CN101423412A - 低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法 - Google Patents
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 107
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 title claims description 4
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 80
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 4
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N Silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 17
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 13
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 230000000996 additive Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 230000003245 working Effects 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium monoxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 4
- 230000002939 deleterious Effects 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N furane Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001603 reducing Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K Aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L Barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910052851 sillimanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000576 supplementary Effects 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2R,3R,4S,5R,6S)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2S,3R,4S,5R,6R)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2R,3R,4S,5R,6R)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYGDTMLNYKFZSV-MRCIVHHJSA-N Dextrin Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)OC1O[C@@H]1[C@@H](CO)OC(O[C@@H]2[C@H](O[C@H](O)[C@H](O)[C@H]2O)CO)[C@H](O)[C@H]1O FYGDTMLNYKFZSV-MRCIVHHJSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005039 chemical industry Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- -1 compound silicon carbide Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 231100000078 corrosive Toxicity 0.000 description 1
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGPUVZXXZFNFBF-UHFFFAOYSA-K diphosphonooxyalumanyl dihydrogen phosphate Chemical compound [Al+3].OP(O)([O-])=O.OP(O)([O-])=O.OP(O)([O-])=O RGPUVZXXZFNFBF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 description 1
- 238000009856 non-ferrous metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000036314 physical performance Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Abstract
本发明属于耐火材料技术，提出一种低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法。该方法以SiC颗粒和细粉、SiO2细粉、Si粉为原料，将各种原料和结合剂混练后、成型、干燥后，采用硅溶胶溶液对坯体进行至少1次的真空浸渗处理；坯体最终烧成温度范围为1100℃～1250℃，可制得高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料。本发明最高烧成温度比当前SiO2结合碳化硅材料烧成温度低100～500℃，可明显降低材料的烧成能耗。本发明制备的材料具有优良的理化性能：SiC含量85～95％、体积密度2.65～2.82g/cm3、1400℃的高温抗折强度达40～52MPa，材料最高使用温度可达1550℃，可用作陶瓷窑具以及锌熔练炉、垃圾焚烧炉等各种工业窑炉炉衬，具有良好的应用效果。
Description
低温烧成制各髙性能氣化硅结合碳化硅耐火材料的方法
技术领域
本发明属于耐火材料技术，主耍涉及一种低温度烧成制备髙性能試化硅 结合碳化硅耐火材料的方法 背禁技术
Si02结合SiC耐火材料是一种以Si02为主耍结合相、SiC为主耍成分的氧 化物结合SiC材料，由于具有优异的耐热性、良好的机械力学性能和化学稳
定性，在钢铁、有色冶金、陶瓷、发电、化工等工业领域有着广泛的应用。
例如，Si02结合SiC材料是目前用量最多的陶瓷窑具材料之一，可用作棚板、 立柱、推板、垫烧板等：Si02结合SiC在垃圾燃烧炉、铝熔练炉、锌冶练炉 等工业窑炉上广泛用作炉衬材料有良好的应用效果。
SiOz结合SiC材料的开发和应用至今已有60余年的历史，国内外对此材 料的研究、生产和应用已有较多的研究报导。这种材料的制各工艺流程包括： 配料、混练、成型、干燥、烧成5个工序，整个生产过程可描述如下：将--定粒度组成和合适比例的工业SiC颗粒和细粉（最大颗粒度通常小于5mm、 细粉一般小于O.lmm)、 Si02细粉、粘土 （少数不加该原料)、少量添加剂、 适量结合剂混练均匀后，采用浇注、机压、捣打等成型方式制各所需形状的 坯体，坯体干燥后，置入空气气氛的窑炉中髙温烧成，从而制得相应的产品。 烧成过程中，SiC颗粒和细粉将发生部分執化从而在SiC表面生成Si",氣化
子的结合相。这种工艺至今仍被广泛采用。
目前，Si02结合SiC材料的烧成温度为13501C〜1600TC范围，多数在 14001C〜15001C范围。为了兼顾Si02结合SiC材料的抗高温蛾变性、抗氧化 性、抗热霣性等各种高温使用性能，材料配方组成中通常加入少量V203、MnO、 CaO等添加剂，其中采用V20s添加剂最多，V20s是一种对人体和环境有害的物质，使用中需耍加强保护措施。另外，为了改諧坯料的成型性能、降低烧 结温度，材料组成中常加入少量粘土，粘土的加入会降低材料的髙温性能。
文章"薄型碳化硅棚板的制造及应有效果"（江苏陶瓷，1994， （1): 32-33) 提供了Si02结合SiC薄型棚板的制造方法。材料组成中加入2〜4% (重量） 活性SiO2、0.2〜0.5%Si粉、0.15〜0.4%复合改性添加剂(未具体指明何利'成分), 最髙烧成温度超过13501C,材料中SiC含量为90.3%、 SiOz为8.6%、 Fe2Q3 为0.67%、 >\1203为0.30%，体积密度2.59g/cm3,显气孔率14.8%,常温抗折 强度32.3MPa,髙温抗折强度25.7MPa。材料在1350〜13卯1C还原焰梭式窑、 1200〜1350TC隧道窑中使用效果良好。该方法与本发明相比，材料的烧成温 度髙出至少IOO"C，而物理性能明显偏低，材料组成中添加有不确定组成的复
合改性添加剂，是否存在有害的V20s文中未明确说明。
文萆"Si在砘线石结合碳化硅窑具材料中的行为"（山东陶瓷，1996， 19 (3): 8-12)提供了一种硅铝酸盐氧化物结合SiC窑具材料的制造方法。基本 原料为：SiC颗粒和细粉（粒度《3mm)、硅线石粉（粒度《0.1mm)、 Si粉。 原料经混合、成型、干燥后，14501C、 IO小吋烧成。材料的体积密度为2.46〜 2.57g/cm3,显气孔率16.5〜21%，常温抗折强度小于22.3MPa，该方法制备的 氧化物结合SiC材料物理性能指标明显比本发明材料低，烧成温度却比本发 明髙至少200TC。
文章"碳化硅塔盘的生产及使用"（耐火材料，1996， （2): 118)提供了一 种加有粘土的氧化物结合SiC材料的制造方法及具体应用。配方组成中，SiC 加入量约诉％，粘土加入量约2%，采用甲基纤维索水溶液为结合剂。原料经 混合、成型、干燥后，在倒焰窑中1450TC、 88小时烧成，材料在琳式锌精馏 炉中使用寿命在9个月以上。该方法配方组成中加入了影响高温性能的粘土， 烧成温度却比本发明高至少200TC 。
文章"增韧复合相结合碳化硅棚板的研究和应用"（中国陶瓷工业，2001, 8 (3): 28-33)提供了氧化物结合SiC棚板（厚度12mm)的制造方法。先将
4细SiC粉与各种辅助添加剂做成预混料，再与SiC颗粒、结合剂混合，压制 成型，干燥后，在中性焰中烧成，最髙烧成温度1435"，保温8小时。辅助 添加剂包括特级苏州土、磷酸二贫铝、碳酸钡、二氧化钛、玉米糊精等数十 种原料，文中未说明添加剂具体名称和含教。文中的制造方法添加有粘土等 物质，对髙温性能有不利影响，材料烧成温度比本发明髙至少18010。
文章"諷化物结合碳化硅复合材料的研究"（西安交通大学学报，加02， 36 (9): 971-974)提供了氧化物结合SiC材料的制造方法。在100% (宽量） 的粗SiC (粒度0.5mm以上）、中SiC (粒度0.1〜0.5mm)、细SiC(粒度O.lmm 以下)原料中外加为0〜2%的SiQz、 0.2〜1%的A1203、 0.75%的^05或总傲 0.3〜1.2%的0^05+&20)混合物、0〜0.2%的MgO。坯体在氣化性气氛、1530〜 16001C保温6小时烧成。材料配方组成中加入了有害的V2Os,烧成温度比本 发明高2抑"以上。
文章"添加剂对二氧化硅包裹碳化硅材料性能的影响"（佛山陶瓷，2004, 14 (3): 6-9)
提供了 Si02结合SiC材料的制造方法。材楠配方组成屮SiC加入量97% (重 量)、Si02微粉加入量3%，外加苏州土 （粒度小于200目）加入贵1%, Si 粉（平均粒径5pm)加入量0〜1.5%， （V203+Cu)混合粉（粒度小于200目）0〜 3%。采用半干法压制成型，坯体烧成温度在1350"C以上。该方法的烧成温度 比本发明高至少1001C，但所制备的材料的物理性能指标却比本发明低得多。 此外，材料组成屮加入了影响髙温性能的苏州土，引入了价格昂贵的Cu粉或
有害的V20s粉。
中国专利"執化物结合碳化硅质材料"（申请号200610082548.0)提供了一 种具有以Si02为结合相主成分的執化物结合SiC材料的制备方法。该方法采 用的SiC骨料粒径最大50〜200Mm、 SiC微粉粒径最大0.05〜10Min, SiC加入 量为85〜99.5% (重量）、SiQ2为0.45〜10。/。，结合相中含有从原子序号22〜 29的过渡元索（Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu)中选择的至少一种微量成分的物质，微量成分换贫-成轼化物为0.05〜5.0%。材料采用浇注成型，烧 成在空气气氛窑中烧成，材料的烧成温度在实施例中为14001C。该发明材料 的常温和髙温抗折强度2100MPa，比普通Si()2结合SiC产品和本发明材料的 抗折强度髙得多。但该发明配方组成中稀使用含至少一种过渡元素（Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu)的物质，实施例中多数釆用V2Os，烧成温度比 本发明髙至少150TC。
中国专利"一种改进的碳化硅薄板"（中请号03113304.5)提出了改进陶瓷、 耐火行业煅烧用SiC质窑具的方法。该发明的材料组成为90〜99% (质量） 3mm以下的SiC颗粒，1〜10%的0〜2nm的SiC微粉，0.03〜0.7%的V203。 实施例中碳化硅薄板均采用振动成型，烧成均在15001C氧化焰中经6小量烧 成。该发明加入了有害物质V20s，烧成温度比本发明至少髙2501C。
中国专利"碳化硅质窑炉用具及其制造方法"（申请号95103594.0)提出了 一种氧化物结合SiC质窑具的制备方法。该发明特征在于：向最大粒径为4mm 以下的SiC纷末中，添加相对于该SiC量的0,01〜0.7%(质量）的V205,0,01〜 0.7%的CaO、 0.01〜5%的粘土，粉状物与适量水和有机粘结剂一起混合，成 型、干燥，烧成时700〜1100"C需经过10小时的煅烧，烧成温度范围为1300〜 15001C， 13001C以上区间经2〜10小时连续煅烧，最髙烧成温度为1500"。 6 小量烧成.该发明中加入了有害物质v2o5，最髙烧成温度比本发明髙至少 2501C。
中国专利"氧化硅结合碳化硅质耐火材料"（申请号93111661.9)提出了一 种不加粘土的Si02结合SiC耐火材料的制备方法。该发明材料的配方组成为： SiC为卯〜92% (质量），SiQ2^粉为8〜10%，磷酸铝溶液为3〜5% (外加）， 坯料含水量6〜8%,坯料采用半干压成型，坯体在倒焰窑中烧成，止火温度 14501C。该发明虽未加入有害物质V203，但加入了磷酸铝溶液，磷酸铝溶液 对铁制容器有腐蚀作用，对生产设备有害，此外引发明的最髙烧成温度比本 发明髙至少200TC。发明内容
的就在于使制备的Si()2结合SiC耐火材料在实现性能优越的同时，烧成温度
得到明显降低，实现了显著降低烧成能耗的目的。
本发明的原材料为工业SiC颗粒和细粉、Si粉、Si02细粉，这3种原料也 是该材料当前实际生产中普遍采用的原料。本发明的工艺流程与有关文献报 导和公开的专利报导的基本相同，霈经过配料、混练、成型、干燥、烧成几 个工序，其显著特征在于：在烧成前采用硅溶胶对初次干燥后的坯体进行至 少1次真空浸渗处理，而后对坯体再进行千燥处理，此后采用较低的烧成温 度（S12501C)烧成制得材料。
攻-空浸渗处理过程如下：将千燥冷却后的坯体放入容器中，将该容器置入 可抽真空的装置中，采用真空泵抽真空至一定的真空度（真空度^25kPa)， 保持5〜15分钟，在保持该真空度的条件下从外部通过连通内部的管道缓慢 向容器内注入硅溶胶溶液将坯体完全淹没，且液面髙出坯体不少于10mm，在 真空度^25kPa条件下再保持10〜30分钟，而后将真空室与大气连通，在空 气状态下放置保持时间不少于10分钟，而后取出坯体，在110〜1501C进行3〜 IO小时千燥，至此完成了 1次硅溶胶真空浸渗处理过程。根据霈要，重复上 述过程，可对坯体进行多次硅溶胶真空浸潘处理。浸渗并经千燥处理后的坯 体进入烧成工序，即将坯体置入工业窑炉中，在空气气氛下烧成，最髙烧成 温度范围11001C〜12501C、保温吋间为3〜10小时，而后随窑冷却至室温取
出.硅溶胶为一种无定形Si02粒子分散于水中的胶体溶液，其中SiQ2粒子直
径〈100nm (多数工业产品粒径10〜30nm)，这种胶体Si02粒子表面活性大， 吸附性强，烧结活性好。硅溶胶是一种广泛应用的工业胶体材料料，在纤维、 织物、涂料、橡胶等行业广泛使用。硅溶胶溶液中Na20等有害杂质很少，髙 温下粘结力强，是很好的耐火涂料结合剂。工业硅溶胶中，Si02含量最髙达 45%，其中SiOj含量25〜30%居多。对SiOz结合SiC坯体进行硅溶胶真空漫渗处理，胶体溶液渗入坯体材料的气孔孔隙中，髙表而活性的Si02胶体粒子
--部分填充在材料的显气孔中，提髙材料的致密性， 一部分可牢同粘附在SiC
粒子表面，烧成过程中，浸渗入的胶体Si02与原料中加入的Si02细粉形成网
络将SiC粒子紧密结合。经1100〜1250"烧成后，材料中胶体Si02粒子已部 分转变为方石英，材料的髙温强度已较髙，在髙于烧成温度使用时，Si02结 合SiC实际仍处于烧结增强状态，因而实际遛髙使用温度可达1550TC -本发 明无需加入粘土，不加入V20s等有害物质，利用胶体Si02粒子的髙反应活性， 可在较低烧成温度下制各出髙性能的Si02结合SiC材料。
对于Si02结合SiC耐火材料，配料吋均蒲采用一定颗粒级配的颗粒和细 粉，不同的生产者配料时采用的原料颗粒级配不尽相同，原料颗粒级配有较 大的灵活性，如，采用SiC粒度根据制品形状而调整，但最大粒度《5mm, 其中X).lmm的SiC占60〜80% (宽量，以下同），<0.1mm的混合细粉占 20〜40%，混合细粉由SiC细粉、Si粉、Si02细粉组成，其中Si粉含贵为0〜 3。/0、 SiQ2细粉总量为1.5〜9%。配料时，将SiC细粉、Si粉、SiOz细粉预先 混合制成混合细粉：混练时，外加3〜69b的树脂类有机结合剂溶液与SiC颗粒 先混合，再加入混合细粉，混练适当时间后得到泥料，采用的结合剂为有机 类结合剂，主要是酚醛树脂溶液、呋喃树脂溶液或二者组成的混合溶液。泥 料经适当的成型方式（机压成型、振动成型、捣打成型等）制得坯体，坯体 经150〜2001C、 5〜25小时干燥后再进行硅溶胶真空漫渗处理，浸渗处理次 数根据制品密度要求调整，制品密度髙，浸渗次数增加，通常采用1次浸渗 处理即有良好的效果。反应活性，可在较低烧成温度下制备出髙性能的Si" 结合SiC材料。
本发明重点不在于原料种类选择和配比、结合剂选用、成型和牛燥技术 的应用方面，而在坯体的硅溶胶浸滲处理工艺和后续的低温烧成方面。
本发明烧成温度较低，可明显降低烧成能耗，减少烧成设备的损耗，显 著降低材料的烧成成本。尽管烧成温度低，但材料性能依然优异。另外，配粘土加入对材料髙温性能的不利影响。配方组 成中不加入V20s等有害物质，避免了添加剂在工艺过程中的污染。
具体实ifi^r式
下面结合实施例对本发明作进一步描述，但不局限于下列实施例，实施例 中含量均为重量百分比。
实施例l:
将粒度1〜2mm的SiC颗粒50%、0.1〜lmm的SiC颗粒30%、《0.088mm 的SiC细
粉15%、《20jim的SiOz细粉5%，外加6%的酷醛树脂溶液作结合剂，在混 砂机中混合均匀，泥料在液压机上机压成型，制得500x450xl2mm坯体，坯 体经150TC、 5小时干燥。将坯体放入不锈钢容器屮，置入真空室中，抽真空 至真空度为25kPa,保持5分钟，在保持相同真空度的条件下缓慢注入碱性硅 溶胶溶液（Si02浓度25W、冊值=8.5〜10)将坯体完全淹没，液面高出坯体 llmm,在同等真空度条件下保持15分钟，再在空气状态下保持10分钟，取 出坯体在1101C进行3小时干燥,而后坯体置入梭式窑中，在空气气织下烧成， 烧成温度12501C、保温3小时，随窑冷却可得到产品。经X射线衍射分析及 相关检测，材科的主晶相为SiC，次晶相为方石英，体积密度为2.68g/cm3， 显气孔率为14.2%,常温抗折强度为40Mpa， 1400"C抗折强度为42Mpa。在 梭式窑中作棚板使用，最髙使用温度1350TC，使用寿命不低于卯次。 实施例2,
将粒度1〜3mm的SiC颗粒45°/。、0.1〜lmm的SiC颗粒30%、《0.092mm 的SiC细粉20%、《15,的SiOz细粉4.5°/。、《60pm的Si粉0.5%,外加5% 的呋喃树脂溶液作结合剂，在混砂机中混合均匀，泥料在液压机上机压成型， 制得500x550xl5mm坯体，坯体经180"、 10小时干燥。将冷却后的坯体放 入铝制容器中，置入真空室中，抽真空至真空度30kPa，保持10分钟，在保 持该真空度的条件上缓慢注入硅溶胶溶液（SiO2浓度20M、 PH值-9.7)将坯
9体淹没且液面髙出坯体15mm，在真空度30kPa条件下保持20分钟，而后在 空气状态下保持12分钟，取出坯体在1501C进行8小时干燥。重复上述过程， 将坯体再进行1次硅溶胶浸渗处理。而后坯体置入梭式窑中，在空气气氛下 烧成，最髙烧成温度12001C、保温8小时，随窑冷却后可制得所循产品。经 检测，材料的体积密度为2.71g/cm^显气孔率为12%,常温抗折强度为45Mpa， 1400TC抗折强度为46Mpa，材料中SiC含量为90.6%。该产品在梭式窗中作 棚板使用，最髙使用温度125(TC，使用寿命不低于80次。 实施例3:
将粒度3〜5mm的SiC颗粒15%、 1〜3mm的SiC颗粒35%、 0.1〜lmm 的SiC颗粒15。/。、《0.076mm的SiC细粉26°/。、《25阿的SiOz细粉9%，外 加2.0。/。的酚醛树脂溶液、2.0%的呋喃树脂溶液，在混砂机屮混合均匀，泥料 在液压机上机压成型，制得200x80x60mm坯体，坯体经l卯t、 25小吋干燥。 将冷却后的坯体放入不锈钢容器中，置入真空室中，抽真空至真空度27kPa， 保持10分钟，在保持该真空度的条件下缓慢注入蹄溶胶溶液（Si02浓度20%'、 PH值-10.2)将坯体完全淹没，液面髙出坯体25mm，在真空度27kPa条件 下保持15分钟，而后在空气状态下保持15分钊"，取出坯体在1301C进行9小 时干燥。坯体置入梭式窑中，在空气气氛下烧成，最髙烧成温度11501C、保 温7小时，而后随窑冷却制得所需产品。材料的体积密度为2.70gA;m3,显气 孔率为12.3%,常温耐压强度为150Mpa, 14001C抗折强度为47Mpa，材料中 SiC含量为85.2。/。。材料在陶瓷梭式窑中作立柱使用，最髙使用温度1450TC, 使用寿命超过200次。
实施例4'
将粒度1〜4mm的SiC颗粒50%、 0.1〜lmm的SiC颗粒20%、《0.08mm 的SiC细粉23.5%、《50Mm的SiOz细粉3.5%、《30)ini的Si粉3%，外加5% 的酚醛树脂溶液作结合剂，在混砂机中混合均匀，泥料在液压机上机压成型, 制得340x340x30mm坯体，坯体经17(TC、 15小吋干燥。将冷却后的坯休放入钢制容器中，置入真空室中，抽真空至真空度32kPa,保持8分钟，在保持 该真空度的条件下缓慢注入砘溶胶溶液（SiO2浓度30Q/。、 PH值-10.5)将坯 体完全淹没且液面高出坯体25mm，在真空度32kPa条件下保持15分钟，而 后在空气状态下保持25分钟，取出坯体在150"进行7小时干燥。筮复上述 过程，将坯休再进行1次碎:溶胶.旌空浸渗处理。坯体置入梭式窑中，在空气 气氛下烧成，最髙烧成温度1150"、保温8小吋，而后随苗冷却制得产品。 材料的体积密度为2.69g/cm3，显气孔率为13.2%,常温抗折强度为42Mpa, 1400"抗折强度为43Mpa，材料中SiC含量为88.3%。在『li加热推板窑中作 推板使用，最髙使用温度12501C，使用寿命超过卯次。 实施例S:
将粒度3〜5mm的SiC颗粒20%、 1〜3mm的SiC颗粒40%、 0.1〜lmm 的SiC颗粒20M、《0.09mm的SiC细粉18.5。/。、《10拜的SiOz细粉1.5%, 外加5%的酚醛树脂溶液，在混砂机中混合均匀，泥料在液压机上机压成型， 制得280x80x80mm坯体，坯体经200匸、25小吋干燥。将冷却后的坯体放入 不锈钢容器中，置入真空室中，抽真空至真空度35kPa,保持15分钟，在保 持该真空度的条件下缓慢注入硅溶胶溶液（Si02浓度26.3%、 PH值-lO.l) 将坯体完全淹没且液面髙出坯体40mm，在真空度35kPa条件下保持30分钟， 而后在空气状态下保持30分钟，取出坯体在150"进行9小时干燥。重复上 述过程，将坯体再进行1次硅溶胶真空浸渗处理。坯体置入梭式窑中，在空 气气氛下烧成，最高烧成温度12501G、保温6小吋，而后随窑冷却可得产品。 材料的体积密度为2.75g/cm3，显气孔率为10.3%,常温耐压强度为180Mpi， 14001C抗折强度为51.5Mpa,材料中SiC含量为94.6%。材料在陶瓷梭式窑中 作立柱使用，最髙使用温度1550TC，使用寿命超过250次。 实施例6'
将粒度1〜3mm的SiC颗粒50%、 0.1〜lmm的SiC颗粒25%、《0.08mm 的SiC细粉21.5%、《65,的SiOz细粉3%、《30拜的Si粉0.5%,外加6%的呋喃树脂溶液作结合剂，在混砂机中混合均匀，泥料在鹰擦压砖机上成型，
制得230xll4x75ram坯体，坯体经180"、 20小时干燥。将冷却后的坯体放 入容器中，置入真空室中，抽真空至真空度25kPa，保持10分钟，在保持该 真空度的条件下缓慢注入硅溶胶溶液（Si02浓度35。/。、 PH值-10.3)将坯体 完全淹没且液而'岛出坯体30mm,在相同的真空度条件下保持25分钟，而后 在空气状态下保持20分钟，取出坯体在135TC进行7小时干燥。坯体置入梭 式窑中，在空气气氛下烧成，最髙烧成温度1100"C、保温10小时，而后随窑 冷却可得产品。材料的体积密度为2.72g/cm3,显气孔率为13.2%,常温耐压 强度为165Mpa， 1400TC抗折强度为48Mpa，材料中SiC含量为92.1%。在铝 熔炼炉中用作炉衬材料使用，最髙使用温度11001C，使用寿命超过2,5年。 实施例7:
将1〜4mm的SiC颗粒40%、 0.1〜lmm的SiC颗粒20%、《0.09mm的 SiC细粉38。/0、《3tim的Si02细粉2W，外加3.5%的甲基酚醛树脂溶液作结 合剂，在混砂机中混合均匀，泥料在摩擦压砖机上成型，制得230xll4x65mm 坯体，坯体经160TC、 23小吋干燥。将冷却后的坯体放入钢制容器中，置入 真空室中，抽真空至真空度28kPa,保持10分钟，在保持该真空度的条件下 缓慢注入硅溶胶溶液（Si02浓度25M、 PH值-10.5)将坯体完全淹没，液面 高出坯体25咖，在真空度28kPa条件下保持30分钟，而后在空气状态下保 持加分钟，取出坯体在1501C进行10小时干燥。重复上述过程，将坯体再进 行1次硅溶胶真空浸渗处理。坯体干燥后置入梭式窑中，在空气气氛下烧成， 最髙烧成温度1150TC、保温10小时，而后随窑冷却制得产品。材料的体积密 度为2,80g/cm3,显气孔率为8.9%，常温耐压强度为205Mpa, 1400"抗折强 度为49Mpa，材料中SiC含量为91.3%。在锌熔炼炉中用作炉衬材料使用-， 最髙使用温度700"C，使用寿命超过1.5年。
12
Claims (1)
1、一种低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法，所采用的原料为SiC颗粒、SiC细粉和SiO2细粉，生产工艺过程包括：配料、混练、成型、干燥、烧成工序，其特征在于：采用硅溶胶溶液对烧成前的坯体进行至少1次真空浸渗处理；坯体的烧成温度范围为1100℃～1250℃。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102310914A CN101423412B (zh) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102310914A CN101423412B (zh) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101423412A true CN101423412A (zh) | 2009-05-06 |
| CN101423412B CN101423412B (zh) | 2012-07-11 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008102310914A Active CN101423412B (zh) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101423412B (zh) |
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| CN114620997A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-06-14 | 郑州振东科技有限公司 | 一种提高低碳镁碳砖性能的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4704111B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2011-06-15 | 日本碍子株式会社 | 酸化物結合炭化珪素質材料 |
-
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- 2008-11-27 CN CN2008102310914A patent/CN101423412B/zh active Active
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |