CN102469702B

CN102469702B - 线路板的制造方法

Info

Publication number: CN102469702B
Application number: CN 201010542349
Authority: CN
Inventors: 余丞博; 徐嘉良
Original assignee: Xinxing Electronics Co Ltd
Current assignee: Xinxing Electronics Co Ltd; Unimicron Technology Corp
Priority date: 2010-11-10
Filing date: 2010-11-10
Publication date: 2013-09-11
Anticipated expiration: 2030-11-10
Also published as: CN102469702A

Abstract

本发明是有关于一种线路板的制造方法。首先，在一复合基板上形成一遮罩层。复合基板包括一导体层以及一覆盖导体层的绝缘层，而遮罩层覆盖绝缘层的上平面。接着，在遮罩层上形成一凹刻图案以及至少一盲孔。凹刻图案相对于遮罩层的外平面的深度大于遮罩层的厚度。接着，增强在凹刻图案内与盲孔内的表面极性强度。之后，移除遮罩层。接着，利用表面极性强度，形成一覆盖凹刻图案与盲孔的图案活化层。之后，在图案活化层上形成一线路层与至少一导电柱。

Description

线路板的制造方法

技术领域

本发明是有关于一种线路板的制造方法，特别是有关于一种利用表面极性强度(intensity of surface polarity)来制造线路板的方法。

背景技术

线路板是手机、电脑与数字相机等电子装置(electronic device)，以及电视、洗衣机与冰箱等家电用品所需要的元件。详细而言，线路板能承载及组装芯片(chip)、被动元件(passive component)与主动元件(activecomponent)等多种电子元件(electronic component)，并让这些电子元件彼此电性连接。如此，电信号可以在这些电子元件之间传递，而让上述电子装置及家电用品运作。

发明内容

本发明提供一种线路板的制造方法，用于制造线路板。

本发明采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种线路板的制造方法，包括：在一复合基板上形成一遮罩层，其中该复合基板包括一导体层以及一覆盖该导体层的绝缘层，而该遮罩层覆盖该绝缘层的一上平面；在该遮罩层上形成一凹刻图案以及至少一与该凹刻图案相通的盲孔，其中该盲孔局部暴露该导体层，而该凹刻图案相对于该遮罩层的一外平面的深度大于该遮罩层的厚度；增强该绝缘层在该凹刻图案内与该盲孔内的一表面极性强度；在增强该表面极性强度之后，移除该遮罩层；在移除该遮罩层之后，利用该表面极性强度，形成一覆盖该凹刻图案与该盲孔二者表面的图案活化层，其中该图案活化层局部暴露该绝缘层；以及在该图案活化层上形成一线路层与至少一导电柱，其中该线路层位在该凹刻图案内，而该导电柱位在该盲孔内，并且连接在该导体层与该线路层之间。

本发明还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的线路板的制造方法，其中所述的形成该图案活化层的方法包括：形成一覆盖该上平面、该凹刻图案的表面以及该盲孔的表面的活化层；以及移除覆盖该上平面的该活化层，并保留覆盖该凹刻图案与该盲孔二者表面的该活化层。

前述的线路板的制造方法，其中所述的形成该活化层的方法包括浸镀。

前述的线路板的制造方法，其中所述的移除覆盖该上平面的该活化层的方法包括对该活化层进行速化。

前述的线路板的制造方法，其中所述的形成该凹刻图案与该盲孔的方法包括激光烧蚀。

前述的线路板的制造方法，其中所述的增强该表面极性强度的方法包括对该绝缘层施于等离子体。

前述的线路板的制造方法，其中所述的在该图案活化层形成以前，更包括对该导体层进行微蚀刻。

前述的线路板的制造方法，其中所述的在对该绝缘层施于等离子体之后，对该导体层进行微蚀刻。

前述的线路板的制造方法，其中所述的在对该绝缘层施于等离子体之前，对该导体层进行微蚀刻。

前述的线路板的制造方法，其中所述的形成该遮罩层的方法包括涂布或贴合。

前述的线路板的制造方法，其中所述的移除该遮罩层的方法包括剥除、磨除或化学蚀除。

前述的线路板的制造方法，其中所述的形成该线路层与该导电柱的方法包括化学镀。

前述的线路板的制造方法，其中所述的该复合基板更包括一主体层，该导体层位在该主体层与该绝缘层之间。

基于上述，在本发明的线路板完成制作之后，利用上述线路层，可供至少一个电子元件组装，并使多个电子元件能彼此电性连接。如此，电信号能在这些电子元件之间传递，促使电子装置与家电用品运作。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G是本发明一实施例线路板的制造方法的剖面流程示意图。

100：线路板 110：复合基板

112：导体层 112p：接垫

114：绝缘层 114a：上平面

116：主体层 120：遮罩层

122：外平面 130：凹刻图案

140：盲孔 150：图案活化层

152：活化层 160：线路层

170：导电柱 D1：深度

D2：厚度 P1：等离子体

S31、S41：底面 S32、S42：侧壁

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例，对依据本发明提出的线路板的制造方法其具体实施方式、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

图1A至图1G是本发明一实施例线路板的制造方法的剖面流程示意图。请参阅图1A，在本实施例的线路板的制造方法中，首先，在一复合基板110上形成一遮罩层120。复合基板110包括一导体层112以及一绝缘层114，而绝缘层114覆盖导体层112。

上述，形成遮罩层120的方法有多种，而在本实施例中，形成遮罩层120的方法可以包括涂布或贴合。举例而言，当遮罩层120是由液态材料所形成时，遮罩层120可以是用涂布而形成；当遮罩层120是由固态膜层所形成时，遮罩层120可以是用贴合而形成。此外，构成遮罩层120的材料可以是高分子材料。

遮罩层120覆盖绝缘层114的一上平面114a，所以绝缘层114位在遮罩层120与导体层112之间。构成绝缘层114的材料例如是树脂或陶瓷等绝缘材料，且绝缘层114可以是由半固化胶片(prepreg)所形成。导体层112可以是线路层，并且可以是金属箔片经蚀刻(etching)后而形成。此外，上述金属箔片例如是铜箔或铝箔。

复合基板110可以更包括一主体层116，而导体层112位在主体层116与绝缘层114之间。主体层116可以具有至少一线路层(未绘示)，而导体层112能电性连接此线路层。基于导体层112与主体层116的线路层之间的电性连接，主体层116与导体层112二者本质上可以整合成一块线路基板(wiring substrate)。

须说明的是，在其他实施例中，复合基板110不一定包括主体层116，即主体层116为复合基板110的选择性元件，而非必要元件，所以复合基板110可以不包括主体层116，而仅包括导体层112与绝缘层114。因此，图1A至图1G所示的主体层116仅为举例说明，并非限定本发明。

请参阅图1B，接着，在遮罩层120上形成一凹刻图案130与至少一盲孔140。盲孔140与凹刻图案130相通，且盲孔140会局部暴露导体层112。当导体层112为线路层时，盲孔140会暴露导体层112的一接垫(pad)112p。遮罩层120具有一外平面122，而凹刻图案130相对于外平面122的深度D1大于遮罩层120的厚度D2。也就是说，凹刻图案130是移除部分遮罩层120与部分绝缘层114而形成，因此凹刻图案130会局部暴露绝缘层114。

形成凹刻图案130与盲孔140的方法可以包括激光烧蚀。当凹刻图案130与盲孔140是以激光烧蚀而形成时，凹刻图案130与盲孔140二者表面会产生些微的表面极性(surface polarity)，即凹刻图案130的底面S31与侧壁S32、盲孔140的底面S41与侧壁S42皆会产生极性，以至于底面S31、S41以及侧壁S32、S42四者的净电荷(net charge)不等于零，因此凹刻图案130与盲孔140二者的表面(即底面S31、S41与侧壁S32、S42)不会呈现电中性。

值得一提的是，关于盲孔140的数目，虽然图1B仅绘示一个盲孔140，但是在其他实施例中，盲孔140的数目可以是多个。因此，尽管图1B所示的盲孔140仅为一个，但是在此强调，图1B所示的盲孔140的数目仅为举例说明，并非限定本发明。

请参阅图1C，接着，增强绝缘层114在凹刻图案130内与盲孔140内的表面极性强度，也就是让底面S31、S41与侧壁S32、S42四者的极性强度增强。增强绝缘层114表面极性强度的方法有多种，而在本实施例中，增强表面极性强度的方法可以包括对绝缘层114施于等离子体P1。

详细而言，将绝缘层114与遮罩层120置放在存有等离子体P1的环境中，例如放在能产生等离子体P1的真空腔体(vacuum chamber)内。如此，等离子体P1能施于绝缘层114与遮罩层120。当等离子体P1施于绝缘层114与遮罩层120时，外平面122与遮罩层120所暴露的绝缘层114的表面会堆积电荷(electric charge)，进而增强绝缘层114在凹刻图案130内与盲孔140内的表面极性强度。此外，为清楚表示增强的表面极性，图1C在外平面122、凹刻图案130内与盲孔140内绘示多个“.”，以表示表面上堆积的电荷。

在凹刻图案130与盲孔140皆以激光烧蚀而形成的情况下，等离子体P1更可清除凹刻图案130内与盲孔140内的胶渣。另外，在对绝缘层114施于等离子体P1之后，可以对导体层112进行微蚀刻，以清洁底面S41，即清洁接垫112p的表面，进而维持接垫112p以及后续与其电性连接的导电柱二者之间的电性连接品质。此外，对导体层112所进行的微蚀刻也可以是在等离子体P1施于绝缘层114之前执行。

请参阅图1C与图1D，在增强绝缘层114在凹刻图案130内与盲孔140内的表面极性强度之后，移除遮罩层120，以裸露出绝缘层114的上平面114a。移除遮罩层120的方法有多种，而在本实施例中，移除遮罩层120的方法可以包括剥除、磨除或化学蚀除，其中化学蚀除的方法例如是将遮罩层120浸泡在化学药液中，并且利用遮罩层120与此化学药液之间的化学反应来移除遮罩层120。

在前述增强表面极性强度的过程中，仅绝缘层114在凹刻图案130内与盲孔140内的表面极性强度被增强，而上平面114a的表面极性强度因为被遮罩层120遮挡而没有被增强，因此在遮罩层120被移除之后，绝缘层114在上平面114a的表面极性强度会小于在凹刻图案130内与盲孔140内的表面极性强度，所以在图1D中，没有在上平面114a上绘示出任何“.”。

请参阅图1E与图1F，接着，利用绝缘层114在凹刻图案130内与盲孔140内的表面极性强度(请参阅图1D)，形成一覆盖凹刻图案130与盲孔140二者表面的图案活化层150(如图1F所示)，其中图案活化层150局部暴露绝缘层114，并且暴露绝缘层114的上平面114a。形成图案活化层150的方法有多种，而在图1E与图1F所示的实施例中，图案活化层150可以采用以下方法来形成。

请先参阅图1E，在移除遮罩层120之后，可以形成一活化层152，其中活化层152覆盖绝缘层114的上平面114a、凹刻图案130的表面(即底面S 31与侧壁S 32)以及盲孔140的表面(即底面S41与侧壁S42)，即活化层152基本上全面性地覆盖绝缘层114。

形成活化层152的方法有多种，而在本实施例中，活化层152可以是经由浸镀而形成。详细而言，绝缘层114可以浸泡在含有多个金属颗粒的化学溶液中，而这些金属颗粒可以附着在上平面114a、凹刻图案130与盲孔140二者表面，进而形成活化层152。这些金属颗粒例如是钯颗粒、铂颗粒、金颗粒或银颗粒，所以构成活化层152的材料可以是钯、铂、金或银，其中钯颗粒可以来自于氯化物锡钯胶体或硫酸钯螯合物(chelator)。

请参阅图1E与图1F，接着，移除覆盖上平面114a的活化层152，并保留覆盖凹刻图案130与盲孔140二者表面的活化层152，以形成图案活化层150。上述移除活化层152的方法有多种，而在本实施例中，移除覆盖上平面114a的活化层152的方法包括对活化层152进行速化。

详细而言，由于绝缘层114在上平面114a的表面极性强度小于在凹刻图案130内与盲孔140内的表面极性强度，以至于活化层152在上平面114a的附着力会小于在凹刻图案130与盲孔140内的附着力。因此，在对活化层152进行速化的过程中，覆盖上平面114a的活化层152会被移除，而凹刻图案130与盲孔140内的活化层152基本上会被保留。如此，图案活化层150得以形成。

另外，在活化层152是由氯化物锡钯胶体所形成的情况下，对活化层152所进行的速化会将包覆钯颗粒的氯离子与锡离子移除，以使钯颗粒裸露出来。在拉长速化进行的时间的条件下，由于上平面114a的表面极性强度小于凹刻图案130与盲孔140二者表面极性强度，因此附着在上平面114a上的氯化物锡钯胶体得以被移除。

请参阅图1G，之后，在图案活化层150上形成一线路层160以及至少一导电柱170，其中线路层160位在凹刻图案130内，而导电柱170位在盲孔140内，并连接在导体层112与线路层160之间。至此，一种线路板100基本上已制造完成。此外，形成线路层160与导电柱170的方法有多种，而在本实施例中，形成线路层160与导电柱170的方法可以包括化学镀，也就是无电电镀(electroless plating)。

综上所述，至少一个电子元件(未绘示)可以组装在线路板100上，并且电性连接线路层160，而线路层160能让多个电子元件彼此电性连接，其中电子元件例如是芯片、被动元件或主动元件。如此，电信号能在这些电子元件之间传递，让手机、电脑与数字相机等电子装置以及电视、洗衣机与冰箱等家电用品运作。

以上所述，仅是本发明的实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims

1.一种线路板的制造方法，其特征在于包括：

在一复合基板上形成一遮罩层，其中该复合基板包括一导体层以及一覆盖该导体层的绝缘层，而该遮罩层覆盖该绝缘层的一上平面；

在该遮罩层上形成一凹刻图案以及至少一与该凹刻图案相通的盲孔，其中该盲孔局部暴露该导体层，而该凹刻图案相对于该遮罩层的一外平面的深度大于该遮罩层的厚度；

增强该绝缘层在该凹刻图案内与该盲孔内的一表面极性强度；

在增强该表面极性强度之后，移除该遮罩层；

在移除该遮罩层之后，利用该表面极性强度，形成一覆盖该凹刻图案与该盲孔二者表面的图案活化层，其中该图案活化层局部暴露该绝缘层；以及

在该图案活化层上形成一线路层与至少一导电柱，其中该线路层位在该凹刻图案内，而该导电柱位在该盲孔内，并且连接在该导体层与该线路层之间。

2.如权利要求1所述的线路板的制造方法，其特征在于形成该图案活化层的方法包括：

形成一覆盖该上平面、该凹刻图案的表面以及该盲孔的表面的活化层；以及

移除覆盖该上平面的该活化层，并保留覆盖该凹刻图案与该盲孔二者表面的该活化层。

3.如权利要求1或2所述的线路板的制造方法，其特征在于形成该活化层的方法包括浸镀。

4.如权利要求2所述的线路板的制造方法，其特征在于移除覆盖该上平面的该活化层的方法包括对该活化层进行速化。

5.如权利要求1或2所述的线路板的制造方法，其特征在于形成该凹刻图案与该盲孔的方法包括激光烧蚀。

6.如权利要求1或2所述的线路板的制造方法，其特征在于增强该表面极性强度的方法包括对该绝缘层施于等离子体。

7.如权利要求6所述的线路板的制造方法，其特征在于在该图案活化层形成以前，更包括对该导体层进行微蚀刻。

8.如权利要求7所述的线路板的制造方法，其特征在于在对该绝缘层施于等离子体之后，对该导体层进行微蚀刻。

9.如权利要求7所述的线路板的制造方法，其特征在于在对该绝缘层施于等离子体之前，对该导体层进行微蚀刻。

10.如权利要求1或2所述的线路板的制造方法，其特征在于形成该遮罩层的方法包括涂布或贴合。

11.如权利要求1或2所述的线路板的制造方法，其特征在于移除该遮罩层的方法包括剥除、磨除或化学蚀除。

12.如权利要求1或2所述的线路板的制造方法，其特征在于形成该线路层与该导电柱的方法包括化学镀。

13.如权利要求1或2所述的线路板的制造方法，其特征在于该复合基板更包括一主体层，该导体层位在该主体层与该绝缘层之间。