CN102481666B - 激光加工方法及芯片 - Google Patents

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Abstract

可一边可靠地切断加工对象物，一边提升所得到的芯片的强度。将激光(L)照射于加工对象物(1)，将沿着切断预定线(5)延伸且在厚度方向上排列的改质区域(17、27、37、47)形成于加工对象物(1)。在此，以改质区域形成部分(17a)与改质区域非形成部分(17b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域(17)，以改质区域形成部分(47a)与改质区域非形成部分(47b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域(47)。因此，在进行切断而得到的芯片中，可抑制起因于所形成的改质区域(7)而使背面(21)侧及表面(3)侧的强度降低的情况。另一方面，由于从切断预定线(5)的一端侧遍及另一端侧而连续地形成位于改质区域(17、47)间的改质区域(27、37)，所以可靠地确保加工对象物(1)的切断性。

Description

激光加工方法及芯片
技术领域
本发明涉及用以将加工对象物切断成多个芯片的激光加工方法，以及运用该激光加工方法所得到的芯片。
背景技术
作为现有的激光加工方法，已知有通过将聚光点对准加工对象物的内部并照射激光，从而沿着切断预定线将成为切断的基点的改质区域形成于加工对象物的激光加工方法(例如参照专利文献1)。这样的激光加工方法中，在形成了改质区域后，以该改质区域作为切断的起点，沿着切断预定线将加工对象物切断而分离成多个芯片。
专利文献
专利文献1：日本特开2003-338467号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在此，运用上述激光加工方法所得到的芯片，例如会有在具有施加冲击的担忧的使用环境下使用的情况，因而要求提升其抗折强度等的强度。此外，上述激光加工方法中，期望可可靠地切断加工对象物。
因此，本发明的课题在于，提供一种可一边可靠地切断加工对象物，一边提升所得到的芯片的强度的激光加工方法，以及运用该激光加工方法所得到的芯片。
解决问题的技术手段
为了解决上述课题，本发明者们进行了反复研究探讨，结果发现了在所得到的芯片中，会有起因于所形成的改质区域而使其强度降低的情况。此外，还发现了例如在芯片中，由于一方及另一方的主面侧容易成为折损(裂纹)的基点，所以形成于一方及另一方的主面侧的改质区域，特别会对强度降低产生影响。因而想到了若可抑制起因于改质区域而使芯片的一方及另一方的主面侧的强度降低的情况，则能够有效地提升芯片的强度，因而完成了本发明。
即，本发明所涉及的激光加工方法，其特征在于，为通过将聚光点对准板状的加工对象物的内部并照射激光，从而沿着切断预定线将成为切断的基点的改质区域形成于加工对象物的激光加工方法，具备沿着切断预定线以在加工对象物的厚度方向上排列的方式至少形成位于加工对象物的一方的主面侧的第1改质区域、位于加工对象物的另一方的主面侧的第2改质区域、以及位于第1及第2改质区域间的第3改质区域的改质区域形成工序，改质区域形成工序包含：以使第1改质区域的形成部分与非形成部分沿着切断预定线交替地存在的方式形成第1改质区域的工序；以使第2改质区域的形成部分与非形成部分沿着切断预定线交替地存在的方式形成第2改质区域的工序；以及以使第3改质区域的形成部分在加工对象物中从沿着切断预定线的一端侧遍及另一端侧而存在的方式形成第3改质区域的工序。
在该本发明的激光加工方法中，以一方的主面侧的第1改质区域的形成部分与非形成部分沿着切断预定线交替地存在的方式形成，并且以另一方的主面侧的第2改质区域的形成部分与非形成部分沿着切断预定线交替地存在的方式形成。因此，所得到的芯片中，可抑制一方及另一方的主面侧的强度由于所形成的改质区域而降低的情况。另一方面，以位于第1及第2改质区域间的第3改质区域的形成部分从切断预定线的一端侧遍及另一端侧而存在的方式形成，所以可可靠地确保加工对象物的切断性。因此，根据本发明，可一边可靠地切断加工对象物，一边提升所得到的芯片的强度。
此外，优选，以第1及第2改质区域的形成部分沿着切断预定线延伸且存在于通过加工对象物的切断预定面的规定部分的方式形成。此时，可在对应于所得到的芯片的边缘的部分上形成第1及第2改质区域。因此，可确保切断面的直行性。
此时，会有如下情况：在加工对象物的主面上，以矩阵状配置有多个功能元件，切断预定线以格子状设定在多个功能元件间，从侧方观看加工对象物时，以第1及第2改质区域的形成部分存在于对应于多个功能元件间的部分的方式形成，并且以改质区域的非形成部分存在于对应于功能元件的中央部的部分的方式形成。
此外，优选，多个功能元件呈长条状，以其长边方向相等的方式配置为矩阵状，第1及第2改质区域的形成部分与非形成部分以沿着切断预定线中的沿长边方向的切断预定线交替地存在的方式形成。在此，当所得到的芯片为长条状时，特别要求该长边方向的抗折强度(即，支撑芯片的长边方向两端部而施加力时的易折性)的提升。关于此点，如上所述，能够有效地发挥下述效果：当第1及第2改质区域的形成部分与非形成部分沿着沿长边方向的切断预定线交替地存在时，可尤其提高长边方向的抗折强度，并提升芯片的强度。
此外，会有如下情况：还具备以第1、第2及第3改质区域作为切断的基点，沿着切断预定线切断加工对象物的切断工序。
此外，本发明所涉及的芯片，其特征在于，为具有大致平行于厚度方向的侧面的芯片，在侧面中的至少一个侧面上，至少形成有在厚度方向上排列且沿着该厚度方向的交叉方向延伸的第1、第2及第3改质区域，第1改质区域在一个侧面上，位于芯片的一方的主面侧，并形成于交叉方向上的一端部及另一端部，第2改质区域在一个侧面上，位于芯片的另一方的主面侧，并形成于一端部及另一端部，第3改质区域在一个侧面上，位于第1及第2改质区域间，并从一端部遍及另一端部而形成。
本发明的该芯片，可通过使用上述本发明所涉及的激光加工方法而得到。在此，一方的主面侧的第1改质区域及另一方的主面侧的第2改质区域，沿着交叉方向形成于交叉方向上的一端部及另一端部。因此，在芯片中可抑制一方及另一方的主面侧的强度由于所形成的改质区域而降低的情况，从而能够提升芯片的强度。
发明的效果
根据本发明，可可靠地切断加工对象物，并且可提升所得到的芯片的强度。
附图说明
图1为实施本实施方式所涉及的激光加工方法的激光加工装置的概略构成图。
图2是显示成为改质区域的形成对象的加工对象物的一例的平面图。
图3为沿着图2的加工对象物的III-III线的剖面图。
图4为激光加工后的加工对象物的平面图。
图5为沿着图4的加工对象物的V-V线的剖面图。
图6为沿着图4的加工对象物的VI-VI线的剖面图。
图7是显示成为第1实施方式的激光加工方法的对象的加工对象物的平面图。
图8为用以说明第1实施方式的激光加工方法的沿着图7的VIII-VIII线的剖面工序图。
图9是用以显示图8的接续的剖面工序图。
图10是用以显示图9的接续的剖面工序图。
图11是显示通过第1实施方式的激光加工方法所得到的芯片的立体图。
图12是显示通过第1实施方式的激光加工方法所得到的芯片的侧面的扩大照片图。
图13是显示图12的芯片的抗折强度试验结果的图表。
图14是显示成为第2实施方式的激光加工方法的对象的加工对象物的平面图。
图15为用以说明第2实施方式的激光加工方法的沿着图14的XV-XV线的剖面工序图。
图16是用以显示图15的接续的沿着图14的XVI-XVI线的剖面工序图。
图17是用以显示图16的接续的剖面工序图。
图18是用以显示图17的接续的剖面工序图。
图19是显示通过第2实施方式的激光加工方法所得到的芯片的立体图。
符号的说明
1、61…加工对象物、3…表面、5、5a、5b…切断预定线、7、17、27、37、47、57、67、77、87…改质区域、15、65…功能元件、17a、27a、37a、47a、67a、77a、87a…改质区域形成部分、17b、47b、67b、87b…改质区域非形成部分、21…背面、51、63b…侧面、C1、C2…芯片、L…激光、P…聚光点、S…切断预定面。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本发明的优选的实施方式。还有，各图中，对于相同或相当的要素，附加相同的图号，省略重复的说明。此外，“左”“右”的用语，是根据图面所示的状态所使用的简便用语。
本实施方式所涉及的激光加工装置中，通过将聚光点对准加工对象物的内部并照射激光，从而将改质区域形成于加工对象物。在此，首先，参照图1～图6，说明依据激光加工装置所进行的改质区域的形成。
如图1所示，激光加工装置100具备：使激光L脉冲振荡的激光光源101、以将激光L的光轴(光路)的方向改变90°的方式配置的分光镜103、以及用以将激光L聚光的聚光用透镜105。此外，激光加工装置100具备：用以支撑照射经聚光用透镜105聚光后的激光L的加工对象物1的支撑台107、用以使支撑台107在X、Y、Z轴方向上移动的可动台111、为了调节激光L的输出及脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、以及控制可动台111的移动的可动台控制部115。
该激光加工装置100中，从激光光源101所射出的激光L，通过分光镜103使其光轴的方向改变90°，并通过聚光用透镜105而聚光于支撑台107上所载置的加工对象物1的内部。与此同时，移动可动台111，使加工对象物1相对于激光L沿着切断预定线5相对地移动。由此，在加工对象物1形成沿着切断预定线5的改质区域。
加工对象物1，使用半导体材料或压电材料等，如图2所示，在加工对象物1，设定有用以切断加工对象物1的切断预定线5。切断预定线5为直线状地延伸的假想线。当将改质区域形成于加工对象物1的内部时，如图3所示，在将聚光点P对准加工对象物1的内部的状态下，使激光L沿着切断预定线5(即，朝向图2的箭头A方向)相对地移动。由此，如图4～图6所示，改质区域7沿着切断预定线5形成于加工对象物1的内部，沿着切断预定线5所形成的改质区域7成为切断起点区域8。
还有，所谓聚光点P，为激光L所聚光的场所。此外，切断预定线5并不限于直线状，可为曲线状，此外，不限于假想线，可为实际在加工对象物1的表面3所引出的线。此外，改质区域7可连续地形成或断续地形成，此外，可为列状或点状。总而言之，改质区域7的形成及形成部分，只要是以成为切断的基点的方式实质地形成于加工对象物1的内部即可。此外，有时会以改质区域7为起点而形成龟裂，龟裂及改质区域7可露出于加工对象物1的外表面(表面、背面、或外周面)。
顺带一提，在此，激光L透过加工对象物1，并且尤其在加工对象物1的内部的聚光点附近被吸收，由此，在加工对象物1形成改质区域7(即内部吸收型激光加工)。因此，激光L在加工对象物1的表面3几乎不被吸收，所以加工对象物1的表面3不会熔融。一般而言，当从表面3进行熔融去除来形成孔或槽等的去除部(表面吸收型激光加工)时，加工区域从表面3侧逐渐朝向背面侧进行。
但是，通过本实施方式所涉及的激光加工装置所形成的改质区域，是指密度、折射率、机械强度或其它物理特性成为与周围不同的状态的区域。作为改质区域，例如有熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些区域混合存在的区域。再者，作为改质区域，有在加工对象物的材料中改质区域的密度与非改质区域的密度相比发生变化了的区域，及形成有晶格缺陷的区域(也将它们统称为高密度转移区域)。
此外，熔融处理区域或折射率变化区域、改质区域的密度与非改质区域的密度相比发生变化了的区域、形成有晶格缺陷的区域，还有在这些区域的内部或改质区域与非改质区域的界面内含有龟裂(破裂、微裂纹)的情况。所内含的龟裂，有遍及改质区域的整个面的情况及仅形成于一部分或形成于多个部分的情况。作为加工对象物1，例如可列举出包含硅、玻璃、LiTaO3或蓝宝石(Al2O3)、或者由这些材料构成的加工对象物。
〔第1实施方式〕
接着，详细地说明本发明的第1实施方式的激光加工方法。
成为本实施方式的激光加工方法的对象的加工对象物1中，如图7所示，在该表面3形成有多个功能元件15。功能元件15，例如为通过结晶成长所形成的半导体动作层、光电二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、或者形成为集成电路的电路元件等。在此，功能元件15形成为矩形状的驱动IC(Integrated Circuit)，并以矩阵状配置有多个。
作为该加工对象物1，例如使用大致圆板状的硅基板，加工对象物1中，设定有通过相邻的功能元件15间的格子状的切断预定线5。即，切断预定线5，含有沿着一个方向延伸的切断预定线5a、以及沿着与该切断预定线5a正交(交叉)的方向延伸的切断预定线5b而构成。
本实施方式的激光加工方法中，从背面21侧朝向表面3侧，依序形成沿着切断预定线5延伸且在厚度方向上排列的4列改质区域17、27、37、47。然后，以这些改质区域17、27、37、47作为切断的基点，将加工对象物1切断成多个芯片。具体而言，首先，如图8(a)所示，将扩展胶带22贴附于加工对象物1的背面21，并将该加工对象物1载置于支撑台107(参照图1)上。
接着，以加工对象物1的表面3作为激光入射面，在加工对象物1中将聚光点P对准背面21侧并将激光L照射在加工对象物1。此外，使该激光L沿着切断预定线5a相对地移动(扫描)。由此，如图8(b)所示，将位于加工对象物1的背面21侧的改质区域17，沿着切断预定线5a形成于加工对象物1的内部。
此时，通过激光光源控制部102来控制激光L的射出的开启与关闭(ON·OFF)，从而以使作为形成有改质区域17的部分的改质区域形成部分17a与未形成有改质区域17的改质区域非形成部分17b沿着切断预定线5a交替地存在的方式，形成改质区域17。换言之，沿着切断预定线5a断续地形成改质区域形成部分17a。
更加具体而言，从侧方观看加工对象物1时，以使改质区域形成部分17a存在于对应于多个功能元件15间的部分(区间)的方式形成。即，将改质区域形成部分17a作为对应于切断后的芯片的边缘的部分，以沿着切断预定线5a延伸规定长度且位于通过加工对象物1的切断预定面S的规定部分的方式形成。另一方面，以使改质区域非形成部分17b存在于对应于功能元件15的中央部的部分(区间)的方式形成。
接着，在加工对象物1中一边将聚光点P对准比改质区域17更接近表面3侧的位置并照射激光L，一边使激光L沿着切断预定线5a相对地移动。由此，如图9(a)所示，将位于加工对象物1的厚度方向的大致中央的改质区域27，沿着切断预定线5a连续地形成于加工对象物1的内部。即，将作为改质区域27的形成部分的改质区域形成部分27a，以从沿着切断预定线5a的方向上的加工对象物1的一端侧遍及另一端侧而存在的方式连续地形成。
接着，在加工对象物1中一边将聚光点P对准比改质区域27更接近表面3侧的位置并照射激光L，一边沿着切断预定线5a使其相对地移动。由此，将位于加工对象物1的厚度方向的大致中央且与改质区域27相同的改质区域37，沿着切断预定线5a连续地形成于加工对象物1的内部。
接着，一边将聚光点P对准加工对象物1的表面3侧并照射激光L，一边使激光L相对地移动。由此，如图9(b)所示，将位于加工对象物1的表面3侧的改质区域47，沿着切断预定线5a形成于加工对象物1的内部。该改质区域47与上述改质区域17同样地构成，以使作为形成有改质区域47的部分的改质区域形成部分47a与未形成有改质区域47的改质区域非形成部分47b沿着切断预定线5a交替地存在的方式形成。
然后，与上述沿着切断预定线5b的改质区域17、27、37、47的形成相同地，沿着切断预定线5b形成改质区域17、27、37、47。最后，如图10所示，通过将扩展胶带22扩张，以改质区域17、27、37、47作为切断的基点，沿着切断预定线5将加工对象物1切断成每个功能元件15。由此，可得到例如芯片大小为5mm×5mm的多个半导体芯片C1。
还有，例如当加工对象物1的厚度较薄等时，也可省略改质区域37的形成。此外，例如当加工对象物1的厚度较厚等时，还可在改质区域37、47间形成与改质区域27相同的1列或多列改质区域。即，在改质区域17、47间可形成至少1列的改质区域27，只要是对应于加工对象物1的厚度适当形成改质区域即可。
图11是显示通过本实施方式的激光加工方法所得到的芯片的立体图。如图11所示，芯片C1，从表面3观看时呈正方形状，并具有形成于该表面3的功能元件15。在该芯片C1的各侧面51，从背面21侧朝向表面3侧，依序形成有在厚度方向上排列的4列改质区域17、27、37、47。各个改质区域17、27、37、47，在各侧面51上，沿着厚度方向的正交方向(以下，单单称为“正交方向”)延伸。
改质区域17位于最接近背面21侧的位置，改质区域47位于最接近表面3侧的位置。这些改质区域17、47，在各侧面51上，形成于正交方向上的芯片C1的作为边缘部的左端部(一端部)及右端部(另一端部)。在此的改质区域17、47，从侧面51观看时，仅设置在对应于表面3的未设置有功能元件15的区域的部分。即，在对应于表面3的设置有功能元件15的区域的部分上，未形成有改质区域17、47。改质区域27、37位于改质区域17、47间，在各侧面51上，从正交方向上的芯片C1的左端部遍及右端部连续地形成。
以上，本实施方式中，以使改质区域形成部分17a与改质区域非形成部分17b沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域17。此外，以使改质区域形成部分47a与改质区域非形成部分47b沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域47。因此，可抑制芯片C1中容易成为折损的基点部的背面21侧及表面3侧的强度因改质区域7的形成而降低的情况。另一方面，从切断预定线5的一端侧遍及另一端侧，连续地形成位于改质区域17、47间的改质区域27、37，所以可可靠地确保加工对象物1的切断性。其结果，可一边可靠地切断加工对象物1，一边提升经切断所得到的芯片C1的抗折强度。
即，本实施方式中，在最接近于加工对象物1的表面3及背面21的位置上，以设置有非形成部分的方式断续地形成改质区域17、47，在这些改质区域17、47所夹持的位置上，以未设置非形成部分的方式连续地形成改质区域27、37。由此，可一边维持加工对象物1的切断性，一边减少改质区域7的形成部分(形成切断所需要的最低限度的改质区域7)，以提升芯片C1的抗折强度等的强度或刚性。
此外，如上所述，改质区域形成部分17a、47a，从侧方观看时，以位于对应于多个功能元件15间的部分的方式形成，并存在于与加工对象物1的切断预定面S交叉的规定部分。由此，所得到的芯片C1中，在其边缘部分(即侧面51上的左端部及右端部)形成有改质区域17、47。其结果，可确保作为切断面的芯片C1的侧面51的直行性，抑制所谓裙缘的产生而提高质量。
图12是显示通过本实施方式所得到的芯片的侧面的扩大照片图。图中的芯片C1，其大小为5mm×5mm，其厚度为200μm。图12(a)、(b)、(c)分别显示以芯片C1的表面3为上方的状态下的芯片C1的左端部、中央部、及右端部。
在制造该芯片C1时，将3列改质区域17、27、47形成于加工对象物1。具体而言，将聚光点P对准距离加工对象物1的表面3为180μm的位置上，并以功率0.5W照射激光L来形成改质区域17，将聚光点P对准距离加工对象物1的表面3为120μm的位置上，并以功率0.72W照射激光L来形成改质区域27，将聚光点P对准距离加工对象物1的表面3为60μm的位置上，并以功率0.5W照射激光L来形成改质区域47。
如图12所示，可确认到在芯片C1的侧面51，在背面21附近朝左右方向延伸的改质区域17、在厚度方向的中央部朝左右方向延伸的改质区域27、以及在表面3附近朝左右方向延伸的改质区域47在厚度方向上排列而形成3列。于是，可知改质区域17、47仅形成于左端部及右端部而未形成于左右方向的中央部，而改质区域27从左端部遍及右端部连续地形成。
尤其是通过最初的扫描所形成的改质区域17，相对于通过其后的扫描所形成的改质区域47而言较密(换言之，改质区域47相对于改质区域17而言较粗)。可以认为这是由于在改质区域47的形成时，由改质区域17的形成而从该改质区域17产生的龟裂等会产生影响。
图13是显示图12的芯片的抗折强度试验结果的图表。图中，所谓现有的芯片，显示通过现有的激光加工所得到的芯片，在此，显示在芯片的各侧面上从左端部遍及右端部连续地形成的改质区域在厚度方向上排列而形成3列。
此外，该抗折强度试验中，测量3点弯曲方式中的强度，即测量在两端支撑芯片C1的状态下使用刀片等来施加力时的强度。作为测量机，使用Autograph AG-IS(岛津制作所制)，将刀片的点间距离设为2mm。此外，将从激光的入射面(即表面3)侧施加力，并使入射面的相反侧的入射背面(即背面21)侧切开时的强度表示为“切开面为入射背面”，将从入射背面侧施加力并使入射面侧切开时的强度表示为“切开面为入射面”。
如图13所示，根据本实施方式，可知与现有的芯片相比，能够提高芯片C1的抗折强度。在此，当切开面为入射背面时，抗折强度的平均值可提高至3倍以上，当切开面为入射面时，抗折强度的平均值可提高至1.5倍以上。
还有，可以认为，当切开面为入射背面时，背面21侧的改质区域17可有效地有助于抗折强度提升，当切开面为入射面时，表面3侧的改质区域47可有效地有助于抗折强度提升。顺带一提，即使在对厚度设为300μm的芯片C1进行上述抗折强度试验的结果中，也可确认到与现有的芯片相比，能够提高抗折强度。
以上，背面21或者表面3的任意一方构成“一方的主面”，任意另一方构成“另一方的主面”。此外，改质区域17或者改质区域47的任意一方构成“第1改质区域”，任意另一方构成“第2改质区域”。此外，改质区域27、37构成“第3改质区域”。
〔第2实施方式〕
接着，说明本发明的第2实施方式。还有，本实施方式的说明中，主要说明与上述实施方式不同的方面。
成为本实施方式的激光加工方法的对象的加工对象物61中，如图14所示，在其表面3形成有多个功能元件65。功能元件65呈长条矩形状，并以其长边方向相等的方式配置为矩阵状。
本实施方式的激光加工方法中，首先，如图15(a)所示，将BG胶带62贴附于加工对象物61的表面3侧，并将该加工对象物1载置于支撑台107(参照图1)上。
接着，以加工对象物61的背面21作为激光入射面，一边将激光L照射在加工对象物61，一边沿着在功能元件65的短边方向上延伸的切断预定线5a使其相对地移动。然后，改变聚光点P的位置并重复进行该工序。由此，如图8(b)所示，从背面21侧朝向表面3侧，依序形成沿着切断预定线5延伸且在厚度方向上排列的3列改质区域57(571、572、573)。
改质区域571以位于加工对象物61的表面3侧的方式形成，改质区域572以位于加工对象物61的厚度方向的大致中央的方式形成，改质区域573以位于加工对象物61的背面21侧的方式形成。这些改质区域571、572、573，以从沿着切断预定线5a的方向上的加工对象物61的一端侧遍及另一端侧而存在的方式连续地形成。
接着，在加工对象物61中一边将聚光点P对准表面3侧并照射激光L，一边沿着在功能元件65的长边方向上延伸的切断预定线5b使其相对地移动。由此，如图16(a)所示，将位于加工对象物61的表面3侧的改质区域67，沿着切断预定线5b形成于加工对象物61的内部。此时，通过激光光源控制部102来控制激光L的射出的开启与关闭(ON·OFF)，从而以使作为形成有改质区域67的部分的改质区域形成部分67a与未形成有改质区域67的改质区域非形成部分67b沿着切断预定线5b交替地存在的方式形成改质区域67。
具体而言，从侧方观看加工对象物61时，以使改质区域形成部分67a存在于对应于多个功能元件65间的部分的方式形成，另一方面，以使改质区域非形成部分67b存在于对应于功能元件65的中央部的部分的方式形成。
接着，在加工对象物61中一边将聚光点P对准厚度方向的大致中央并照射激光L，一边使激光L沿着切断预定线5b相对地移动。由此，如图16(b)所示，将位于加工对象物61的厚度方向的大致中央的改质区域77(改质区域形成部分77a)，以从沿着切断预定线5b的方向上的加工对象物61的一端侧遍及另一端侧而存在的方式连续地形成。
接着，一边将聚光点P对准加工对象物61的背面21侧并照射激光L，一边使激光L相对地移动。由此，如图16(c)所示，将位于加工对象物61的表面3侧的改质区域87，沿着切断预定线5b形成于加工对象物61的内部。该改质区域87，与上述改质区域67相同地构成，以使作为形成有改质区域87的部分的改质区域形成部分87a与未形成有改质区域87的改质区域非形成部分87b沿着切断预定线5b交替地存在的方式形成。
然后，如图17所示，将扩展胶带22贴附于加工对象物61的背面21并予以转印后，如图18所示，通过将扩展胶带22扩张，从而以改质区域57、67、77、87作为切断的起点，沿着切断预定线5将加工对象物61切断成每个功能元件65。由此，可得到多个半导体芯片C2。
图19是显示通过本实施方式的激光加工方法所得到的芯片的立体图。如图11所示，芯片C2，从表面3观看时呈长方形状，并具有形成于表面3的功能元件65。在该芯片C2中，在沿着功能元件65的短边方向的侧面63a，从表面3侧朝向背面21侧，依序形成有在厚度方向上排列的3列改质区域571、572、573。各个改质区域571、572、573，在侧面63a上沿着正交方向延伸。
改质区域571位于侧面63a的表面3侧而形成，改质区域572位于侧面63a的厚度方向的大致中央而形成，改质区域573位于侧面63a的背面21侧而形成。这些改质区域571、572、573，以从正交方向上的侧面63a的一端侧遍及另一端侧而存在的方式连续地形成。
此外，在芯片C2中，在沿着功能元件65的长边方向的侧面63b，从表面3侧朝向背面21侧，依序形成有在厚度方向上排列的3列改质区域67、77、87。改质区域67位于最接近表面3侧的位置，改质区域87位于最接近背面21侧的位置。这些改质区域67、87，在侧面63b上，形成于正交方向上的芯片C1的作为边缘部的左端部及右端部。在此的改质区域67、87，从侧面63b观看时，仅设置在对应于表面3的未设置有功能元件65的区域的部分上。即，在对应于表面3的设置有功能元件15的区域的部分上，未形成改质区域67、87。改质区域77位于改质区域67、87间，在侧面63b上，从正交方向上的芯片C1的左端部遍及右端部连续地形成。
以上，本实施方式中，也可获得与上述效果相同的效果，即，可一边可靠地切断加工对象物1，一边提升经切断所得到的芯片C1的强度。
此外，如本实施方式所述，功能元件65为长条状，当经切断所得到的芯片C2为长条状时，尤其要求芯片C2的长边方向的抗折强度的提升。关于此点，如上所述，当沿着沿长边方向的切断预定线5b使改质区域形成部分67a、87a与改质区域非形成部分67b、87b交替地存在时，尤其可提高长边方向的抗折强度，而能够有效地发挥提升芯片C2的强度的上述效果。
以上，改质区域87或者改质区域67的任意一方构成“第1改质区域”，任意另一方构成“第2改质区域”。此外，改质区域77构成“第3改质区域”。
以上，说明了本发明的优选的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，上述第1实施方式中，构成为以表面3作为激光照射面使激光L入射的表面入射，但也可构成为以背面21作为激光照射面使激光L入射的背面入射。此外，上述第2实施方式中，构成为背面入射，但也可构成为表面入射。
此外，上述第1实施方式中，依序形成改质区域17、27、37、47，上述第2实施方式中，依序形成改质区域57、67、87，但是，形成改质区域的顺序并无限定，能够以期望的顺序来形成。
还有，关于改质区域形成部分与改质区域非形成部分，除了如上述实施方式所述控制激光L的射出的开启与关闭(ON·OFF)之外，也可通过开闭设置于激光L的光路上的快门，或者将加工对象物1的表面3进行遮蔽等而形成。再者，可通过将激光L的强度控制在形成改质区域的阈值(加工阈值)以上的强度与不到加工阈值的强度之间，从而形成改质区域形成部分与改质区域非形成部分。
产业上的可利用性
根据本发明，可可靠地切断加工对象物，并且可提升所得到的芯片的强度。

Claims (5)

1.一种激光加工方法，其特征在于，
是通过将聚光点对准板状的加工对象物的内部并照射激光，从而沿着切断预定线将成为切断的基点的改质区域形成于所述加工对象物的激光加工方法，
具备：改质区域形成工序，其沿着所述切断预定线，以在所述加工对象物的厚度方向上排列的方式，至少形成位于所述加工对象物的一方的主面侧的第1改质区域、位于所述加工对象物的另一方的主面侧的第2改质区域、以及位于所述第1及第2改质区域间的第3改质区域，
所述改质区域形成工序包含：
以使所述第1改质区域的形成部分与非形成部分沿着所述切断预定线交替地存在的方式形成所述第1改质区域的工序；
以使所述第2改质区域的形成部分与非形成部分沿着所述切断预定线交替地存在的方式形成所述第2改质区域的工序；以及
以使所述第3改质区域的形成部分在所述加工对象物中从沿着所述切断预定线的一端侧遍及另一端侧而存在的方式形成所述第3改质区域的工序，
所述第1及第2改质区域的形成部分以沿着所述切断预定线延伸且存在于通过所述加工对象物的切断预定面并与所述切断预定面交叉的规定部分的方式形成。
2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，
在所述加工对象物的所述主面上，以矩阵状配置有多个功能元件，
所述切断预定线以格子状设定在所述多个功能元件间，
从侧方观看所述加工对象物时，所述第1及第2改质区域的形成部分以存在于对应于所述多个功能元件间的部分的方式形成，并且所述改质区域的非形成部分以存在于对应于所述功能元件的中央部的部分的方式形成。
3.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，
所述多个功能元件呈长条状，以其长边方向相等的方式配置为矩阵状，
所述第1及第2改质区域的形成部分与非形成部分以沿着所述切断预定线中的沿所述长边方向的切断预定线交替地存在的方式形成。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的激光加工方法，其特征在于，
还具备：以所述第1、第2及第3改质区域作为切断的基点，沿着所述切断预定线切断所述加工对象物的切断工序。
5.一种芯片，其特征在于，
为具有大致平行于厚度方向的侧面的芯片，
在所述侧面中的至少一个侧面上，至少形成有在所述厚度方向上排列且沿着该厚度方向的交叉方向延伸的第1、第2及第3改质区域，
所述第1改质区域，在所述一个侧面上，位于所述芯片的一方的主面侧，并形成于所述交叉方向上的一端部及另一端部，
所述第2改质区域，在所述一个侧面上，位于所述芯片的另一方的主面侧，并形成于所述一端部及所述另一端部，
所述第3改质区域，在所述一个侧面上，位于所述第1及第2改质区域间，并从所述一端部遍及所述另一端部而形成。
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