CN107946434A - 白光发光二极管及背光模组 - Google Patents

白光发光二极管及背光模组 Download PDF

Info

Publication number
CN107946434A
CN107946434A CN201711204838.2A CN201711204838A CN107946434A CN 107946434 A CN107946434 A CN 107946434A CN 201711204838 A CN201711204838 A CN 201711204838A CN 107946434 A CN107946434 A CN 107946434A
Authority
CN
China
Prior art keywords
red fluorescence
fluorescence powder
wavelength
wave
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711204838.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107946434B (zh
Inventor
姚述光
万垂铭
龙小凤
姜志荣
曾照明
肖国伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong APT Electronics Ltd
Original Assignee
Guangdong APT Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong APT Electronics Ltd filed Critical Guangdong APT Electronics Ltd
Priority to CN201711204838.2A priority Critical patent/CN107946434B/zh
Publication of CN107946434A publication Critical patent/CN107946434A/zh
Priority to PCT/CN2018/096081 priority patent/WO2019100733A1/zh
Priority to US16/884,087 priority patent/US11367811B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN107946434B publication Critical patent/CN107946434B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
    • C09K11/674—Halogenides
    • C09K11/675—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77346—Aluminium Nitrides or Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种白光发光二极管，由蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光混合发出白光；包括至少一蓝光发光二极管芯片及至少一绿光发光二极管芯片；所述红色荧光粉由第一红色荧光粉、第二红色荧光粉组成；所述第一红色荧光粉由M2AX6:Mn4+结构的物质组成，其中M为Li、Na、K、Rb、Cs；A为Ti、Si、Ge、Zr；X为F、Cl、Br；所述第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为组成0.01％‑15％；所述蓝色发射光由蓝光发光二极管芯片发出；绿色发射光由绿光发光二极管芯片发出，所述红色发射光由红色荧光粉通过吸收蓝光或绿光发射。本发明还提供一种背光模组。通过上述结构，在波长、光谱形状不可调的M2AX6:Mn4+基础上，加入不同波长可调的第二荧光粉层，实现M2AX6:Mn4+的在器件色点可调性。在几乎不降低M2AX6:Mn4+的色域基础上，实现器件不同色点的全覆盖。

Description

白光发光二极管及背光模组
技术领域
本发明涉及一种二极管技术领域，特别涉及一种白光发光二极管及背光模组。
背景技术
广色域已成为背光领域的新热点，消费者对色域的要求也越来越高。传统的氮化物红粉由于其半波宽比较宽，NTSC色域到一定程度上很难再进一步提升，NTSC色域基本局限在90％左右。
具有超窄半波宽的Mn4+激发的M2AX6结构新型荧光粉由于其半波宽小于10nm，具有很高的色纯度，可在传统荧光粉的基础上将NTSC色域提升到98％以上，成为近年的研究热点。
在背光模组中，不同屏的colorfilter(CF)不同，导致LED发出的光在过屏后的色点不同程度的改变。Mn4+激发的M2AX6新型荧光粉，由于波长、光谱形状不可调，成品的色点并非随意可调，对于一些特殊色点兼顾不到。导致背光模组中过屏之后的色温、duv能参数不能满足标准。Mn4+激发的M2AX6新型荧光粉的基础上解决色点的随意可调性成为需要解决的问题。
发明内容
本发明目的是为了克服现有技术的不足，提供一种白光发光二极管，能使Mn4+激发的M2AX6新型荧光粉实现色点调整。
本发明的另一发明目为提供一种背光模组。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种白光发光二极管，由蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光混合发出白光；包括红色荧光粉、至少一蓝光发光二极管芯片及至少一绿光发光二极管芯片；
所述红色荧光粉由第一红色荧光粉、第二红色荧光粉组成；
所述第一红色荧光粉由M2AX6:Mn4+结构的物质组成，其中M为Li、Na、K、Rb、Cs；A为Ti、Si、Ge、Zr；X为F、Cl、Br；所述第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为0.01％-15％；
所述蓝色发射光由蓝光发光二极管芯片发出；绿色发射光由绿光发光二极管芯片发出，所述红色发射光由红色荧光粉通过吸收蓝光或绿光发射。
作为优选，所述第二红色荧光粉的波长为630nm-670nm。
作为优选，所述蓝光发光二极管芯片的波长在430nm-460nm；所述绿光发光二极管芯片的波长在510nm-550nm。
作为优选，所述第二红色荧光粉的波长为630nm，半波宽不大于35nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于630nm、小于等于635nm，半波宽不大于40nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于635nm、小于等于640nm，半波宽不大于50nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于640nm、小于等于645nm，半波宽不大于60nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于645nm、小于等于650nm，半波宽不大于70nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于650nm、小于等于655nm，半波宽不大于90nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于655nm、小于等于660nm，半波宽不大于100nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于660nm、小于等于665nm，半波宽不大于105nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于665nm、小于670nm，半波宽不大于110nm；
所述第二红色荧光粉的波长等于670nm，半波宽不大于110nm。
作为优选，随着第二荧光粉的加入，第一红色荧光粉的600nm至630nm的波长范围内发射光强度的增加值小于或等于其630nm至670nm的波长范围内的发射光强度的增加值。
作为优选，所述第二红色荧光粉由CaAlSiN3:Eu、SrLiAl3N4:Eu或QD中的一种或多种组成。
作为优选，所述第二红色荧光粉的波长为630nm-670nm，其半波宽为35nm-110nm。
作为优选，还包括支架、热塑性或热固性透明保护层、设置在所述支架上的荧光转换层；所述蓝光LED芯片、所述绿光LED芯片设置在所述支架上，所述荧光转换层覆盖所述蓝光LED芯片、所述绿光LED芯片；所述红色荧光粉分散在所述荧光转换层中；所述热塑性或热固性透明保护层包裹所述荧光转换层，所述蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光分布在热塑性或热固性透明保护层中。
一种背光模组，包括所述的白光发光二极管。
作为优选，还包括导光模块；所述导光模块包括导光板、位于导光板上的增亮膜、扩散膜，位于导光板下的反光片；所述白光发光二极管设置在一PCB板上且位于所述导光模块的旁侧；
或还包括透镜、背板、扩散板、扩散片；棱镜片及PCB板；所述白光发光二极管设置在所述PCB板上，所述透镜设置在所述白光发光二极管上；在所述PCB板的外围设置背板；在背板上方由下而上设置扩散板、棱镜板及扩散片。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
在波长、光谱形状不可调的M2AX6:Mn4+基础上，加入不同波长、且波长、光谱形状可调的第二荧光粉，由于M2AX6:Mn4+荧光粉的发射光谱几乎不变(如图1)，表现LED的光谱形状是不会改变，其色点不可调，而由于加入的第二荧光粉的光谱是可以做不同的调节，所以使混合的荧光粉的光谱也可以调节，从而实现M2AX6:Mn4+在器件色点可调性。在几乎不降低M2AX6:Mn4+的NTSC色域基础上，实现器件在不同色点的全覆盖。
附图说明
图1是M2AX6:Mn4+的典型光谱图；
图2是本发明白光发光二极管的一种结构示意图；
图3是本发明实施例4的直下式高色域模组示意图；
图4是本发明实施例5的侧入式高色域模组示意图。
图中：
100—白光发光二极管；101—支架；102—芯片；103—荧光转换层；
201—透镜；202—PCB板；203—背板；204—扩散板；205—棱镜片；206—扩散片；
301—PCB板；302—反光片；303—导光板；304—增亮膜；305—扩散膜。
具体实施方式
现结合附图与具体实施例对本发明作进一步说明。
本发明所述的一种白光发光二极管，由蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光混合发出白光；包括红色荧光粉、至少一蓝光发光二极管芯片及至少一绿光发光二极管芯片。
红色荧光粉由第一红色荧光粉、第二红色荧光粉组成。
第一红色荧光粉由M2AX6:Mn4+结构的物质组成，其中M为Li、Na、K、Rb、Cs；A为Ti、Si、Ge、Zr；X为F、Cl、Br。
第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为0.01％-15％。第二红色荧光粉由CaAlSiN3:Eu、SrLiAl3N4:Eu或QD中的一种或多种组成。第二红色荧光粉的波长在630nm-670nm，半波宽为35nm至110nm。红色发射光由红色荧光粉通过吸收蓝光或绿光发射。
为了使红色荧光粉的色彩更纯，让NTSC的色域变高，其中，随着第二荧光粉的加入，第一红色荧光粉的600nm至630nm的波长范围内发射光强度的增加值小于或等于其630nm至670nm的波长范围内的发射光强度的增加值。红色荧光粉中，实际上是以第一红色荧光粉为主，第二红色荧光粉是用于调节色点(可以是不同波长，第一荧光粉的光谱无论是含Si、含Ge或Ti其光谱是不变的，所以其无法调节色点)，通过限定第一荧光粉的600-630nm的波长范围内发射光强度增加值小于或等于其630nm至670nm的波长范围内的发射光强度的增加值，就限定加入的第二红色荧光粉若波长短、则配窄的半波宽，若波长长、则可配宽的半波宽。例如，若第二红色荧光粉的波长为630nm、半波宽为30nm，在原有的峰上(图1)体现左边614nm增加等于右边647nm；若第二红色荧光粉的波长650nm，70nm半波宽，可以见到647nm的增加值大于614nm。
作为优选的方案：
第二红色荧光粉的波长为630nm，半波宽不大于35nm；
第二红色荧光粉的波长大于630nm、小于等于635nm，半波宽不大于40nm；
第二红色荧光粉的波长大于635nm、小于等于640nm，半波宽不大于50nm；
第二红色荧光粉的波长大于640nm、小于等于645nm，半波宽不大于60nm；
第二红色荧光粉的波长大于645nm、小于等于650nm，半波宽不大于70nm；
第二红色荧光粉的波长大于650nm、小于等于655nm，半波宽不大于90nm；
第二红色荧光粉的波长大于655nm、小于等于660nm，半波宽不大于100nm；
第二红色荧光粉的波长大于660nm、小于等于665nm，半波宽不大于105nm；
第二红色荧光粉的波长大于665nm、小于670nm，半波宽不大于110nm；
第二红色荧光粉的波长等于670nm，半波宽不大于110nm。
通过上述对于第二红色荧光粉的波长及半波宽的限定，从而选择出适合的第二红色荧光粉，使混合的红色荧光粉色彩越纯，NTSC的色域越高。
蓝光发光二极管芯片的波长在430nm-460nm；绿光发光二极管芯片的波长在510nm-550nm。
白光发光二极管的结构部分还包括支架、热塑性或热固性透明保护层、设置在所述支架上的荧光转换层；所述蓝光LED芯片、所述绿光LED芯片设置在所述支架上，所述荧光转换层覆盖所述蓝光LED芯片、所述绿光LED芯片；所所述红色荧光粉分散在所述荧光转换层中；所述热塑性或热固性透明保护层包裹所述荧光转换层，所述蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光分布在热塑性或热固性透明保护层中。
实施例1
本实施例提供了一种白光发光二极管，由蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光共同混合发出白光。
红色发射光由红色荧光粉通过吸收蓝光或绿光发射。蓝色发射光由蓝光LED芯片发出，其波长为450nm。绿色发射光由绿光LED芯片发出，其波长为520nm。
红色荧光粉由第一红色荧光粉、第二红色荧光粉组成；第一红色荧光粉由K2SiF6:Mn4+结构的物质组成，第二荧光粉层由SrLiAl3N4:Eu组成，其波长为650nm，半波宽为45nm；第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为5％。随着第二荧光粉的加入，第一红色荧光粉的600nm至630nm的波长范围内发射光强度的增加值小于或等于其630nm至670nm的波长范围内的发射光强度的增加值。
蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光分布在热塑性或热固性透明保护层中；本实施例中的发光二极管的NTSC色域与单纯K2SiF6:Mn4+色域的比降低不超过1％。
实施例2
本实施例提供了一种白光发光二极管，其和实施例1基本相同，对于相同之处不再赘述，下面对不同之处进行说明：
蓝光LED芯片波长为445nm，绿光芯片其波长为525nm。
红色荧光粉由第一红色荧光粉、第二红色荧光粉组成；所述第一红色荧光粉由K2TiF6:Mn4+结构的物质组成，第二荧光粉层由CaAlSiN3:Eu组成，其波长为670nm，半波宽为90nm。第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为组成10％。
本实施例中的发光二极管的NTSC色域与单纯K2TiF6:Mn4+色域的比降低为3％。
实施例3
本实施例提供了一种白光发光二极管，其和实施例1基本相同，对于相同之处不再赘述，下面对不同之处进行说明：
所述第一红色荧光粉由K2GeF6:Mn4+结构的物质组成，第二红色荧光粉层由QD与SrLiAl3N4:Eu组成，其波长为640nm，半波宽为30nm。第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为组成8％，
本实施例中的发光二极管的NTSC色域与单纯K2GeF6:Mn4+色域的比降低为1-2％。
实施例4
本实施例提供了一种白光发光二极管，其和实施例1基本相同，对于相同之处不再赘述，下面对不同之处进行说明：
所述第一红色荧光粉由K2GeF6:Mn4+结构的物质组成，第二红色荧光粉层由QD与SrLiAl3N4:Eu组成，其波长为645nm，半波宽为50nm。第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为组成0.05％，
本实施例中的发光二极管的NTSC色域与单纯K2GeF6:Mn4+色域的比降低为1-2％。
本发明所述的背光模组，包括直下式背光模组及侧入式背光模组。
实施例5
本实施例所述为一种LED直下式背光模组，该背光模组结构采用现有的LED直下式背光模组结构。LED直下式背光模组采用的是本发明所述的发光二极管。
如图3所示，LED直下式背光模组包括PCB板202、光学透镜201、扩散板204、棱镜片205、扩散片206、背板203。LED发光器件100设于PCB板202上，光学透镜201设于LED发光器件100顶部，设有LED发光器件100的PCB板202固设于背板203底部，扩散板204设于背板203顶部，棱镜片205设于扩散板204上表面，扩散片206设于棱镜片205上表面。
实施例6
本实施例所述为一种LED侧入式背光模组300，该背光模组结构采用现有的LED侧入式背光模组结构。侧入式背光模组采用的是本发明所述的发光二极管。
如图4所示，LED侧入式背光模组包括导光板303、反光片302、增亮膜304、扩散膜305。LED发光器件100和PCB板301连接并设于导光板303一侧，反光片302和增亮膜304分别设于导光板303的下表面和上表面，扩散膜305设于增亮膜304上表面。
本发明并不局限于上述实施方式，如果对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围，倘若这些改动和变型属于本发明的权利要求和等同技术范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变动。

Claims (10)

1.一种白光发光二极管，由蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光混合发出白光；其特征在于，包括红色荧光粉、至少一蓝光发光二极管芯片及至少一绿光发光二极管芯片；
所述红色荧光粉由第一红色荧光粉、第二红色荧光粉组成；
所述第一红色荧光粉由M2AX6:Mn4+结构的物质组成，其中M为Li、Na、K、Rb、Cs；A为Ti、Si、Ge、Zr；X为F、Cl、Br；所述第二红色荧光粉在红色荧光粉中的比例为0.01％-15％；
所述蓝色发射光由蓝光发光二极管芯片发出；绿色发射光由绿光发光二极管芯片发出，所述红色发射光由红色荧光粉通过吸收蓝光或绿光发射。
2.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述第二红色荧光粉的波长为630nm-670nm。
3.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述蓝光发光二极管芯片的波长在430nm-460nm；所述绿光发光二极管芯片的波长在510nm-550nm。
4.根据权利要求2所述的白光发光二极管，其特征在于，
所述第二红色荧光粉的波长为630nm，半波宽不大于35nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于630nm、小于等于635nm，半波宽不大于40nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于635nm、小于等于640nm，半波宽不大于50nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于640nm、小于等于645nm，半波宽不大于60nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于645nm、小于等于650nm，半波宽不大于70nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于650nm、小于等于655nm，半波宽不大于90nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于655nm、小于等于660nm，半波宽不大于100nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于660nm、小于等于665nm，半波宽不大于105nm；
所述第二红色荧光粉的波长大于665nm、小于670nm，半波宽不大于110nm；
所述第二红色荧光粉的波长等于670nm，半波宽不大于110nm。
5.根据权利要求2所述的白光发光二极管，其特征在于，随着第二荧光粉的加入，第一红色荧光粉的600nm至630nm的波长范围内发射光强度的增加值小于或等于其630nm至670nm的波长范围内的发射光强度的增加值。
6.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述第二红色荧光粉由CaAlSiN3:Eu、SrLiAl3N4:Eu或QD中的一种或多种组成。
7.根据权利要求2所述的白光发光二极管，其特征在于，所述第二红色荧光粉的波长为630nm-670nm，其半波宽为35nm-110nm。
8.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，还包括支架、热塑性或热固性透明保护层、设置在所述支架上的荧光转换层；所述蓝光LED芯片、所述绿光LED芯片设置在所述支架上，所述荧光转换层覆盖所述蓝光LED芯片、所述绿光LED芯片；所述红色荧光粉分散在所述荧光转换层中；所述热塑性或热固性透明保护层包裹所述荧光转换层，所述蓝色发射光、绿色发射光及红色发射光分布在热塑性或热固性透明保护层中。
9.一种背光模组，其特征在于，包括权利要求1至8任一权利要求所述的白光发光二极管。
10.根据权利要求9所述的背光模组，其特征在于，
还包括导光模块；所述导光模块包括导光板、位于导光板上的增亮膜、扩散膜，位于导光板下的反光片；所述白光发光二极管设置在一PCB板上且位于所述导光模块的旁侧；
或还包括透镜、背板、扩散板、扩散片；棱镜片及PCB板；所述白光发光二极管设置在所述PCB板上，所述透镜设置在所述白光发光二极管上；在所述PCB板的外围设置背板；在背板上方由下而上设置扩散板、棱镜板及扩散片。
CN201711204838.2A 2017-11-27 2017-11-27 白光发光二极管及背光模组 Active CN107946434B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711204838.2A CN107946434B (zh) 2017-11-27 2017-11-27 白光发光二极管及背光模组
PCT/CN2018/096081 WO2019100733A1 (zh) 2017-11-27 2018-07-18 白光发光二极管及背光模组
US16/884,087 US11367811B2 (en) 2017-11-27 2020-05-27 White light emitting diode and backlight module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711204838.2A CN107946434B (zh) 2017-11-27 2017-11-27 白光发光二极管及背光模组

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107946434A true CN107946434A (zh) 2018-04-20
CN107946434B CN107946434B (zh) 2021-03-26

Family

ID=61949980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711204838.2A Active CN107946434B (zh) 2017-11-27 2017-11-27 白光发光二极管及背光模组

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11367811B2 (zh)
CN (1) CN107946434B (zh)
WO (1) WO2019100733A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019100734A1 (zh) * 2017-11-27 2019-05-31 广东晶科电子股份有限公司 一种红色荧光粉、白光发光二极管及背光模组
WO2019100733A1 (zh) * 2017-11-27 2019-05-31 广东晶科电子股份有限公司 白光发光二极管及背光模组
CN112271239A (zh) * 2020-10-23 2021-01-26 开发晶照明（厦门）有限公司 发光二极管和背光式显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190101787A (ko) * 2018-02-23 2019-09-02 서울반도체 주식회사 개선된 연색성을 갖는 led 조명 장치 및 led 필라멘트

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1971908A (zh) * 2005-11-23 2007-05-30 光硕光电股份有限公司 三波长led结构
CN203218260U (zh) * 2013-04-09 2013-09-25 东贝光电科技股份有限公司 双芯片发光二极管
CN105202483A (zh) * 2014-06-20 2015-12-30 业鑫科技顾问股份有限公司 背光模组及显示设备
CN105428497A (zh) * 2014-09-19 2016-03-23 东贝光电科技股份有限公司 应用至背光源的led发光结构

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101200400B1 (ko) * 2005-12-01 2012-11-16 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드
KR101163902B1 (ko) * 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US10811572B2 (en) * 2014-10-08 2020-10-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US10253257B2 (en) * 2015-11-25 2019-04-09 Intematix Corporation Coated narrow band red phosphor
WO2017131693A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Compositions for led light conversions
CN107946434B (zh) * 2017-11-27 2021-03-26 广东晶科电子股份有限公司 白光发光二极管及背光模组

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1971908A (zh) * 2005-11-23 2007-05-30 光硕光电股份有限公司 三波长led结构
CN203218260U (zh) * 2013-04-09 2013-09-25 东贝光电科技股份有限公司 双芯片发光二极管
CN105202483A (zh) * 2014-06-20 2015-12-30 业鑫科技顾问股份有限公司 背光模组及显示设备
CN105428497A (zh) * 2014-09-19 2016-03-23 东贝光电科技股份有限公司 应用至背光源的led发光结构

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019100734A1 (zh) * 2017-11-27 2019-05-31 广东晶科电子股份有限公司 一种红色荧光粉、白光发光二极管及背光模组
WO2019100733A1 (zh) * 2017-11-27 2019-05-31 广东晶科电子股份有限公司 白光发光二极管及背光模组
US11367811B2 (en) 2017-11-27 2022-06-21 Apt Electronics Co., Ltd. White light emitting diode and backlight module
CN112271239A (zh) * 2020-10-23 2021-01-26 开发晶照明（厦门）有限公司 发光二极管和背光式显示装置
CN112271239B (zh) * 2020-10-23 2023-02-03 开发晶照明（厦门）有限公司 发光二极管和背光式显示装置
US11709393B2 (en) 2020-10-23 2023-07-25 Kaistar Lighting (Xiamen) Co., Ltd. Light-emitting diode adopting a multi-color light emitting chip and backlight-type display device including the light-emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
US20200313048A1 (en) 2020-10-01
CN107946434B (zh) 2021-03-26
WO2019100733A1 (zh) 2019-05-31
US11367811B2 (en) 2022-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107565006B (zh) 一种具有日光可见光部分光谱结构的led光源及灯具
US20220229222A1 (en) Color Liquid Crystal Displays and Display Backlights
CN107946434A (zh) 白光发光二极管及背光模组
CN104241507B (zh) 广色域led发光器件及其背光组件
TWI442139B (zh) 液晶顯示裝置
CN104483778B (zh) 发光装置、背光模组及液晶显示装置
CN204102939U (zh) 一种广色域led发光器件及其背光组件
CN105870303A (zh) 一种全光谱的led光源
TW200836377A (en) White light emitting device and white light source module using the same
CN102483543A (zh) 液晶显示装置
CN105892145B (zh) 一种显示器及其显示模组
CN105226170B (zh) 应用至背光源的led发光结构
WO2020034390A1 (zh) Led白光器件及其制备方法、led背光模组
CN107678207A (zh) 一种具有ofed结构的背光源及其在全彩显示中的应用
CN108257948A (zh) 白光发光二极管及背光模组
CN105355760A (zh) 一种广色域显示的led器件
US20200321494A1 (en) Red phosphor, white light emitting diode, and backlight module
CN107369742A (zh) 一种高显色指数高s/p值白光led及其获得方法和应用
CN207834348U (zh) 一种封装结构、白光发光二极管及背光模组
CN208352338U (zh) 一种封装结构、白光发光二极管及背光模组
CN105974497A (zh) 一种用于彩色显示设备的増彩膜及其制备方法
CN204739537U (zh) 广色域光学膜片及led背光模组
CN207753011U (zh) 白光发光二极管及背光模组
TW201243494A (en) Blue photoresist and color filter substrate and display device using the same
CN103897697A (zh) 一种高显色性暖白光led用荧光粉

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 511458 33 Nansha District City Road South, Nansha District, Guangzhou, Guangdong

Applicant after: GUANGDONG APT ELECTRONICS LTD.

Address before: 511458 No. 33, South Ring Road, Nansha District, Guangzhou, Guangdong.

Applicant before: GUANGDONG APT ELECTRONICS LTD.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant