CN102656669A - 具有旋转式遮光器的脱气腔室的uv灯总成 - Google Patents

具有旋转式遮光器的脱气腔室的uv灯总成 Download PDF

Info

Publication number
CN102656669A
CN102656669A CN2010800574542A CN201080057454A CN102656669A CN 102656669 A CN102656669 A CN 102656669A CN 2010800574542 A CN2010800574542 A CN 2010800574542A CN 201080057454 A CN201080057454 A CN 201080057454A CN 102656669 A CN102656669 A CN 102656669A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rotary shutter
lamp
lamp assembly
degassing chamber
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800574542A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102656669B (zh
Inventor
威廉·T·哈特
弗雷德·丹尼斯·埃格雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN102656669A publication Critical patent/CN102656669A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102656669B publication Critical patent/CN102656669B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Water Treatments (AREA)

Abstract

具有旋转式遮光器的UV灯总成，每个旋转式遮光器具有有反射凹面的凹壁。旋转式遮光器可在打开位置和关闭位置之间共同地旋转。在打开位置，旋转式遮光器不阻挡UV灯的UV光线离开UV灯总成，而在关闭位置，旋转式遮光器阻挡UV光线离开UV灯总成。

Description

具有旋转式遮光器的脱气腔室的UV灯总成
背景技术
在半导体衬底的等离子体处理过程中，其中半导体衬底被暴露于含卤素的工艺气体中，所述工艺气体的残余物会残留在半导体衬底的表面上。这样的残余物会导致下游处理阶段中的半导体衬底中的瑕疵，且会污染处理管道中的其他半导体衬底。因此，期望从脱气腔室中的半导体衬底移除这样的残余物。
发明内容
包括多个平行UV灯和旋转式遮光器的脱气腔室的UV灯总成，每个旋转式遮光器包括包围UV灯的凹壁和自所述凹壁的纵向边缘向外延伸的两个法兰，所述旋转式遮光器被配置为在打开位置和关闭位置之间旋转，其中处于打开位置的所述旋转式遮光器被布置于所述UV灯上方以便不阻挡所述UV灯的UV光线进入所述脱气腔室；且处于关闭位置的所述旋转式遮光器被布置于所述UV灯下方以便阻挡所述UV灯的UV光线进入所述脱气腔室，在所述关闭位置，相邻旋转式遮光器的所述法兰重叠以防止UV光线泄漏。
附图说明
图1示出了包括UV灯总成的脱气腔室的示意性横截面。
图2a示出了旋转式遮光器的透视图。
图2b示出了图2a中的旋转式遮光器的端部的放大顶视图。
图3示出了图1的UV灯总成的示意性横截面，其中旋转式遮光器处于打开位置。
图4示出了图1的UV灯总成的示意性横截面，其中旋转式遮光器处于关闭位置。
图5a示出了UV灯总成的透视图，其中旋转式遮光器处于打开位置。
图5b示出了UV灯总成的透视图，其中旋转式遮光器处于关闭位置。
图6示出了根据一实施方式的UV灯总成的局部分解图。
图7示出了根据另一实施方式的UV灯总成的局部分解图。
图8示出了图7的UV灯总成的透视图，其中旋转式遮光器处于关闭位置。
图9示出了图7的UV灯总成的透视图，其中旋转式遮光器处于打开位置。
具体实施方式
图1示出了示例性脱气腔室100的示意性横截面。脱气腔室100包括由诸如铝等金属材料制成的室壁10。石英窗30被多个夹具40固定于室壁10的顶部。石英窗30优选地由合成石英制成，由于合成石英的UV光线高透射率。合成石英通常在热压罐中经热液工艺被解开（untwine）和生产。石英窗30和室壁10之间的连续O型环35提供真空密封。UV灯总成80被设置在石英窗30上方，中间优选地有间隙。真空泵60与脱气腔室100通过排气口相连接，所述排气口可被阀65关闭。气体源70与脱气腔室100通过输气管道相连接，所述输气管道可被另一阀75关闭。
石英窗30被配置为安装在脱气腔室100的顶部上，其中，来自UV灯总成80的UV光线被传播通过石英窗30，同时，诸如臭氧或氧气之类的气体流入脱气腔室100，以从被支撑于脱气腔室100中的诸如300mm晶片等半导体衬底50上移除诸如蚀刻副产品之类的含卤素的残余物。石英窗30的细节在共同转让的美国专利申请12/607,659中被公开，在此将其作为参考引入。但是，UV灯总成80能以不同于图1中所示的方式和脱气腔室系统一起被使用。
参考图1，在脱气腔室100中的处理过程中，半导体衬底50通过室壁10中的加载门20被移动并被放置于多个衬底支撑销（support pin）55上。脱气腔室100被真空泵60排空且来自气体源70的臭氧或氧气流入脱气腔室100。脱气腔室100中的气压优选地维持在10mTorr到10Torr。UV灯总成80用UV光线（优选波长254nm且强度在0.05到5W/cm2之间的）穿过石英窗30照射半导体衬底50达10钞到1分钟的时间。臭氧或氧气吸收UV光线并分解为O自由基（原子氧），O自由基与半导体衬底50上的含卤素的残余物起反应。反应产物是气态的并被真空泵60排出脱气腔室100。
在输送半导体衬底50进出脱气腔室100的过程中，期望防止UV灯总成80的UV光线逸出脱气腔室100，以保护附近的人类操作员以及设备。但是，为了使处理衬底时的延迟减到最少以及为了防止UV灯85的过早损坏，期望UV灯总成80中的UV灯85保持上电状态而不是在每个衬底输送过程中被开和关。
UV灯总成80包括旋转式遮光器90，旋转式遮光器90可被旋转到关闭位置以在脱气腔室100中不需要UV灯时（比如在输送衬底50进出脱气腔室100的过程中）阻挡来自UV灯85的UV光线。当来自UV灯85的UV光线被脱气工艺需要时，UV灯总成80中的旋转式遮光器90可被旋转到打开位置并允许UV光线到达脱气腔室100中的衬底50。
图2a示出了根据一实施方式的旋转式遮光器90的透视图。旋转式遮光器90包括凹（例如，半圆柱形、半棱柱形）壁95和沿着凹壁95的纵向边缘向外延伸的两个优选共面的法兰93和94。法兰93和94优选地具有大约0.07到0.09英寸的宽度。旋转式遮光器90由不透UV光线的材料制成，比如铝。凹壁95的凹面91优选地是反射面（比如抛光的裸露铝表面）。脱气腔室100暴露于UV灯总成80的UV光线的内表面优选地被制成
Figure BDA00001778059000041
黑的（例如通过铝表面上的阳极处理）以减少UV光线的不期望的反射。
优选地，法兰93和94不到凹壁95的末端以在纵向上提供离凹壁95的每个末端边缘至少大约0.1英寸的间隙，这允许凹壁95被接收在支撑构件的沟槽中。图2b示出了旋转式遮光器90的端部的放大顶视图。
图3示出了根据一实施方式的UV灯总成80的横截面示意图，其中旋转式遮光器90处于打开位置。UV灯总成80包括设置为彼此平行的多个UV灯85。UV灯85可被布置为互相平行且优选地覆盖石英窗30的大体上整个区域以实现该腔室中的衬底上方的均匀的UV光线强度。UV灯85可具有与覆盖石英窗30相比所需长度相同或不同的长度。一个旋转式遮光器90包围一个UV灯85。每个UV灯85可具有管状、双管状或其他合适的形状。在打开位置，旋转式遮光器90被布置在UV灯85上方而来自UV灯85的UV光线可直接穿过石英窗30进入脱气腔室100。每个旋转式遮光器90的凹面91向下反射UV光线以增加UV光线的强度和均匀度。旋转式遮光器90在脱气工艺过程中被维持在打开位置。
图4示出了根据一实施方式的UV灯总成80的横截面示意图，其中旋转式遮光器90处于关闭位置。在关闭位置，旋转式遮光器90被布置在UV灯85下方并阻挡来自UV灯85的UV光线的很大一部分（优选地大于99%）穿过所述窗30。在关闭位置，一个旋转式遮光器90的法兰93的下侧面与相邻旋转式遮光器的法兰94的上侧面重叠优选大约0.03到0.05英寸，更优选地大约0.04英寸以使UV光线的泄漏减到最少。
通过围绕UV灯85同时旋转所有的旋转式遮光器90大约180°，可将旋转式遮光器90从打开位置旋转到关闭位置。通过按相反方向同时旋转所有的旋转式遮光器90大约180°，可将旋转式遮光器90从关闭位置旋转到打开位置。
旋转式遮光器90可在打开位置和关闭位置之间被任何合适的装置驱动。当旋转式遮光器90从关闭位置移动到打开位置时，UV灯85优选地保持固定且不旋转。对于双管状UV灯85来说，最外面的UV灯85a可以是有角度的以便将双管中的一者置为较靠近石英窗30且将双管中的另一者置为较远离石英窗30。
图5a示出了包括设置为彼此平行的6个UV灯85的示例性UV灯总成80的透视图。旋转式遮光器90处于打开位置。UV灯85可以是任何管状UV灯，比如White-Rodgers UVP-06207Germicidal UV灯。两个最外面的UV灯85a在长度上可以更短以适应特定形状的石英窗30（未图示）。例如，最外面的灯可延伸为它们之间的其他四个灯的长度的30-90%。
图5b示出了图5a的UV灯总成80的透视图，其中旋转式遮光器90处于关闭位置。
图6示出了根据一实施方式的UV灯总成80。旋转式遮光器90的一端被附着（粘附、系结、焊接，等等）到可旋转环形遮光器支撑件601的较小外径表面601a而遮光器90的相对端被附着到有柄的遮光器支撑件602的外部周界602a。遮光器支撑件601的较大外径表面601b被可旋转地安装在支承块603的内表面中的圆柱形凹槽（未图示）中，支承块603包括多个横向间隔开的安装孔603a以固定地支撑一系列平行的UV灯85。具有中心孔605a的凸缘轴承605被安装在布置为与支承块603平行且间隔开的支承块604中的多个横向间隔开的孔604a中的一者中。有柄的遮光器支撑件602的柄602b被可旋转地支撑在凸缘轴承605的中心孔605a中。UV灯85被设置为穿过支承块603中的安装孔603a并通过遮光器支撑件601的中心。所述灯85的相对端被支撑销608的一个轴端所支撑。支撑销608具有被可旋转地支撑于有柄的遮光器支撑件602的中心孔602c中的柄。利用该安装装置，每个UV灯85保持固定而同时旋转式遮光器90在打开位置和关闭位置之间旋转。电气插口620被连接到UV灯85以为其提供电源。柄602b被附着到位于支承块604的外表面上的传动皮带轮606且传动皮带轮606的外表面啮合传动皮带（未图示）。所述传动皮带被适当的驱动装置来回移动使得传动皮带轮606通过传动皮带的移动影响有柄的遮光器支撑件602的旋转以将遮光器旋转到打开位置和关闭位置。支承块603和凸缘轴承605可由诸如之类的耐热聚合物材料制成。支承块604和遮光器支撑件602可由诸如铝之类的金属材料制成。
在如图7-9中所示的另一实施方式中，每个UV灯85的一端具有电气连接用于从插口620接收电。所述端通过由
Figure BDA00001778059000062
制成的插口板651中的多个横向间隔开的孔661中的一者被支撑。UV灯85的另一端被由
Figure BDA00001778059000063
制成的有柄的支撑销653支撑。对于双管状UV灯来说，销653包括具有与该双管状UV灯的外表面配对的曲面的配件。包围UV灯85的旋转式遮光器90被附着到由
Figure BDA00001778059000064
制成的环形轴承652以及具有柄655b和中心孔655a的驱动轴（spindle）655。UV灯85穿过轴承652的中心孔且轴承652被可旋转地安装在插口板651的内表面中的圆柱形凹槽中。具有中心孔656a的凸缘轴承656被安装在布置为与插口板651平行的支撑板654中的多个横向间隔开的孔662中的一者中。驱动轴655的柄655b延伸穿过并被可旋转地安装在凸缘轴承656的中心孔656a中。有柄的支撑销653的柄653a被可旋转地支撑在驱动轴655的中心孔655a中。
参考图8-9，悬臂式驱动臂657被固定地附着于支撑板654的外表面向外的每个驱动轴655的柄655b。驱动臂657的端部被可旋转地附着于横向来回移动以按顺时针方向和逆时针方向同时旋转驱动臂657从而打开和关闭旋转式遮光器的横向伸展臂连杆672的垂直臂。臂连杆672具有可旋转地附着于旋转式致动器680的旋转臂681的一端的垂直致动臂671，旋转式致动器680在横向偏移位置之间旋转旋转臂681。旋转式致动器680可操作来驱动臂连杆672使得臂连杆672的端673啮合两个停止件（在图8、9中分别示出）。在每个停止件，臂连杆672的端673触发位置开关670，位置开关670发信号通知旋转式致动器680停止旋转并防止过度驱动臂连杆672。
虽然参考具体实施方式对UV灯总成和旋转式遮光器进行了详细描述，但是对本领域技术人员来说，显然可以有各种变化和修改，还可以采用等同实施方式，而不会背离所附权利要求书的保护范围。例如，UV灯可被其他类型的灯替代。

Claims (11)

1.用于脱气腔室的UV灯总成，包括多个平行UV灯和旋转式遮光器，每个旋转式遮光器包括包围UV灯的凹壁和自所述凹壁的纵向边缘向外延伸的两个法兰，所述旋转式遮光器被配置为在打开位置和关闭位置之间旋转，其中处于所述打开位置的所述旋转式遮光器被布置于所述UV灯上方以便不阻挡所述UV灯的UV光线进入所述脱气腔室；且处于所述关闭位置的所述旋转式遮光器被布置于所述UV灯下方以便阻挡所述UV灯的UV光线进入所述脱气腔室，在所述关闭位置，相邻旋转式遮光器的所述法兰重叠以防止UV光线泄漏。
2.如权利要求1所述的UV灯总成，其中所述凹壁的凹面是反射面。
3.如权利要求1所述的UV灯总成，其中所述凹壁是半圆柱形的。
4.如权利要求1所述的UV灯总成，其中每个旋转式遮光器的所述法兰是共面的；具有大约0.07到0.09英寸的宽度；且所述法兰的纵向末端离所述凹壁的纵向末端空出至少大约0.1英寸。
5.如权利要求1所述的UV灯总成，其中每个旋转式遮光器的所述法兰与相邻旋转式遮光器的所述法兰在关闭位置重叠大约0.03到0.05英寸。
6.如权利要求1所述的UV灯总成，进一步包括：
具有用于每个旋转式遮光器的孔的支撑块；
具有用于每个旋转式遮光器的柄的轴；
驱动装置；以及
其中：
所述旋转式遮光器被附着到所述轴；
所述轴的所述柄被可旋转地支撑在所述支撑块的所述孔中；以及
所述轴的所述柄被所述驱动装置驱动使得附着的所述旋转式遮光器在所述打开和关闭位置是可旋转的。
7.如权利要求1所述的UV灯总成，其中每个UV灯包括绑在一起的成对的平行的圆柱形管。
8.如权利要求1所述的UV灯总成，包括具有第一长度的四个UV灯和具有比所述第一长度短至少10%的第二长度的两个UV灯，所述四个较长长度的灯位于所述两个较短长度的灯之间，六个所述灯上的所述旋转式遮光器同时被操作。
9.包括如权利要求1所述的UV灯总成的脱气腔室。
10.如权利要求9所述的脱气腔室，其中所述脱气腔室暴露于所述UV灯总成的UV光线的内表面被制成黑的以减少UV光线的反射。
11.使用如权利要求9所述的脱气腔室处理半导体衬底的方法，包括：
将所述旋转式遮光器旋转到所述关闭位置；
将半导体衬底输送到所述脱气腔室中；
将所述旋转式遮光器旋转到所述打开位置；
将臭氧或氧气供应到所述脱气腔室中，同时将所述腔室中的真空压强维持在10mTorr到10Torr；
通过用UV光线穿过石英窗照射所述脱气腔室中的所述臭氧或氧气产生O自由基；
通过与所述O自由基的反应移除所述半导体衬底上的含卤素的残余物；
将所述旋转式遮光器旋转到所述关闭位置；
从所述脱气腔室移除所述半导体衬底。
CN201080057454.2A 2009-12-17 2010-12-06 具有旋转式遮光器的脱气腔室的uv灯总成 Active CN102656669B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/640,910 US8584612B2 (en) 2009-12-17 2009-12-17 UV lamp assembly of degas chamber having rotary shutters
US12/640,910 2009-12-17
PCT/US2010/003090 WO2011084126A2 (en) 2009-12-17 2010-12-06 Uv lamp assembly of degas chamber having rotary shutters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102656669A true CN102656669A (zh) 2012-09-05
CN102656669B CN102656669B (zh) 2015-02-04

Family

ID=44149364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080057454.2A Active CN102656669B (zh) 2009-12-17 2010-12-06 具有旋转式遮光器的脱气腔室的uv灯总成

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8584612B2 (zh)
JP (1) JP5726897B2 (zh)
KR (1) KR101719389B1 (zh)
CN (1) CN102656669B (zh)
SG (1) SG181778A1 (zh)
TW (1) TWI524449B (zh)
WO (1) WO2011084126A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733274A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室及等离子体加工设备
CN112735994A (zh) * 2021-04-06 2021-04-30 亚电科技南京有限公司 基于加热干燥机构的半导体晶圆的清洗装置及清洗方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005003802A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Nütro Maschinen- und Anlagenbau GmbH & Co. KG Strahlungsgerät sowie Pulverauftragsstation und Anordnung zur Beschichtung von temperatursensiblen Materialien und Verfahren hierzu
US8603292B2 (en) * 2009-10-28 2013-12-10 Lam Research Corporation Quartz window for a degas chamber
US8492736B2 (en) * 2010-06-09 2013-07-23 Lam Research Corporation Ozone plenum as UV shutter or tunable UV filter for cleaning semiconductor substrates
JP5934665B2 (ja) * 2013-02-22 2016-06-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜システム
US20150087220A1 (en) * 2013-09-23 2015-03-26 Vinylast, Inc. Barrel-style coil-actuated vent
CN103962346B (zh) * 2014-05-21 2016-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 可调整紫外光照射能量的紫外光清洗基板的方法
CN104624568B (zh) * 2014-12-18 2016-07-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种清洗设备
US9370600B1 (en) * 2014-12-22 2016-06-21 Elevated Health System, LLC Ultraviolet light germicidal sanitizing system ulitilizing various room sanitizing modes
EP3237857B1 (en) * 2014-12-22 2023-06-14 Elevated Health Systems, LLC Ultraviolet light germicidal sanitizing system
US10240236B2 (en) * 2015-03-06 2019-03-26 Lam Research Corporation Clean resistant windows for ultraviolet thermal processing
WO2018052477A2 (en) 2016-09-15 2018-03-22 Applied Materials, Inc. An integrated method for wafer outgassing reduction
US10332739B2 (en) 2016-09-16 2019-06-25 Applied Materials, Inc. UV radiation system and method for arsenic outgassing control in sub 7nm CMOS fabrication
CN107871681B (zh) * 2016-09-27 2019-10-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种去气腔室和半导体处理装置
JP6899217B2 (ja) 2016-12-28 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム
CA3049997A1 (en) 2017-01-12 2018-07-19 UD Innovations, LLC Fixed position hybrid germicidal irradiation apparatus, method, and system
EP3568165A4 (en) 2017-01-12 2021-01-13 UD Innovations, LLC PORTABLE UV-C DISINFECTING DEVICE, PROCEDURE AND SYSTEM
CA3050717A1 (en) 2017-02-03 2018-08-09 UD Innovations, LLC Apparatus and method for reducing dosage time in uv-c germicidal irradiation
JP2020038931A (ja) 2018-09-05 2020-03-12 キオクシア株式会社 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法
US11348784B2 (en) 2019-08-12 2022-05-31 Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Enhanced ignition in inductively coupled plasmas for workpiece processing
KR20210028910A (ko) * 2019-09-05 2021-03-15 삼성전자주식회사 자외선 조사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
US11430671B2 (en) * 2020-07-30 2022-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ozone wafer cleaning module having an ultraviolet lamp module with rotatable reflectors
KR20230118174A (ko) * 2020-12-22 2023-08-10 매슨 테크놀로지 인크 진공 어닐링 반사기 제어를 갖는 워크피스 프로세싱 장치
WO2023011923A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-09 Signify Holding B.V. Disinfecting luminaire using switchable mirrors
US20230343615A1 (en) * 2022-04-22 2023-10-26 Applied Materials, Inc. In-situ low temperature measurement of low emissivity substrates

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2497676A (en) * 1946-03-27 1950-02-14 Ralph W Lashells Infrared ray equipment
US4005135A (en) * 1975-04-07 1977-01-25 Sun Chemical Corporation Rotatable ultraviolet lamp reflector and heat sink
US4010374A (en) * 1975-06-02 1977-03-01 Ppg Industries, Inc. Ultraviolet light processor and method of exposing surfaces to ultraviolet light
US4025795A (en) * 1975-05-27 1977-05-24 Ppg Industries, Inc. Ultraviolet light processor having rotating shutters
US5983827A (en) * 1997-05-06 1999-11-16 Delco Electronics Corporation Tip to tail illuminated pointer assembly
US20020100878A1 (en) * 2001-01-26 2002-08-01 Summers George Robert Quick-install irradiation unit and method of making same
US6497734B1 (en) * 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
US20040037081A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Miltec Corporation Shutter for use with a light source
CN1539161A (zh) * 2001-08-06 2004-10-20 ���Ͽع����޹�˾ 处理一种如半导体晶片的工件的方法和设备
CN1879001A (zh) * 2003-11-12 2006-12-13 马特森技术公司 辐射罩
US20070252500A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Ranish Joseph M Substrate processing chamber with dielectric barrier discharge lamp assembly

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2560808A (en) * 1948-11-26 1951-07-17 James C Maccallum Germicidal hair drier or the like
US3733709A (en) * 1971-05-06 1973-05-22 Sun Chemical Corp Reflector and cooling means therefor
US3894343A (en) * 1972-06-15 1975-07-15 Thermogenics Of New York Ink curing and drying apparatus
US3819929A (en) * 1973-06-08 1974-06-25 Canrad Precision Ind Inc Ultraviolet lamp housing
US3836751A (en) * 1973-07-26 1974-09-17 Applied Materials Inc Temperature controlled profiling heater
CH586666A5 (zh) * 1973-09-11 1977-04-15 Ciba Geigy Ag
US3967385A (en) * 1974-08-26 1976-07-06 National-Standard Company, Wagner-Litho Machinery Division Utilization of heat pipes for cooling radiation curing systems
US4015340A (en) * 1975-08-20 1977-04-05 Tec Systems, Inc. Ultraviolet drying apparatus
US4049987A (en) * 1976-06-04 1977-09-20 The Perkin-Elmer Corporation Ozone absorbance controller
US4319125A (en) * 1979-07-20 1982-03-09 Prince Fred J Infra-red radiant heater system
JPS63244741A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Toshiba Electric Equip Corp 有機化合物分解装置
JPH0228322A (ja) * 1988-04-28 1990-01-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の前処理方法
JP2732450B2 (ja) * 1988-09-14 1998-03-30 ウシオ電機株式会社 光照射器
US5262902A (en) * 1990-06-28 1993-11-16 Ebara Corporation Filter for a low-pressure mercury vapor lamp
JPH04239131A (ja) * 1991-01-11 1992-08-27 Ebara Res Co Ltd ウエハの清浄方法及び装置
US6012304A (en) * 1991-09-30 2000-01-11 Loxley; Ted A. Sintered quartz glass products and methods for making same
JPH0620938A (ja) * 1992-06-30 1994-01-28 Kawasaki Steel Corp 半導体基板の急速熱酸化装置
JP2511393B2 (ja) * 1992-09-15 1996-06-26 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング メタルハライドランプ
JP3367167B2 (ja) * 1993-10-26 2003-01-14 株式会社ニコン 照明光学装置、該装置に使用される放電ランプ、及び露光装置
US6015503A (en) * 1994-06-14 2000-01-18 Fsi International, Inc. Method and apparatus for surface conditioning
JPH0864559A (ja) * 1994-06-14 1996-03-08 Fsi Internatl Inc 基板面から不要な物質を除去する方法
US5534107A (en) * 1994-06-14 1996-07-09 Fsi International UV-enhanced dry stripping of silicon nitride films
US6355587B1 (en) * 1994-06-30 2002-03-12 Ted A. Loxley Quartz glass products and methods for making same
WO1996033872A1 (de) * 1995-04-27 1996-10-31 Metronic-Gerätebau Gmbh & Co. Verfahren und vorrichtung zum härten von uv-druckfarben
KR100363846B1 (ko) 1995-12-23 2003-02-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의감광막제거방법
US5781693A (en) * 1996-07-24 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween
US5788940A (en) * 1996-10-23 1998-08-04 Tetra Laval Holdings & Finance Sa Method and apparatus for sterilizing cartons through ultraviolet irradiation
US5922219A (en) * 1996-10-31 1999-07-13 Fsi International, Inc. UV/halogen treatment for dry oxide etching
US6065481A (en) * 1997-03-26 2000-05-23 Fsi International, Inc. Direct vapor delivery of enabling chemical for enhanced HF etch process performance
JPH10289890A (ja) * 1997-04-15 1998-10-27 Samuko Internatl Kenkyusho:Kk 半導体製造装置及び基板クリーニング装置
US6393211B1 (en) * 1997-04-28 2002-05-21 Les Importations Dmd Inc. Heat radiator assembly
US5861633A (en) * 1997-08-04 1999-01-19 Con-Trol-Cure, Inc. Irradiator apparatus
US6465374B1 (en) * 1997-10-21 2002-10-15 Fsi International, Inc. Method of surface preparation
US6015759A (en) * 1997-12-08 2000-01-18 Quester Technology, Inc. Surface modification of semiconductors using electromagnetic radiation
US6187133B1 (en) * 1998-05-29 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Gas manifold for uniform gas distribution and photochemistry
US6191428B1 (en) * 1998-06-30 2001-02-20 Joseph J. Gilberti Ultraviolet shutter
US6228173B1 (en) * 1998-10-12 2001-05-08 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-treating apparatus for semiconductor process system
US6156079A (en) * 1998-10-21 2000-12-05 Ho; Henry Window support member for a semiconductor processing system
US6465799B1 (en) * 1999-03-01 2002-10-15 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. UV radiation system having materials for selectively attenuating radiation
JP4540796B2 (ja) * 2000-04-21 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 石英ウインドウ、リフレクタ及び熱処理装置
JP2002016033A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd 基板ドライ洗浄装置及び基板ドライ洗浄方法
JP3468215B2 (ja) * 2000-08-08 2003-11-17 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプを使った処理装置
GR1003634B (el) * 2000-10-26 2001-07-30 Pilux & Danpex Ae Παραβολικο φωτιστικο φθορισμου ψευδοροφης και οροφης
US7081290B2 (en) * 2002-04-04 2006-07-25 Tosoh Corporation Quartz glass thermal sprayed parts and method for producing the same
JP4133062B2 (ja) * 2002-07-19 2008-08-13 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US6649921B1 (en) * 2002-08-19 2003-11-18 Fusion Uv Systems, Inc. Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation
US6832844B2 (en) * 2002-12-03 2004-12-21 Field Controls, L.L.C. Ultraviolet lamp assembly
US7374696B2 (en) * 2003-02-14 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing a halogen-containing residue
US20050268467A1 (en) * 2004-06-05 2005-12-08 Jackie Woods-Hunter Plant deleafing tool
KR200365992Y1 (ko) 2004-08-13 2004-10-28 (주)오엘케이 마크로 검사용 나트륨 램프의 셔터장치
US7365037B2 (en) * 2004-09-30 2008-04-29 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Quartz glass having excellent resistance against plasma corrosion and method for producing the same
US20060196525A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Vrtis Raymond N Method for removing a residue from a chamber
US7777198B2 (en) * 2005-05-09 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for exposing a substrate to a rotating irradiance pattern of UV radiation
US7566891B2 (en) * 2006-03-17 2009-07-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for treating a substrate with UV radiation using primary and secondary reflectors
US7909595B2 (en) * 2006-03-17 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using a reflector having both elliptical and parabolic reflective sections
US7692171B2 (en) * 2006-03-17 2010-04-06 Andrzei Kaszuba Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using asymmetric reflectors
JP4994074B2 (ja) * 2006-04-20 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置，基板洗浄方法，基板処理装置
WO2008073338A2 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 Air Motion Systems, Inc. Uv module
US20090045714A1 (en) * 2007-08-13 2009-02-19 Claeys Michael L Uv module shutter extrusion with internal cooling fins
US8603292B2 (en) * 2009-10-28 2013-12-10 Lam Research Corporation Quartz window for a degas chamber
US8492736B2 (en) * 2010-06-09 2013-07-23 Lam Research Corporation Ozone plenum as UV shutter or tunable UV filter for cleaning semiconductor substrates

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2497676A (en) * 1946-03-27 1950-02-14 Ralph W Lashells Infrared ray equipment
US4005135A (en) * 1975-04-07 1977-01-25 Sun Chemical Corporation Rotatable ultraviolet lamp reflector and heat sink
US4025795A (en) * 1975-05-27 1977-05-24 Ppg Industries, Inc. Ultraviolet light processor having rotating shutters
US4010374A (en) * 1975-06-02 1977-03-01 Ppg Industries, Inc. Ultraviolet light processor and method of exposing surfaces to ultraviolet light
US5983827A (en) * 1997-05-06 1999-11-16 Delco Electronics Corporation Tip to tail illuminated pointer assembly
US20020100878A1 (en) * 2001-01-26 2002-08-01 Summers George Robert Quick-install irradiation unit and method of making same
CN1539161A (zh) * 2001-08-06 2004-10-20 ���Ͽع����޹�˾ 处理一种如半导体晶片的工件的方法和设备
US6497734B1 (en) * 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
US20040037081A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Miltec Corporation Shutter for use with a light source
US6720566B2 (en) * 2002-08-20 2004-04-13 Miltec Corporation Shutter for use with a light source
CN1879001A (zh) * 2003-11-12 2006-12-13 马特森技术公司 辐射罩
US20070252500A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Ranish Joseph M Substrate processing chamber with dielectric barrier discharge lamp assembly

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733274A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室及等离子体加工设备
CN104733274B (zh) * 2013-12-19 2017-10-27 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及等离子体加工设备
CN112735994A (zh) * 2021-04-06 2021-04-30 亚电科技南京有限公司 基于加热干燥机构的半导体晶圆的清洗装置及清洗方法
CN112735994B (zh) * 2021-04-06 2021-06-04 亚电科技南京有限公司 基于加热干燥机构的半导体晶圆的清洗装置及清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110146705A1 (en) 2011-06-23
JP2013514658A (ja) 2013-04-25
JP5726897B2 (ja) 2015-06-03
SG181778A1 (en) 2012-07-30
WO2011084126A3 (en) 2011-11-03
US8584612B2 (en) 2013-11-19
TWI524449B (zh) 2016-03-01
WO2011084126A2 (en) 2011-07-14
KR20120102085A (ko) 2012-09-17
CN102656669B (zh) 2015-02-04
TW201142973A (en) 2011-12-01
KR101719389B1 (ko) 2017-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102656669B (zh) 具有旋转式遮光器的脱气腔室的uv灯总成
US6098637A (en) In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber
KR102302720B1 (ko) 저압 툴 교체를 허용하는 원자 층 증착 프로세싱 챔버
KR100257105B1 (ko) 성막 처리 장치
JP2840071B2 (ja) 処理装置及び方法
KR0145301B1 (ko) 에칭장치 및 에칭 방법
KR101619166B1 (ko) 기판의 세정·건조 처리 장치
US8864936B2 (en) Apparatus and method for processing substrate
WO2000070666A1 (fr) Technique de traitement et dispositif correspondant
CN108155082B (zh) 真空处理装置的运转方法
JP2008539564A (ja) 異なる環境での処理を可能とする基板処理プラットフォーム
JPH04226049A (ja) ウェーハ処理モジュールとウェーハ処理方法
JP2006292107A (ja) ゲートバルブ装置及び処理システム
JPH08111404A (ja) 大きい基板上のフィルム層をエッチングするための方法および装置
JPH11150071A (ja) 処理装置及びこれを用いた処理システム
KR20010109167A (ko) 반도체 처리용의 단일기판식 처리 장치
JP4701496B2 (ja) 処理方法及びその装置
CN116325119A (zh) 用于处理晶片状制品的装置
JP3069104B2 (ja) 処理装置
JP2007250796A (ja) リフタ及びリフタを備える被処理体の処理装置
JP2554857B2 (ja) アツシング装置
TWI751651B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR102645711B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101563505B1 (ko) 기판처리장치
JP4417023B2 (ja) 熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant