中，在顶面设置有上段气体喷淋板。
(微波等离子体处理装置的简介)
如图1所示，微波等离子体处理装置10具有用于对玻璃基板(以下，称为“基板G”。)进行等离子体处理的处理容器100。处理容器100容器由本体200和盖体300构成。容器本体200具有其上部被开口的有底立方体形状，且该开口被盖体300密封。盖体300由上部盖体300a和下部盖体300b构成。在容器本体200与下部盖体300b的接触面设置有O形环205，由此密闭容器本体200与下部盖体300b，划分成处理室。在上部盖体300a与下部盖体300b的接触面上还设有O形环210及O形环215，由此密闭上部盖体300a与下部盖体300b。容器本体200及盖体300例如由铝合金等金属构成，并被电接地。
在处理容器100的内部设置有用于载置基板G的基座105(载台)。基座105例如由氮化铝形成。基座105被支承于支承体110，在其周围设置有用于将处理室的气流控制在优选的状态的挡板115。另外，在处理容器100的底部设置有气体排出管120，使用设置于处理容器100的外部的真空泵(未图示)排出处理容器100内的气体。
见图1及图2，在处理容器100的顶面规则地配置有介电体板305、金属电极310及金属罩320。在金属电极310及金属罩320的周围设置有侧罩350。介电体板305、金属电极310及金属罩320为被略微削去角的近似正方形的板。而且亦可为菱形。本说明书中，金属电极310是指与介电体板305邻接设置而使介电体板305从金属电极310的外缘部大致均等地露出的平板。由此，介电体板305被盖体300的内壁与金属电极310夹于其间。金属电极310与处理容器100的内壁电连接。
8块介电体板305及金属电极310被等间距地配置在相对于基板G、处理容器100倾斜近似45°的位置上。该间距被设定为一个介电体板305的对角线的长度达到邻接的介电体板305的中心间的距离的0.9倍以上。由此，介电体板305的被稍微削去后的角部彼此间被邻接配置。
金属罩320比金属电极310厚出介电体板320的厚度量。根据该形状，顶面的高度近似相等，同时介电体板305露出的部分、其附近的凹陷的形状也全部呈近乎相同的图案。
介电体板305由氧化铝形成，金属电极310、金属罩320及侧罩350由铝合金形成。其中虽然在本实施方式中将8块介电体板305及金属电极310分为4段配置为2列，但并不局限于此，亦可增加或减少介电体板305及金属电极310的块数。
介电体板305及金属电极310被螺钉325从4处均等地支承在盖体300上(参照图2)。金属罩320及侧罩350也同样通过螺钉325安装在盖体300的本体部分。如图1所示，在上部盖体300a与下部盖体300b之间沿垂直于纸面的方向设置有形成为格子状的主气体流路330。主气体流路330将气体分流到多个螺钉325内所设置的第3气体流路325a中。用于缩窄流路的细管335被嵌入到气体流路325a的入口。细管335由陶瓷、金属构成。在金属电极310与介电体板305之间设置有第1气体流路310a。在金属罩320与介电体板305之间及侧罩350与介电体板305之间还设置有第2气体流路320a1、320a2。螺钉325的前端面与金属电极310、金属罩320及侧罩350下表面共面，由此不扰乱等离子体的分布。在金属电极310开口的气体释放孔345a与在金属罩320、侧罩350开口的气体释放孔345b1、345b2以均等的间距被配设。
从气体供给源905输出的气体从主气体流路330经过第3气体流路325a(支气体流路)，并经由金属电极310内的第1气体流路310a及金属罩320、侧罩350内的第2气体流路320a1、320a2从第1气体释放孔345a、第2气体释放孔345b1、345b2供给到处理室内。在第1同轴管610的外周附近的下部盖体300b与介电体板305的接触面设置有O形环220，从而第1同轴管610内的大气无法进入到处理容器100的内部。
像这样通过在顶部的金属面形成气体喷淋板，能够抑制既有的、等离子体中的离子对介电体板表面的蚀刻及反应生成物堆积于处理容器内壁，降低污染、粒子。另外，由于不同于介电体金属更易加工，故能够大幅削减成本。
内部导体610a被插入到在盖体300上开槽形成的第1同轴管的外部导体610b中。同样第2~第4同轴管的内部导体620a~640a被插入到开槽形成的第2~第4同轴管的外部导体620b~640b中，其上部被盖体罩660覆盖。各同轴管的内部导体由易导热的铜形成。
图1所示的介电体板305的表面除去从第1同轴管610向介电体板305射入微波的部分和从介电体板305释放微波的部分外，被金属膜305a包覆。由此，即便介电体板305和与之邻接的部件间产生的空隙也无法扰乱微波的传播，能够将微波稳定地导入到处理容器内。
如图2所示，介电体板305从与介电体板305一对一地邻接的金属电极310与未配置介电体板305的处理容器100的内壁(包括被金属罩320覆盖的处理容器100的内壁)之间露出。介电体板305与未配置介电体板305的处理容器100的内壁(包括被金属罩320覆盖的处理容器100的内壁)为实质相似的形状、或实质对称的形状。根据该构成，利用沿露出到处理容器100的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部，能够从介电体板305向金属电极侧及内壁侧（或金属罩320及侧罩350侧）近似均等地供给微波的功率。
结果从介电体板305释放出来的微波成为表面波，一边将功率减半，一边沿金属电极310、金属罩320及侧罩350的表面传输。将沿处理容器内面的金属面与等离子体之间传输的表面波称作导体表面波(金属表面波:Metal Surface Wave)。由此，导体表面波传输到整个顶面，在本实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10的顶面下方，稳定地生成均等的等离子体。
在侧罩350上以包围全部8块介电体板305的方式形成8边形槽340，从而抑制沿顶面传输的导体表面波传输到槽340的外侧。亦可平行且多重地形成多个槽340。
以下，将以一块金属电极310为中心且邻接的金属罩320的中心点作为顶点的区域称作单元Cel(参照图1)。在顶面，以单元Cel为一个单位，同一图案的构成规整且正确地配置有8单元Cel。
冷却剂供给源910与盖体内部的冷却剂配管910a连接，从冷却剂供给源910供给的冷却剂在盖体内部的冷却剂配管910a内循环并再次返回至冷却剂供给源910，由此确保处理容器100为预期的温度。冷却剂配管910b沿第4同轴管的内部导体640a的长度方向贯通于其内部。通过在该流路流过冷却剂，来抑制内部导体640a的加热。
(上段气体喷淋板)
接着，参照图1及图3，对上段气体喷淋板详细叙述。图3为图1的3-3剖面。
(气体流路)
从气体供给源905供给出的气体流入到主气体流路330。主气体流路330利用上部盖体300a与下部盖体300b之间的空间而形成。亦即，主气体流路330被设置为与基板G大致平行，且沿图1的纸面的前后方向。由此，上部盖体300a与下部盖体300b的边界部分的一面成为格子状的气体流路。
主气体流路330将气体分流到设置于多个螺钉325内的气体流路(以下，称为第3气体流路325a。)中。其为支气体流路的一部分。用于缩窄流路的细管335嵌入到第3气体流路325a的入口中。细管335由陶瓷、金属构成。
第3气体流路325a与形成在螺钉325的侧面的横孔(称作第4气体流路325a1)连通。通过了第4气体流路325a1的气体，经由波形垫圈355a及垫片355b与螺钉325之间的间隙，被导入到在金属电极310与介电体板305之间形成的间隙(称作第1气体流路310a。)中。第1气体流路310a是对金属电极310的上表面开槽而形成的。在金属电极310的下表面等间距地开口有多个第1气体释放孔345a。导入到第1气体流路310a的气体被从多个第1气体释放孔345a释放到处理容器内。
对于金属罩320及侧罩350的气体流路也与金属电极310同样。即、经过了第4气体流路325a1的气体被导入到金属罩320与介电体板305之间形成的间隙中、及侧罩350与介电体板305之间形成的间隙(第2气体流路320a1、320a2)中。在金属罩320及侧罩350的下表面等间距地开口有多个第2气体释放孔345b1、345b2。导入到第2气体流路320a1、320a2中的气体被从多个第2气体释放孔345b1、345b2释放到处理容器内。由此当设定气体供给源905为上游时，多个支气体流路与主气体流路330的下游侧连接，而且在该下游侧设置有多个第1气体释放孔345a及第2气体释放孔345b1、345b2。
对金属电极310和金属罩320来说，金属罩320比金属电极310厚出介电体板305的厚度。因此，当使第1气体流路310a与第2气体流路320a1、320a2的深度相等时，第2气体释放孔345b1、345b2的长度比第1气体释放孔345a的长度更长。为使第1气体释放孔345a与第2气体释放孔345b1、345b2的气体流导大致相等，第2气体释放孔345b1、345b2的上部变粗、下部变细。第2气体释放孔345b1、345b2的下部变细部分的粗细及长度与第1气体释放孔345a的粗细及长度相等。
(无间隙)
优选在介电体板305与盖体300之间、或介电体板305与金属电极310之间没有间隙。这是由于当存在不受控的间隙时，沿介电体板305传输的微波的波长会变得不稳定，会影响等离子体的均匀性和从同轴管看的负载阻抗。另外，当存在大的间隙(0.2mm以上)时，还可能导致在间隙放电。因此，在拧紧螺母435时，应使介电体板305与下部盖体300b之间、及介电体板305与金属电极310之间密合。
因此，在盖体300与金属电极310之间，波形垫圈355a与垫片355b以上下配置的状态被设置。波形垫圈355a由不锈钢(SUS)或铝合金等金属构成。垫片355b由铝合金等金属构成。在盖体300与金属电极310之间设置波形垫圈355a，使得在介电体板305的双面与金属部密合的状态下盖体300与金属电极310仍被可靠地进行电连接和热连接。其中波形垫圈355a只要为盘簧、弹簧垫圈、金属弹簧等具有弹性的配件即可。
(防断裂)
在拧紧螺母435时，如果给予过度的扭矩，则有可能导致介电体板305受到应力发生断裂。另外，即便拧紧螺母435时不发生断裂。亦有可能在产生等离子体而各部分的温度上升时受到应力而断裂。因此，向螺母435与下部盖体300b之间插入具有最佳的弹簧力的波形垫圈430b，从而能够经由螺钉325以适度力(比压扁O形环220使介电体板305与下部盖体300b密合的力稍大的力)吊起金属电极310。在拧紧螺母435时，不拧死到波形垫圈430b变平为止，而使变形量为恒定。其中并不局限于波形垫圈430b，只要是盘簧、弹簧垫圈、金属弹簧等具有弹性的配件即可。
虽然在螺母435与波形垫圈430b之间设有垫圈430a，但垫圈有无均可。而且，在波形垫圈430b与下部盖体300b之间设置有垫圈430c。通常情况下，在螺钉325与盖体300之间存在间隙，主气体流路330内的气体会经过该间隙流向第1气体流路310a。如果该不受控的气体流量增多，会存在从第1气体释放孔345a释放出的气体不均等的问题。因此，通过减小垫圈430c与螺钉325之间的间隙，同时增厚垫圈430c的厚度，来抑制经过螺钉325的外侧流过的气体的流量。
图5中表示从喷淋板释放出的气体流量的面内均匀性的计算结果。横轴为向处理容器100内供给的单位面积内的气体流量。实线Rp为释放气体流量的均匀性、即从气体供给源905向主气体流路330的一端导入气体时的、在主气体流路330的两端处的释放气体流量之比，虚线Mp为主气体流路330与细管335的气体流导之比。
此处，设定主气体流路330的宽度为20mm、高度为6mm，细管335的内径为0.5mm、长度为12mm，第1气体释放孔345a的直径为0.6mm、长度为5mm。实际等离子体处理过程中的释放气体流量假设为300~6000sccm/m2即可。
从图5中可看出主气体流路330与细管335的气体流导比随着释放气体流量的增加而变大。理由如下：圆筒的气体流导在压力较低的分子流域中与直径的3次方成正比，而与压力无关。另一方面在压力较高的粘性流域中，与直径的4次方成正比，还与压力成正比。
当释放气体流量增多时，气体流路的压力升高。如果主气体流路330及细管335均成为粘性流域，则它们的气体流导中任一个都与压力成正比，因此气体流导比相对于释放气体流量呈恒定。另一方面，当释放气体流量减少时，直径偏小的细管335一方先成为分子流域，则气体流导不再取决于压力，因此气体流导比变小。
在图5所示的被设定了实际使用范围的释放气体流量的下限值300sccm/m2中，主气体流路330与细管335的气体流导比为59000。此时的释放气体流量的均匀性为0.3%，可见得到优异的均匀性。均匀性随着释放气体流量的增加而进一步提高。这是由于主气体流路330与细管335的气体流导比增加的缘故。
在金属电极310上设置有8列×8列共计64个第1气体释放孔345a。该气体释放孔全部与第1气体流路310a连通。向第1气体流路310a流入经过了4根细管335的气体。因此，每根细管335向16个(64/4个)第1气体释放孔345a供给气体。对于金属罩320也相同。对于侧罩350，由细管335供给的气体释放孔的数量不同。
本实施方式中，当设定细管335的气体流导为Cr、每根细管335所供给的气体孔的数量为N时，对于全部细管335而言，Cr/N的值相等。即、从全部气体释放孔中均等地释放气体。由此，能够在基板G上施加均等的处理。为使Cr/N的值相同，对于金属电极310、金属罩320，使细管335的直径、长度相等，使气体流导相等。另外，对于侧罩350，使细管335的直径恒定，通过调整长度来使气体流导Cr达到预期的值。
细管335的气体流导被设定为比每根细管335所供给的16个第1气体释放孔345a的气体流导之和小。实际上，(细管335的气体流导)/(第1气体释放孔345a的气体流导之和)，在假定的300~6000sccm/m2的气体流量中，为1/36.4~1/14.5。此时，从第1气体释放孔345a释放出的气体的喷射流速最大值为90m/s，远小于音速的360m/s。
为了向基板G的整个前表面均等地释放气体，必须使主气体流路330的气体流导比支气体流路的气体流导足够大。通常情况下的等离子体处理装置中，为了将支气体流路的气体流导抑制得很小，会缩小气体释放孔的直径。然而，使用该方法的话，必须以极高的精度来形成多个小径孔，因此存在技术困难。又由于必须增大气体释放孔的间距，故等离子体处理产生不均。而且，由于气体喷射流速达到音速，故处理容器内的气体流过紊乱而无法进行良好的处理，导致在处理容器内面堆积无用的膜。
(节流部)
本实施方式中，在支气体流路的上游侧的一部分中设置有节流部(细管335)、而非气体释放孔，由此来限制流导。即、将释放气体的功能与限制流导的功能分离。如上所述，通过使(细管335的气体流导)/(第1气体释放孔345a的气体流导之和)远小于1(1/14.5以下)，使得单凭细管335即可有效地限制流导。由此，即便在细管335的下游流导发生稍微变化，亦可确保均匀性。另外，将主气体流路330与细管335的气体流导比设定为比1大很多(本实施方式中为59000以上)，由此得到较高的均匀性。
另外，通过将节流部(细管335)配置在支气体流路的上游部，使其下游侧的气体流路的压力被抑制得很低。其结果，将从下游侧的气体流路流出、不经过气体释放孔而经由间隙漏出到处理容器100的内部的气体的流量抑制得很低，能够更为均等地释放气体。
另外，在以往类型的等离子体处理装置中，由于配置于顶面的介电体板305的露出面积很大，故通过鞘层中的电场将电子吸引到介电体板305、使介电体板305的表面偏负性会造成介电体板305的表面被蚀刻，而且施加离子能量会加速介电体板305表面上的化学反应，特别是利用氢自由基的还原作用会向处理容器内面堆积反应生成物，成为导致污染、粒子出现的原因。
与此相对，本实施方式所涉及的上段气体喷淋板中，通过在金属电极310、金属罩320上设置多个气体释放孔，能够抑制介电体板305的表面遭受蚀刻以及抑制向处理容器内面堆积反应生成物，能够降低污染、粒子。另外，由于上段气体喷淋头由金属形成，故加工容易，大幅削减了成本。
此外，细管335是多个支气体流路上设置的、用于缩窄支气体流路的气体流路的节流部的一例。作为节流部的其它示例，例如有细孔、节流孔、阀体、多孔部件等。节流部只要设置在比多个第1气体释放孔345a及第2气体释放孔345b更靠近主气体流路330的位置即可，例如也可以与主气体流路330邻接地设置在多个支气体流路(螺钉325)的内部、或者设置在主气体流路330与多个支气体流路之间。
此外，第1气体流路310a亦可是形成在介电体板305的与金属电极310邻接的面上的槽。同样、第2气体流路320a亦可是形成在盖体300的与金属罩320或者侧罩350邻接的面上的槽。
(第1实施方式的变形例)
图6中表示第1实施方式的变形例。以下以与第1实施方式不同的点为中心进行说明，对于相同点则省略说明。本实施方式中，在螺钉325与下部盖体300b之间设置第5气体流路325c。在螺钉325的内部未设置气体流路。被导入到主气体流路的气体，如图4E放大所示那样，经过设置于垫圈430c的细孔360(节流部)，沿第5气体流路325c流过，从第1气体流路310a及第2气体流路320a1、320a2导入到多个第1气体释放孔345a及多个第2气体释放孔345b1、345b2。
另外，本实施方式中，螺钉325的前端面与金属电极310、金属罩320及侧罩350的下表面不共面，制作容易。第1气体流路310a设置于金属电极310的内部。金属电极310通过对合2块铝板并经由焊接实现接合，从而能够在内部形成第1气体流路310a。同样、在金属罩320或者侧罩350的内部分别设置有第2气体流路320a1、320a2。如此一来，通过在喷淋板的内部设置气体流路，即便用金属膜包覆介电体板305的表面，也无需忧虑在气体流路发生放电。
此外，第1~3的气体流路310a、320a、325a是支气体流路的一部分。
(第2实施方式)
接着，参照图7及图8对本发明的第2实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10的构成进行说明。图7中表示图8的5-O-O’-5剖面。图8中表示图7的4-4剖面。第2实施方式中，除了上段气体喷淋板外，还设有下段气体喷嘴。
(上段气体喷淋板)
本实施方式中，在上部盖体300a与下部盖体300b的边界部分设置有2种主气体流路。其一为形成在下部盖体300b的上表面的第1主气体流路330a。另一为形成在下部盖体300b内部的第2主气体流路330b。第2主气体流路330b是以铝合金板制成盖体而盖于下部盖体300b的上表面所设置的槽而形成的流路，但亦可是设置在下部盖体300b的长孔等。
第1主气体流路330a是向下段气体喷嘴370供给气体的流路，例如供给成膜、蚀刻用的处理气体。第2主气体流路330b是向上段气体喷淋板供给气体的流路，例如从上段气体供给源905a供给稀有气体等等离子体激发气体。上段气体供给源905a相当于供给含有等离子体激发用气体的第1气体的第1气体供给源。在成膜、蚀刻等处理中，像这样从上段的电子温度较高的部分向下段的电子温度较低的部分供给等离子体激发气体，并从下段气体供给源905b(相当于第2气体供给源)向下段的电子温度较低的部分供给处理气体。下段气体供给源905b相当于供给预期的第2气体的第2气体供给源。由此，抑制处理气体的过度离解，能够对基板G施加优质的等离子体处理。
在本实施方式中，在螺钉325与下部盖体300b之间设置有第5气体流路325c。并且在第2主气体流路330b与第5气体流路325c之间设置有第6气体流路365。第6气体流路365朝向基板侧边倾斜，边与第2主气体流路330b与第5气体流路325c连结。由此，气体经过第2主气体流路330b，从第6气体流路365导入到第5气体流路325c。经过了第5气体流路325c的气体被导入到第1气体流路310a及第2气体流路320a1、320a2，并从设置在上段喷淋板的第1气体释放孔345a及第2气体释放孔345b1、345b2释放到基板G侧。第1气体释放孔345a及第2气体释放孔345b1、345b2是将从第1气体供给源供给的第1气体释放到处理容器的内部空间的与盖体下表面邻接的第1空间中的第1气体释放部的一例。
在本实施方式中，为了限制支气体流路的气体流导，还设置了用于缩窄第2主气体流路325a的细管335a及用于缩窄第6气体流路365的细管335b。由此，第2主气体流路325a及第6气体流路365的气体流导比主气体流路330的气体流导小很多。
(下段气体喷嘴)
本实施方式不仅设置有上段气体喷淋板，在盖体300的顶面与基板G的空间还设置有下段气体喷嘴370。螺钉325贯通介电体板305及金属电极310与第1气体管370a连结。第1气体管370a等间距地配置在顶面。如图8所示，4根第2气体管370b呈十字状与第1气体管370a的前端连结。第2气体管370b与第1气体管370a大致垂直配置，且以第1气体管370a为中心呈大致等角度配置。
在支气体流路(第2气体管370b)的基板G侧的面设置有多个第4气体释放孔370b1。导入到第1主气体流路330a的气体经过细管335a、第3气体释放孔345c、第1气体管370a、第2气体管370b内的流路，从第4气体释放孔370b1释放到基板G侧。
下段气体喷嘴370由在表面具有氧化铝的保护膜的铝合金构成。另外，如图8所示，在外周部的下段气体喷嘴370仅具有1或2根第2气体管370b。此外，本实施方式中，虽然将螺钉325与第1气体管370a、及第1气体管370a与第2气体管370b一体形成，但亦可将它们分离。与第1气体管370a连结的第2气体管的数量亦可不是4根，且可以不与第1气体管370a垂直连结
根据以上说明的本实施方式所涉及的上段气体喷淋板、及下段气体喷嘴370，通过在支气体流路的上游部设置节流部，将从气体释放孔释放出的气体的流速抑制得很小，同时能够均等地将气体导入到大面积基板上。其结果，能够进行均等且高品质的等离子体处理。
另外，根据本实施方式所涉及的下段气体喷嘴370，与将管状的气体管一体形成为格子状的以往类型的喷淋头相比，无需担心因受热膨胀而引起的挠曲。另外，由于下段气体喷嘴370是由金属形成的，故相对于以往类型的以介电体板305形成的喷淋头不会产生刚性的问题，能够应对大型基板。另外，能够防止在气体管内部发生异常放电。
下段气体喷嘴370例如如图9所示，还可以利用多孔质体P形成第2气体管370b的一部分。图9的上部图表示下段气体喷嘴370的剖面(图9的下部图的6-6剖面)、图9的下部图表示下段气体喷嘴370的下表面、图9的左侧图表示第2气体管370b的剖面(图9的上部图的7-7剖面)。多孔质体P由铝等金属、或氧化铝等陶瓷构成。
此时，气体经过第1气体管370a、并经过第2气体管370b的多孔质体P的气孔间被释放到处理室内。由此，使气体的流速得到充分的降低之后，释放到处理室内。另外，亦可在第2气体管370b上形成单一或多个狭缝状的开口，从形成为十字的狭缝状开口向处理室内导入气体。
(第3实施方式)
接着，参照图10及图11对本发明的第3实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10的构成进行说明。图10表示图11的9-O-O’-9剖面。图11表示图10的8-8剖面。第3实施方式中，下段气体喷嘴370的形状与第2实施方式所涉及的下段气体喷嘴370不同。
即、本实施方式中，多个下段气体喷嘴370分别由4根第3气体管370c构成。第3气体管370c由氧化铝等陶瓷、石英等玻璃、或铝合金等金属构成。4根第3气体管370c通过焊接、粘结、压入、螺纹固定等被螺钉325固定。4根第3气体管370c以多个支气体流路(螺钉325)为中心配置为大致等角度。各第3气体管370c呈管状。在第3气体管370c的前端设置有第4气体释放孔370c1。导入到第1主气体流路330a的气体经过细管335a、第3气体释放孔345c、第3气体管370c，从第4气体释放孔370c1释放到基板G侧。第4气体释放孔370b1及第4气体释放孔370c1是向处理容器内空间的上述第1空间与容纳上述基板的空间之间的第2空间释放从上述第2气体供给源供给的上述第2气体的第2气体释放部的一例。第4气体释放孔370b1及第4气体释放孔370c1是向处理容器内空间的上述第1空间与容纳上述基板的空间之间的第2空间释放从上述第2气体供给源供给的上述第2气体的第2气体释放部的一例。
据此，如图10及图11所示，由于在与基板G对置的面、即平行于基板G的同一平面上等间隔地设置有多个第4气体释放孔370c1，故能够对基板G施加均等的处理。另外，由于第3气体管370c的外形较细，故不太妨碍等离子体的扩散。因此，能够进行高速的处理。进而，由于下段气体喷嘴370由管状的第3气体管370c构成，故成本低廉、构造简单，便于维护。
如图11所示，在外周部的下段气体喷嘴370仅具备1根或2根第3气体管370c。此外，本实施方式中，虽然将螺钉325与第3气体管370c直接进行连接，但第3气体管370c的连接部亦可与螺钉325分离。连结于螺钉325的第3气体管370c的数量亦可为4根，亦可垂直连结。
(第4实施方式)
接着，参照图12~图14对本发明的第4实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10的构成进行说明。图12表示图13的11-O-O’-11剖面。图13表示图12的10-10剖面。图14为图12的12-12剖面。
第4实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10为圆形基板(例如半导体基板)用、仅设置有上段气体喷淋板。金属电极310、金属罩320及侧罩350内的气体流路由形成于各部件上表面的槽形成。第3气体流路325a形成于螺钉325的内部。
见图13，单元数为4个，第1气体释放孔345a及第2气体释放孔345b1、345b2等间距地均等配置。微波从微波源900供给，从传输线路900a向同轴管900b传输，并从分支板900c向第1同轴管610传输。各同轴管配置于盖体罩660的内部。
从气体供给源905供给的气体，如图14所示，流向主气体流路330。主气体流路330是设置于上部盖体300a与下部盖体300b之间的八边形的空间。由此，上部盖体300a与下部盖体300b的边界部分的一面成为气体流路。
本实施方式中，主气体流路330向设置于多个螺钉325内的第3气体流路325a分流气体。用于缩窄流路的细管335被嵌入到第3气体流路325a的入口。
本实施方式中，为使基板G附近的气体的流速更为均等，将从处理容器100的周边部的气体释放孔释放出的气体流量设计为多于从中心部的气体释放孔释放出的气体流量。即、当将细管335的气体流导设为Cr、一根细管335所供给的气体孔的数量为N时，细管335越靠近外周部，Cr/N值越大。由此，即使是小型的处理容器100亦可在基板G上施加均等的处理。此外，本实施方式中，细管335的内径统一为0.4mm，通过改变长度来调整气体流导。另外，亦可改变细管335的内径来调整气体流导。
本实施方式中，设置有两个抑制导体表面波(金属表面波)传输用的槽340a、340b。可以通过配置大小、长宽比各异的多个槽来应对大电子密度范围。
(第5实施方式)
接着，参照图15及图16对本发明的第5实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10的构成进行说明。图15表示图16的14-O-O’-14剖面。图16表示图15的13-13剖面。第5实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10与第4实施方式同样为圆形基板(例如半导体基板)用，除了上段气体喷淋板外，还设有下段气体喷淋板410，在此方面与只设有上段气体喷淋板的第4实施方式不同。
见图16，该情况的单元数亦是4个，第1气体释放孔345a及第2气体释放孔345b1、345b2被等间距且均等地配置。微波从微波源900供给，从传输线路900a向第4同轴管640传输。本实施方式中，第4同轴管640以T形分支成第3同轴管630(杆630a1及内部导体连结板630a2)，进而，第3同轴管630以T形分支成第5同轴管650。
金属电极310、金属罩320及侧罩350内的第1气体流路310a、及第2气体流路320a1、320a2由形成于各部件上表面的槽形成。本实施方式中，在螺钉325的内部形成了第3气体流路325a。下段气体喷淋板410与处理容器100一体形成为网孔状。本实施方式中，例如从上段气体喷淋板向处理容器内供给等离子体激发气体。处理气体从下段气体喷淋板410向供给等离子体激发气体的位置的下方供给。由此，生成预期的等离子体，能够在基板上施加优异的等离子体处理。
此外，下段气体喷嘴370及下段气体喷淋板410是将经过了多个支气体流路的气体释放到盖体300与基板G之间的空间的下段气体释放部件的一例。
(第6实施方式)
接着，参照图17及图18对本发明的第6实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10的构成进行说明。图17表示图18的16-O-O’-16剖面。图18表示图17的15-15剖面。本实施方式中，在未设置金属罩320及侧罩350方面与上述的各实施方式不同。另外，本实施方式中不存在节流部。
具体而言，在图17所示的中心线O的右侧未设置金属罩320及侧罩350，下部盖体300b在顶面露出。在下部盖体300b的下表面直接设置有多个气体释放孔(被称作第5气体释放孔345d)。第5气体释放孔345d的下部比其它部分更细。
在上部盖体300a与下部盖体300b的边界部分设置有与多个第2气体释放孔345b连通的宽幅的主气体流路330。气体从主气体流路330放出，经过第7气体流路400，从多个第5气体释放孔345d释放到处理容器内。
另一方面，见图17的中心线O的左侧，在多个螺钉325的内部设置有第3气体流路325a。第3气体流路325a的前端形成有比第3气体流路325a更细的第3气体释放孔345c。气体经过主气体流路330的气体流路，并经由第3气体流路325a从多个第3气体释放孔345c导入到处理容器内。另外，气体从在第3气体释放孔345c的上方的螺钉325的侧面设置的第4气体流路325a1经过设置在金属电极310的上表面的第1气体流路310a，导入到多个第1气体释放孔345a。在用于固定金属电极的4根螺钉325中，仅在1根上设置第4气体流路325a1，其余3根未予以设置。
如图18所示，第1气体释放孔345a、第5气体释放孔345d及第3气体释放孔345c被等间距地配置。第1气体流路310a及第1气体释放孔345a的气体流导被设定为比第4气体流路325a1的气体流导大很多。另外，第5气体释放孔345d下部的细孔、第3气体释放孔345c、及第4气体流路325a1的直径及长度大致相等，气体流导相等。由此，能够从整个顶面均等地释放气体。
(气体流路的深度)
本实施方式中，介电体305未被金属膜包覆。如此一来，当介电体305未被金属膜包覆时，为不在设置于金属电极310的槽(第1气体流路310a)产生放电，优选将设置于金属电极310的槽的深度设定为0.2mm以下。将对其理由进行说明。
当气体流路的深度小于电子的平均自由行程时，通过缩窄间隔，使得电子在从微波电场获得电离所需的能量之前即与壁撞击，进而丧失能量，因此在气体流路中很难产生放电。气体流路的深度在实际使用条件下，应设定为即便在最易放电的情况下亦不导致放电的尺寸。
平均自由行程由ua/vc给出。此处，ua为电子的平均速度、vc为电子的撞击频率。电子的平均速度ua由下式
ua=(8kT/πm)1/2
给出。此处，k为玻尔兹曼常数、T为电子温度、m为电子的质量。当将维持在间隙放电的电子温度设定为3eV时，由上式可得出ua=1.14×106m/s。
当电子的撞击频率与微波角频率一致时，从微波赋予电子的能量达到最大，最易放电。当微波频率为915MHz时、成为vc=5.75×109Hz的压力时(若为氩气体约200Pa)最易放电。由上式计算此时的平均自由行程可得出0.20mm。即、当设定气体流路的深度为0.2mm以下时，不会在气体流路产生放电而能够始终激发出稳定的等离子体。
在本实施方式所涉及的上段气体喷淋头中，在金属电极310形成气体释放孔345a、345c，同时在金属的盖体300也直接形成多个气体释放孔345d。由此，能够抑制介电体板表面的蚀刻及抑制有反应生成物堆积于处理容器内面，能够实现污染、粒子的降低。另外，由于上段气体喷淋头由金属形成，故便于加工，能够大幅削减成本。其中，根据本实施方式，由于在支气体流路的末端对气体流导进行调整，故很难降低气体的流速。
(第7实施方式)
接着，参照本图19及图20对发明的第7实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10的构成进行说明。图19表示图20的18-O-O’-18剖面。图20表示图19的17-17剖面。
本实施方式中也不存在节流部(细管335)。气体经过主气体流路330，并经由第3气体流路325a从多个第3气体释放孔345c导入到处理容器内。如图20所示，多个第3气体释放孔345c被均等地配置于顶面。第3气体释放孔345c的下部比第3气体释放孔345c的其余部分、第3气体流路325a更细。由此，能够从整个顶面均等地释放气体。在金属电极310、金属罩320及侧罩350上未设置气体释放孔。
本实施方式中，如图19及图4C放大所示那样，在突出到主气体流路330的螺钉325的外周安装有螺母435。在下部盖体300b与螺钉325的侧部接触面设置有O形环225，对下部盖体300b与螺钉325的间隙进行密封。由此，避免了气体从螺钉325的周围泄漏。O形环225亦可配置在与垫圈430c相接的位置。也可与O形环225一起使用波形垫圈、盘簧等弹性部件。为了实现密封，亦可使用密封垫圈来替代O形环225。
此外，作为避免气体从螺钉325的外周泄漏的其它机构，例如亦可如图4B所示使用盘簧430d。由于盘簧430d具有较强的弹簧力，故能够产生足够的用于压扁O形环220的力。由于盘簧430d的上下角与螺母435及下部盖体300b密合，故能够抑制气体的泄漏。盘簧的材质为镀Ni后的SUS等。
如图4D所示，亦可使用锥垫圈430e来防止气体的泄漏。当拧入螺母435时，由于锥垫圈430e与下部盖体300b以斜向接触，故锥垫圈430e、下部盖体300b及螺钉325牢固密合而消除了间隙，能够可靠地对螺钉325与下部盖体300b的间隙进行密封。进而，由于螺钉325通过锥垫圈430e固定于下部盖体300b，故在拧紧螺母435时，螺钉325不会与螺母435一起旋转。因此，无需担心螺钉325与金属电极310等滑动而刮伤表面、或使形成于表面的保护膜脱落。锥垫圈430e的材质最好采用金属或树脂。
以上，虽然对固定介电体板305及金属电极310的方法进行了说明，但亦可应用到固定金属罩320、侧罩350的情况中。另外，图4A~图4C的类型中，为了防止螺钉325旋转，亦可采用压入、热压配合、焊接、粘结等方法将螺钉325固定于金属电极310等上，还可使螺钉325与金属电极310等一体形成。另外，亦可在螺钉325与下部盖体300b之间形成键槽，通过插入键来防止旋转。进而，亦在对螺钉325的末端(上端)部设计出6角部等，而用扳手等按压锁紧螺钉325。
根据以上说明的各实施方式所涉及的微波等离子体处理装置10，通过设置上段气体喷淋板、下段气体喷嘴或者下段气体喷淋板，能够优异地控制气体的供给。另外，通过在金属电极310、金属的盖体300、金属罩320、侧罩350上设置多个气体释放孔，能够抑制既有的在介电体板的表面发生的蚀刻，同时能够抑制反应生成物堆积于处理容器内面，能够实现对污染、粒子的降低。
此外，还可使金属电极310的第1气体释放孔345a、金属罩320、侧罩350的第2气体释放孔345b1、345b2、盖体300的第5气体释放孔345d位于在盖体300的基板侧的面形成的凸部。利用凸部上难以生成等离子体的特性，来避免在设置于凸部的气体释放孔的附近发生异常放电的情况出现。
以上、参照附图对本发明的最佳的实施方式进行了说明，但本发明当然并不受实例的局限。本领域技术人员在权利要求书所记载的范围内，可想到各种变形例或修正例，而它们都当然属于本发明的技术范围。
例如，本发明所涉及的等离子体处理装置亦可是去除上段气体喷淋头而只有图7、图10所示的下段气体喷嘴370的装置。另外，亦可对各实施方式中公开的多种上段气体喷淋头与下段气体喷嘴370进行任意的组合。亦可对图1、图6所示的具有节流部的上段气体喷淋头附加以往类型的下段气体喷嘴370。还可以陶瓷来形成下段气体喷嘴370。
在以上说明的各实施方式中，虽然例举了输出915MHz的微波的微波源900，但亦可是输出896MHz、922MHz、2.45GHz等微波的微波源。另外，微波源是产生用于激发等离子体的电磁波的电磁波源的一例，如果是输出100MHz以上的电磁波的电磁波源，则也包括磁控管、高频率电源。
金属电极310的形状不局限于4边形，亦可是3角形、6边形、8边形。此时介电体板305及金属罩320的形状也与金属电极310的形状相同。金属罩320有无均可。当没有金属罩320时，在盖体300上直接形成气体流路。
微波等离子体处理装置能够执行成膜处理、扩散处理、蚀刻处理、灰化处理、等离子体掺杂处理等利用等离子体对被处理体进行微细加工的各种工艺。
例如，本发明所涉及的等离子体处理装置亦可对大面积的玻璃基板、圆形的硅晶片、方型的SOI(Silicon On Insulator)基板进行处理。
另外，等离子体处理装置并不局限于上述的微波等离子体处理装置，例如能够用于径向线缝隙天线(RLSA:Radial Line Slot Antenna)、CMEP(Cellular Microwave Excitation Plasma)等离子体处理装置、ICP(Inductively Coupled Plasma)等离子体处理装置、容量结合型等离子体处理装置、ECR(Electron Cyclotron Resonance)等装置。其中，CMEP等离子体处理装置是将沿导波管传送的微波从多个介电体板释放到处理容器内、并利用微波的能量生成等离子体的装置。例如，记载于日本特开2007-273636中。
另外，本发明所涉及的上段气体喷淋板或者下段气体喷嘴如图21所示，能够用于基板大小为1352mm×1206mm的太阳能电池用的等离子体处理装置中。此时，单元Cel的纵横的列数为8×8(=23×23)，成为大致正方形的装置。从微波源输出的微波沿分支回路传输，分配功率并向单元Cel供给，导体表面波沿顶的金属面传输。此外，为了对基板均等地进行等离子体处理，可将等离子体激发区域Ea设计为大于基板G的大小。

Claims (59)

1.一种等离子体处理装置，其具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所必需的电磁波，
在上述处理容器的盖体下表面具有1个或2个以上的介电体板，该介电体板使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且该介电体板的一部分露出到上述处理容器的内部，
沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部，被与上述介电体板邻接地设置，
该等离子体处理装置具备：
供给预期的气体的气体供给源；以及
多个气体释放孔，其用于将从上述气体供给源供给的气体释放到上述处理容器的内部，
所述等离子体处理装置具备与上述介电体板邻接的金属电极，
上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第1气体释放孔，
从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体，
所述等离子体处理装置具有金属罩，该金属罩在未设有上述介电体板的上述处理容器的盖体的下表面与上述介电体板邻接地设置，
上述多个气体释放孔包括在上述金属罩上开口的多个第2气体释放孔，
从上述金属罩的多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在未设有上述介电体板的上述处理容器的盖体的下表面与上述介电体板邻接并在比上述介电体板靠外侧的上述处理容器的盖体上，设置有侧罩，
上述多个气体释放孔包括在上述侧罩上开口的多个第2气体释放孔，
从上述侧罩的多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述金属电极的内部设置有第1气体流路，
经由上述第1气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述金属电极与上述介电体板之间设置有第1气体流路，
经由上述第1气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体流路是形成于上述金属电极的与上述介电体板邻接的面或者上述介电体板的与上述金属电极邻接的面中的至少任一面的槽。
6.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述金属罩或者侧罩中至少任一方的内部设置有第2气体流路，
经由上述第2气体流路从上述多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
7.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述金属罩或者侧罩中的至少任一方与上述盖体之间设置有第2气体流路，
经由上述第2气体流路从上述多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第2气体流路是形成于上述金属罩及侧罩的与上述盖体邻接的面或者上述盖体的与上述金属罩及侧罩邻接的面中的至少任一面的槽。
9.根据权利要求5或8所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述槽的深度为0.2mm以下。
10.根据权利要求2至8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述金属电极的内部设置有第1气体流路，
在上述金属罩或者侧罩中至少任一方的内部设置有第2气体流路，
上述介电体板及上述金属电极被用螺钉固定于上述盖体，
上述金属罩及侧罩被用螺钉固定于上述盖体的本体部分，
上述第1及第2气体流路与设置于上述螺钉的内部或侧面的第3气体流路或者第5气体流路连结。
11.根据权利要求2到8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述第1气体释放孔及上述金属罩或者侧罩中的至少任一方上设置的第2气体释放孔被以大致等间距配置。
12.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，
用于将上述介电体板及上述金属电极固定于上述盖体的上述螺钉为多个，
在上述多个螺钉的内部设置有第3气体流路，
上述多个气体释放孔包括在上述多个螺钉上开口的多个第3气体释放孔，
经由上述第3气体流路从上述多个第3气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述多个第3气体释放孔的气体流导比上述第3气体流路的气体流导小。
14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第3气体释放孔为圆筒形，上述第1气体释放孔、上述第2气体释放孔及上述第3气体释放孔的直径及长度分别大致相等。
15.根据权利要求2至8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体释放孔及上述第2气体释放孔被以大致等间距配置。
16.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体释放孔、上述第2气体释放孔及上述第3气体释放孔被以大致等间距配置。
17.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体释放孔、上述第2气体释放孔或者第3气体释放孔中的至少任一方，被设置于在上述金属电极、上述金属罩或者侧罩中的至少任一方的金属面所形成的凸部。
18.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述螺钉的内部侧面设置有第4气体流路，
将通过了上述第3气体流路的气体经由上述第4气体流路导向上述第1气体流路或者上述第2气体流路。
19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体流路、上述第2气体流路及上述第3气体流路的气体流导比上述第4气体流路的气体流导大。
20.根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第3气体释放孔的流导与上述第4气体流路的流导大致相等。
21.根据权利要求20所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第4气体流路及上述第3气体释放孔为圆筒形，上述第4气体流路的直径及长度与上述第3气体释放孔的直径及长度大致相等。
22.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述螺钉与上述盖体之间设置有第5气体流路，
经由上述第5气体流路从上述第1气体流路及上述第2气体流路向上述多个第1气体释放孔及上述多个第2气体释放孔导入气体。
23.根据权利要求22所述的等离子体处理装置，其特征在于，
设置有第6气体流路，该第6气体流路用于将通过了主气体流路的气体导向上述第5气体流路。
24.根据权利要求23所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第6气体流路被朝向被处理体倾斜配置。
25.根据权利要求23所述的等离子体处理装置，其特征在于，
与主气体流路邻接地配置有节流部，以使得上述第6气体流路的气体流导比上述主气体流路的气体流导小。
26.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，
与主气体流路邻接地配置有节流部，以使得上述第3气体流路的气体流导比上述主气体流路的气体流导小。
27.根据权利要求1、4、5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述多个气体释放孔包括多个第5气体释放孔，该多个第5气体释放孔在露出于上述处理容器的盖体上开口，
从上述多个第5气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
28.根据权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述介电体板的各个的在上述处理容器内的一侧设置有金属电极，
上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第1气体释放孔，
从上述多个第5气体释放孔及第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
29.根据权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述盖体的内部设置有第7气体流路，
经由上述第7气体流路从上述第5气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
30.根据权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体释放孔及上述第5气体释放孔为圆筒形，上述第1气体释放孔与上述第5气体释放孔的直径及长度分别大致相等。
31.根据权利要求28所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第5气体释放孔的气体流导与上述第1气体释放孔的气体流导大致相等。
32.根据权利要求28所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述多个第1气体释放孔具有与上述第5气体释放孔大致相同的粗细。
33.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述盖体的内部设置有主气体流路，
上述多个主气体流路向上述多个支气体流路的气体流路分流气体。
34.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述盖体由上部盖体与下部盖体构成，
在上述上部盖体与上述下部盖体的边界部分设置有主气体流路。
35.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
具有气体释放部，该气体释放部被配置在上述处理容器内空间的上述盖体下部的空间与容纳了上述基板的空间之间的空间，且向容纳了上述基板的空间释放从与上述气体供给源不同的气体供给源供给的气体。
36.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
具有将上述气体供给源和上述气体释放孔之间连接起来的气体流路，在上述气体流路中设置有用于缩窄流路的节流部。
37.一种等离子体处理装置，其具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所必需的电磁波；在上述处理容器的盖体下表面设置的1个或2个以上的介电体板，该介电体板，用于使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且该介电体板的一部分露出到上述处理容器的内部，
沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部，被与上述介电体板邻接地设置，
该等离子体处理装置具备：
供给含有等离子体激发用气体的第1气体的第1气体供给源；
供给预期的第2气体的第2气体供给源；
第1气体释放部，其将从上述第1气体供给源供给的上述第1气体释放到上述处理容器的内部空间的与上述盖体下表面邻接的第1空间；以及
第2气体释放部，其将从上述第2气体供给源供给的上述第2气体释放到上述处理容器内空间的上述第1空间与容纳了上述基板的空间之间的第2空间，
第1气体释放部包含多个气体释放孔，
所述等离子体处理装置具备与上述介电体板邻接的金属电极，
上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第1气体释放孔，
从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体，
所述等离子体处理装置具有金属罩，该金属罩在未设有上述介电体板的上述处理容器的盖体的下表面与上述介电体板邻接地设置，
上述多个气体释放孔包括在上述金属罩上开口的多个第2气体释放孔，
从上述金属罩的多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
38.根据权利要求37所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第2气体释放部包括多个气体导通路和至少1个气体释放孔，该多个气体导通路通过上述盖体内部而延伸到上述第2空间附近；该至少1个气体释放孔设置于上述气体导通路的每一个上，用于向上述第2空间释放上述第2气体。
39.根据权利要求37所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第2气体释放部由多孔质体形成。
40.根据权利要求37所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第2气体释放部为狭缝状的开口。
41.根据权利要求38所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述多个气体导通路包括第1气体管和多个第2气体管，该第1气体管以与被处理体呈大致垂直的状态配置，该多个第2气体管以与被处理体呈大致水平的状态与上述第1气体管连结。
42.根据权利要求41所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述多个第2气体管以上述第1气体管为中心呈大致等角度配置。
43.根据权利要求41所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体管被等间距配置了多个，
在各个第1气体管连结有4根上述第2气体管。
44.根据权利要求41至43中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述多个第2气体管的与被处理体对置的面等间隔地设置有多个上述气体释放孔。
45.根据权利要求38所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述多个气体导通路包括第3气体管，该第3气体管以与被处理体呈规定角度的状态配置。
46.根据权利要求45所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第3气体管被配置成，从上述盖体的下表面的多个部分起，使多根上述第3气体管以相对于各部分呈大致等角度的方式在不同的方向延伸，并到达上述第2空间附近。
47.根据权利要求45所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述多个第3气体管的末端部设置上述气体释放孔，上述气体释放孔被大致等间隔配置在与被处理体平行的同一平面上。
48.一种等离子体处理方法，使用下述的等离子体处理装直:具备:
金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所必需的电磁波，
在上述处理容器的盖体下表面具有1个或2个以上的介电体，该介电
体使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分露出到上述处理容器的内部，
沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部，被与上述介电体邻接地设置，
根据该等离子体处理方法，
从气体供给源供给预期的气体，
将上述供给的气体从多个气体释放孔释放到上述处理容器的内部，
上述多个气体释放孔包括在上述盖体上开口的多个第5气体释放孔，
利用导入到上述处理容器内的电磁波激发被释放到上述处理容器内的预期的气体，对被处理体进行等离子体处理，
在上述介电体的各个的容器内侧设置有金属电极，
上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第2气体释放孔，
从上述多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
49.一种等离子体处理装置，具备:金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所必需的电磁波，
在上述处理容器的盖体下表面具有1个或2个以上的介电体，该介电体使从上述电磁波源供给的电磁波透过到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分露出到上述处理容器的内部，
沿露出到上述处理容器的内部的金属面传播电磁波的表面波传输部，被与介电体邻接地设置，
该等离子体处理装置还具备:
供给预期的气体的气体供给源；
多个气体释放孔，其将从上述气体供给源供给的气体释放到上述处理容器的内部，
上述多个气体释放孔包括在上述盖体上开口的多个第1气体释放孔，
在上述介电体的各个的容器内侧设置有金属电极，
上述多个气体释放孔包括在上述金属电极上开口的多个第2气体释放孔，
从上述多个第1及第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
50.根据权利要求49所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述盖体的内部设置有第1气体流路，
经由上述第1气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
51.根据权利要求49所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述金属电极与上述介电体板之间设置有第2气体流路，
经由上述第2气体流路从上述多个第2气体释放孔向上述处理容器内导入气体。
52.根据权利要求51所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第2气体流路是在上述金属电极的与上述介电体板邻接的面或者上述介电体板的与上述金属电极邻接的面中的至少任一面形成的槽。
53.根据权利要求49所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述盖体包括在未设有介电体的部分设置的金属罩及侧罩，
上述多个第1气体释放孔在上述金属罩及侧罩上开口。
54.根据权利要求53所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述金属罩及侧罩的内部或上述金属罩及侧罩与上述盖体之间设
置有与上述第1气体流路连结的第3气体流路，
经由上述第3气体流路从上述多个第1气体释放孔向上述处理容器内心导入气体。
55.根据权利要求54所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第3气体流路是在上述金属罩及侧罩的与上述盖体邻接的面或者上述盖体的与上述金属罩及侧罩邻接的面中的至少任一面形成的槽。
56.根据权利要求52所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述糟的深度为0.2mm以下。
57.根据权利要求54所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述介电体及上述金属电极通过第1螺钉安装于上述盖体，上述金属罩及侧罩通过第2螺钉安装于上述盖体的本体部分，
上述金属电极与上述介电体之间设置有第2气体流路，
上述第2及第3气体流路分别经由设置于上述第1及第2螺钉的内部或侧面的气体通路与上述第1气体流路连结。
58.根据权利要求49所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述第1气体释放孔及上述第2气体释放孔被以大致等间距配置。
59.根据权利要求49所述的等离子体处理装置，其特征在于，
具有气体释放部，该气体释放部被配置在上述处理容器内空间的上述
盖体下部的空间与容纳了上述基板的空间之间的空间，且向容纳了上述基板的空间释放出从与上述气体供给源不同的气体供给源供给的气体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821950B (zh) * 2022-03-18 2023-11-11 韓商細美事有限公司 晶粒表面處理裝置以及其晶粒結合系統

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5520455B2 (ja) * 2008-06-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5478058B2 (ja) * 2008-12-09 2014-04-23 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
KR101327458B1 (ko) * 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101206836B1 (ko) * 2012-03-14 2012-11-30 한국델파이주식회사 스티어링 기어의 랙 바 지지 장치
US9267205B1 (en) * 2012-05-30 2016-02-23 Alta Devices, Inc. Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor
JP2014096553A (ja) * 2012-10-09 2014-05-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置
JP2014082354A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP5700032B2 (ja) * 2012-12-26 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマドーピング装置、およびプラズマドーピング方法
JP6137986B2 (ja) * 2013-08-07 2017-05-31 株式会社荏原製作所 基板洗浄及び乾燥装置
US9336997B2 (en) * 2014-03-17 2016-05-10 Applied Materials, Inc. RF multi-feed structure to improve plasma uniformity
DE112014007059T5 (de) * 2014-11-26 2017-07-06 Hitachi High-Technologies Corporation Ionenstrahlvorrichtung
JP6404111B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102015101461A1 (de) * 2015-02-02 2016-08-04 Aixtron Se Vorrichtung zum Beschichten eines großflächigen Substrats
JP6628065B2 (ja) * 2016-09-05 2020-01-08 信越半導体株式会社 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント
JP6624110B2 (ja) 2017-02-10 2019-12-25 株式会社豊田中央研究所 化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法
CN106604514A (zh) * 2017-02-21 2017-04-26 唐山铸锐科技有限公司 排管及低温等离子体发生设备
CN107118381A (zh) * 2017-06-16 2017-09-01 南京工业大学 聚四氟乙烯亲水性改性等离子体处理装置及方法
US11239057B2 (en) * 2017-07-28 2022-02-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Showerhead and method for manufacturing the same
JP6835019B2 (ja) 2018-03-14 2021-02-24 株式会社豊田中央研究所 半導体装置及びその製造方法
WO2021010952A1 (en) * 2019-07-15 2021-01-21 Applied Materials, Inc. Large-area high density plasma processing chamber for flat panel displays
CN112349572B (zh) * 2019-08-09 2024-03-08 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气体喷淋头及等离子处理装置
JP7428521B2 (ja) 2020-01-15 2024-02-06 株式会社テクノ菱和 電極
JP2021195595A (ja) * 2020-06-15 2021-12-27 東京エレクトロン株式会社 シャワープレート及び成膜装置
US11776793B2 (en) 2020-11-13 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Plasma source with ceramic electrode plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1300875A (zh) * 1999-12-07 2001-06-27 夏普公司 等离子体处理装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02114530A (ja) 1988-10-25 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
US5091049A (en) * 1989-06-13 1992-02-25 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5122251A (en) * 1989-06-13 1992-06-16 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
TW296534B (zh) * 1993-12-17 1997-01-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5611864A (en) * 1994-03-24 1997-03-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma processing apparatus and processing method using the same
US5620523A (en) * 1994-04-11 1997-04-15 Canon Sales Co., Inc. Apparatus for forming film
TW283250B (en) * 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
JPH10158847A (ja) * 1996-12-06 1998-06-16 Toshiba Corp マイクロ波励起によるプラズマ処理装置
WO1998033362A1 (fr) * 1997-01-29 1998-07-30 Tadahiro Ohmi Dispositif a plasma
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
JP3317209B2 (ja) * 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6132552A (en) * 1998-02-19 2000-10-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling the temperature of a gas distribution plate in a process reactor
JP4141021B2 (ja) * 1998-09-18 2008-08-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ成膜方法
JP3668079B2 (ja) * 1999-05-31 2005-07-06 忠弘 大見 プラズマプロセス装置
JP3482949B2 (ja) * 2000-08-04 2004-01-06 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法及び装置
US7008484B2 (en) * 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
US6942753B2 (en) 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
JP4179041B2 (ja) * 2003-04-30 2008-11-12 株式会社島津製作所 有機ｅｌ用保護膜の成膜装置、製造方法および有機ｅｌ素子
CN102181819A (zh) * 2004-03-03 2011-09-14 东京毅力科创株式会社 等离子体氮化处理方法
US20070221130A1 (en) * 2004-05-27 2007-09-27 Tokyo Electron Limited Substrate Processing Apparatus
JP2006128000A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd プラズマ処理装置
JP4770167B2 (ja) 2004-12-16 2011-09-14 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマｃｖｄ装置を用いた成膜方法
JP2006310736A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Tokyo Electron Ltd ゲート絶縁膜の製造方法および半導体装置の製造方法
JP5308664B2 (ja) * 2005-09-01 2013-10-09 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
US20080254220A1 (en) * 2006-01-20 2008-10-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
TWI443735B (zh) 2006-01-20 2014-07-01 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device
JP4683334B2 (ja) * 2006-03-31 2011-05-18 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマ処理装置
US20080081114A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for delivering uniform fluid flow in a chemical deposition system
JP5252613B2 (ja) * 2006-12-25 2013-07-31 国立大学法人東北大学 イオン注入装置およびイオン注入方法
TWI386997B (zh) * 2007-03-29 2013-02-21 Tokyo Electron Ltd 電漿處理裝置
CN101622912B (zh) * 2007-06-11 2013-01-23 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及等离子体处理装置的使用方法
US20080303744A1 (en) * 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system
CN101632329B (zh) * 2007-06-11 2012-10-31 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及处理方法
KR101088876B1 (ko) * 2007-06-11 2011-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 플라즈마 처리 장치, 급전 장치 및 플라즈마 처리 장치의 사용 방법
JP2008305736A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法
JP5058727B2 (ja) * 2007-09-06 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 天板構造及びこれを用いたプラズマ処理装置
US20110114600A1 (en) * 2008-06-11 2011-05-19 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP5520455B2 (ja) * 2008-06-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5213530B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5421551B2 (ja) * 2008-06-11 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5478058B2 (ja) * 2008-12-09 2014-04-23 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
JP5222744B2 (ja) * 2009-01-21 2013-06-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
WO2011055644A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2013121467A1 (ja) * 2012-02-17 2013-08-22 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9343291B2 (en) * 2013-05-15 2016-05-17 Tokyo Electron Limited Method for forming an interfacial layer on a semiconductor using hydrogen plasma

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1300875A (zh) * 1999-12-07 2001-06-27 夏普公司 等离子体处理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821950B (zh) * 2022-03-18 2023-11-11 韓商細美事有限公司 晶粒表面處理裝置以及其晶粒結合系統

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