CN102692685A - 光电模块 - Google Patents

光电模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102692685A
CN102692685A CN2012100796036A CN201210079603A CN102692685A CN 102692685 A CN102692685 A CN 102692685A CN 2012100796036 A CN2012100796036 A CN 2012100796036A CN 201210079603 A CN201210079603 A CN 201210079603A CN 102692685 A CN102692685 A CN 102692685A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
optical
photoelectric subassembly
conductive material
electric module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012100796036A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102692685B (zh
Inventor
张家齐
卢冠甫
颜俊强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CENTERA PHOTONICS Inc
Original Assignee
CENTERA PHOTONICS Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW100110220A external-priority patent/TWI456277B/zh
Priority claimed from TW100132684A external-priority patent/TWI433323B/zh
Priority claimed from TW100139464A external-priority patent/TWI438511B/zh
Application filed by CENTERA PHOTONICS Inc filed Critical CENTERA PHOTONICS Inc
Publication of CN102692685A publication Critical patent/CN102692685A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102692685B publication Critical patent/CN102692685B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/4232—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using the surface tension of fluid solder to align the elements, e.g. solder bump techniques
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4256—Details of housings
    • G02B6/4257—Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G02B6/428—Electrical aspects containing printed circuit boards [PCB]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

一种光电模块，包含一基板、一光电组件及一控制单元，基板具有一上表面、一下表面、一凹槽结构、一穿孔结构及一导电材料，其中上表面与下表面相对，凹槽结构设置于上表面且具有两相对的第一反射面及第二反射面，穿孔结构由上表面穿过基板至下表面，穿孔结构中填入导电材料，光电组件设置于基板上，适于提供或接收一光讯号，第一反射面与第二反射面皆位于光讯号的光路径上，控制单元设置于上表面上，且电性连接导电材料及光电组件，以控制光电组件。

Description

光电模块
技术领域
 本发明关于一种光电模块，特别涉及一种整合导光结构与硅穿孔结构的光电模块。
背景技术
电子装置中通常会配设一连接器与一其它组件电性连接，以使电子装置与他装置沟通或传输讯号，然而，随着科技的进步，电子装置朝向轻薄化趋势发展，以传统模具所制作的连接器塑料本体以及应用冲压技术所制作的导电端子并不易装设于轻薄化的电子装置中。
以光电耦合组件作为光电转换与电信号传输上的基本设计，在目前的各种电路构造、电子装置或相关系统中已得到了广泛的应用，在光电耦合组件的相关单元的尺寸设计均较小的条件之下，将光纤组装或植入至耦光装置内以将光信号导出或导入耦光装置以进行传输，便具有相当的难度与不便，甚至会产生误差，进而使光信号无法准确传递至光纤中而影响传输，再者，光纤系需在耦光装置内作固定式组装或植入，使得除了无法提供反复的插拔与组装外，所外露的光纤后端亦会形成线状的延伸而造成使用上的不便。
另外，一种硅基微光学平台的光学连结技术可以作为板对板或USB 3.0光学连结技术的一个应用平台，在架构上，此硅基微光学平台的光学连结收发模块包含有：单石积体化的45°微反射面、置放光纤数组的V型凹槽、具2.5 GHz以上高频传输线与锡金焊料等，并可经由适当的光学对位而将垂直腔面发射激光器面射型激光与光侦测器封装至该微光学平台上。
此外，目前已发展将芯片与激光器整合于硅基微光学平台之上；但芯片与激光组件之间通常是通过焊线(wire)而作电性连接，因而影响了组件之间的传输速度。
因此，基于上面所述的缺点得知上述光电连接器的效能尚有待进一步提升之处。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种新的光电模块结构，将基板与导光结构及穿孔结构进行整合，使得控制单元与光电组件整合至单一基板上
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明提供一种光连接器，包含一基板，具有一上表面、一下表面、一穿孔结构及一导电材料，其中上表面与下表面相对，穿孔结构由上表面穿过基板至下表面，穿孔结构中填入第一导电材料；一第一及第二传输线，分别形成于基板的上表面及下表面，以电性连接穿孔结构中的导电材料；一光电组件，设置于基板上并电性连接第一传输线，其中光电组件适于提供或接收一光讯号；一导光结构，设置于基板上；以及一控制单元，透过第一、第二传输线及导电材料电性连接光电组件。
本发明之一实施例提供一种光电模块，包含一基板、一光电组件及一控制单元；基板具有一上表面、一下表面、一凹槽结构、一穿孔结构及一导电材料，其中上表面与下表面相对，凹槽结构设置于上表面且具有两相对的第一反射面及第二反射面，穿孔结构由上表面穿过基板至下表面，穿孔结构中填入导电材料；光电组件设置于基板上，适于提供或接收一光讯号，第一反射面与第二反射面皆位于光讯号的光路径上；控制单元设置于上表面上，且电性连接导电材料及光电组件，以控制光电组件。
本发明之一实施例的光电模块包括一基板、一光电组件、一导光结构及一控制单元；基板具有一上表面、一下表面、一第一凹槽结构、一第一穿孔结构及一第一导电材料，其中上表面与下表面相对，第一凹槽结构设置于上表面，第一穿孔结构由第一凹槽结构之底面穿过基板至下表面，第一穿孔结构中填入第一导电材料；光电组件设置于基板上，其中光电组件适于提供或接收一光讯号；导光结构设置于基板上，且导光结构位于光讯号的光路径上；控制单元设置于第一凹槽结构中，且电性连接第一导电材料及光电组件，以控制光电组件。
本发明之一实施例的光电模块包括一第一基板、一光电组件、一导光结构、一上层结构、一第一穿孔结构、一第一导电材料及一控制单元；第一基板具有一上表面、一下表面、一凹槽结构，其中上表面与下表面相对，凹槽结构设置于上表面；光电组件设置于凹槽结构中，其中光电组件适于提供或接收一光讯号；导光结构设置于第一基板的上表面上，且导光结构位于光讯号的光路径上；上层结构设置于第一基板饿上方，用以搭配第一基板固定导光结构，其中上层结构具有一位于光讯号之光路径上的反射面，用以于光电组件与导光结构之间传递光讯号；第一导电材料填入第一穿孔结构中；控制单元电性连接第一导电材料及光电组件，以控制光电组件。
综合上述，本发明提出一种新的光电模块结构，将基板与导光结构及穿孔结构进行整合，使得控制单元与光电组件整合至单一基板上。
基板整合穿孔结构、导光结构与反射面，可以将电讯号经由穿孔结构中的导电材料而传送至控制单元，进而驱动光电组件发光，光讯号进入导光结构之后，经过两次45度面的反射之后，可以将光束转折至正向(上)出光，且导光结构可以做高效率的光束导引，另外，此种正向出光的设计将利于后续使用光学透镜调整光束。
由于穿孔结构及其中的导电材料，因此对于控制单元与光电组件无须打线(Wire)制程便可完成模块的构装，在高频特性、高速传输、组件组装速度上获得提升。
附图说明
图1显示根据本发明之一实施例的光电模块的示意图。
图2显示根据本发明之一实施例的光电模块的示意图。
图3显示根据本发明又一实施例的光电模块的示意图。
图4显示根据本发明再一实施例的光电模块的示意图。
图5显示根据本发明另一实施例的光电模块的示意图。
图6显示根据本发明又一实施例的光电模块的示意图。
图7显示根据本发明再一实施例的光电模块的示意图。
图8显示根据本发明之一实施例的光电模块的上视示意图与截面示意图。
主要组件符号说明
光电模块10
基板14、100、100a、100b
上表面14a、100c
下表面14b、100d
穿孔结构16、101、101b
导电材料16a、101a、101c
扩散式导电图案102、102a、102c
导线102b
上导电凸块103a、103b
下导电凸块104
控制芯片12、105、105a
光电组件13、106
传输线17、18
导光结构15、107、107a、107b
凹槽结构108、108c、108d、108e、108f
第一反射面108a
第二反射面108b
调光部件109
外壳110
上盖110b
上层结构110c
层板、印刷电路板、陶瓷基板11、111
导电凸块112
焊接线122
具体实施方式
本发明将配合实施例与附图述于下，本发明中所有的实施例仅为例示之用，并非用以限制，因此除文中的实施例外，本发明亦可广泛地应用在其它实施例中，且本发明并不受限于任何实施例，应以权利要求及其同等领域而定。
图1显示为根据本发明之一实施例的光连接器的示意图，在本实施例中，光连接器10可以作为微型化被动式光连结发射端或接收端，其包含半导体基板14、控制芯片12、光电组件13、导光结构15，换言之，本发明可以利用导光结构15而单向传输或双向传输；半导体基板14具有一上表面14a、一下表面(bottom surface)14b、一穿孔结构16及一导电材料16a，其中上表面14a与下表面14b相对，穿孔结构16由上表面14a穿过基板14至下表面14b，穿孔结构16中填入导电材料16a；上述半导体基板14、控制芯片12分别配置于印刷电路板(PCB)11之上，而光电组件13配置于半导体基板14之上，控制芯片12例如为一驱动电路芯片、控制芯片或转阻放大器(Trans-impedance Amplifier：TIA)芯片，其中驱动电路芯片可以用以驱动光电组件13使其发光；举例而言，半导体基板14，例如硅基板(Si sub-mount)，是作为硅基微光学平台(Silicon Optical Bench)，其中具有凹槽结构以利于导光结构15配置于其上，以及某一角度(例如45度)的反射面，该反射面可作为各式光电组件中所需的光学反射面，传输线(导线)18形成于半导体基板14的上表面14a以利于电性连接光电组件13，光电组件13为光发射或接收组件，例如包括激光器、垂直共振腔表面发射激光器(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)、光检测器(Photo Detector)或发光二极管。
本发明传输线18藉由穿孔结构(TSV: through silicon via)16中的导电材料以及形成半导体基板14的下表面14b的传输线17直接接触印刷电路板11，再经由印刷电路板11上的电路连接至控制芯片12，换言之，控制芯片12通过传输线(导线)17与印刷电路板11电性连接，而光电组件13通过传输线18、穿孔结构16中的导电材料与传输线17电性连接印刷电路板11，结果，控制芯片12通过传输线18、穿孔结构16中的导电材料16a与传输线17电性连接光电组件13，传输线18及17，例如为适用于频率10 GHz或更高的高频传输线，分别形成于半导体基板14的上表面14a与下表面14b以利于电性连接控制芯片12及光电组件13。
从上述可知，控制芯片12与光电组件13之间可以通过传输线电性沟通，然后再通过导光结构15而将光讯号传递/接收至/从外接装置，换言之，外接装置与光电组件13之间可以双向传输光讯号，举例而言，导光结构15作为光输出/入部分，可以采用光纤(fiber)、波导(waveguide)或是跨接线(jumper)的形式来传输讯号。
举一实施例而言，上述半导体基板14具有凹槽结构形成于其下的一特定深度，该凹槽结构的第一端形成一反射面，并且该凹槽结构中具有沟槽数组；基于光学平台(凹槽结构)中的沟槽数组，使得导光结构15得以被动式地对准沟槽数组。
举例而言，上述光电组件13是配置以接近凹槽结构的第一端，并经由反射面而光学耦接导光结构15，因此，光电组件13的光路径13a包含：从光电组件13发出的光讯号经由反射面的反射而进入导光结构15，或者是通过导光结构15的光经由反射面的反射而进入光电组件13以接收光讯号。
图2显示为根据本发明之一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，光电模块10可以作为微型化被动式光连结发射端或接收端，其包含例如为半导体材料的基板100、扩散式导电图案(fan-out conductive pattern)102、上导电凸块(solder bumps)103a/103b、下导电凸块104、控制芯片105、光电组件106与导光结构107；基板100具有一上表面100c、一下表面100d、一凹槽结构108、一第一穿孔结构101及一第一导电材料101a，其中上表面100c与下表面100d相对，凹槽结构108设置于上表面100c且具有两相对的第一反射面108a及第二反射面108b，第一穿孔结构由上表面100c穿过基板100至下表面100d，第一穿孔结构101中例如填入第一导电材料101a以形成硅穿孔(TSV: through silicon via)，硅穿孔并且电性连接扩散式导电图案102，其中扩散式导电图案102形成于基板100的上表面100c，上导电凸块103a/103b分别可直接电性连接控制芯片105、光电组件106及扩散式导电图案102或透过扩散式导电图案102电性连接控制芯片105及光电组件106，换言之，控制芯片105是通过扩散式导电图案102而电性连接光电组件106，且控制芯片105通过上导电凸块103a并经由扩散式导电图案102、第一导电材料101a而电性连接其下的层板(laminate)111，在此实施例中，上导电凸块103a电性连接扩散式导电图案102。
上述扩散式导电图案102可以使得控制芯片105的下表面接脚(例如导电凸块)被扩散式散出至控制芯片105所覆盖面积之外，以提供其它装置与之有较好的连接，并可以减低接脚间之电磁干扰。
基板100例如为一硅中介层100(Silicon Interposer)，导光结构107为一波导结构(waveguide)，设置于凹槽结构108中并位于第一反射面108a与第二反射面108b之间，基板100设置有凹槽结构108的部分构成一硅基微光学平台(Silicon Optical Bench)108，位于凹槽结构108的相对二侧面的第一反射面108a及第二反射面108b分别具有45度角，以作为各式光电组件中所需的光学反射面，上述光电组件106可配置于接近凹槽结构108的一侧，例如第一反射面108a，举例而言，光电组件106设置于基板100上，其中光电组件106适于提供或接收一光讯号，且第一反射面108a与第二反射面108b皆位于光讯号的光路径上，导光结构107例如包含折射率约1.4~1.6的高分子材料，其可以利用薄膜沉积制程来制作以达到波导的效应，导光结构107可以选择填满或不填满于对应的凹槽结构108之中，端视实际应用而定。
举一实施例而言，基板100除了可以作为驱动集成电路/转阻放大器(Driver IC/TIA)或垂直共振腔表面发射激光器/光检测器(VCSEL/PD)的次封装平台(sub-mount)之外，还可整合其它逻辑组件(logic device)、内存(memory)或整合被动组件(Integrated Passive Devices, IPD)等组件于其上，在另一实施例中，可以整合处理芯片、中央处理单元芯片、影像芯片、音效芯片或数据芯片。
光电模块10更包括一层板111，层板111配置于基板100之下，下导电凸块104电性耦合层板111及第一导电材料101a，在另一实施例中，一第二扩散式导电图案(图未示)可选择配置于基板100的下表面100d并连接下导电凸块104，上述第二扩散式导电图案102a可以使得基板100的下表面100d接脚被扩散式散出，以提供其它装置与之有较好的连接，并可以减低接脚间的电磁干扰；层板111例如为一印刷电路板，其通过其下的导电凸块112以电性耦合外部组件，另外，光电模块更包括一具有一调光部件109的外壳110，其中调光部件109的位置对应第二反射面108b的位置并位于光讯号的光路径上；其中调光部件109为一透镜；在一例子中，外壳110密封整体基板100于层板111之上，控制芯片105为一控制单元，设置于基板100之上表面100c上，且电性连接硅穿孔101及光电组件106，以控制光电组件106。
在一实施例中，基板100作为硅中介层材料，若要与位于底面的层板111电性耦合，需要满足层板111中的导线(trace)的精度；而若层板111为印刷电路板(PCB)，则基板100之下的下导电凸块104需要满足印刷电路板111的制程精度，换言之，为了要使得控制芯片105与底下的印刷电路板111电性耦合，下导电凸块104藉由第二扩散式导电图案将其电性向外扩散式分布，而下导电凸块104之间距设定会依据印刷电路板111的精度要求而定，倘若层板111为氧化铝基板，则基板100之下的下导电凸块104的间距可以较小。
硅穿孔的深度取决于通孔种类(先形成通孔或后形成通孔)及其应用，硅穿孔的通孔深度自20微米至500微米，通常介于约50微米至约250微米，硅穿孔的通孔开口具有一入口大小(via size)，诸如在介于约20微米至约200微米等级之直径，通常介于约25微米至约75微米，硅穿孔的深宽比(aspect ratio)自0.3：1至大于20：1，例如系介于约4：1至约15：1。
举一实施例而言，硅穿孔的通孔，即第一穿孔结构101，包含一在基板上表面100c的开口、从基板上表面100c延伸的侧壁、及一底部，形成硅穿孔的方法包含：将基板100浸入一电解金属(例如：铜)沉积组成物，其中电解金属(例如：铜)沉积组成物包含：金属(例如：铜)离子源、酸(选自无机酸、有机磺酸、及/或其混合物)、一或多种有机化合物(促使通孔底部的铜沉积速度比通孔开口处的金属沉积速度快)、以及氯化物离子；及将电流供应至电解沉积组成物使铜金属沉积在底部及侧壁上以供由下至上填充，因而产生铜填充的硅穿孔。
控制芯片105例如为一驱动电路芯片、控制芯片或转阻放大器(Trans-impedance Amplifier：TIA)芯片，其中驱动电路芯片可以用以驱动光电组件106使其发光，控制芯片105与光电组件106通过扩散式导电图案102连接上导电凸块103a/103b，而彼此电性沟通，控制芯片105与层板111通过控制芯片105下之上导电凸块103a、扩散式导电图案102、硅穿孔、下导电凸块104而彼此电性沟通，第一导电材料101a电性连接扩散式导电图案102与下导电凸块104，光电组件106可为光发射或接收组件，例如为激光器、垂直共振腔表面发射激光器(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)、光检测器(Photo Detector)或发光二极管，以光发射组件举例而言，光电组件106主要的功能系根据控制芯片105所传递的电信号来产生或发射出对应转换后的光束或光信号以进行传输，光电组件106所发射的激光束经由第一反射面108a而反射，经由导光结构107而在其内传输，之后经由第二反射面108b而将激光束垂直导引出基板100，举例而言，光电组件106的发射光的光路径包含：光电组件106的出光口→导光结构107→45度反射面108a→导光结构107中传输→45度反射面108b→导光结构107→出光→经由调光部件109而与外界光电组件耦合，光电组件106的接收的光路径为与上述相反之，其中光电组件106则为接收端。
举一实施例而言，经由导光结构107出光的激光束可以经由调光部件109以进一步进行光型的调整，然后加以耦合至外部光纤或另一导光结构，举一实施例而言，调光部件109的结构误差容忍度(Tolerance)为±10微米，调光部件109之对准误差容忍度为±20微米，调光部件109可为光学透镜或准直透镜(collimation lens)，光学透镜例如为塑料光学透镜。
图3显示为根据本发明之另一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，基板100a包含二个凹槽结构(第一凹槽结构108d、第二凹槽结构108c)形成于基板100a上，其中导光结构107a配置于第二凹槽结构108c内，此导光结构107a例如为光纤。上述光电组件106可配置于接近第二凹槽结构108c的一侧面，控制芯片105则配置于第一凹槽结构108d内，另，第二凹槽结构108c靠近光电组件106的侧面可以制作为45度反射面，本发明藉由形成第一凹槽结构108d将可降低硅穿孔的深度，使得硅穿孔的制作变得容易，第一凹槽结构108d的制作可以弹性地选择湿式蚀刻、干式蚀刻或者是湿式及干式蚀刻，此外，利用高频的导线(trace)102b形成于第一凹槽结构108d的底面及侧面上与基板100a的部分上表面，并且透过上导电凸块103a与103b而电性连接控制芯片105与光电组件106，此外，在本实施例中，球格数组(BGA)型态的封装结构可以用于连接印刷电路版111，而无需焊接线(wire-bonding)。
图4显示为根据本发明再一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，第二凹槽结构108e与图2的第二凹槽结构108c的深度具有差异，举例而言，第二凹槽结构108e与第一凹槽结构108d是利用相同的蚀刻制程或步骤所形成，因此其深度约略相等，并且其深度大于图3的第二凹槽结构108c的深度。
在本实施例中，第一穿孔结构101形成于基板100a中，由第一凹槽结构108d的底面延伸至基板100a的下表面100d，并填入第一导电材料101a以形成第一硅穿孔，第二穿孔结构101b形成于基板100a中，由基板100a的上表面100c延伸至基板100a的下表面100d，第二导电材料101c填入第二穿孔结构101b中以形成第二硅穿孔，第二导电材料101c并电性连接光电组件106。
第二硅穿孔系直接穿透基板100a位于光电组件106之下的部分，通过导电凸块103b、104而电性耦接光电组件106与印刷电路版111，因此，本实施例可以直接于光电组件106位置之下制作第二硅穿孔而取代前述高频导线102b的例子，并且通过第一硅穿孔、第二硅穿孔将光电组件106与控制芯片105作整合，光电组件106与控制芯片105也可以通过硅穿孔101、印刷电路版111与第二硅穿孔而彼此电性连接。
图5显示为根据本发明之一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，对于光电集成电路型态(OE IC type)、球格数组(BGA)型态的封装结构可以用于连接陶瓷基板结构111，此外，上盖(case)110b覆盖并保护整体光电模块以免受外在环境污染，举例而言，导电凸块112外露于上盖110b之外以利于连接外部组件，在另一实施例中，上盖(case)110b仅覆盖基板100a上的光电组件106、控制芯片105与导光结构107a，如图6所示。
图7显示为根据本发明的再一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，基板100b具有一凹槽结构108f，而光电组件106与控制芯片105整合于基板100b的凹槽结构108f中，其中光电组件106与控制芯片105分别透过第一导电材料101a与第二导电材料101c而电性耦合印刷电路版111，导光结构107b配置于基板100b上，基板100b置于印刷电路版111之上，举例而言，光电组件106的主动区与接触垫位于同一侧，本实施例中，光电模块更包括一上层结构(top structure)110c，配置于导光结构107b之上，并搭配基板100b而固定导光结构107b，此上层结构110c具有45度反射面，以利于光电组件106的垂直出光得以经由此45度反射面之反射而以水平方向前进至导光结构107b而传输至外部，在此实施例中，光电组件106与控制芯片105通过第一导电材料101a、印刷电路版111与第二导电材料101c而彼此电性连接。
第一穿孔结构101形成于基板100b中，由凹槽结构108f的底面延伸至基板100b的下表面100d，第一穿孔结构101中并填入第一导电材料101a以形成硅穿孔，并电性连接控制芯片105，第二穿孔结构101b形成于基板100b中，由凹槽结构108f之底面延伸至基板100b的下表面100d，第二导电材料101c填入第二穿孔结构101b中以形成硅穿孔，并电性连接光电组件106。
此外，如图8所示，在另一实施例中，仅有光电组件106配置于基板100b的凹槽结构108f内，而控制芯片105配置于另一基板上，例如陶瓷基板(Ceramics sub-mount)111上，导电凸块103a设置于陶瓷基板111上，硅穿孔101设置于陶瓷基板111中并电性连接上导电凸块103a及导电凸块112，控制芯片105通过上导电凸块103a而电性耦接硅穿孔101，且透过硅穿孔101而电性耦接陶瓷基板111下的导电凸块112；焊接线(wire-bonding)122电性连接光电组件106与第一导电材料101a，基于陶瓷基板结构，本实施例可以整合至球格数组(BGA)型态或平面闸格数组(Land Grid Array；LGA)型态光电集成电路上，在此实施例中，可以包含另一控制芯片105a，透过扩散式导电图案102c而电性连接其它组件；控制芯片105a可以通过第一导电材料101a而电性耦接陶瓷基板111上的导线电路；光电组件106与控制芯片105及/或控制芯片105a通过第一导电材料101a及陶瓷基板111之上或下的导线电路与焊接线122电性连接。
光电模块可连接一光纤连接器(fiber connector)以用于传递光讯号予外部组件。
综合上述，本发明的实施例提出一种新的光电模块结构，整合导光结构与硅穿孔结构，使得IC与VCSEL/PD整合至单一基板上。
基板整合硅穿孔结构、导光结构(例如光波导)与45度反射面，可以将电讯号经由硅穿孔而传送至一特定功能之芯片(IC)，进而驱动VCSEL主动组件发光，光讯号进入导光结构之后，经过两次45度面的反射之后，可以将光束转折至正向(上)出光，且导光结构可以做高效率的光束导引，另外，此种正向出光的设计将利于后续使用光学透镜调整光束。
本发明实施例的光电模块由于硅穿孔结构对于IC与VCSEL/PD无须打线(Wire)制程便可完成模块的构装，在高频特性、高速传输、组件组装速度上获得提升，导光结构可以利用折射率约1.4~1.6的高分子材料，或者利用薄膜沉积制程制作以达到波导的效应。
对熟悉此领域技艺者，本发明虽以实例阐明如上，然其并非用以限定本发明之精神。在不脱离本发明之精神与范围内所作之修改与类似的配置，均应包含在本发明权利要求内，此范围应覆盖所有类似修改与类似结构，且应做最宽广的诠释。

Claims (21)

1. 一种光电模块，其特征在于，包含：
一基板，具有一上表面、一下表面、一凹槽结构、一穿孔结构及一导电材料，其中该上表面与该下表面相对，该凹槽结构设置于该上表面且具有两相对的第一反射面及第二反射面，该穿孔结构由该上表面穿过该基板至该下表面，该穿孔结构中填入该导电材料；
一光电组件，设置于该基板上，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号；以及
一控制单元，设置于该基板的该上表面上，且电性连接该导电材料及该光电组件，以控制该光电组件。
2.如权利要求1所述的光电模块，其特征在于，更包括一导光结构，设置于该凹槽结构中并位于该第一反射面与该第二反射面之间。
3.如权利要求1所述的光电模块，其特征在于，更包括一扩散式导电图案，形成于该基板的该上表面或该下表面，其中该控制单元透过该扩散式导电图案电性连接该光电组件。
4.如权利要求1所述的光电模块，其特征在于，更包括一具有一调光组件的外壳，设置于该基板之上，其中该调光组件的位置对应该第二反射面的位置。
5.一种光电模块，其特征在于，包含：
一基板，具有一上表面、一下表面、一第一凹槽结构、一第一穿孔结构及一第一导电材料，其中该上表面与该下表面相对，该第一凹槽结构设置于该上表面，该第一穿孔结构由该第一凹槽结构的底面穿过该基板至该下表面，该第一穿孔结构中填入该第一导电材料；
一光电组件，设置于该基板上，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号；
一导光结构，设置于该基板上；以及
一控制单元，设置于该第一凹槽结构中，且电性连接该第一导电材料及该光电组件，以控制该光电组件。
6.如权利要求5所述的光电模块，其特征在于，更包括一第二凹槽结构，形成于该基板的该上表面且具有一反射面，其中该反射面利于该光电组件与该导光结构之间传递该光讯号。
7.如权利要求5所述的光电模块，其特征在于，更包括一扩散式导电图案，形成于该基板的该上表面，并电性连接该光电组件与该控制单元。
8.如权利要求7所述的光电模块，其特征在于，更包括复数个第一导电块，形成于该控制单元与该基板之间，其中该控制单元通过该复数个第一导电块电性连结该第一导电材料及该扩散式导电图案。
9.如权利要求7所述的光电模块，其特征在于，更包括至少一第二导电块，形成于该光电组件与该基板之间，其中该光电组件通过该至少一第二导电块电性连接该扩散式导电图案。
10.如权利要求5所述的光电模块，其特征在于，该基板更包括一第二穿孔结构及一第二导电材料，其中该第二穿孔结构由该上表面穿过该基板至该下表面，且该第二穿孔结构中填入该第二导电材料，该第二导电材料连接该光电组件。
11.如权利要求10所述的光电模块，其特征在于，更包括一印刷电路板，位于该基板的下方并电性连接该第一导电材料及该第二导电材料。
12.一种光电模块，其特征在于，包含：
一第一基板，具有一上表面、一下表面、一凹槽结构，其中该上表面与该下表面相对，该凹槽结构设置于该上表面；
一光电组件，设置于该凹槽结构中，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号；
一导光结构，设置于该第一基板的该上表面上；
一上层结构，设置于该第一基板的上方，用以搭配该第一基板固定该导光结构，其中该上层结构具有一反射面，以利于该光电组件与该导光结构之间传递该光讯号；
一第一穿孔结构；
一第一导电材料，填入该第一穿孔结构中；以及
一控制单元，电性连接该第一导电材料及该光电组件，以控制该光电组件。
13.如权利要求12所述的光电模块，其特征在于，该第一穿孔结构形成于该第一基板中，由该凹槽结构之底面延伸至该第一基板的该下表面。
14.如权利要求12所述的光电模块，其特征在于，更包括一第二穿孔结构及一第二导电材料，其中该第二穿孔结构形成于该第一基板中，由该凹槽结构的底面延伸至该第一基板的该下表面，该第二导电材料填入该第二穿孔结构中并电性连接该光电组件。
15.如权利要求14所述的光电模块，其特征在于，更包括一印刷电路板，位于该基板的下方并电性连接该第一导电材料及该第二导电材料。
16.如权利要求12所述的光电模块，其特征在于，更包括一第二基板，位于该第一基板的下方，其中该第一穿孔结构形成于该第二基板中，由该第二基板的上表面延伸至该第二基板的下表面。
17.如权利要求16所述的光电模块，其特征在于，更包括一导电组件，电性连接该光电组件与该第一穿孔结构。
18.如权利要求16所述的光电模块，其特征在于，该第二基板包含一陶瓷基板。
19.一种光电模块，其特征在于，包含：
一基板，具有一上表面、一下表面、一穿孔结构及一导电材料，其中该上表面与该下表面相对，该穿孔结构由该上表面穿过该基板至该下表面，该穿孔结构中填入该导电材料；
一第一及第二传输线，分别形成于该基板的该上表面及该下表面，以电性连接该穿孔结构中的该导电材料；
一光电组件，设置于该基板上并电性连接该第一传输线，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号；
一导光结构，设置于该基板上；以及
一控制单元，通过该第一、该第二传输线及该导电材料电性连接该光电组件。
20.如权利要求19所述的光电模块，其特征在于，该控制单元包含转阻放大器芯片或驱动电路芯片，其中该光电组件包含激光器、垂直共振腔表面发射激光器、光检测器或发光二极管。
21.如权利要求19所述的光电模块，其特征在于，该导光结构包含光纤、波导或跨接线。
CN201210079603.6A 2011-03-24 2012-03-23 光电模块 Active CN102692685B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100110220 2011-03-24
TW100110220A TWI456277B (zh) 2011-03-24 2011-03-24 光連接器
TW100132684A TWI433323B (zh) 2011-09-09 2011-09-09 光電模組
TW100132684 2011-09-09
TW100139464 2011-10-28
TW100139464A TWI438511B (zh) 2011-10-28 2011-10-28 光電模組

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102692685A true CN102692685A (zh) 2012-09-26
CN102692685B CN102692685B (zh) 2015-06-03

Family

ID=46858258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210079603.6A Active CN102692685B (zh) 2011-03-24 2012-03-23 光电模块

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9057850B2 (zh)
CN (1) CN102692685B (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103809250A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 联崴光电股份有限公司 光学引擎总成及使用该光学引擎总成的收发器
CN104007521A (zh) * 2014-06-13 2014-08-27 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 光收发模块的结构和制作方法
CN104321676A (zh) * 2012-06-12 2015-01-28 华为技术有限公司 具有反射镜的tsv基板及其在高速光电封装中的应用
US9297969B2 (en) 2012-10-16 2016-03-29 Linkwell Opto-Electronics Corporation Optical engine assembly and transceiver using the same
CN105589139A (zh) * 2014-11-06 2016-05-18 新科实业有限公司 晶片级封装光电组件以及具有它的收发器模块
CN106207741A (zh) * 2015-04-20 2016-12-07 友嘉科技股份有限公司 激光的封装结构及其光学元件
CN106404013A (zh) * 2015-07-30 2017-02-15 约翰内斯·海德汉博士有限公司 位置测量机构
CN107167881A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 源杰科技股份有限公司 光学连接模块
WO2017186139A1 (en) * 2016-04-28 2017-11-02 Huawei Technologies Co., Ltd. Transistor outline (to) can optical transceiver
CN108490553A (zh) * 2018-03-29 2018-09-04 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光模块
CN108598865A (zh) * 2018-06-06 2018-09-28 复旦大学 基于垂直腔面发射激光器的脉冲驱动电路
CN111213233A (zh) * 2017-08-23 2020-05-29 脸谱科技有限责任公司 用于多层显示架构的中介层
CN111638577A (zh) * 2020-06-29 2020-09-08 中国科学院半导体研究所 表贴式集成化光模块
CN111868589A (zh) * 2018-04-09 2020-10-30 华为技术有限公司 激光器、激光器阵列的封装结构及封装组件
CN114460683A (zh) * 2020-11-10 2022-05-10 中国科学院半导体研究所 基于光芯粒的微波光子片上系统

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9497860B2 (en) * 2012-11-07 2016-11-15 Lattice Semiconductor Corporation Methods and Apparatuses to provide an electro-optical alignment
TW201428925A (zh) * 2013-01-04 2014-07-16 矽品精密工業股份有限公司 光電模組結構
US9099623B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Manufacture including substrate and package structure of optical chip
CN103513348B (zh) * 2013-09-23 2015-09-16 武汉光迅科技股份有限公司 光波导芯片和pd阵列透镜耦合装置
CN103787268B (zh) * 2014-01-21 2016-06-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种高速宽带硅光转接板的制造方法及硅基光互连器件
US20170237228A1 (en) * 2014-11-05 2017-08-17 Innovative Micro Technology Microfabricated optical apparatus
TWI624957B (zh) 2015-08-19 2018-05-21 乾坤科技股份有限公司 光電模組及其製造方法
US9910232B2 (en) * 2015-10-21 2018-03-06 Luxtera, Inc. Method and system for a chip-on-wafer-on-substrate assembly
CN108885321A (zh) * 2016-01-28 2018-11-23 申泰公司 光收发器
TWI598653B (zh) * 2016-03-16 2017-09-11 峰川光電股份有限公司 光電轉換組件
JP6664255B2 (ja) * 2016-03-29 2020-03-13 ホシデン株式会社 光ファイバアレイと光モジュールとの接続構造
US10359572B2 (en) * 2016-10-31 2019-07-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Device and method for detecting optical signal
TWI647501B (zh) * 2016-12-13 2019-01-11 峰川光電股份有限公司 主動光纜之製造方法
US10054749B1 (en) 2017-04-12 2018-08-21 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical chip-scale package for use in a high channel density, high data rate data communications system having optical input/output (I/O) ports
US10209477B1 (en) * 2017-05-25 2019-02-19 Lockheed Martin Coherent Technologies, Inc. Systems and methods for reconfigurable micro-optic assemblies
TWI634357B (zh) * 2017-07-04 2018-09-01 峰川光電股份有限公司 光電轉換模組
US11239377B2 (en) 2017-08-07 2022-02-01 Rockley Photonics Limited Optoelectronic module package
US10866373B2 (en) * 2018-06-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical transceiver and manufacturing method thereof
CN110568569A (zh) * 2019-09-18 2019-12-13 杭州耀芯科技有限公司 一种集成封装的光引擎及其信号发射、接收方法
US20210271037A1 (en) * 2020-02-28 2021-09-02 Corning Research & Development Corporation Optical-electrical substrate providing interconnects for photonic integrated circuit and associated methods
US11694939B2 (en) * 2020-05-22 2023-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package, integrated optical communication system
US11222867B1 (en) * 2020-07-09 2022-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package and manufacturing method thereof
US20230299035A1 (en) * 2022-03-18 2023-09-21 Meta Platforms, Inc. Flex bonded integrated circuits

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002006161A (ja) * 2000-06-19 2002-01-09 Sony Corp 光配線基板および光配線モジュール並びにそれらの製造方法
JP2008065293A (ja) * 2006-08-08 2008-03-21 Topcon Corp 調光装置とこれを用いた距離測定装置
CN101375383A (zh) * 2006-01-18 2009-02-25 费查尔德半导体有限公司 具有开放式框架封装的大功率模块
CN101521194A (zh) * 2009-03-31 2009-09-02 武汉电信器件有限公司 高速光电组件及其芯片倒装结构
CN101771012A (zh) * 2009-01-05 2010-07-07 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其制造方法
CN101876732A (zh) * 2010-06-11 2010-11-03 伍茂仁 具有光波导结构的发射端模块和接收端模块

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4897711A (en) 1988-03-03 1990-01-30 American Telephone And Telegraph Company Subassembly for optoelectronic devices
US5698866A (en) * 1994-09-19 1997-12-16 Pdt Systems, Inc. Uniform illuminator for phototherapy
JP3828179B2 (ja) * 1995-05-12 2006-10-04 富士通株式会社 半導体光検出装置およびその製造方法
JP3150070B2 (ja) 1996-09-30 2001-03-26 日本電気株式会社 受光モジュール及びその製造方法
JP2000081524A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Sony Corp 光送受信システム
US6785447B2 (en) * 1998-10-09 2004-08-31 Fujitsu Limited Single and multilayer waveguides and fabrication process
JP3728147B2 (ja) * 1999-07-16 2005-12-21 キヤノン株式会社 光電気混載配線基板
DE10004411A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Sende-/Empfangsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
US20050201711A1 (en) 2001-01-22 2005-09-15 Koh Philip J. Packaging and interconnect system for fiber and optoelectric components
US6687268B2 (en) * 2001-03-26 2004-02-03 Seiko Epson Corporation Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode
JP2003167175A (ja) 2001-12-04 2003-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光実装基板及び光デバイス
CN100368842C (zh) * 2002-03-14 2008-02-13 新科实业有限公司 用于半导体器件与光纤的无源光学对准的集成平台
EP1980886A3 (en) * 2002-04-01 2008-11-12 Ibiden Co., Ltd. Optical communication device and optical communication device manufacturing method
US6912333B2 (en) * 2002-06-21 2005-06-28 Fujitsu Limited Optical interconnection apparatus and interconnection module
JP4012785B2 (ja) * 2002-08-27 2007-11-21 日本板硝子株式会社 光接続装置
JP4057399B2 (ja) 2002-11-07 2008-03-05 株式会社フジクラ 微細孔への金属充填方法
CN1781043B (zh) 2003-04-30 2011-05-11 株式会社藤仓 光收发器及光连接器
US7058266B2 (en) 2003-08-28 2006-06-06 Sony Corporation Optical waveguide module
US6955481B2 (en) * 2003-09-17 2005-10-18 International Business Machines Corporation Method and apparatus for providing parallel optoelectronic communication with an electronic device
JPWO2005067062A1 (ja) * 2003-12-26 2007-12-20 日本電気株式会社 光入力付基板、光出力付基板、光入出力付基板及びこれらの製造方法、光素子一体型半導体集積回路
US7306378B2 (en) 2004-05-06 2007-12-11 Intel Corporation Method and apparatus providing an electrical-optical coupler
US8483247B2 (en) * 2004-06-30 2013-07-09 Google Inc. Thermally controlled external cavity tuneable laser
JP2006235115A (ja) 2005-02-23 2006-09-07 Sony Corp 光信号入力装置およびそれを用いた電子機器
JP2007121973A (ja) 2005-10-31 2007-05-17 Fujikura Ltd 光コネクタ
JP2007212567A (ja) 2006-02-07 2007-08-23 Fuji Xerox Co Ltd 光コネクタおよび光コネクタの製造方法
US7731377B2 (en) * 2006-03-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Backlight device and display device
JP2007334166A (ja) 2006-06-19 2007-12-27 Suzuka Fuji Xerox Co Ltd 光モジュール
JP4882644B2 (ja) * 2006-08-10 2012-02-22 パナソニック電工株式会社 光電気変換装置
CN102062912B (zh) * 2006-09-19 2015-01-21 揖斐电株式会社 光互连装置及其制造方法
KR100871252B1 (ko) * 2007-01-19 2008-11-28 삼성전자주식회사 광섬유를 이용한 광/전기 배선을 갖는 연성 인쇄회로기판
JP2009025726A (ja) 2007-07-23 2009-02-05 Nitto Denko Corp 光導波路デバイスおよびその製造方法
JP2009139412A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 光配線基板及び光結合方法
TWI402549B (zh) 2008-04-09 2013-07-21 Ind Tech Res Inst 光電互連模組
TWI390751B (zh) * 2008-09-05 2013-03-21 Pixart Imaging Inc 具有一體成型光學元件之光學指向裝置與相關電子裝置
WO2011048538A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Self-mixing interference device with wave guide structure
JP5302177B2 (ja) * 2009-12-18 2013-10-02 新光電気工業株式会社 光導波路基板および光電気混載装置
US20120241600A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Centera Photonics Inc. Optical electrical module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002006161A (ja) * 2000-06-19 2002-01-09 Sony Corp 光配線基板および光配線モジュール並びにそれらの製造方法
CN101375383A (zh) * 2006-01-18 2009-02-25 费查尔德半导体有限公司 具有开放式框架封装的大功率模块
JP2008065293A (ja) * 2006-08-08 2008-03-21 Topcon Corp 調光装置とこれを用いた距離測定装置
CN101771012A (zh) * 2009-01-05 2010-07-07 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其制造方法
CN101521194A (zh) * 2009-03-31 2009-09-02 武汉电信器件有限公司 高速光电组件及其芯片倒装结构
CN101876732A (zh) * 2010-06-11 2010-11-03 伍茂仁 具有光波导结构的发射端模块和接收端模块

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104321676A (zh) * 2012-06-12 2015-01-28 华为技术有限公司 具有反射镜的tsv基板及其在高速光电封装中的应用
CN104321676B (zh) * 2012-06-12 2016-10-05 华为技术有限公司 具有反射镜的tsv基板及其在高速光电封装中的应用
US9297969B2 (en) 2012-10-16 2016-03-29 Linkwell Opto-Electronics Corporation Optical engine assembly and transceiver using the same
CN103809250A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 联崴光电股份有限公司 光学引擎总成及使用该光学引擎总成的收发器
CN104007521A (zh) * 2014-06-13 2014-08-27 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 光收发模块的结构和制作方法
CN104007521B (zh) * 2014-06-13 2016-03-16 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 光收发模块的结构和制作方法
CN105589139B (zh) * 2014-11-06 2019-04-23 东莞云晖光电有限公司 晶片级封装光电组件以及具有它的收发器模块
CN105589139A (zh) * 2014-11-06 2016-05-18 新科实业有限公司 晶片级封装光电组件以及具有它的收发器模块
CN106207741A (zh) * 2015-04-20 2016-12-07 友嘉科技股份有限公司 激光的封装结构及其光学元件
CN106404013A (zh) * 2015-07-30 2017-02-15 约翰内斯·海德汉博士有限公司 位置测量机构
CN106404013B (zh) * 2015-07-30 2020-08-28 约翰内斯·海德汉博士有限公司 位置测量机构
CN107167881A (zh) * 2016-03-07 2017-09-15 源杰科技股份有限公司 光学连接模块
WO2017186139A1 (en) * 2016-04-28 2017-11-02 Huawei Technologies Co., Ltd. Transistor outline (to) can optical transceiver
CN111213233A (zh) * 2017-08-23 2020-05-29 脸谱科技有限责任公司 用于多层显示架构的中介层
CN111213233B (zh) * 2017-08-23 2023-10-31 元平台技术有限公司 用于多层显示架构的中介层
CN108490553B (zh) * 2018-03-29 2020-04-07 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光模块
CN108490553A (zh) * 2018-03-29 2018-09-04 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光模块
CN111868589A (zh) * 2018-04-09 2020-10-30 华为技术有限公司 激光器、激光器阵列的封装结构及封装组件
CN111868589B (zh) * 2018-04-09 2022-10-04 华为技术有限公司 激光器、激光器阵列的封装结构及封装组件
CN108598865A (zh) * 2018-06-06 2018-09-28 复旦大学 基于垂直腔面发射激光器的脉冲驱动电路
CN111638577A (zh) * 2020-06-29 2020-09-08 中国科学院半导体研究所 表贴式集成化光模块
CN111638577B (zh) * 2020-06-29 2021-05-18 中国科学院半导体研究所 表贴式集成化光模块
CN114460683A (zh) * 2020-11-10 2022-05-10 中国科学院半导体研究所 基于光芯粒的微波光子片上系统

Also Published As

Publication number Publication date
US9488791B2 (en) 2016-11-08
US9057850B2 (en) 2015-06-16
CN102692685B (zh) 2015-06-03
US20150316734A1 (en) 2015-11-05
US20120241795A1 (en) 2012-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102692685B (zh) 光电模块
KR100460703B1 (ko) 일체화된 광송수신 모듈과 광도파로를 구비하는 광백플레인
US7242823B2 (en) Optical transmission channel board, board with built-in optical transmission channel, and data processing apparatus
CN1333279C (zh) 用于光互连模块的硅载体
US7239767B2 (en) Packaging apparatus for optical interconnection on optical printed circuit board
US7382946B2 (en) Electro-optical module comprising flexible connection cable and method of making the same
Ishii et al. SMT-compatible large-tolerance" OptoBump" interface for interchip optical interconnections
US9201203B2 (en) Photoelectric composite substrate and method of manufacturing the same
CN104321676B (zh) 具有反射镜的tsv基板及其在高速光电封装中的应用
US7389012B2 (en) Electro-optical module comprising flexible connection cable and method of making the same
Bamiedakis et al. Low-cost PCB-integrated 10-Gb/s optical transceiver built with a novel integration method
JP5248795B2 (ja) 光電気混載パッケージ及びその製造方法、光素子付き光電気混載パッケージ、光電気混載モジュール
CN103630986B (zh) 用于印刷电路板的光通孔
US8940563B2 (en) Method for manufacturing optoelectronic module
US8348522B2 (en) Attachable components for providing an optical interconnect between/through printed wiring boards
CN114488438A (zh) 一种光模块
CN114488439A (zh) 一种光模块
CN109100837A (zh) 光收发器及其透镜单元
KR100908241B1 (ko) 광전버스 모듈 및 그 제작방법
KR20100123019A (ko) 인쇄 회로 기판에 형성되는 광전 변환 모듈 및 이를 포함하는 ｌｓｉ 패키지
CN216772052U (zh) 一种光模块
JP2012137765A (ja) 光電気混載パッケージ及びその製造方法、光素子付き光電気混載パッケージ、光電気混載モジュール
JP2005115190A (ja) 光電気複合配線基板、積層光導波路構造体
WO2008121075A1 (en) Optical interconnect structure and method
TWI451147B (zh) 光電模組

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant