CN102597320B - 置换镀金液和接合部的形成方法 - Google Patents
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 122
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 121
- 239000010931 gold Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title abstract 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 103
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 claims abstract description 50
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 50
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- WOFVPNPAVMKHCX-UHFFFAOYSA-N N#C[Au](C#N)C#N Chemical class N#C[Au](C#N)C#N WOFVPNPAVMKHCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 68
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 61
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003109 Disodium ethylene diamine tetraacetate Substances 0.000 claims description 8
- 235000019301 disodium ethylene diamine tetraacetate Nutrition 0.000 claims description 8
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L copper(ii) bromide Chemical compound [Cu+2].[Br-].[Br-] QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 claims description 4
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 claims description 3
- RNMCCPMYXUKHAZ-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-diamino-1,2,2-tris(carboxymethyl)cyclohexyl]acetic acid Chemical compound NC1(N)CCCC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C1(CC(O)=O)CC(O)=O RNMCCPMYXUKHAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims description 3
- 229910021590 Copper(II) bromide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical group 0.000 claims description 2
- QYCVHILLJSYYBD-UHFFFAOYSA-L copper;oxalate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C([O-])=O QYCVHILLJSYYBD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- OVBJJZOQPCKUOR-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt dihydrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[O-]C(=O)C[NH+](CC([O-])=O)CC[NH+](CC([O-])=O)CC([O-])=O OVBJJZOQPCKUOR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 7
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminopropan-2-ol Chemical compound NCC(O)CN UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 210000000981 epithelium Anatomy 0.000 description 2
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007998 bicine buffer Substances 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 gold tricyanide compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- KZVLNAGYSAKYMG-UHFFFAOYSA-N pyridine-2-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=N1 KZVLNAGYSAKYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M sodium;9,10-dioxoanthracene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)[O-] SDKPSXWGRWWLKR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/1601—Process or apparatus
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/073—Displacement plating, substitution plating or immersion plating, e.g. for finish plating
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明提供一种在形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部时，能够实现均匀膜厚的置换镀金液和镀敷处理技术。本发明的置换镀金液，用于在由导电性金属构成的导体层上形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部，其特征在于，该置换镀金液含有氰化金盐、络合剂和铜化合物，置换镀金液中的络合剂与铜化合物的摩尔比为络合剂/铜离子＝1.0～500的范围，由络合剂和铜化合物形成的化合物在pH4～6下的稳定常数为8.5以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种置换镀金液，特别是，涉及一种为了通过焊锡、引线键合等进行接合而形成电子部件、半导体部件等的接合部的置换镀金处理技术。
背景技术
近年来，作为电子部件或半导体部件，有印刷电路基板、封装等各种形式。作为封装，可以举出引线框、BGA(Ball Grid Array，球栅阵列封装)、LGA(Land Grid Array，栅格阵列封装)、QFP(Quad Flat Package，四侧引脚扁平封装)、小型封装(Mini-mold Package)等。基于高密度安装的要求，上述封装日益向小型化、多脚化发展，且对其特性要求也日趋严格。
在上述电子部件或半导体部件中，一直以来，作为其接合材料采用焊锡或采用引线键合，并已被确立为将封装件安装在印刷布线板等印刷电路基板上时不可欠缺的接合技术。
关于该电子部件等的安装技术，当通过引线键合、焊锡等进行接合时，则在构成布线电路、焊盘、端子等的导电性金属表面上形成接合部。例如，已知有一种技术，其在铜等导电性金属表面进行镀镍、镀钯、镀金处理，形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部(参照专利文献1)。对该接合部而言，用非电解镍液在导电性金属的表面形成镍层，然后用非电解钯液形成钯层，进而用非电解镀金液形成金层。
作为形成该金层的非电解镀金液，例如，有人提出了一种置换镀金液，其含有：氰化金化合物、链烷磺酸、吡啶磺酸、羟基羧酸等羧酸以及磷酸盐(参照专利文献2)。另外，还已知一种置换型非电解镀液，其含有选自于由氰化金盐、分子内具有3个以上氮原子的π电子过量的芳香族杂环化合物、亚硫酸和亚磷酸以及它们的盐所组成的组中的至少一种缓冲剂(参照专利文献3)。
这些置换镀金液，是通过与基底金属之间的置换反应来析出金的镀液，当无法与基底金属发生适当的置换反应时，有时无法实现均匀的镀金处理。基于专利文献2的置换镀金液，能够以不过度腐蚀基底铜或镍原材料的方式实现均匀的镀金处理。并且，基于专利文献3的置换镀金液，能够抑制基底的镀镍膜中的晶界部的局部腐蚀而进行镀金处理。但是，对专利文献2或专利文献3的置换镀金液而言，由于存在抑制与基底金属的置换反应的倾向，因此有时得不到膜厚充分的镀金。
并且，依次层叠镍层、钯层、金层来形成的接合部，被指出存在问题，例如，当形成于不同面积大小的焊盘表面上时，金层的膜厚会产生大的偏差。以最近的印刷电路基板为例，作为用于形成接合部的焊盘，有边长0.1mm～3mm的大小各不相同的矩状焊盘，若在这种基板的焊盘表面形成接合部，则由于其镀敷面积的不同，导致在各焊盘上形成的金层膜厚中产生相当大的偏差。另外，在面积大的焊盘中，由置换镀金形成的镀膜存在变薄的趋势，因此，为了确保基板上所有焊盘在实用上的接合特性，使形成于面积大的焊盘上的接合部金层加厚。此时，在面积小的焊盘上会形成所需膜厚以上的镀金覆膜，也被指出导致制造成本的增加。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-8438号公报
专利文献2：日本特开2004-190093号公报
专利文献3：日本特许3948737号说明书
发明内容
发明要解决的课题
本发明是以上述情况作为背景而完成的，提供一种置换镀金处理技术，该技术作为电子部件等的安装技术，当形成设置在印刷布线板等印刷电路基板上的接合部时，具体而言，当形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部时，能够实现均匀的膜厚，并且，提供一种即使形成接合部的部分为具有不同面积大小的焊盘的基板，也可抑制在各焊盘上形成的接合部金层膜厚的偏差，能够实现厚度均匀的镀金覆膜的置换镀金处理技术。
解决课题的方法
为了解决上述课题，对依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部进行了精心研究，结果发现在钯层上进行置换镀金处理时，通过在置换镀金液中添加铜化合物，能够使所形成的置换镀金覆膜变得均匀，从而完成了本发明。
本发明的置换镀金液，用于在由导电性金属构成的导体层上形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部，其特征在于，该置换镀金液含有氰化金盐、络合剂和铜化合物，置换镀金液中的络合剂和铜化合物的摩尔比为络合剂/铜离子＝1.0～500的范围，由络合剂和铜化合物形成的化合物在pH4～6下的稳定常数为8.5以上。
置换镀金处理是通过与基底金属发生置换反应来析出金的处理，但根据本发明人的研究，在本发明的接合部中，位于钯层基底的镍有助于置换反应，并确认了根据形成钯层的镀钯膜的状态，与镍的置换反应的进程发生变化的事实。特别是，还发现了：当钯层的膜厚在0.5μm以下时，存在镀钯膜易形成为所谓的多孔状态(未完全覆盖整个镍层，局部有镍层露出)的趋势。即，根据形成接合部的钯层的覆盖状态，在置换镀金处理的置换反应中产生偏差，因此，推测难以形成均匀的镀金膜。于是，使用在含有氰化金盐和络合剂的置换镀金液中添加铜化合物而形成的置换镀金液，实施了置换镀金处理，其结果，能够形成厚度均匀的镀金膜。添加于置换镀金液中的铜化合物，认为能够使与镍的置换反应均匀地进行，并且认为：在作为钯层基底的镍层大量露出的部分，根据所添加的铜化合物促进其置换反应的作用，以及根据铜化合物通过与络合剂形成化合物而抑制过量析出的作用，能够形成均匀的镀金膜。
若络合剂和铜化合物的摩尔比为络合剂/铜离子＝1.0～500的范围，则溶液中的铜离子能够有效地控制金与镍的置换反应。若该摩尔比低于1.0，则有膜厚偏差加大的趋势；若超过500，虽然作为特性而言没有问题，但由于要添加所需量以上的药品，所以会导致制造成本的增加。并且，由于铜的离子化趋势低于镍，因此有可能发生与金的共析，为了抑制与金的共析，需要由络合剂与铜化合物形成的化合物在pH4～6下的稳定常数为8.5以上。另外，添加于置换镀金液中的铜化合物，优选以铜换算量计为2～200ppm的范围，更优选为5～100ppm的范围。若该铜换算量低于2ppm，虽然存在抑制所形成的镀金皮膜的厚度偏差的趋势，但金的析出速度大幅降低，制造工序中的筹备期(lead time)延长，导致制造成本的增加。另一方面，若超过200ppm，则金的析出加速，并会加大镀金皮膜厚度易产生偏差的趋势，而且由于要添加所需量以上的药品，因而会导致制造成本的增加。
作为本发明置换镀金液中的络合剂，优选为选自于由乙二胺四乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、二乙三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、1，3-二氨基-2-羟基丙烷四乙酸、环己二胺四乙酸、乙二胺二琥珀酸、或者它们的钠盐、钾盐或铵盐所组成的组中的至少一种以上。对这些络合剂而言，在pH4～6中由络合剂和铜化合物形成的化合物的稳定常数为8.5以上，易于形成均匀的镀金膜。
由络合剂与铜化合物形成的化合物在pH4～6的稳定常数，可以举出：在乙二胺四乙酸中为10.4～14.2，在羟乙基乙二胺三乙酸中为10.1～13.4，在二乙三胺五乙酸中为9.4～13.9，在丙二胺四乙酸中为9.0～13.0，在1，3-二氨基-2-羟基丙烷四乙酸中为8.7～12.7，在环己二胺四乙酸中为11.4～15.2，在乙二胺二琥珀酸中为10.0～13.7。此外，络合剂与铜化合物形成的化合物在pH4～6的稳定常数，简言之，能够通过将通常所知的络合剂的稳定常数乘以浓度分数(concentration fraction)来求出，所述浓度分数是使用络合剂的酸离解常数和pH值计算。当由络合剂与铜化合物形成具有上述稳定常数的化合物时，能够稳定地形成均匀的镀金膜。
根据络合剂的种类，也有pH4～6的稳定常数低于8.5的络合剂，但若使用该稳定常数低于8.5的络合剂，所形成的镀金膜厚度易产生偏差的趋势会增强。
本发明置换镀金液中的铜化合物，优选为选自于由氰化铜、硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、溴化铜、氰化铜钾、硫氰酸铜、乙二胺四乙酸二钠铜四水合物、焦磷酸铜、草酸铜所组成的组中的至少一种以上。这些铜化合物是供给铜离子的水溶性铜化合物。
在本发明的置换镀金液中，作为氰化金盐，可以使用氰化亚金钾、氰化金钾。特别优选为氰化亚金钾。作为氰化金盐的浓度，优选以换算成金属金的浓度为0.5～10g/L的范围，更优选为1～5g/L。若金浓度低于0.5g/L，则镀敷的进展变缓慢；若超过10g/L，则制造成本会增加，不实用。另外，在本发明的置换镀金液中，也可以添加公知的pH调节剂、缓冲剂等。
本发明的置换镀金液，在进行置换镀金处理时，优选置换镀金液的液温为70～95℃、pH4～6。若液温低于70℃，则镀敷的进展变缓慢；若超过95℃，则难以在生产线上实现。并且，对pH而言，若低于pH4，则水溶性金盐变得不稳定；若超过pH6，则镀敷的进展变缓慢。
并且，本发明涉及一种接合部的形成方法，所述接合部是在由导电性金属构成的导体层上依次层叠镍层、钯层、金层而成，其中，使用含有氰化金盐和络合剂并且添加有铜化合物的上述本发明的置换镀金液，并通过该置换镀金处理，形成所述金层。
基于本发明的接合部的形成方法，即使形成接合部的部分是具有不同面积大小的焊盘的基板，也可以抑制在各焊盘上形成的接合部金层膜厚的偏差，能够形成厚度均匀的镀金覆膜。若焊盘的面积不同，则各焊盘中钯层的覆盖状态会产生偏差，但基于本发明，即使对不同面积大小的焊盘，也能够形成厚度均匀的镀金覆膜。因此，可避免形成所需量以上膜厚的镀金膜，能够抑制制造成本。
在本发明接合部的形成方法中，优选设定钯层为0.05μm～0.5μm、金层为0.05μm～0.2μm。若钯层低于0.05μm，则防止镍层表面发生氧化的效果不充分，造成铜的扩散、镍的氧化和扩散等，有可能降低引线键合或无铅焊锡接合的特性。另一方面，若超过0.5μm，则施行焊锡接合时得不到良好的金属间化合物，成为接合特性降低的原因。另外，若金层低于0.05μm，则在引线键合时无法实现与金线之间良好的金-金接合并且接合特性降低。金层的上限值受限于经济上的因素，通常优选设定为0.2μm。
优选通过本发明的置换镀金液所形成的金层纯度在99质量％以上。若低于99质量％，则有时会降低接合的可靠性，因此优选金层纯度在99质量％以上。
在本发明接合部的形成方法中，对镍层的组成并没有特别限制，也可以适用镍-磷合金、镍-硼合金等。当采用镍-磷合金作为镍层时，优选含有3～10重量％的磷。另外，对镍层的形成方法也没有特别限制。该镍层的形成可采用公知的方法。作为镍层的形成方法，例如，可以采用非电解镀镍来施行。优选该镍层的膜厚为0.1～20μm，若低于0.1μm，则抑制基底金属的扩散的效果变低，无法提高接合的可靠性；即使超过20μm，抑制基底金属的扩散的效果也不会有进一步的提高，不经济，因而不优选。
对钯层而言，对其组成也没有特别限制，可以适用纯钯、钯-磷合金等。当采用钯-磷合金来形成钯层时，优选含有7重量％以下的磷。另外，钯层的形成可采用公知的方法。作为钯层的形成方法，例如，可以采用非电解镀钯来施行。
在本发明接合部的形成方法中，对形成接合部的导电性金属没有特别限制，可以适用铜或铜合金、钨、钼、铝等。
发明的效果
基于本发明，当形成设置于印刷布线板等印刷电路基板上的、依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部时，能够进行均匀膜厚的置换镀金处理。另外，即使形成接合部的部分是具有不同面积大小的焊盘的基板，也可抑制在各焊盘上形成的接合部金层膜厚的偏差，能够实现厚度均匀的镀金膜。
附图说明
图1是表示Pd膜厚与电流值之间关系的曲线图。
具体实施方式
下面，说明本发明的实施方式。
第一实施方式：在本实施方式中，使用乙二胺四乙酸二钠作为络合剂，并使用硫酸铜作为铜化合物，说明针对铜化合物的添加效果进行确认的结果。在该第一实施方式中，在形成有多个具有不同面积的焊盘的评价基板上，形成镍层、钯层，并施行置换镀金处理，测定各焊盘的镀金厚度并进行评价。置换镀金液的组成为如下所示。
针对铜化合物量为以铜换算浓度计为5ppm(实施例1)、20ppm(实施例2)、50ppm(实施例3)、80ppm(实施例4)、100ppm(实施例5)的各置换镀金液，以及作为比较用的以铜换算浓度计为0ppm(比较例1，不添加铜化合物而添加5ppm铊来代替)、以铜换算浓度计为500ppm(比较例2)的置换镀金液，进行了评价。
作为评价基板，采用了将市售的覆铜层压板的不需要的铜蚀刻去除后，用阻焊剂形成电路的基板。并且，在该评价基板上设置有多个边长为0.1mm～3.0mm的正方形焊盘。在该评价基板上，通过使用如下所示的非电解镍镀液、非电解镀钯液，在各焊盘表面依次层叠了镍层、钯层。
非电解镍镀液：
非电解镀钯液：
对所准备的评价基板，使用各置换镀金液(实施例1～5、比较例1、2)施行了目标镀金厚度为0.15μm(镀敷时间为20分钟)的置换镀金处理。并且，采用荧光X射线测定装置(SFT-9550，精工电子纳米科技株式会社(SIINanoTechnology Inc.)制造)，测定了正方形的各焊盘中的置换镀金的厚度。对测定厚度的焊盘而言，是针对焊盘之间相互独立(未被导通)且边长为0.4mm(No.1)、0.8mm(No.2)、3.0mm(No.3)以及通过电路焊盘相互之间被导通且边长为0.4mm(No.4)、0.8mm(No.5)、3.0mm(No.6)的6个部位进行测定。根据No.1～6的各焊盘的测定值，求出平均膜厚值和表示覆膜厚度均匀性的变动系数CV(Coefficient of variation)值(％)。将结果示于表1中。此外，表1的最左栏的数值，表示所测定的各焊盘的编号(No.)，各测定值的单位为μm。
表1
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | 比较例1 | 比较例2 | |
| 1 | 0.141 | 0.142 | 0.178 | 0.189 | 0.185 | 0.214 | 0.211 |
| 2 | 0.115 | 0.121 | 0.152 | 0.155 | 0.153 | 0.164 | 0.168 |
| 3 | 0.093 | 0.102 | 0.126 | 0.133 | 0.132 | 0.089 | 0.101 |
| 4 | 0.103 | 0.103 | 0.135 | 0.136 | 0.130 | 0.146 | 0.133 |
| 5 | 0.114 | 0.112 | 0.136 | 0.148 | 0.141 | 0.140 | 0.147 |
| 6 | 0.121 | 0.126 | 0.150 | 0.166 | 0.168 | 0.137 | 0.164 |
| 平均 | 0.11 | 0.12 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 |
| CV | 14.0 | 13.2 | 12.5 | 13.6 | 14.2 | 27.3 | 24.0 |
根据表1的结果可判明，在不添加铜化合物的比较例1中CV值为27.3％、存在非常大的偏差，但在实施例1～5中CV值为15％以下，提高了各焊盘镀金膜的膜厚均匀性。并且，根据比较例2的结果可知，若添加过多量的铜化合物，则膜厚均匀性有变差的趋势。
在此，说明在评价基板上所形成的钯层厚度与其覆盖状态之间关系的研究结果。研究方法是：在厚度为0.3mm、5cm×7cm的铜板上，施行厚度为6μm的镀镍覆盖，并在其镍表面上形成各厚度的镀钯膜以制作阳极，将该阳极板和作为阴极的Pt/Ti电极，以两极板对置的方式浸渍在1％柠檬酸溶液中，施加规定的电压，测定了10分钟后的电流值。对形成镀镍膜、镀钯膜的各镀液而言，与上述镀液相同。另外，通过调控镀敷时间来控制镀钯膜厚度。对钯(Pd)的膜厚而言，以0.2μm～3.0μm作为目标厚度来调节镀敷时间。将浸渍于1％柠檬酸溶液中并施加规定的电压负荷10分钟后电流值的测定结果，示于图1中。图1的横轴所示的Pd膜厚，为根据镀敷时间所求出的目标镀敷厚度值。
如图1所示，可确认：若钯的厚度成为0.5μm以下，则电流值趋向急剧上升。对该现象而言，当镀钯皮膜为0.5μm以下的薄膜时，所谓多孔的状态增多，即大量存在局部露出镍层的部分，从而与设置在钯层的下层的镍溶解析出量成比例而出现的现象。并且，认为通过该镍的溶解析出，进行金和镍的置换反应，从而在钯层上形成金层。因此，若钯厚度超过0.5μm，则镍得不到充分的溶解析出，呈现难以形成规定膜厚的金层的趋势。
第二实施方式：在本实施方式中，在使用乙二胺四乙酸二钠作为络合剂、使用硫酸铜作为铜化合物的情况下，针对其摩尔比的研究结果进行说明。
作为置换镀金液的组成，以上述实施例3(以铜换算量计为50ppm)为基准，改变乙二胺四乙酸二钠的添加量，从而调节了其摩尔比。针对如下置换镀金液进行其镀金厚度均匀性的评价：作为络合剂/铜离子的摩尔比为摩尔比1(实施例6)、摩尔比10(实施例7)、摩尔比50(实施例8)、摩尔比100(实施例9)、摩尔比200(实施例10)、摩尔比500(实施例11)的各置换镀金液，以及作为比较的摩尔比0(比较例3)、摩尔比0.95(比较例4)的置换镀金液。摩尔比以外的条件、即评价基板、镍层、钯层、膜厚测定等条件，则与上述第一实施方式相同。将通过各置换镀金液所形成的镀金厚度的测定结果示于表2中。
表2
| 实施例6 | 实施例7 | 实施例8 | 实施例9 | 实施例10 | 实施例11 | 比较例3 | 比较例4 | |
| 摩尔比 | 1 | 10 | 50 | 100 | 200 | 500 | 0 | 0.95 |
| 1 | 0.178 | 0.176 | 0.175 | 0.178 | 0.175 | 0.182 | 0.239 | 0.237 |
| 2 | 0.153 | 0.148 | 0.151 | 0.152 | 0.165 | 0.159 | 0.175 | 0.199 |
| 3 | 0.125 | 0.132 | 0.131 | 0.126 | 0.147 | 0.134 | 0.205 | 0.133 |
| 4 | 0.144 | 0.136 | 0.135 | 0.135 | 0.132 | 0.135 | 0.200 | 0.185 |
| 5 | 0.132 | 0.124 | 0.138 | 0.136 | 0.140 | 0.146 | 0.168 | 0.167 |
| 6 | 0.142 | 0.141 | 0.144 | 0.150 | 0.165 | 0.154 | 0.137 | 0.152 |
| 平均 | 0.15 | 0.14 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.15 | 0.19 | 0.18 |
| CV | 12.8 | 12.7 | 11.0 | 12.5 | 11.0 | 11.8 | 18.8 | 20.5 |
如表2所示可判明，若摩尔比低于1，则CV值超过15％、镀金膜的膜厚存在偏差；若摩尔比在1～500，则CV值为15％以下，提高了各焊盘镀金膜的膜厚均匀性。此外，若摩尔比超过500，则在溶解度的方面，镀液的制作变得困难。
第三实施方式：在本实施方式中，在使用硫酸铜作为铜化合物的情况下，针对由络合剂和铜化合物形成的化合物的稳定常数不同的络合剂的研究结果进行说明。
针对下述各置换镀金液进行了评价：作为所述各置换镀金液的组成，以上述实施例3(以铜换算量计为50ppm)为基准，作为由络合剂和铜化合物形成的化合物的稳定常数在pH4～6为8.5以上的络合剂，采用乙二胺四乙酸二钠(络合剂B、实施例12)、二乙三胺五乙酸(络合剂A、实施例13)、羟乙基乙二胺三乙酸(络合剂C、实施例14)的各置换镀金液；以及作为比较的在pH4～6的化合物稳定常数低于8.5的络合剂，采用次氮基三乙酸(nitrilotriacetic acid)(络合剂X、比较例5)、羟乙基亚氨基二乙酸(络合剂Y、比较例6)、二羟乙基甘氨酸(络合剂Z、比较例7)的各置换镀金液。另外，将各置换镀金液的络合剂/铜离子的摩尔比设为100。作为评价基板、镍层、钯层、膜厚测定等条件，与上述第一实施方式相同。将通过各置换镀金液所形成的镀金厚度的测定结果示于表3中。此外，在表3中，示出了由各络合剂和铜化合物形成的化合物在规定pH下的稳定常数。
表3
如表3所示，若在pH4～6的稳定常数低于8.5，则CV值超过20％、镀金膜的膜厚存在相当大的偏差。与此相比，已判明：若由络合剂和铜化合物形成的化合物稳定常数在pH4～6下为8.5以上，则CV值为15％以下，提高了各焊盘镀金膜的膜厚均匀性。
第四实施方式：在本实施方式中，针对作为络合剂使用乙二胺四乙酸二钠、并使用各种铜化合物时的结果进行说明。
针对下述各置换镀金液进行了评价：作为各置换镀金液的组成，以上述实施例3(以铜换算量计为50ppm)为基准，并作为铜化合物，采用硫酸铜(铜化合物a、实施例15)、氯化铜(铜化合物d、实施例16)、氰化铜(铜化合物b、实施例17)、乙二胺四乙酸二钠铜四水合物(铜化合物f、实施例18)的各置换镀金液。作为评价基板、镍层、钯层、膜厚测定等条件，与上述第一实施方式相同。将通过各置换镀金液形成的镀金厚度的测定结果示于表4中。
表4
| 实施例15 | 实施例16 | 实施例17 | 实施例18 | |
| 铜化合物 | a | d | b | f |
| 摩尔比 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 1 | 0.178 | 0.186 | 0.176 | 0.182 |
| 2 | 0.152 | 0.170 | 0.165 | 0.171 |
| 3 | 0.126 | 0.136 | 0.119 | 0.124 |
| 4 | 0.135 | 0.135 | 0.148 | 0.152 |
| 5 | 0.136 | 0.153 | 0.146 | 0.157 |
| 6 | 0.150 | 0.173 | 0.165 | 0.154 |
| 平均 | 0.15 | 0.16 | 0.15 | 0.16 |
| CV | 12.5 | 13.2 | 13.2 | 12.6 |
如表4所示已判明，在使用各种铜化合物的情况下，CV值为15％以下，各焊盘的镀金膜的膜厚均匀性高。
第五实施方式：在本实施方式中，针对将各种络合剂和各种铜化合物加以组合而使用时的结果进行说明。
针对作为各置换镀金液的组成以上述实施例3(以铜换算量计为50ppm)为基准，并采用如表5所示的各种络合剂和各种铜化合物的组合且将其摩尔比在1～500之间进行改变的各置换镀金液进行了评价。作为评价基板、镍层、钯层、膜厚测定等条件，与上述第一实施方式相同。将通过各置换镀金液形成的镀金厚度的测定结果示于表5中。此外，在表5中示出了由各络合剂和铜化合物形成的化合物在规定pH下的稳定常数。
表5
如表5所示，已判明在各组合的置换镀金液中，CV值为15％以下，各焊盘镀金膜的膜厚均匀性高。
工业实用性
根据本发明，能够有效地在印刷电路基板或封装等上形成接合部，所述接合部在电子部件或半导体部件等的安装工艺中进行焊锡接合或引线键合时，能够实现良好的接合特性。
Claims (5)
1.一种置换镀金液，用于在由导电性金属构成的导体层上形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部，其特征在于，
置换镀金液含有氰化金盐、络合剂、铜化合物；
置换镀金液中的络合剂与铜化合物的摩尔比为络合剂/铜离子＝1.0～500；
由络合剂和铜化合物形成的化合物在pH4～6下的稳定常数为8.5以上，
所述络合剂为选自于由乙二胺四乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、二乙三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、1,3-二氨基-2-羟基丙烷四乙酸、环己二胺四乙酸、乙二胺二琥珀酸以及它们的钠盐、钾盐或铵盐所组成的组中的一种以上，
所述铜化合物为选自于由氰化铜、硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、溴化铜、氰化铜钾、硫氰酸铜、乙二胺四乙酸二钠铜四水合物、焦磷酸铜、草酸铜所组成的组中的一种以上。
2.一种置换镀金方法，使用权利要求1所述的置换镀金液，其特征在于，
置换镀金液的液温为70～95℃、pH4～6。
3.一种接合部的形成方法，在由导电性金属构成的导体层上形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合部，其特征在于，
使用含有氰化金盐和络合剂且添加有铜化合物的权利要求1所述的置换镀金液，并通过置换镀金处理来形成金层。
4.如权利要求3所述的接合部的形成方法，其特征在于，钯层为0.05μm～0.5μm，金层为0.05μm～0.2μm。
5.如权利要求3或权利要求4所述的接合部的形成方法，其特征在于，金层的纯度为99质量％以上。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-190195 | 2010-08-27 | ||
| JP2010190195A JP5466600B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 置換金めっき液及び接合部の形成方法 |
| PCT/JP2011/059351 WO2012026159A1 (ja) | 2010-08-27 | 2011-04-15 | 置換金めっき液及び接合部の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102597320A CN102597320A (zh) | 2012-07-18 |
| CN102597320B true CN102597320B (zh) | 2015-07-08 |
Family
ID=45723177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180004299.2A Active CN102597320B (zh) | 2010-08-27 | 2011-04-15 | 置换镀金液和接合部的形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120171367A1 (zh) |
| JP (1) | JP5466600B2 (zh) |
| KR (1) | KR101768927B1 (zh) |
| CN (1) | CN102597320B (zh) |
| TW (1) | TW201209229A (zh) |
| WO (1) | WO2012026159A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6020070B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-11-02 | Tdk株式会社 | 被覆体及び電子部品 |
| KR20140035701A (ko) * | 2012-09-14 | 2014-03-24 | 삼성전기주식회사 | 금 박막 형성 방법 및 인쇄회로기판 |
| JP6025259B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-11-16 | Ｊｘ金属株式会社 | めっき物 |
| CN103409052A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-11-27 | 吴江龙硕金属制品有限公司 | 用于汽车的金属面漆及其制备方法 |
| JP7022541B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2022-02-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| CN108359966A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-08-03 | 深圳市正天伟科技有限公司 | 一种半置换半还原型化学镀金液及其应用方法 |
| JP7046047B2 (ja) * | 2017-12-19 | 2022-04-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 半導体ウェハ、及びその製造方法 |
| TW202033827A (zh) | 2018-12-26 | 2020-09-16 | 日商日本電鍍工程股份有限公司 | 置換金鍍覆液及置換金鍍覆方法 |
| JP6521553B1 (ja) * | 2018-12-26 | 2019-05-29 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 置換金めっき液および置換金めっき方法 |
| CN112239867A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-01-19 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种铝基复合材料电子封装外壳的镀覆方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3345529B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2002-11-18 | 日立化成工業株式会社 | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 |
| JP4147359B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2008-09-10 | 石原薬品株式会社 | 置換金メッキ浴及び当該浴を用いた金メッキ方法 |
| AU2001278794A1 (en) * | 2000-08-21 | 2002-03-04 | Learonal Japan Inc. | Electroless displacement gold plating solution and additive for preparing said plating solution |
| JP2004190093A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Ne Chemcat Corp | 置換無電解金めっき浴 |
| JP4603320B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2010-12-22 | 関東化学株式会社 | 無電解金めっき液 |
-
2010
- 2010-08-27 JP JP2010190195A patent/JP5466600B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-15 WO PCT/JP2011/059351 patent/WO2012026159A1/ja active Application Filing
- 2011-04-15 CN CN201180004299.2A patent/CN102597320B/zh active Active
- 2011-04-15 US US13/496,746 patent/US20120171367A1/en not_active Abandoned
- 2011-04-15 KR KR1020127008272A patent/KR101768927B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-03 TW TW100119515A patent/TW201209229A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201209229A (en) | 2012-03-01 |
| JP5466600B2 (ja) | 2014-04-09 |
| WO2012026159A1 (ja) | 2012-03-01 |
| CN102597320A (zh) | 2012-07-18 |
| US20120171367A1 (en) | 2012-07-05 |
| JP2012046792A (ja) | 2012-03-08 |
| KR20130100229A (ko) | 2013-09-10 |
| KR101768927B1 (ko) | 2017-08-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
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