CN203218260U - 双芯片发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本实用新型揭露一种双芯片发光二极管，包含一导线架、一绿光芯片、一蓝光芯片、一透明胶体及一红荧光层。其中，绿光芯片设置于导线架的底部，以发出一绿光光源；蓝光芯片设置于导线架的底部，且相邻设置于绿光芯片旁，以发出一蓝光光源；透明胶体喷洒或涂布于绿光芯片及蓝光芯片上方；以及红荧光层设置于透明胶体上，受绿光光源或蓝光光源激发以产生一混光光源。并且，红荧光层可为红荧光片或红荧光粉体。因此，通过本实用新型的双芯片发光二极管可使绿光芯片及蓝光芯片激发红荧光片或红荧光粉体以产生较佳的白光混光效果。

Description

双芯片发光二极管
技术领域
本实用新型为一种发光二极管，特别是指一种由红色荧光层改良设置产生较佳的白光混光效果的双芯片发光二极管。
背景技术
现有的发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)结构主要包含晶粒、封装体、金线、支架等，而其发光光源来自于设置于封装体内的晶粒。晶粒根据材料不同可发出不同波长的光源，而在可见光的波长范围内现有的发光二极管可发出红光、红橙光、橙光、黄光、黄绿光、绿光、蓝光、白光等。其中，白光发光二极管在LED产业的推崇及研发下，已成为21世纪新一代光源的代名词，因其效率高、不易破损、无污染、寿命长、耐震且低耗电量等优点，已广为取代旧有的白帜灯、荧光灯和高压气体放电灯等传统光源。
然而，发光二极管本身其实是单色光源，因此白光发光二极管所发出的白光其实是一种由多颜色的光混合而成，以人眼所见的白色光至少包括二种以上波长的色光所形成，例如：蓝光加黄光可得到二波长的白光，或蓝光、绿光、红光混合后可得到三波长的白光。
目前市场上的白光发光二极管有下列三种：
1.利用红蓝绿三色发光二极管晶粒组合而成，而发出不同颜色光源的晶粒由于材料不同，使得电压特性也大不相同。因此，此类型白光发光二极管的成本较高，且控制电路设计上较为复杂。
2.日亚化学提出以蓝光发光二极管激发黄色YAG荧光粉而制成白光发光二极管。然而，蓝光与黄光相比，蓝光占据发光光谱的范围较大，容易有色温偏高且不均匀的现象发生，且蓝光发光二极管的发光波长会伴随温度提升而改变，造成白光光源控制上较为不易。并且，此类型白光发光二极管较缺乏红光波段的光源，故整体演色性上较差。
3.以紫外光发光二极管激发含有蓝、红、绿荧光粉的透明光学胶，通过激发以取得三波长的白光。然而，紫外线会使发光二极管中的黏合剂环氧树脂劣化变质，因此制程上难度较高，且发光二极管的寿命也较短。
因此，以需求来说，设计一个利用双芯片晶粒发射的光源激发红色荧光片或红色荧光粉体，并可改变红色荧光片或红色荧光粉体设置的结构以产生较佳的混光光源的双芯片发光二极管，已成市场应用上的一个刻不容缓的议题。
发明内容
有鉴于上述现有技艺的问题，本实用新型的目的就是在提供一种由红色荧光层的设置改良使双芯片发光二极管得以产生较佳地白光混光效果，并可根据不同的混光需求调整红色荧光层的位置配置，以解决现有技术的问题。
根据本实用新型的目的，提出一种双芯片发光二极管，其包含一导线架、一绿光芯片、一蓝光芯片、一透明胶体及一红荧光层。该导线架具有一容置空间。该绿光芯片设置于该容置空间的底部，以发出一绿光光源。该蓝光芯片设置于该容置空间的底部，且相邻设置于该绿光芯片旁，以发出一蓝光光源。该透明胶体喷洒或涂布于该绿光芯片及该蓝光芯片上方，其中该透明胶体与该绿光芯片或该蓝光芯片的高度为m，且m＞0。该红荧光层为一红荧光片，且黏贴设置于该透明胶体上，受该绿光光源或该蓝光光源激发以产生一混光光源。
其中，该红荧光片受激发后所发出的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm，并且该红荧光片与该绿光芯片、该蓝光芯片的其中之一或其组合间具有一距离h，且0＜h≦10mm。
较佳地，本发明的该绿光芯片所发射的该绿光光源的波长为λG，且500nm≦λG≦540nm。该蓝光芯片所发射的该蓝光光源的波长为λB，且380nm≦λB≦470nm。
根据本实用新型的目的，再提出一种双芯片发光二极管，其包含一导线架、一绿光芯片、一蓝光芯片、一透明胶体及一红荧光层。该导线架具有一容置空间。该绿光芯片设置于该容置空间的底部，以发出一绿光光源。该蓝光芯片设置于该容置空间的底部，且相邻设置于该绿光芯片旁，以发出一蓝光光源。该透明胶体喷洒或涂布于该绿光芯片及该蓝光芯片上方，其中该透明胶体与该绿光芯片或该蓝光芯片的高度为m，且m＞0。该红荧光层为一红荧光粉体，且喷洒于该透明胶体上，受该绿光光源或该蓝光光源激发以产生一混光光源。
其中，该红荧光粉体受激发后所发出的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm。
较佳地，本发明的该绿光芯片所发射的该绿光光源的波长为λG，且500nm≦λG≦540nm。该蓝光芯片所发射的该蓝光光源的波长为λB，且380nm≦λB≦470nm。
依据上述该红荧光层的设置位置有所不同而有多种的实施态样，较佳地，该红荧光层完全遮蔽该绿光芯片及该蓝光芯片，且该绿光光源及该蓝光光源激发该红荧光层以产生一白光光源。又或，该红荧光层可遮蔽该绿光芯片或该蓝光芯片的其中之一，也可通过该绿光芯片所发出的该绿光光源或该蓝光芯片所发出的该蓝光光源激发该红荧光层，以产生一白光光源。并且，该导线架的底部可设有一凸块，且该凸块置于该绿光芯片及该蓝光芯片间，以分隔该绿光芯片及该蓝光芯片。
为让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本实用新型的双芯片发光二极管的第一实施例的示意图。
图2为本实用新型的双芯片发光二极管的第二实施例的示意图。
图3为本实用新型的双芯片发光二极管的第三实施例的示意图。
图4为本实用新型的双芯片发光二极管的第四实施例的示意图。
图5为本实用新型的双芯片发光二极管的第五实施例的示意图。
图6为本实用新型的双芯片发光二极管的第六实施例的示意图。
图7为本实用新型的双芯片发光二极管的第七实施例的示意图。
图8为本实用新型的双芯片发光二极管的第八实施例的示意图。
附图标记说明
1、2、3、4、5、6、7、8-双芯片发光二极管；11、21-导线架；111、211-凸块；12、22-绿光芯片；13、23-蓝光芯片；14、24-透明胶体；15、25-红荧光层；151、152、153-红荧光片；251、252、253-红荧光粉体；h、h1-距离；m-高度。
具体实施方式
以下将参照图1～4，以说明本实用新型的双芯片发光二极管的第一实施例至第四实施例，而在本实用新型中双芯片发光二极管都具有一导线架11、一绿光芯片12、一蓝光芯片13、一透明胶体14及一红荧光层15。该导线架11具有一容置空间，用以容置该绿光芯片12及该蓝光芯片13。该绿光芯片12设置于该容置空间的底部，以发出一绿光光源；该蓝光芯片13设置于该容置空间的底部，且相邻设置于该绿光芯片12旁，以发出一蓝光光源。该透明胶体14喷洒或涂布于该绿光芯片12及该蓝光芯片13上方，而在第二实施例至第四实施例该红荧光层15可为一红荧光片151、152、153，并设置于该透明胶体14上，以接收该绿光光源或该蓝光光源而激发，并混光以产生一白光光源。为使便于理解本实用新型，下述实施例中的相同组件以相同的符号标示来说明。
请参阅图1，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第一实施例的示意图。如图1所示，本实用新型的双芯片发光二极管1的红荧光层15黏贴于该透明胶体14上，而该红荧光层15的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm。而设置于该导线架11底部为该绿光芯片12及该蓝光芯片13，该绿光芯片12所发出的该绿光光源的波长为λG，且500nm≦λG≦540nm；而该蓝光芯片13所发出的该蓝光光源的波长为λB，且380nm≦λB≦470nm。
其中，该红荧光层15完全罩射遮蔽于该绿光芯片12及该蓝光芯片13的发光面，且靠贴于该导线架11的内侧壁，因此该红荧光层15可完全受到该绿光光源及该蓝光光源激发，以产生一白光光源。
如图所示，该红荧光层15与该绿光芯片12、该蓝光芯片13间具有一距离h，较佳符合此关系式：0＜h≦10mm。而该透明胶体14的材质可为环氧树脂（Epoxy）或硅胶（Silicone）等可透光的胶材，由喷洒或涂布而设置于该绿光芯片12及该蓝光芯片13上，以防止该红荧光层15直接贴设。
请参阅图2，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第二实施例的示意图。如图所示，本实用新型的双芯片发光二极管2与第一实施例的差异在于，本实用新型的导线架11的该导线架的底部设有一凸块111，且该凸块111置于该绿光芯片12及该蓝光芯片13间，以分隔该绿光芯片12及该蓝光芯片13，使该绿光芯片12及该蓝光芯片13个别发射的该绿光光源及该蓝光光源可分别射出，而有所区隔。凸块11的高度可与该绿光芯片12及该蓝光芯片13相对应设置，图中的高度比例仅为示意，并非以此为限。
如图所示，相对于图1该红荧光层15所设置的位置，在本实施例中设置一红荧光片151，且贴合在该透明胶体14上，该红荧光片151与该绿光芯片12、该蓝光芯片13间具有一距离h1，而该距离h1较佳符合此关系式：0＜h1≦10mm。
其中，设置该透明胶体14后，可再烘烤该透明胶体14，黏贴该红荧光片151后再烘烤使其贴合而成双芯片发光二极管2；亦或，设置该透明胶体14后直接黏贴该红荧光片151。
请参阅图3，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第三实施例及的示意图。第三实施例与第二实施例的差别在于，本实用新型的双芯片发光二极管3的该红荧光片152设置于该绿光芯片12上，以接收该绿光芯片12所发射的该绿光光源。并且，该红荧光片152受激发后所发出的光源与相邻该绿光芯片12的蓝光芯片13所发射的该蓝光光源混光，可产生混光效果较佳的白光光源。
其中，该绿光芯片12、该蓝光芯片13与该红荧光片152间仍设置有该透明胶体14，且该透明胶体的高度为m，m＞0。
请参阅图4，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第四实施例及的示意图。第四实施例与第二实施例的差别在于，本实用新型的双芯片发光二极管4的该红荧光片153设置于该蓝光芯片13上，以接收该蓝光芯片13所发射的该蓝光光源。并且，该红荧光片153受激发后所发出的光源与相邻该蓝光芯片13的该绿光芯片12所发射的该绿光光源混光，可产生混光效果较佳的白光光源。
其中，本实用新型的该绿光芯片12、该蓝光芯片13与该红荧光片152间也设置该透明胶体14，且该透明胶体的高度为m，m＞0。
接着，请参照图5～8，以说明本实用新型的双芯片发光二极管的第五实施例至第八实施例，而在本实用新型中双芯片发光二极管都具有一导线架21、一绿光芯片22、一蓝光芯片23、一透明胶体24及一红荧光层25。该导线架21内设置有该绿光芯片22及该蓝光芯片23。该绿光芯片22设置于该导线架21的底部，以发出一绿光光源；该蓝光芯片23设置于该导线架21的底部，且相邻设置于该绿光芯片22旁，以发出一蓝光光源。该透明胶体24喷洒或涂布于该绿光芯片22及该蓝光芯片23上方，而在第六实施例至第八实施例中该红荧光层25可为一红荧光粉体251、252、253，并通过喷洒或蒸镀等方法设置于该透明胶体24上，以接收该绿光光源、该蓝光光源或其组合而激发发出光源并混光而产生一白光光源。为使便于理解本实用新型，下述实施例中的相同组件以相同的符号标示来说明。
请参阅图5，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第五实施例的示意图。如图5所示，本实用新型的双芯片发光二极管5的红荧光层25通过喷洒或蒸镀等方式均匀地设置于该透明胶体24上，而该红荧光层25的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm。而设置于该导线架21底部为该绿光芯片22及该蓝光芯片23，该绿光芯片22所发出的该绿光光源的波长为λG，且500nm≦λG≦540nm；而该蓝光芯片23所发出的该蓝光光源的波长为λB，且380nm≦λB≦470nm。
其中，该红荧光层25完全罩设于该绿光芯片22及该蓝光芯片23上方，且接收该绿光芯片22及该蓝光芯片23所发出的该绿光光源及该蓝光光源，因此该红荧光层25可完全受到该绿光光源及该蓝光光源激发，以产生一混光效果较佳的白光光源。
如图所示，该红荧光层25与该绿光芯片22、该蓝光芯片23间具有一距离h，较佳符合此关系式：0＜h≦10mm。而该透明胶体24的材质可为环氧树脂（Epoxy）或硅胶（Silicone）等可透光的胶材，由喷洒或涂布等方式设置于该绿光芯片22及该蓝光芯片23上，以防止与该红荧光层25直接接触。
请参阅图6，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第六实施例的示意图。如图所示，本实用新型的双芯片发光二极管6与第五实施例的差异在于，本实用新型的导线架21的该导线架的底部设有一凸块211，且该凸块211置于该绿光芯片22及该蓝光芯片23间，以分隔该绿光芯片22及该蓝光芯片23，使该绿光芯片22及该蓝光芯片23个别发射的该绿光光源及该蓝光光源可分别射出，而有所区隔。凸块21的高度可与该绿光芯片22及该蓝光芯片23相对应设置，图中的高度比例仅为示意，并非以此为限。
如图所示，相对于图5该红荧光层25所设置的位置，在本实施例中设置一红荧光粉体251，该红荧光粉体251通过喷洒、蒸镀将该红荧光粉体251均匀地附着在该透明胶体24上，且与该绿光芯片22、该蓝光芯片23间具有一距离h1，而该距离h1较佳符合此关系式：0＜h1≦10mm。
其中，设置该透明胶体24于该绿光芯片22、该蓝光芯片23上后，可再烘烤该透明胶体24，接着喷洒或蒸镀该红荧光粉体251后再烘烤使其固化而成双芯片发光二极管6；亦或，设置该透明胶体24后直接喷洒或蒸镀该红荧光粉体251于该透明胶体24上，再通过烘烤使该红荧光粉体251固化。
请参阅图7，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第七实施例及的示意图。第七实施例与第六实施例的差别在于，本实用新型的双芯片发光二极管7的该红荧光粉体252设置于该绿光芯片22上，以接收该绿光芯片22所发射的该绿光光源。并且，该红荧光粉体252受激发后所发出的光源与相邻该绿光芯片22的蓝光芯片23所发射的该蓝光光源混光，可产生混光效果较佳的白光光源。
其中，该绿光芯片22、该蓝光芯片23与该红荧光粉体2252间仍设置有该透明胶体24，且该透明胶体的高度为m，m＞0。
请参阅第8图，其为本实用新型的双芯片发光二极管的第八实施例及的示意图。第八实施例与第六实施例的差别在于，本实用新型的双芯片发光二极管8的该红荧光粉体253设置于该蓝光芯片23上，以接收该蓝光芯片23所发射的该蓝光光源。并且，该红荧光粉体253受激发后所发出的光源与相邻该蓝光芯片23的该绿光芯片22所发射的该绿光光源混光，可产生混光效果较佳的白光光源。
其中，本实用新型的该绿光芯片22、该蓝光芯片23与该红荧光粉体252间也设置该透明胶体24，且该透明胶体的高度为m，m＞0。
以上对本实用新型的描述是说明性的，而非限制性的，本专业技术人员理解，在权利要求限定的精神与范围内可对其进行许多修改、变化或等效，但是它们都将落入本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种双芯片发光二极管，其特征在于，包含：
一导线架；
一绿光芯片，设置于该导线架的底部，以发出一绿光光源；
一蓝光芯片，设置于该导线架的底部，且相邻设置于该绿光芯片旁，以发出一蓝光光源；
一透明胶体，喷洒或涂布于该绿光芯片及该蓝光芯片上方；以及
一红荧光层，设置于该透明胶体上，受该绿光光源或该蓝光光源激发以产生一混光光源。
2.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层为一红荧光片，且黏贴于该透明胶体上，该红荧光片受激发后所发出的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm。
3.如权利要求2所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光片与该绿光芯片、该蓝光芯片的其中之一或其组合间具有一距离h，且0＜h≦10mm。
4.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层为一红荧光粉体，且通过喷洒或蒸镀设置于该透明胶体上，该红荧光粉体受激发后所发出的发光波长为λR，且600nm≦λR≦670nm。
5.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层完全罩设于该绿光芯片及该蓝光芯片上方，且接收该绿光芯片及该蓝光芯片所发出的该绿光光源及该蓝光光源，以激发该红荧光层以产生一白光光源。
6.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该红荧光层设置于该绿光芯片或该蓝光芯片上，以接收该绿光芯片或该蓝光芯片的其中之一所发射的光源。
7.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该绿光芯片所发射的该绿光光源的波长为λG，且500nm≦λG≦540nm。
8.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该蓝光芯片所发射的该蓝光光源的波长为λB，且380nm≦λB≦470nm。
9.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该透明胶体与该绿光芯片或该蓝光芯片的高度为m，且m＞0。
10.如权利要求1所述的双芯片发光二极管，其特征在于，该导线架的底部设有一凸块，且该凸块置于该绿光芯片及该蓝光芯片间，以分隔该绿光芯片及该蓝光芯片。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104037169A (zh) * 2014-06-19 2014-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 一种led封装结构及液晶显示装置
CN105590994A (zh) * 2014-10-22 2016-05-18 泉州市金太阳照明科技有限公司 一种led光源基板及其制作方法
CN106356368A (zh) * 2016-11-08 2017-01-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点led背光光源结构及显示装置
CN107561773A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 深圳创维－Rgb电子有限公司 一种高色域led、背光模组和显示设备
CN107845716A (zh) * 2017-12-05 2018-03-27 惠州雷通光电器件有限公司 Led芯片封装结构及制备方法
CN107946434A (zh) * 2017-11-27 2018-04-20 广东晶科电子股份有限公司 白光发光二极管及背光模组
CN108023008A (zh) * 2017-12-05 2018-05-11 惠州雷通光电器件有限公司 Led芯片封装结构及其制备方法
CN108039398A (zh) * 2017-12-05 2018-05-15 惠州雷通光电器件有限公司 Led芯片封装结构及其制备方法
CN109888073A (zh) * 2019-01-25 2019-06-14 浙江英特来光电科技有限公司 一种全光谱led封装方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9877370B2 (en) * 2013-06-20 2018-01-23 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device comprising at least two sets of LEDs
JP7157327B2 (ja) * 2018-10-30 2022-10-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN112289910B (zh) * 2020-10-19 2021-06-25 刘成禹 Led无级调色温光源及其制造工艺
CN113437055B (zh) * 2021-06-28 2022-07-29 惠州视维新技术有限公司 一种led发光结构、背光模组及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200717857A (en) * 2005-10-28 2007-05-01 Iled Photoelectronics Inc Packaging structure for a white light LED
TW200721526A (en) * 2005-11-16 2007-06-01 Iled Photoelectronics Inc LED structure with three wavelength
TWI378573B (en) * 2007-10-31 2012-12-01 Young Lighting Technology Corp Light emitting diode package
JP5319743B2 (ja) * 2010-09-08 2013-10-16 株式会社東芝 発光装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104037169A (zh) * 2014-06-19 2014-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 一种led封装结构及液晶显示装置
CN105590994A (zh) * 2014-10-22 2016-05-18 泉州市金太阳照明科技有限公司 一种led光源基板及其制作方法
CN106356368B (zh) * 2016-11-08 2019-05-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点led背光光源结构及显示装置
CN106356368A (zh) * 2016-11-08 2017-01-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点led背光光源结构及显示装置
CN107561773A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 深圳创维－Rgb电子有限公司 一种高色域led、背光模组和显示设备
WO2019100733A1 (zh) * 2017-11-27 2019-05-31 广东晶科电子股份有限公司 白光发光二极管及背光模组
CN107946434A (zh) * 2017-11-27 2018-04-20 广东晶科电子股份有限公司 白光发光二极管及背光模组
CN107946434B (zh) * 2017-11-27 2021-03-26 广东晶科电子股份有限公司 白光发光二极管及背光模组
US11367811B2 (en) 2017-11-27 2022-06-21 Apt Electronics Co., Ltd. White light emitting diode and backlight module
CN108023008A (zh) * 2017-12-05 2018-05-11 惠州雷通光电器件有限公司 Led芯片封装结构及其制备方法
CN108039398A (zh) * 2017-12-05 2018-05-15 惠州雷通光电器件有限公司 Led芯片封装结构及其制备方法
CN107845716A (zh) * 2017-12-05 2018-03-27 惠州雷通光电器件有限公司 Led芯片封装结构及制备方法
CN108023008B (zh) * 2017-12-05 2024-02-23 惠州雷通光电器件有限公司 Led芯片封装结构及其制备方法
CN109888073A (zh) * 2019-01-25 2019-06-14 浙江英特来光电科技有限公司 一种全光谱led封装方法

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Publication number Publication date
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