CN102534549B - 在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法和成膜装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。
Description
技术领域
本发明涉及在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法和成膜装置。
背景技术
在半导体装置的制造工艺中，有时在碳膜上形成氧化硅(SiO2)膜然后进行图案化。
例如，以往已记载有如下技术：在非晶碳膜上形成SiO2膜，将该SiO2膜图案化，进而使用图案化后的SiO2膜对非晶碳膜进行蚀刻。
发明内容
发明要解决的问题
然而，在碳膜上直接成膜SiO2膜时，存在碳膜的膜厚会减少这一情况。例如，将处理温度设为室温而进行采用了等离子体的ALD法时，碳膜产生3～4nm左右的膜厚的减少。此外，将处理温度设为300℃而在相同条件下进行采用了等离子体的ALD法时，碳膜发生5～7nm左右的膜厚的减少。其主要原因之一在于，在SiO2膜的成膜初始阶段，碳膜表面的碳与氧(O2)、氧自由基(O*)反应，变成CO2、CO而挥发掉。
本发明提供即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法、以及能够实施该成膜方法的成膜装置。
用于解决问题的方案
本发明的第1技术方案的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法具备如下工序：(1)在被处理体上形成碳膜的工序，(2)在所述碳膜上形成被氧化体层的工序，和(3)一边使所述被氧化体层氧化、一边在所述被氧化体层上形成氧化物膜的工序。
本发明的第2技术方案的成膜装置，其为在碳膜上成膜氧化物膜的成膜装置，其具备用于收容形成有所述碳膜的被处理体的处理室、向所述处理室内供给用于成膜被氧化体层的被氧化体成膜气体和用于成膜氧化物膜的氧化物成膜气体的气体供给机构、和用于控制所述气体供给机构的控制装置，所述控制装置以在所述处理室内对所述被处理体执行上述第1技术方案所述的成膜方法的方式来控制所述气体供给机构。
附图说明
图1的(A)是表示本发明的一实施方式的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法之一例的流程图，图1的(B)是表示图1的(A)中的步骤2之一例的流程图。
图2的(A)～图2的(E)是概略表示图1的(A)和图1的(B)所示的顺序中的被处理体的状态的剖视图。
图3是表示堆积时间与硅层4的膜厚的关系的图。
图4是将图3中的虚线框A内放大后的放大图。
图5是概略表示能够实施一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法的成膜装置之一例的剖面图。
具体实施方式
成膜方法
图1的(A)是表示本发明的一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法之一例的流程图，图1的(B)是表示图1的(A)中的步骤2之一例的流程图，图2的(A)～图2的(E)是概略表示图1的(A)和图1的(B)所示的顺序中的被处理体的状态的剖面图。
首先，如图1的(A)中的步骤1所示，在被处理体上形成碳膜。本例中，作为被处理体使用半导体晶圆，例如硅晶圆W。在该硅晶圆W的硅基板1上在本例中形成非晶碳膜2(图2的(A))。非晶碳膜2可以通过如下方法来形成：例如使用处理温度设为200℃～400℃的等离子体CVD(ChemicalVaporDeposition)法、等离子体ALD(AtomicLayerDeposition)法、或等离子体MLD(MolecularLayerDeposition)法来成膜的方法；使用处理温度设为700℃～900℃的热CVD法来成膜的方法。作为成膜气体，可以使用含碳气体，例如乙烯(C2H4)气体等。
接着，如图1的(A)中的步骤2所示，在非晶碳膜2上形成被氧化体层。构成被氧化体层的物质只要是能够氧化的物质即可。本例中，选择硅作为构成被氧化体层的物质，形成了含硅的层。此外，本例中含硅的层如图1的(B)所示那样通过两个阶段形成。
最初，如图1的(B)中的步骤21所示，将形成有非晶碳膜2的硅晶圆W搬入成膜装置的处理室内，在非晶碳膜2上形成晶种层3(图2的(B))。本例中，升高处理室内的温度，对形成有非晶碳膜2的硅晶圆W进行加热，供给氨基硅烷系气体至加热后的非晶碳膜2的表面。由此，在非晶碳膜2的表面上形成了晶种层3。
作为氨基硅烷系气体的例子，可以列举出
BAS(丁基氨基硅烷)
BTBAS(双(叔丁基氨基)硅烷)
DMAS(二甲基氨基硅烷)
BDMAS(双(二甲基氨基)硅烷)
TDMAS(三(二甲基氨基)硅烷)、
DEAS(二乙基氨基硅烷)、
BDEAS(双(二乙基氨基)硅烷)、
DPAS(二丙基氨基硅烷)、
DIPAS(二异丙基氨基硅烷)
等。本例使用了DIPAS。
步骤21中的处理条件之一例为，
DIPAS流量：400sccm
处理时间：5min
处理温度：400℃
处理压力：133Pa(1Torr)。
在本说明书中以下将步骤21的工序称为预供气(preflow)。
步骤21是为了使硅原料容易吸附在非晶碳膜2上的工序。另外，本说明书中记载了在步骤21中形成晶种层3，但实际上几乎不能成膜。晶种层3的厚度优选为单原子层级别的厚度左右。若论及具体的晶种层3的厚度，则为0.1nm以上且0.3nm以下。
接着，如图1的(B)中的步骤22所示，在晶种层3上形成硅层4(图2的(C))。本例中，在上述处理室内，对形成有晶种层3的硅晶圆W进行加热，供给不含氨基的硅烷系气体至加热后的晶种层3的表面。由此，不含氨基的硅烷系气体在晶种层3的表面上被热分解，从而在晶种层3上形成了硅层4。像这样，本例的被氧化体层5包含膜厚0.1nm以上且0.3nm以下的晶种层3和在晶种层3上形成的硅层4，作为整体膜厚之一例，例如，为3nm以上且5nm以下。
作为不含氨基的硅烷系气体的例子，可以列举出含有以下中的至少一种的气体，
SiH2
SiH4
SiH6
Si2H4
Si2H6
以SimH2m+2(其中，m为3以上的自然数)的式子表示的硅的氢化物，
以及以SinH2n(其中，n为3以上的自然数)的式子表示的硅的氢化物。本例中使用了SiH4(单硅烷)。
步骤22中的处理条件之一例为，
单硅烷流量：800sccm
处理时间：3min
处理温度：530℃
处理压力：133Pa(1Torr)。
在上述单硅烷流量、处理温度和处理压力的条件下，以大约3min的处理时间(堆积时间)，在晶种层3上形成3nm左右薄的硅层4，从而形成了包含晶种层3和硅层4的被氧化体层5。
接着，如图1的(A)中的步骤3所示，在上述处理室内，在使被氧化体层5本例中为包含晶种层3和硅层4的被氧化体层5氧化(图2的(D))的同时，在被氧化体层5上形成氧化物膜。本例中，将作为氧化物膜的氧化硅膜6成膜在被氧化体层5上(图2的(E))。
根据像这样一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，本例中，在使形成于非晶碳膜2上的被氧化体层5氧化的同时，在非晶碳膜2上形成氧化物膜、本例中为氧化硅膜6。因此，即使在非晶碳膜2上形成氧化硅膜6，也能够抑制非晶碳膜2的膜厚减少。
非晶碳膜2的膜厚减少的主要原因之一在于，在氧化硅膜6的成膜初始阶段，如果氧化剂例如氧(O2)、氧自由基(O*)与非晶碳膜2表面接触，碳会与氧、氧自由基反应，变成CO2、CO从而挥发掉。
针对这样的情况，在一实施方式中，预先在非晶碳膜2的表面上形成被氧化体层5。因此，在氧化硅膜6的成膜初始阶段，可以抑制氧、氧自由基直接与非晶碳膜2的表面接触。因此，非晶碳膜2的碳变得难以挥发，能够抑制其膜厚减少。
此外，在一实施方式中，使被氧化体层5被氧化之后，然后，成为与所形成的氧化物膜相同的膜。本例中，使被氧化体层5为含硅的层，使氧化物膜为氧化硅膜6。含硅的层被氧化而变为氧化硅层，变得与氧化硅膜6相同。此外，还有能够使用于成膜被氧化体层5的成膜气体和用于成膜氧化物膜的成膜气体相同这一优点。本例中，可以将氨基硅烷系气体、或不含氨基的硅烷系气体作为氧化物膜的成膜气体来使用。当然，也可以是在非晶碳膜2与氧化硅膜6之间夹着与氧化硅不同的氧化物的结构，但如果想得到不夹着不同的氧化物的结构，可以如本一实施方式所述那样来进行即可。
此外，含硅的被氧化体层5被氧化而形成的氧化硅层作为氧难以通过的氧阻挡层而起作用。因此，可以抑制在氧化硅膜6成膜期间氧化剂通过被氧化体层5而到达非晶碳膜2的情况。因此，在氧化硅膜6成膜期间，也可以抑制意外的非晶碳膜2的膜厚减少。
此外，在一实施方式中，被氧化体层5通过晶种层3的形成和硅层4的形成这两个阶段来形成。根据该构成，可以得到能够使形成于非晶碳膜2上的被氧化体层5的膜厚极薄这一优点。如果举出极薄膜厚的一例，为3nm以上且5nm以下。
硅层通常使用不含氨基的硅烷系气体来形成。然而，使用不含氨基的硅烷系气体在非晶碳膜2上成膜膜厚为例如3nm以上且5nm以下的硅层4时，由于为硅处于晶粒(grain)成长阶段，因此可以得到晶粒间产生有间隙的硅层4。在这样的硅层4中，在氧化硅膜6的成膜初始阶段，氧化剂经由间隙直接与非晶碳膜2的表面接触。其结果是，非晶碳膜2被氧化而挥发掉。因此，与没有间隙的硅层4相比，抑制非晶碳膜的膜厚减少的效果变弱。
然而，一实施方式中，在形成硅层4之前，使用氨基硅烷系气体在非晶碳膜2上形成晶种层3(预供气)。硅层4形成于晶种层3上。如此一来，可以缩短到硅层4的成膜开始为止的时间(以下称为孵育时间)。孵育时间短意味着，即使是极薄硅层4、例如膜厚为3nm以上且5nm以下的硅层4，也可以得到无间隙、膜质均匀的硅层4。
图3表示堆积时间与硅层4的膜厚的关系。图3所示的结果是基底为氧化硅(SiO2)的情况，但无论基底为氧化硅或非晶形碳，均显示相同的倾向。其原因在于，进行了预供气，即氨基硅烷系气体被热分解从而得到的晶种层3形成于基底上。硅层4始终被吸附在晶种层3上而成膜。
本例中使用的预供气中的处理条件为，
DIPAS流量：500sccm
处理时间：5min
处理温度：400℃
处理压力：53.2Pa(0.4Torr)。
同样地本例使用的用于成膜硅层4的处理条件为，
单硅烷流量：500sccm
堆积时间：30min/45min/60min
处理温度：500℃
处理压力：53.2Pa(0.4Torr)。
在堆积时间为30min时、45min时、和60min时这3点测定了硅层4的膜厚。
图3中的线I表示有预供气时的结果，线II表示无预供气时的结果。线I、II是用最小二乘法将测定的3个膜厚线性近似后的直线，式子为如下所示。
线I：y＝17.572x-20.855...(1)
线II：y＝17.605x-34.929...(2)
如图3所示可知，有预供气时与无预供气时相比，硅层4的膜厚有增加的倾向。
在上述(1)、(2)式设为y＝0即硅层4的膜厚为“0”时、将求出的线I、II与堆积时间的交点的情况示于图4。
另外，图4是将图3中的虚线框A内放大后的放大图。
如图4所示，有预供气时，硅层4的堆积从处理开始后经过约1.2min开始。与此相对，无预供气的硅层时，硅层4的堆积从处理开始后经过约2.0min开始。
像这样，通过对基底进行氨基硅烷系气体的预供气，可以将孵育时间从约2.0min缩短至约1.2min。其结果是，可以使用单硅烷形成薄的膜厚例如3nm～5nm左右的膜厚的硅层4。
以上，根据一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，可以得到即使在碳膜上形成氧化物膜、也可以抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。
成膜装置
接着，对可以实施上述一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法的成膜装置之一例进行说明。
图5为概略表示可以实施一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法的成膜装置之一例的剖视图。
如图5所示，成膜装置100具有下端开口的有顶的圆筒体状的处理室101。处理室101的整体由例如石英形成。处理室101内的顶部上设置有石英制的顶板102。处理室101的下端开口部夹着O形密封圈等密封构件104连接有例如由不锈钢成形为圆筒体状的歧管103。
歧管103支承处理室101的下端。可以从歧管103的下方插入石英制晶圆舟105至处理室101内，所述晶圆舟105可以多层载置多张被处理体，例如50～100张半导体晶圆，本例中为硅晶圆W。晶圆舟105具有多根支柱106，由形成于支柱106上的槽支承多张硅晶圆W。
晶圆舟105隔着石英制的保温筒107载置在工作台108上。工作台108被支承于贯穿用于开关歧管103的下端开口部的例如不锈钢制盖部109的旋转轴110上。旋转轴110的贯穿部上设置有例如磁性流体密封111，可以气密地密封旋转轴110并以旋转轴110能够旋转的方式支承旋转轴110。盖部109的周边部与歧管103的下端部之间设置有由例如O形密封圈构成的密封构件112。由此保持处理室101内的密封性。旋转轴110被安装在由例如晶圆舟升降机(boatelevator)等升降机构(未图示)支承的臂113的顶端。由此，晶圆舟105和盖部109等被一体地升降从而被插入处理室101内或自处理室101内拔出。
成膜装置100具备将用于处理的气体供给到处理室101内的处理气体供给机构114和将非活性气体供给到处理室101内的非活性气体供给机构115。
处理气体供给机构114包括含碳气体供给源116、氨基硅烷系气体供给源117、不含氨基的硅烷系气体供给源118、含氧化剂气体供给源119。含碳气体的一例为乙烯(C2H4)气体，含氧化剂气体的一例为氧气(O2)。
非活性气体供给机构115包括非活性气体供给源120。非活性气体用于吹扫气体等。非活性气体的一例为氮气(N2)。
含碳气体供给源116经由流量控制器121a和开关阀122a与分散喷嘴123连接。分散喷嘴123由石英管构成，向内侧贯穿歧管103的侧壁、向上方弯曲而铅垂地延伸。在分散喷嘴123的铅垂部分上隔着规定的间隔形成有多个气体喷出孔124。含碳气体从各气体喷出孔124沿水平方向向处理室101内大致均匀地喷出。
氨基硅烷系气体供给源117经由流量控制器121b和开关阀122b与分散喷嘴123连接。氨基硅烷系气体也从各气体喷出孔124沿水平方向向处理室101内大致均匀地喷出。
此外，不含氨基的硅烷系气体供给源118也经由流量控制器121c和开关阀122c与例如分散喷嘴123连接。不含氨基的硅烷系气体也从各气体喷出孔124沿水平方向向处理室101内大致均匀地喷出。
含氧化剂气体供给机构119经由流量控制器121d和开关阀122d与分散喷嘴125连接。分散喷嘴125由石英管构成，向内侧贯穿歧管103的侧壁、向上方弯曲而铅垂地延伸。在分散喷嘴125的铅垂部分上，隔着规定的间隔形成有多个气体喷出孔126。含氧化剂气体从各气体喷出孔126沿水平方向向处理室101内大致均匀地喷出。
非活性气体供给源120经由流量控制器121e和开关阀122e与喷嘴128连接。喷嘴128贯通歧管103的侧壁，从其顶端沿水平方向向处理室101内喷出非活性气体。
在处理室101内的与分散喷嘴123和125相反的一侧的部分上设置有用于对处理室101内进行排气的排气口129。排气口129通过将处理室101的侧壁沿上下方向削掉而细长地形成。覆盖排气口129、截面成形为“コ”字状的排气口覆盖部件130通过焊接被安装在处理室101的与排气口129相对应的部分上。排气口覆盖部件130沿着处理室101的侧壁向上方延伸，在处理室101的上方规定有气体出口131。气体出口131上连接有含真空泵等的排气机构132。排气机构132通过对处理室101内进行排气而使用于处理的处理气体排气、以及使处理室101内的压力形成为与处理相对应的处理压力。
在处理室101的外周设置有筒体状的加热装置133。加热装置133在使供给到处理室101内的气体活化的同时，对收容到处理室101内的被处理体、本例中为硅晶圆W进行加热。
成膜装置100的各部分的控制通过由例如微处理器(计算机)构成的控制器150来进行。控制器150连接有操作者为了管理成膜装置100而进行命令输入操作等的键盘、和由使成膜装置100的工作状况可视化并显示的显示器等组成的用户界面(UserInterface)151。
在控制器150上连接有存储部152。存储部152存储有用于在控制器150的控制下实现由成膜装置100执行的各种处理的控制程序、和根据处理条件使成膜装置100的各构成部执行处理的程序即制程程序。制程程序存储在例如存储部152中的存储介质中。存储介质可以是硬盘、半导体存储器，也可以是CD-ROM、DVD、闪存等可移动的介质。此外，还可从其它装置经由例如专用线路适当地传送制程程序。制程程序根据需要按照来自用户界面151的指示等由存储部152读出，控制器150按照读出的制程程序来执行处理，从而使成膜装置100在控制器150的控制下执行期望的处理。
本例中，在控制器150的控制下，依次执行按照上述一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法的步骤1、步骤21、步骤22、步骤3的处理。由不含氨基的硅烷系气体供给源118和含氧化剂气体供给源119向处理室101内供给含硅气体例如不含氨基的硅烷系气体、和含氧化剂气体，同时用加热装置133加热硅晶圆W，从而能够执行步骤3中的氧化物膜的成膜。这种情况下，形成作为氧化物膜的氧化硅膜6。
氧化硅膜6的成膜可以采用一边交替供给含硅气体和含氧化剂气体一边成膜的所谓ALD(AtomicLayerDeposition)法或MLD(MolecularLayerDeposition)法，也可以采用一边同时供给含硅气体和含氧化剂气体一边成膜的所谓CVD(ChemicalVaporDeposition)法。作为ALD(或MLD)法的例子，可以列举出处理温度设为室温(25℃)～400℃的等离子体ALD(或MLD)法、或ALD(或MLD)法，作为热CVD法的例子，可以列举出处理温度设为400℃～800℃的等离子体CVD法、热CVD法。
上述一实施方式中的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法可以通过图5所示那样的成膜装置100来实施。
以上，通过一实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限定于上述一实施方式，能够进行各种变形。此外，上述一实施方式不是本发明的唯一实施方式。
例如，氧化物膜也可使用等离子体CVD法来形成。这种情况下，例如在处理室101内设置等离子体生成机构，例如使含氧化剂气体等离子体化。
此外，氧化剂也可以使用臭氧(O3)气体，这种情况下，可以在含氧化剂气体供给源119中具备产生臭氧气体的臭氧发生器。
此外，上述一实施方式中，成膜装置100具备含碳气体供给源116，例示了从非晶碳膜2的成膜开始到含硅的被氧化体层5和氧化硅膜6都可以在原位下(insitu)成膜的成膜装置100。但是，成膜装置至少具备氨基硅烷系气体供给源117、不含氨基的硅烷系气体供给源118、含氧化剂气体供给源119即可。即使在这样的成膜装置中，也可以在由其它成膜装置成膜的非晶碳膜2上原位成膜含硅的被氧化体层5和氧化硅膜6，可以抑制非晶碳膜2的膜厚减少。
此外，上述一实施方式示出了本发明适用于搭载多张硅晶圆W而统一进行成膜的成批式的成膜装置的例子，但不限于此，也可以适用于对每张晶圆进行成膜的单张式的成膜装置。
此外，作为被处理体不限定于半导体晶圆，本发明也可以适用于LCD玻璃基板等其他基板。
另外，本发明在不脱离其要旨的范围内可以进行各种变形。
根据本发明，可以提供即使在碳膜上形成氧化物膜、也可以抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法、和能够实施该成膜方法的成膜装置。
本申请基于2010年12月27日提出的日本专利申请第2010-290405号主张优先权，该日本专利申请的全部内容作为参照而编入到本说明书中。
Claims (9)
1.一种在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，其特征在于，其具备如下工序：
(1)在被处理体上形成碳膜的工序，
(2)在所述碳膜上形成被氧化体层的工序，
(3)一边使所述被氧化体层氧化、一边在所述被氧化体层上形成氧化物膜的工序，其中，
所述被氧化体层为含硅的层，
所述(2)工序包括如下工序：
加热所述被处理体，供给氨基硅烷系气体至所述碳膜的表面，从而在所述碳膜上形成晶种层的工序；
对形成有所述晶种层的所述被处理体进行加热，供给不含氨基的硅烷系气体至所述晶种层的表面，从而在所述晶种层上形成硅层的工序。
2.根据权利要求1所述的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述氨基硅烷系气体选自含有以下至少一种的气体,
BAS(丁基氨基硅烷)
BTBAS(双(叔丁基氨基)硅烷)
DMAS(二甲基氨基硅烷)
BDMAS(双(二甲基氨基)硅烷)
TDMAS(三(二甲基氨基)硅烷)
DEAS(二乙基氨基硅烷)
BDEAS(双(二乙基氨基)硅烷)
DPAS(二丙基氨基硅烷)、
以及DIPAS(二异丙基氨基硅烷),
所述不含氨基的硅烷系气体选自含有以下至少一种的气体,
SiH2
SiH4
SiH6
Si2H4
Si2H6
以SimH2m+2的式子表示的硅的氢化物，其中，m为3以上的自然数、
和以SinH2n的式子表示的硅的氢化物，其中，n为3以上的自然数。
3.根据权利要求2所述的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述以SimH2m+2的式子表示的硅的氢化物选自以下的至少一种，其中，m为3以上的自然数，
三硅烷(Si3H8)
四硅烷(Si4H10)
五硅烷(Si5H12)
六硅烷(Si6H14)
七硅烷(Si7H16)，
所述以SinH2n的式子表示的硅的氢化物选自以下的至少一种，其中，n为3以上的自然数，
环三硅烷(Si3H6)
环四硅烷(Si4H8)
环五硅烷(Si5H10)
环六硅烷(Si6H12)
环七硅烷(Si7H14)。
4.根据权利要求1所述的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述硅层的膜厚为3nm以上且5nm以下。
5.根据权利要求1所述的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述氧化物膜为氧化硅膜。
6.根据权利要求1所述的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法，其特征在于，所述被处理体为半导体晶圆，所述成膜方法用于半导体装置的制造工艺。
7.一种成膜装置，其特征在于，其为在碳膜上形成氧化物膜的成膜装置，其具备
用于收容形成有所述碳膜的被处理体的处理室、
向所述处理室内供给用于成膜被氧化体层的被氧化体成膜气体和用于成膜氧化物膜的氧化物成膜气体的气体供给机构、
和用于控制所述气体供给机构的控制装置，
所述控制装置以在所述处理室内对所述被处理体执行权利要求1所述的成膜方法的方式来控制所述气体供给机构。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，用于成膜被氧化体层的被氧化体成膜气体包括氨基硅烷系气体、不含氨基的硅烷系气体，
所述控制装置以在所述处理室内对所述被处理体执行权利要求2～6中任一项所述的成膜方法的方式来控制所述气体供给机构。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述气体供给机构还供给含碳气体。
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