CN102503431B - 一种碳化硅陶瓷制品及制备方法 - Google Patents

一种碳化硅陶瓷制品及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于耐火材料制备技术领域,尤其是涉及一种碳化硅陶瓷制品及制备方法;以碳化硅为主要原料,引入部分碳化硅微粉,采用有机结合剂,并引入添加剂B4C或单质B,在艾奇逊碳化硅冶炼炉2000~2300℃区域内烧结;上述制品所用的碳化硅原料组成及质量百分比为:碳化硅颗粒占65~75%、碳化硅细粉占15~20%、碳化硅微粉占10~15%;添加剂B4C为碳化硅原料重量的2~3%或单质B为碳化硅原料重量的1~2%,加入碳化硅原料重量的3~4%的结合剂。本发明提出的碳化硅陶瓷制品及制备方法改善了制品的导热性、高温强度及其化学侵蚀性。

Description

一种碳化硅陶瓷制品及制备方法
技术领域
本发明属于耐火材料制备技术领域,尤其是涉及一种碳化硅陶瓷制品及制备方法。
背景技术
SiC属于人工合成原料,有α、β两种晶体结构。其中β-SiC为低温型碳化硅,在1800℃以下能够稳定存在,高于1800℃将发生晶型转变,生成α-SiC。SiC具有优异的物理化学性能,如导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,化学性能稳定等,因此广泛应用于化工、钢铁、有色、磨料磨具等领域。
碳化硅制品的种类繁多,由于结合相的性能决定碳化硅制品的性能,因此按照其结合相的不同大致分为三类:1.硅酸盐结合制品,如粘土结合碳化硅、莫来石结合碳化硅;2.氮化物结合制品,如氮化硅结合碳化硅、氧氮化硅结合碳化硅,塞隆结合碳化硅;3.自结合制品,如反应烧结碳化硅、碳化硅陶瓷。上述制品中,在相同的实验条件下,自结合制品抗渣侵蚀性能较显著。
目前碳化硅制品的制备方法主要有:压力烧结(如热压烧结、等静压烧结、无压烧结)、反应烧结法、微波烧结法。上述方法大多数需要苛刻的烧结条件,制备工艺复杂,不适合工业化生产。工业生产上主要使用的是反应烧结法,该方法的主要特点是在1500℃以下就能实现烧结,制备出β-SiC结合碳化硅制品,但是反应烧结方法生成的β-SiC晶粒细小,制品显气孔率一般在13%以上,因此,该烧结方法对制品的性能有一定的限制。如申请号为200910227624.6在实施例中所述制品的显气孔率均在13%以上。
 显气孔率是耐火材料的重要性能指标,尤其对材料抗侵蚀性能的影响显著。显气孔的大小和分布相近时,显气孔率小的抗侵蚀性能好;相同的显气孔率,气孔小且分布均匀的抗侵蚀性能好。就碳化硅陶瓷而言,在某些领域使用时要求高的抗侵蚀性能,因此,迫切要求研究出低气孔率的碳化硅陶瓷制品。
无压烧结碳化硅是将粒度小于1μm的SiC微粉中添加少量的添加剂,如B4C、B等,在2000℃以上烧结成致密(相对密度98%以上)的碳化硅。由此可见,无压烧结方法能改善材料的烧结性能,然而该方法在耐火材料领域中的应用却未见报道。本发明将无压烧结方法引入耐火材料制品的制备技术中,把显气孔率降低到7%以下,提高了制品性能。
 使用温度在2000℃以上的高温烧结设备造价一般较贵。此外,在高温下作业时设备部件易损毁,部件造价也较高,设备的维护费用也高。由于在艾奇逊碳化硅冶炼炉内的某些位置适合碳化硅坯体的烧结,冶炼炉的容积也很大,一次能够烧结几十吨的碳化硅制品。因此,在碳化硅冶炼炉内随炉烧结显著降低了生产成本。
发明内容
本发明的目的是提出一种碳化硅陶瓷制品及制备方法,改善制品的导热性、高温强度及其化学侵蚀性。
本发明完成其发明任务所采用的技术方案如下:一种碳化硅陶瓷制品,以碳化硅为主要原料,引入部分碳化硅微粉,采用有机结合剂,并引入添加剂B4C或单质B,在艾奇逊碳化硅冶炼炉2000~2300℃区域内烧结;为了改善目前碳化硅制品的性能,本发明在碳化硅制品制备过程中引入碳化硅微粉及添加剂,并将坯体在碳化硅冶炼炉2000~2300℃的区域内随炉烧结; 1、利用碳化硅微粉在添加少量B4C或单质B后在2000~2300温度范围内能够烧结致密的特点,引入部分碳化硅微粉及添加剂B4C或单质B;2、艾奇逊碳化硅冶炼炉能够提供2000~2300℃烧成温度条件,并且该炉的升温速度缓慢,炉内气体流动很小,能为坯体提供良好的烧结条件,另外,利用艾奇逊碳化硅冶炼炉烧结碳化硅时,其成本较低。本发明一方面避免了建造专门的烧结窑炉,提高了冶炼炉的使用效率,节约了生产成本;另一方面,提高了制品的烧结温度,降低了材料的显气孔率,改善了制品的性能。因此该方法较适合于工业化生产;所述制品所用的碳化硅原料组成及质量百分比为:碳化硅颗粒65~75%,碳化硅细粉15~20%,碳化硅微粉10~15%;添加剂B4C为碳化硅原料重量的3%或单质B为碳化硅原料重量的1~2%,结合剂为碳化硅原料重量的3~4%。
所述碳化硅原料粒度组成为:小于等于2.5mm、大于等于1mm的碳化硅颗粒,小于1mm、大于0.088mm的碳化硅颗粒,小于等于88μm 、大于等于1μm的碳化硅细粉,小于1μm的碳化硅微粉;所述碳化硅原料中:SiC含量大于98%、Fe2O3小于0.5%、C小于0.5%。
所述添加剂B4C的粒度小于1μm,单质B的粒度小于1μm;所用结合剂为酚醛树脂。
所采用的制备方法如下:
A、将碳化硅细粉、碳化硅微粉、添加剂先混合均匀,再与碳化硅颗粒、结合剂混合均匀,在成型机上压制成型;
B、将压制坯体在200℃下干燥5~8小时;
C、将烘干后的坯体置于艾奇逊碳化硅冶炼炉2000~2300℃区域内烧结;
D、冶炼炉冷却至室温后即可得到碳化硅陶瓷制品。
本发明解决了制品的高温烧结问题,降低了生产成本;显著降低了制品的气孔率, 改善了制品的结构,提高了制品的抗侵蚀性、导热性、高温强度、抗氧化性能;制备工艺简单,生产效率高; 因此,本发明应用价值较高,易于实现工业化。
具体实施方式
下面以实例说明本发明的具体实施方式。
实施例1
(1)配料:按照质量百分比计算,具体组成配比如表一所示。
表一
Figure 2346DEST_PATH_IMAGE002
按照表一精确称量上述原料,精确度为0.1g。将已称量的碳化硅细粉、碳化硅微粉、B4C微粉在行星式球磨机中混练30分钟,制成混合细粉。然后将碳化硅颗粒料先在混合机中混5分钟,加入结合剂,再混合5分钟,最后加入混合细粉,再混15分钟,确保物料已经混匀。
(2)成型:把混合后的物料用成型机压制成预先规定尺寸的坯体。
(3)干燥:成型后的坯体置于干燥设备中,按照1℃/分的速度缓慢升温,温度升高到200℃后保温8小时。
(4)烧结:把干燥后的坯体置于碳化硅冶炼炉中,并保证坯体在2000~2300℃区域内烧结。冷却到室温后即得到碳化硅陶瓷制品。
     制品的性能指标如下:
显气孔率/% 体积密度/g·cm-3 高温抗折/MPa 热导率/W·m-1·k-1
5.14 3.00 240 42
实施例2
(1)配料:按照质量百分比计算,具体组成配比如表二所示。
表二
Figure 857170DEST_PATH_IMAGE004
按照表一精确称量上述原料,精确度为0.1g。将已称量的碳化硅细粉、碳化硅微粉、B4C微粉在行星式球磨机中混练30分钟,制成混合细粉。然后将碳化硅颗粒料先在混合机中混5分钟,加入结合剂,再混合5分钟,最后加入混合细粉,再混15分钟,确保物料已经混匀。
(2)成型:把混合后的物料用成型机压制成预先规定尺寸的坯体。
(3)干燥:成型后的坯体置于干燥设备中,按照1℃/分的速度升温,温度升高到200℃后保温8小时。
(4)烧结:把干燥后的坯体置于碳化硅冶炼炉中,并保证坯体在2000~2300℃区域内烧结。冷却到室温后即得到碳化硅陶瓷制品。
制品的性能指标如下:
显气孔率/% 体积密度/g·cm-3 高温抗折/MPa 热导率/W·m-1·k-1
4.77 3.03 290 45
实施例3
(1)配料:按照质量百分比计算,具体组成配比如表三所示。
表三
Figure 823858DEST_PATH_IMAGE006
按照表一精确称量上述原料,精确度为0.1g。将已称量的碳化硅细粉、碳化硅微粉、B微粉在行星式球磨机中混练30分钟,制成混合细粉。然后将碳化硅颗粒料先在混合机中混5分钟,加入结合剂,再混合5分钟,最后加入混合细粉,再混15分钟,确保物料已经混匀。
(2)成型:把混合后的物料用成型机压制成预先规定尺寸的制品。
(3)干燥:成型后的坯体置于干燥设备中,按照1℃/分的速度升温,温度升高到200℃后保温8小时。
(4)烧结:把干燥后的碳化硅坯体置于碳化硅冶炼炉中,并保证坯体在2000~2300℃的区域内烧结。冷却到室温后即得到碳化硅陶瓷制品。
制品的性能指标如下
显气孔率/% 体积密度/g·cm-3 高温抗折/MPa 热导率/W·m-1·k-1
5.42 2.99 231 40
实施例4
(1)配料:按照质量百分比计算,具体组成配比如表四所示。
表四
Figure 2011103312938100002DEST_PATH_IMAGE007
按照表一精确称量上述原料,精确度为0.1g。将已称量的碳化硅细粉、碳化硅微粉、B4C微粉在行星式球磨机中混练30分钟,制成混合细粉。然后将碳化硅颗粒料先在混合机中混5分钟,加入结合剂,再混合5分钟,最后加入混合细粉,再混15分钟,确保物料已经混匀。
(2)成型:把混合后的物料用成型机压制成预先规定尺寸的制品。
(3)干燥:成型后的坯体置于干燥设备中,按照1℃/分的速度升温,温度升高到200℃后保温8小时。
(4)烧结:把干燥后的坯体置于碳化硅冶炼炉中,并保证坯体在2000~2300℃的区域内烧结。冷却到室温后即得到碳化硅陶瓷制品。
制品的性能指标如下:
显气孔率/% 体积密度/g·cm-3 高温抗折/MPa 热导率/W·m-1·k-1
5.34 3.00 237 42
实施例5
(1)配料:按照质量百分比计算,具体组成配比如表五所示。
表五
按照表一精确称量上述原料,精确度为0.1g。将已称量的碳化硅细粉、碳化硅微粉、B4C微粉在行星式球磨机中混练30分钟,制成混合细粉。然后将碳化硅颗粒料先在混合机中混5分钟,加入结合剂,再混合5分钟,最后加入混合细粉,再混15分钟,确保物料已经混匀。
(2)成型:把混合后的物料用成型机压制成预先规定尺寸的坯体。
(3)干燥:成型后的坯体置于干燥设备中,按照1℃/分的速度升温,温度升高到200℃后保温8小时。
(4)烧结:把干燥后的坯体置于碳化硅冶炼炉中,并保证坯体在2000~2300℃的区域内烧成。冷却到室温后即得到碳化硅陶瓷制品。
制品的性能指标如下
显气孔率/% 体积密度/g·cm-3 高温抗折/MPa 热导率/W·m-1·k-1
4.89 3.01 269 44
实施例6
(1)配料:按照质量百分比计算,具体组成配比如表六所示。
表六
Figure 659538DEST_PATH_IMAGE011
按照表一精确称量上述原料,精确度为0.1g。将已称量的碳化硅细粉、碳化硅微粉、B微粉在行星式球磨机中混练30分钟,制成混合细粉。然后将碳化硅颗粒料先在混合机中混5分钟,加入结合剂,再混合5分钟,最后加入混合细粉,再混15分钟,确保物料已经混匀。
(2)成型:把混合后的物料用成型机压制成预先规定尺寸的坯体。
(3)干燥:成型后的坯体置于干燥设备中,按照1℃/分的速度升温,温度升高到200℃后保温8小时。
(4)烧结:把干燥后的坯体置于碳化硅冶炼炉中,并保证坯体在2000~2300℃的区域内烧结。冷却到室温后即得到碳化硅陶瓷制品。
制品的性能指标如下
显气孔率/% 体积密度/g·cm-3 高温抗折/MPa 热导率/W·m-1·k-1
5.83 2.98 209 39

Claims (4)

1.一种碳化硅陶瓷制品,其特征是:以碳化硅为主要原料,引入部分碳化硅微粉,采用有机结合剂,并引入添加剂B4C或单质B,在艾奇逊碳化硅冶炼炉2000~2300℃区域内烧结;上述制品所用的碳化硅原料组成及质量百分比为:碳化硅颗粒占65~75%、碳化硅细粉占15~20%、碳化硅微粉占10~15%;添加剂B4C为碳化硅原料重量的2~3%或单质B 为碳化硅原料重量的1~2%,加入碳化硅原料重量3~4%的结合剂。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷制品,其特征在于:所述碳化硅原料粒度组成为:小于等于2.5mm、大于等于1mm的碳化硅颗粒和小于1mm、大于等于0.088mm的碳化硅颗粒,小于等于88μm 、大于等于1μm的碳化硅细粉,小于1μm的碳化硅微粉,所述碳化硅原料的化学组成为:SiC含量大于98%、Fe2O3不大于0.5%、C不大于0.5%。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷制品,其特征在于:所述添加剂B4C的粒度不大于1μm,单质B的粒度不大于1μm,所述的结合剂为酚醛树脂。
4.一种碳化硅陶瓷制品的制备方法,其特征在于:
所述制品所用的碳化硅原料组成及质量百分比为:碳化硅颗粒65~75%,碳化硅细粉15~20%,碳化硅微粉10~15%;添加剂B4C为碳化硅原料重量的3%或单质B为碳化硅原料重量的1~2%,结合剂为碳化硅原料重量的3~4%;
a.将碳化硅细粉、碳化硅微粉、添加剂先混合均匀,再与碳化硅颗粒、结合剂混合均匀,用成型机压制成型;
b.将压制坯体在200℃下干燥5~8小时;
c.将烘干后的坯体置于艾奇逊碳化硅冶炼炉2000~2300℃区域内烧结;
d.冶炼炉冷却至室温后即可得到碳化硅陶瓷制品。
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