CN102683542A - Led封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种LED封装结构，其包括一个基板、一个反射杯、一个封装胶体以及一个LED芯片。所述基板具有一个顶面，所述顶面具有两个电极。所述反射杯设置于所述顶面上,在所述顶面上形成一个凹槽。所述LED芯片设置于所述凹槽的底部，并与两个电极达成电性连接。所述封装胶体包含有一层第一荧光胶以及一层第二荧光胶，所述第一荧光胶具有的第一荧光粉沉积在所述凹槽的底部，所述第二荧光胶覆盖在所述第一荧光胶上。本发明第一荧光胶的荧光粉与第二荧光胶区隔，可对应所述LED芯片的发光效能使受光激发效果相同混光均匀。

Description

LED封装结构
技术领域
本发明涉及一种LED封装结构，尤其涉及一种具有较佳荧光粉激发效果的LED封装结构。
背景技术
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，然而通常LED高功率产品为获得所需要的亮度与颜色，必须采用不同激发颜色的荧光粉来作混合搭配。例如，以发出蓝光的LED芯片，配合封装混合荧光胶中激发为红色以及绿色的荧光粉，经激发后混光形成白色的出光。一般而言，将这些不同颜色的荧光粉混入封装胶内固结后，由于封装胶内部不同颜色的荧光粉颗粒混杂在一块，其不同颜色的荧光粉因为受光激发效率不同，且不同的波长混杂将会交互干扰影响，使荧光粉的激发效果降低，而造成出光颜色不均匀、演色性不佳的情况。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种使不同荧光粉激发效果相同的LED封装结构。
一种LED封装结构，其包括一个基板、一个反射杯、一个封装胶体以及一个LED芯片。所述基板具有一个顶面，所述顶面具有两个电极。所述反射杯设置于所述顶面上, 在所述顶面上形成一个凹槽。所述LED芯片设置于所述凹槽的底部，并与两个电极达成电性连接。所述封装胶体包含有一层第一荧光胶以及一层第二荧光胶，所述第一荧光胶具有的第一荧光粉沉积在所述凹槽的底部，所述第二荧光胶覆盖在所述第一荧光胶上。
上述的LED封装结构，由于所述第一荧光粉沉积在所述凹槽的底部，所述LED芯片较强的正向光可直接照射所述第二荧光胶，激发相较于所述第一荧光粉激发效率低的所述第二荧光胶具有的第二荧光粉，使激发的所述第二荧光粉产生与所述第一荧光粉相同的激发效果，而能防止混合荧光粉所造成的混光不均匀以及演色性不佳的缺点。
附图说明
图1是本发明LED封装结构设置一层第一荧光胶的剖视图。
图2是本发明LED封装结构的剖视图。
主要元件符号说明
LED封装结构 10
基板 12
电极 120
顶面 122
凹槽 1220
底面 124
反射杯 14
封装胶体 16
第一荧光胶 162
第一荧光粉 1622
透明胶体 1624
第二荧光胶 164
LED芯片 18
导电线 182
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作一具体介绍。
请参阅图1以及图2，所示为本发明LED封装结构10，包括一个基板12、一个反射杯14、一个封装胶体16以及一个LED芯片18。
所述基板12具有一个顶面122，所述顶面122上具有两个电极120。所述两个电极120由所述顶面122延伸至所述顶面122相对的底面124。所述两个电极120一个为正电极，一个为负电极。所述反射杯14设置于所述顶面122上，并环绕于所述基板12周缘，在所述顶面122上形成一个凹槽1220。所述LED芯片18设置于所述凹槽1220的底部，并通过导电线182分别与两个电极120达成电性连接。所述LED芯片18完成电性连接后，所发射的光线以直接朝向正上方角度发射的正向光强度较强，其它外围角度所发射的光线则通过所述反射杯14具有反射光线的作用，增强所述LED芯片18的发光效果。所述封装胶体16包含有一层第一荧光胶162以及一层第二荧光胶164。所述第一荧光胶162为包含有第一荧光粉1622以及透明胶体1624的混合胶体，设置在所述凹槽1220内覆盖所述LED芯片18。所述第一荧光粉1622沉积在所述凹槽1220的底部，并使所述透明胶体1624位于上层 (如图1所示)。所述第一荧光胶162尚未固化前，所述第一荧光粉1622在第一荧光胶162的内部为游离状态，以离心力作用使所述第一荧光粉1622沉积在所述凹槽1220的底部，并且会延伸至所述反射杯14的内缘面上，形成一个弧形面结构环绕所述LED芯片18。所述第一荧光胶162的第一荧光粉1622是为绿色荧光粉，所述第一荧光粉1622的材料为氮氧化物(如赛隆陶瓷SiAlON)、硫化物或硅酸盐。所述第二荧光胶164覆盖在所述第一荧光胶162上(如图2所示)。所述第二荧光胶164与所述第一荧光胶162相同，为包含有第二荧光粉(图中未标示)以及透明胶体1624的混合胶体，所述第二荧光粉的受光激发效率低于所述第一荧光粉1622的受光激发效率，所述第二荧光粉是为红色荧光粉，所述第二荧光粉的材料为氮化物(如氮化物SrCaAlSiN3)、硫化物或硅酸盐。
上述LED封装结构10，所述第一荧光胶162的所述第一荧光粉1622沉积在所述凹槽1220的底部，并以所述弧形面结构延伸至所述反射杯14的内缘面上，可避开所述LED芯片18，让所述LED芯片18由所述第一荧光粉1622上层的所述透明胶体1624覆盖。所述LED芯片18正上方发射出较强的正向光，可直接穿透所述透明胶体1624而照射所述第二荧光胶164胶体内的第二荧光粉。所述第二荧光粉为受光激发效率低的红色荧光粉，在所述LED芯片18较强的正向光照射之下，产生红色光的激发效果将会与受光激发效率较高的所述第一荧光粉1622所产生绿色光的激发效果相同。所述第一荧光胶162与所述第二荧光胶164产生相同的红色光及绿色光激发效果，配合所述LED芯片18发射出的蓝色光，就可使混光所产生的白色出光的颜色更加均匀，因此可以有效解决目前LED封装体为提升出光颜色的演色性而产生混光颜色不均匀的问题。
本发明LED封装结构10白色出光混光的另一实施方式。所述LED芯片18发射出紫外光(UV光)，所述第一荧光胶162的所述第一荧光粉1622为受光激发为蓝色及绿色混合的荧光粉，所述第二荧光胶164为受光激发为红色的荧光粉。本实施方式中，所述LED芯片18发射出较强正向光的紫外光，同样可直接照射所述第二荧光胶164受光激发效率低的红色荧光粉，使所述第二荧光胶164受光激发为红色光的激发效果提高，以配合有较高激发效率的所述第一荧光粉1622受光激发为蓝色光及绿色光的激发效果，在相同激发效果的混光所产生的白色出光的颜色将会更加均匀且演色性更佳。
综上，本发明LED封装结构的封装胶体以两层分隔设置，其中覆盖所述LED芯片的所述第一荧光胶内的所述第一荧光粉，避开所述LED芯片较强正向光发射出的位置，从而使所述较强正向光可直接照射上层所述第二荧光胶受光激发效率低的第二荧光粉，提升所述第二荧光粉的激发效果，进而使不同受光激发效率的荧光粉产生相同的激发效果，让LED封装体出光的混光颜色更加均匀。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (9)

1.一种胶LED封装结构，其包括一个基板、一个反射杯、一个封装胶体以及一个LED芯片,所述基板具有一个顶面，所述顶面具有两个电极，其特征在于：所述反射杯设置于所述顶面上, 在所述顶面上形成一个凹槽,所述LED芯片设置于所述凹槽的底部，并与两个电极达成电性连接,所述封装胶体包含有一层第一荧光胶以及一层第二荧光胶，所述第一荧光胶具有的第一荧光粉沉积在所述凹槽的底部，所述第二荧光胶覆盖在所述第一荧光胶上。
2.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述两个电极，一个为正电极，一个为负电极，由所述顶面延伸至所述顶面相对的底面。
3.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片，发出蓝光或是紫外光，通过导电线与所述电级电性连接。
4.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一荧光胶，为包含有第一荧光粉以及透明胶体的混合胶体，设置在所述凹槽内覆盖所述LED芯片，所述第一荧光粉并延伸至所述反射杯的内缘面上，形成一个弧形面结构环绕所述LED芯片，所述透明胶体位于所述第一荧光粉的上层。
5.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一荧光粉，为绿色荧光粉或是为蓝色及绿色混合的荧光粉，所述第一荧光粉材料为氮氧化物、硫化物或硅酸盐。
6.如权利要求5所述的LED封装结构，其特征在于：所述氮氧化物为赛隆陶瓷SiAlON。
7.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述第二荧光胶，为包含有第二荧光粉以及透明胶体的混合胶体，所述第二荧光粉的受光激发效率低于所述第一荧光粉的受光激发效率。
8.如权利要求7所述的LED封装结构，其特征在于：所述第二荧光粉，为红色荧光粉，所述第二荧光粉材料为氮化物、硫化物或硅酸盐。
9.如权利要求8所述的LED封装结构，其特征在于：所述氮化物为氮化物SrCaAlSiN3。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104124327A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN105612624A (zh) * 2013-10-15 2016-05-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件的生产
CN105702833A (zh) * 2016-03-30 2016-06-22 开发晶照明（厦门）有限公司 Led封装结构和led发光装置
CN106449621A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 一种led封装方法及其结构
CN107256912A (zh) * 2017-06-06 2017-10-17 江苏鸿利国泽光电科技有限公司 提高led光效的分层封装方法及分层封装led灯
CN109065693A (zh) * 2018-08-08 2018-12-21 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法
CN110383515A (zh) * 2017-03-09 2019-10-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光组件和用于制作发光组件的方法
CN110391252A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110444652A (zh) * 2019-07-31 2019-11-12 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led灯珠以及制造方法
WO2020003789A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2020010013A (ja) * 2018-06-29 2020-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
CN112563383A (zh) * 2019-09-25 2021-03-26 佛山市国星光电股份有限公司 一种led封装方法、led器件及cob光源
CN112885940A (zh) * 2021-01-08 2021-06-01 深圳市科润光电股份有限公司 一种基于cob技术的led封装单元用散热结构
CN113594333A (zh) * 2021-07-12 2021-11-02 福建天电光电有限公司 Led封装结构及其制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8946987B2 (en) * 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
CN102646761B (zh) * 2011-02-21 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装制程
US9249963B2 (en) * 2011-11-08 2016-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP6191453B2 (ja) * 2013-12-27 2017-09-06 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030038295A1 (en) * 2001-08-22 2003-02-27 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US20090057698A1 (en) * 2005-03-01 2009-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emission device
CN101872829A (zh) * 2010-06-21 2010-10-27 深圳雷曼光电科技股份有限公司 高发光效率的白光led及其封装方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
EP2043165B1 (en) * 2006-06-27 2014-12-03 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating device
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP2011171557A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Toshiba Corp 発光装置、その製造方法および発光装置製造装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030038295A1 (en) * 2001-08-22 2003-02-27 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US20090057698A1 (en) * 2005-03-01 2009-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emission device
CN101872829A (zh) * 2010-06-21 2010-10-27 深圳雷曼光电科技股份有限公司 高发光效率的白光led及其封装方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104124327A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN105612624A (zh) * 2013-10-15 2016-05-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件的生产
US10283682B2 (en) 2016-03-30 2019-05-07 Kaistar Lighting (Xiamen) Co., Ltd. LED package structure and LED light-emitting device
CN105702833A (zh) * 2016-03-30 2016-06-22 开发晶照明（厦门）有限公司 Led封装结构和led发光装置
CN106449621A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 佛山市顺德区蚬华多媒体制品有限公司 一种led封装方法及其结构
CN110383515A (zh) * 2017-03-09 2019-10-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光组件和用于制作发光组件的方法
CN107256912A (zh) * 2017-06-06 2017-10-17 江苏鸿利国泽光电科技有限公司 提高led光效的分层封装方法及分层封装led灯
CN110391252A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 群创光电股份有限公司 电子装置
WO2020003789A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2020010013A (ja) * 2018-06-29 2020-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
CN109065693A (zh) * 2018-08-08 2018-12-21 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法
CN110444652A (zh) * 2019-07-31 2019-11-12 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led灯珠以及制造方法
CN112563383A (zh) * 2019-09-25 2021-03-26 佛山市国星光电股份有限公司 一种led封装方法、led器件及cob光源
CN112885940A (zh) * 2021-01-08 2021-06-01 深圳市科润光电股份有限公司 一种基于cob技术的led封装单元用散热结构
CN113594333A (zh) * 2021-07-12 2021-11-02 福建天电光电有限公司 Led封装结构及其制备方法

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