CN102718208A - 基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 - Google Patents
基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102718208A CN102718208A CN2012101591705A CN201210159170A CN102718208A CN 102718208 A CN102718208 A CN 102718208A CN 2012101591705 A CN2012101591705 A CN 2012101591705A CN 201210159170 A CN201210159170 A CN 201210159170A CN 102718208 A CN102718208 A CN 102718208A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sic
- film
- grapheme
- remove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再在SiC样片表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；将开窗后的样片置于石英管中，通过气态CCl4在750-1150℃下与裸露的SiC反应，生成双层碳膜；然后将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；最后在另一Si样片上电子束沉积350-600nm厚的Ni膜，并将去除SiO2后的样片置于Ni膜上后，再置于Ar气中退火10-20min，在窗口位置生成双层结构化石墨烯。本发明具有工艺简单，安全性高，双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于制作微电子电子器件。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体薄膜材料及其制备方法，具体地说是基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法。
技术背景
石墨烯出现在实验室中是在2004年，当时，英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈·杰姆和克斯特亚·诺沃消洛夫发现他们能用一种非常简单的方法得到越来越薄的石墨薄片。他们从石墨中剥离出石墨片，然后将薄片的两面粘在一种特殊的胶带上，撕开胶带，就能把石墨片一分为二。不断地这样操作，于是薄片越来越薄，最后，他们得到了仅由一层碳原子构成的薄片，这就是石墨烯。从这以后，制备石墨烯的新方法层出不穷,但使用最多的主要有以下两种：
1.热分解SiC法。该方法将单晶SiC加热以通过使表面上的SiC分解而除去Si，随后残留的碳形成石墨烯。然而，SiC热分解中使用的单晶SiC非常昂贵，并且生长出来的石墨烯呈岛状分布，孔隙多，层数不均匀，而且做器件时由于光刻，干法刻蚀工艺会使石墨烯的电子迁移率降低，从而影响了器件性能。
2.化学气相沉积法。该方法提供了一种可控制备石墨烯的有效方法,它是将平面基底，如金属薄膜、金属单晶等置于高温可分解的前驱体，如甲烷、乙烯等气氛中,通过高温退火使碳原子沉积在基底表面形成石墨烯,最后用化学腐蚀法去除金属基底后即可得到独立的石墨烯片。通过选择基底的类型、生长的温度、前驱体的流量等参数可调控石墨烯的生长，如生长速率、厚度、面积等，此方法最大的缺点在于获得的石墨烯片层与衬底相互作用强，丧失了许多单层石墨烯的性质，而且石墨烯的连续性不是很好。如申请号为200810113596.0的“化学气相沉积法制备石墨烯的方法”专利申请，就是一种用化学气相沉积法制备石墨烯的方法，其实现过程是：首先制备催化剂，然后进行高温化学气相沉积，将带有催化剂的衬底放入无氧反应器中，使衬底达到500-1200℃，再通入含碳气源进行化学沉积而得到石墨烯，然后对石墨烯进行提纯，即使用酸处理或在低压、高温下蒸发石墨烯，以除去石墨烯中的催化剂。该方法的主要缺点是：工艺复杂，需要专门去除催化剂，能源消耗大，生产成本高。
发明内容
本发明的目的在于针对上述已有技术的不足，提出一种基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，以简化工艺，节约能源，降低成本，提高石墨烯表面光滑度和连续性、降低孔隙率，并免除在后续制造器件过程中要对石墨烯进行刻蚀的工艺过程，保证石墨烯的电子迁移率稳定，提高器件性能。
为实现上述目的，本发明的制备方法包括以下步骤：
（1）对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；
（2）在清洗后的SiC样片表面利用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法，淀积一层0.4-1.2μm厚的SiO2，作为掩膜；
（3）在掩膜表面涂一层光刻胶，再在掩膜上刻出与所需制作的器件的衬底形状相同的窗口，露出SiC，形成结构化图形；
（4）将开窗后的样片置于石英管中，并连接好各个装置，再对石英管加热至750-1150℃；
（5）将装有CCl4液体的三口烧瓶加热至60-80℃，再向三口烧瓶中通入流速为40-90ml/min的Ar气，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中，使CCl4与裸露的SiC反应20-100min,生成双层碳膜；
（6）将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中以去除窗口以外的SiO2；
（7）取另一Si样片，并在其上采用电子束沉积350-600nm厚的Ni膜；
（8）将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们一同置于流速为20-100ml/min的Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-20分钟，使双层碳膜在窗口位置重构成双层结构化石墨烯，最后从双层结构化石墨烯样片上取开Ni膜。
本发明与现有技术相比具有如下优点：
1.本发明由于利用在Ni膜上退火，因而生成的碳膜更容易重构成连续性较好的结构化石墨烯。
2.本发明由于选择性地生长了结构化石墨烯，在此石墨烯上制作器件时无需对石墨烯进行刻蚀，因而石墨烯中的电子迁移率不会降低，保证了制作的器件性能。
3.本发明由于利用SiC与CCl4气体反应，因而生成的双层结构化石墨烯表面光滑，孔隙率低。
4.与现有技术相比本发明工艺简单，节约能源，安全性高。
附图说明
图1是本发明制备石墨烯的装置示意图；
图2是本发明制备石墨烯的流程图。
具体实施方式
参照图1，本发明的制备设备主要由三通阀门3，三口烧瓶8，水浴锅9，石英管5，电阻炉6组成；三通阀门3通过第一通道1与石英管5相连，通过第二通道2与三口烧瓶8的左侧口相连，而三口烧瓶8的右侧口与石英管5相连，三口烧瓶中装有CCl4液体，且其放置在水浴锅9中，石英管5放置在电阻炉6中。三通阀门3设有进气口4，用于向设备内通入气体。
参照图2，本发明的制作方法给出如下三种实施例。
实施例1
步骤1:清洗6H-SiC样片，以去除表面污染物。
（1.1）对6H-SiC衬底基片使用NH4OH+H2O2试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除样品表面有机残余物；
（1.2）将去除表面有机残余物后的6H-SiC样片再使用HCl+H2O2试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。
步骤2：在6H-SiC样片表面淀积一层SiO2。
（2.1）将清洗后的6H-SiC样片放入等离子体增强化学气相沉积PECVD设备系统内，将系统内部压力调为3.0Pa，射频功率调为100W，温度调为150℃；
（2.2）向PECVD系统内通入流速分别为30sccm、60sccm和200sccm的SiH4、N2O和N2，持续20min，使SiH4和N2O发生反应，从而在6H-SiC样片表面淀积一层0.4μm厚的SiO2掩膜层。
步骤3：在SiO2掩膜层上刻出图形窗口。
（3.1）在SiO2掩膜层上旋涂一层光刻胶；
（3.2）按照所要制作器件的衬底形状制成光刻版，再进行光刻，然后将光刻版上图形转移到SiO2掩膜层上；
（3.3）用缓冲氢氟酸对SiO2掩膜层进行腐蚀，刻蚀出图形窗口，露出6H-SiC，形成结构化图形。
步骤4：将开窗后的样片装入石英管，并排气加热。
（4.1）将开窗后的样片放入石英管5中，并把石英管置于电阻炉6中，再将CCl4液体装入三口烧瓶10中，并将三口烧瓶放入水浴锅11中，然后按照图1将石英管与三口烧瓶进行连接；
（4.2）从三通阀门3的进气口4通入流速为80ml/min的Ar气，并利用三通阀门3控制Ar气从第一通道1进入对石英管进行排空30分钟，使石英管内的空气从出气口7排出；
（4.3）打开电阻炉电源开关，对石英管加热至750℃。
步骤5：生长双层碳膜。
（5.1）打开水浴锅9电源，将装有CCl4液体的三口烧瓶8加热至60℃；
（5.2）当电阻炉达到设定的750℃后，旋转三通阀门，使流速为40ml/min的Ar气从第二通道2流入三口烧瓶，并携带CCl4蒸汽进入石英管，使气态CCl4与裸露的6H-SiC在石英管中反应20分钟，生成双层碳膜。
步骤6：去除剩余的SiO2。
将生成的双层碳膜样片从石英管取出并置于配比为1∶10的缓冲氢氟酸溶液中，以去除窗口之外的SiO2。
步骤7：在Si样片上沉积一层Ni膜。
取另外一片Si样片放入电子束蒸发镀膜机中的载玻片上，调整载玻片到靶材的距离为50cm，并将反应室压强抽至5×10-4Pa，调节束流为40mA，蒸发10min，在该Si样片上沉积一层350nm厚的Ni膜。
步骤8：重构成双层结构化石墨烯。
（8.1）将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上；
（8.2）将双层碳膜样片和Ni膜整体置于流速为20ml/min的Ar气中，在温度为900℃下退火20分钟，使碳膜在窗口位置重构成连续的结构化石墨烯；
（8.3）将Ni膜从双层结构化石墨烯样片上取开，获得双层结构化石墨烯样片。
实施例2
步骤一：清洗4H-SiC样片，以去除表面污染物。
对4H-SiC衬底基片先使用NH4OH+H2O2试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除样品表面有机残余物；再使用HCl+H2O2试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。
步骤二：在4H-SiC样片表面淀积一层SiO2。
将清洗后的4H-SiC样片放入等离子体增强化学气相沉积PECVD系统内，将系统内部压力调为3.0Pa，射频功率调为100W，温度调为150℃；向系统内通入流速分别为30sccm、60sccm和200sccm的SiH4、N2O和N2，持续75min，使SiH4和N2O发生反应，从而在4H-SiC样片表面淀积一层0.8μm厚的SiO2。
步骤三：在SiO2层上旋涂一层光刻胶；按照所要制作器件的衬底形状制成光刻版，然后再进行光刻，将光刻版上图形转移到SiO2层上；用缓冲氢氟酸腐蚀SiO2刻蚀出图形窗口，露出4H-SiC，形成结构化图形。
步骤四：将开窗后的样片装入石英管，并排气加热。
将开窗后的样片置于石英管5中，并把石英管置于电阻炉6中；再将CCl4液体装入三口烧瓶10中，并将三口烧瓶放入水浴锅11中，然后按照图1将石英管与三口烧瓶进行连接；从三通阀门3的进气口4通入流速为80ml/min的Ar气，并利用三通阀门3控制Ar气从第一通道1进入对石英管进行排空30分钟，使石英管内的空气从出气口7排出；打开电阻炉电源开关，对石英管升温至900℃。
步骤五：生长双层碳膜。
打开水浴锅9电源，对装有CCl4液体的三口烧瓶8加热至70℃；当电阻炉达到设定的900℃后，旋转三通阀门，使流速为60ml/min的Ar气从第二通道2流入三口烧瓶，并携带CCl4蒸汽进入石英管，使气态CCl4与裸露的4H-SiC在石英管中反应60分钟，生成双层碳膜。
步骤六：与实施例1的步骤6相同。
步骤七：在Si样片上沉积一层Ni膜。
取另一片Si样片放入电子束蒸发镀膜机中的载玻片上，将载玻片到靶材的距离设置为50cm，并将反应室压强抽至5×10-4Pa，调节束流为40mA，蒸发15min，在该Si样片上沉积一层400nm厚的Ni膜。
步骤八：重构成双层结构化石墨烯。
将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们一同置于流速为60ml/min的Ar气中，在温度为1000℃下退火15分钟，使双层碳膜在窗口位置重构成双层结构化石墨烯；再将Ni膜从双层结构化石墨烯样片上取开，得到双层结构化石墨烯样片。
实施例3
步骤A：对6H-SiC衬底基片进行表面清洁处理，即先使用NH4OH+H2O2试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除样品表面有机残余物；再使用HCl+H2O2试剂浸泡样品10分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。
步骤B：将清洗后的6H-SiC样片放入PECVD系统内，将系统内部压力调为3.0Pa，射频功率调为100W，温度调为150℃；向系统内通入流速分别为30sccm、60sccm和200sccm的SiH4、N2O和N2，持续100min，使SiH4和N2O发生反应，从而在6H-SiC样片表面淀积一层1.2μm厚的SiO2。
步骤C：与实施例1的步骤3相同。
步骤D：将开窗后的样片置于石英管5中，并把石英管置于电阻炉6中；再将CCl4液体装入三口烧瓶10中，并将三口烧瓶放入水浴锅11中，然后按照图1将石英管与三口烧瓶进行连接；从三通阀门3的进气口4通入流速为80ml/min的Ar气，并利用三通阀门3控制Ar气从第一通道1进入对石英管进行排空30分钟，使石英管内的空气从出气口7排出；打开电阻炉电源开关，对石英管升温至1150℃。
步骤E：打开水浴锅9电源，对装有CCl4液体的三口烧瓶8加热至80℃；当电阻炉达到设定的1150℃后，旋转三通阀门，使流速为90ml/min的Ar气从第二通道2流入三口烧瓶，并携带CCl4蒸汽进入石英管，使气态CCl4与裸露的6H-SiC在石英管中反应100分钟，生成双层碳膜。
步骤F：与实施例1的步骤6相同。
步骤G：取另一片Si样片放入电子束蒸发镀膜机中的载玻片上，将载玻片设置在距离靶材50cm位置，将反应室压强抽至5×10-4Pa，调节束流为40mA，蒸发20min，在该Si样片上沉积一层600nm厚的Ni膜。
步骤H：将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们一同置于流速为100ml/min的Ar气中，在温度为1100℃下退火10分钟，使双层碳膜在窗口位置重构成双层结构化石墨烯；再将Ni膜从双层结构化石墨烯样片上取开，获得双层结构化石墨烯样片。
Claims (6)
1.一种基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，包括以下步骤：
（1）对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；
（2）在清洗后的SiC样片表面利用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法，淀积一层0.4-1.2μm厚的SiO2，作为掩膜；
（3）在掩膜表面涂一层光刻胶，再在掩膜上刻出与所需制作的器件的衬底形状相同的窗口，露出SiC，形成结构化图形；
（4）将开窗后的样片置于石英管中，并连接好各个装置，再对石英管加热至750-1150℃；
（5）将装有CCl4液体的三口烧瓶加热至60-80℃，再向三口烧瓶中通入流速为40-90ml/min的Ar气，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中，使CCl4与裸露的SiC反应20-100min,生成双层碳膜；
（6）将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中以去除窗口以外的SiO2；
（7）取另一Si样片，并在其上采用电子束沉积350-600nm厚的Ni膜；
（8）将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们一同置于流速为20-100ml/min的Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-20分钟，使双层碳膜在窗口位置重构成双层结构化石墨烯，最后从双层结构化石墨烯样片上取开Ni膜。
2.根据权利要求1所述的基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤（1）对SiC样片进行清洗，按如下步骤进行：
（1a）使用NH4OH+H2O2试剂浸泡SiC样片10分钟，取出后烘干，以去除样片表面有机残余物；
（1b）使用HCl+H2O2试剂浸泡样片10分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。
3.根据权利要求1所述的基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤（2）中利用PECVD方法淀积SiO2，其工艺条件为：
SiH4、N2O和N2的流速分别为30sccm、60sccm和200sccm，
反应腔内压力为3.0Pa，
射频功率为100W，
淀积温度为150℃，
淀积时间为20-100min。
4.根据权利要求1所述的基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤（6）中缓冲氢氟酸溶液，是用比例为1∶10的氢氟酸与水配制而成。
5.根据权利要求1所述的基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤（7）电子束沉积，其工艺条件为：
载玻片到靶材的距离为50cm，
反应室压强为5×10-4Pa，
束流为40mA，
蒸发时间为10-20min。
6.根据权利要求1所述的基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，其特征在于所述SiC样片的晶型采用4H-SiC或6H-SiC。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012101591705A CN102718208A (zh) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012101591705A CN102718208A (zh) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102718208A true CN102718208A (zh) | 2012-10-10 |
Family
ID=46944119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012101591705A Pending CN102718208A (zh) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102718208A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102936154A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-02-20 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 |
| CN103077893A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-05-01 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法 |
| CN103151265A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-12 | 西安电子科技大学 | 基于Cu膜退火的Si衬底上侧栅石墨烯场效应管制作方法 |
| CN103165468A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-19 | 西安电子科技大学 | 基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法 |
| CN103165470A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-19 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101285175A (zh) * | 2008-05-29 | 2008-10-15 | 中国科学院化学研究所 | 化学气相沉积法制备石墨烯的方法 |
| WO2009113472A1 (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 国立大学法人東北大学 | グラフェンまたはグラファイト薄膜、その製造方法、薄膜構造および電子デバイス |
| CN102120574A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-07-13 | 东南大学 | 制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法 |
-
2012
- 2012-05-22 CN CN2012101591705A patent/CN102718208A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009113472A1 (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 国立大学法人東北大学 | グラフェンまたはグラファイト薄膜、その製造方法、薄膜構造および電子デバイス |
| CN101285175A (zh) * | 2008-05-29 | 2008-10-15 | 中国科学院化学研究所 | 化学气相沉积法制备石墨烯的方法 |
| CN102120574A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-07-13 | 东南大学 | 制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JIAN SUI等: "The formation of a dual-layer carbon film on silicon carbide using a bombination of carbide-derived carbon process and chemical vapor deposition in a CCl4-containing atmosphere", 《CARBON》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102936154A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-02-20 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 |
| CN103077893A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-05-01 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜退火的SiC衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法 |
| CN103151265A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-12 | 西安电子科技大学 | 基于Cu膜退火的Si衬底上侧栅石墨烯场效应管制作方法 |
| CN103165468A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-19 | 西安电子科技大学 | 基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法 |
| CN103165470A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-19 | 西安电子科技大学 | 基于Ni膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102505114A (zh) | 基于Ni膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 | |
| CN102653401B (zh) | 基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 | |
| CN102674333B (zh) | 基于Ni膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 | |
| CN102674328A (zh) | 基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法 | |
| CN102583329B (zh) | 基于Cu膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 | |
| CN102583331B (zh) | 基于Ni膜辅助退火和Cl2反应的大面积石墨烯制备方法 | |
| CN102674330A (zh) | 基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 | |
| CN103981507A (zh) | 一种石墨烯制备方法 | |
| CN102718208A (zh) | 基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 | |
| CN102701789B (zh) | 基于Cl2反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法 | |
| CN102674329A (zh) | 基于Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 | |
| CN102674331A (zh) | 基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 | |
| CN102674332A (zh) | 基于Cu膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 | |
| CN102583325B (zh) | 基于Ni膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法 | |
| CN102505141A (zh) | 基于Cu膜辅助退火的石墨烯制备方法 | |
| CN102723258A (zh) | 以SiC为基底的结构化石墨烯制备方法 | |
| CN102583330B (zh) | 基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 | |
| CN102718207A (zh) | 基于Cu膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法 | |
| CN102938367A (zh) | 基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 | |
| CN102530936A (zh) | 基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法 | |
| CN102938368A (zh) | 基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法 | |
| CN102505140A (zh) | 基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法 | |
| CN102936011B (zh) | 基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法 | |
| CN102924119A (zh) | 基于3C-SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法 | |
| CN102653885A (zh) | 在3C-SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121010 |