CN104465936A - 发光二极管 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管，包括一发光二极管芯片、封装该发光二极管芯片的一封装层及设置在该封装层内的多个第一荧光粉颗粒和多个第二荧光粉颗粒，第一荧光粉颗粒的激发效率比第二荧光粉颗粒的激发效率低，第一荧光粉颗粒的密度大于封装层的密度，第二荧光粉颗粒的密度等于或小于封装层的密度，第一荧光粉颗粒位于封装层底部且靠近该发光二极管芯片，第二荧光粉颗粒位于封装层顶部。由于第一荧光粉颗粒的密度大于封装层的密度，激发效率较高的第二荧光粉颗粒留在封装层顶部，激发效率较低的第一荧光粉颗粒向下沉降位于封装层底部且靠近该发光二极管芯片，提升了第一荧光粉颗粒被发光二极管芯片激发的机率，从而使发光二极管的出光效果较佳。

Description

发光二极管
技术领域
本发明涉及一种半导体元件，特别涉及一种发光二极管。
背景技术
以发光二极管(Light Emitting Diode, LED)作为光源的灯具比传统的白炽灯耗能减少九成，既节能又环保。现有技术的发光二极管通常包括一发光二极管芯片及封装该发光二极管芯片的一透明的封装层。为改善发光二极管芯片的发光特性，通常会在发光二极管中设置荧光粉。荧光粉通常是均匀配置在透明封装层之中。然而，不同的荧光粉在相同激发光源之下会产生不同激发效果。例如，氮化物红光荧光粉接受蓝光的激发效率较氮氧化物绿光荧光粉的激发效率低。因此，将不同的荧光粉均匀配置在透明封装层之中将导致发光二极管出光混色不均匀的问题产生。
发明内容
有鉴于此，实有必要提供一种出光效果较佳的发光二极管。
一种发光二极管，包括一发光二极管芯片、封装该发光二极管芯片的一封装层及设置在该封装层内的多个第一荧光粉颗粒和多个第二荧光粉颗粒，第一荧光粉颗粒的激发效率比第二荧光粉颗粒的激发效率低，第一荧光粉颗粒的密度大于封装层的密度，第二荧光粉颗粒的密度等于或小于封装层的密度，第一荧光粉颗粒位于封装层底部且靠近该发光二极管芯片，第二荧光粉颗粒位于封装层顶部。
在本发明的发光二极管中，由于第一荧光粉颗粒的密度大于封装层的密度，在封装层固化前，激发效率较高的第二荧光粉颗粒留在封装层顶部，激发效率较低的第一荧光粉颗粒向下沉降位于封装层底部且靠近该发光二极管芯片，提升了第一荧光粉颗粒被发光二极管芯片激发的机率，从而使发光二极管的出光效果较佳。
附图说明
图1是本发明一实施例的发光二极管的示意图。
图2是图1中所示的发光二极管的第一荧光粉颗粒的结构示意图。
图3是图1中所示的发光二极管的第二荧光粉颗粒的结构示意图。
主要元件符号说明
发光二极管 100
发光二极管芯片 10
封装层 20
第一荧光粉颗粒 30
第二荧光粉颗粒 40
荧光粉本体 32、42
覆盖层 34、44
空气层 46
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
如图1所示，本发明一实施例的发光二极管100包括一发光二极管芯片10、封装该发光二极管芯片10的一封装层20及设置在该封装层20内的多个第一荧光粉颗粒30和多个第二荧光粉颗粒40。
第一荧光粉颗粒30的激发效率比第二荧光粉颗粒40的激发效率低。在这里，荧光粉的激发效率的比较是指荧光粉距离光源相同距离时被光源激发的机率的比较。第一荧光粉颗粒30及第二荧光粉颗粒40均呈球形且体积大致相同。第一荧光粉颗粒30的密度大于封装层20的密度，第二荧光粉颗粒40的密度等于或小于封装层20的密度。在封装层20固化前，第一荧光粉颗粒30向下沉降位于封装层20底部且靠近该发光二极管芯片10，第二荧光粉颗粒40则位于封装层20顶部，从而形成位于封装层20底部的第一荧光粉层及位于封装层20顶部且覆盖该第一荧光粉层的第二荧光粉层。
在本实施例中，第一荧光粉颗粒30为氮化物红色荧光粉，第二荧光粉颗粒40为氮氧化物绿色荧光粉。该封装层20由硅胶（silicone）或环氧树脂（epoxy resin）制成。
请同时参照图2，每个第一荧光粉颗粒30包括一荧光粉本体32及包覆该荧光粉本体32的一透明覆盖层34。该覆盖层34与该荧光粉本体32的外表面相抵靠。通过第一荧光粉颗粒30上的覆盖层34，可使激发光产生散射效果，从而提升第一荧光粉颗粒30的激发机率。
请同时参照图3，每个第二荧光粉颗粒40包括一荧光粉本体42及包覆该荧光粉本体42的一透明覆盖层44。该覆盖层44与该荧光粉本体42的外表面不直接接触，在覆盖层44与荧光粉本体42之间形成一空气层46。
第一荧光粉颗粒30的覆盖层34的厚度远大于第二荧光粉颗粒40的覆盖层44的厚度，第二荧光粉颗粒40的空气层46的厚度大致等于第一荧光粉颗粒30的覆盖层34的厚度，从而使第一荧光粉颗粒30的密度大于第二荧光粉颗粒40的密度。因此，第一荧光粉颗粒30的覆盖层34增加了第一荧光粉颗粒30的密度及重量，使激发效率较低的第一荧光粉颗粒30向下沉降到封装层20底部靠近该发光二极管芯片10，从而提升了第一荧光粉颗粒30被发光二极管芯片10激发的机率。在本实施例中，覆盖层34、44的材料为二氧化硅（SiO2）。
在本发明的发光二极管 100中，由于第一荧光粉颗粒30的密度大于封装层20的密度，在封装层20固化前，激发效率较高的第二荧光粉颗粒40留在封装层20顶部，激发效率较低的第一荧光粉颗粒30向下沉降位于封装层20底部且靠近该发光二极管芯片10，提升了第一荧光粉颗粒30被发光二极管芯片10激发的机率，从而使发光二极管 100的出光效果较佳。

Claims (9)

1.一种发光二极管，包括发光二极管芯片、封装该发光二极管芯片的封装层及设置在该封装层内的多个第一荧光粉颗粒和多个第二荧光粉颗粒，其特征在于：第一荧光粉颗粒的激发效率比第二荧光粉颗粒的激发效率低，第一荧光粉颗粒的密度大于封装层的密度，第二荧光粉颗粒的密度等于或小于封装层的密度，第一荧光粉颗粒位于封装层底部且靠近该发光二极管芯片，第二荧光粉颗粒位于封装层顶部。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一荧光粉颗粒为氮化物红色荧光粉，所述第二荧光粉颗粒为氮氧化物绿色荧光粉。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该封装层由硅胶或环氧树脂制成。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：每个第一荧光粉颗粒包括一荧光粉本体及包覆该荧光粉本体的一透明覆盖层。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：第一荧光粉颗粒的覆盖层与荧光粉本体的外表面相贴合。
6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：每个第二荧光粉颗粒包括一荧光粉本体及包覆该荧光粉本体的一透明覆盖层。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第二荧光粉颗粒的覆盖层与荧光粉本体相间隔设置，该第二荧光粉颗粒的覆盖层与荧光粉本体之间进一步形成有一空气层。
8.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：第一荧光粉颗粒的覆盖层的厚度大于第二荧光粉颗粒的覆盖层的厚度。
9.如权利要求4或6所述的发光二极管，其特征在于：覆盖层的材料为二氧化硅。
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