TWI466604B - 線路板及其製程 - Google Patents

Description

線路板及其製程

本發明是有關於一種線路板(wiring board)及其製程，且特別是有關於一種具有活化絕緣層(activable insulation layer)的線路板及其製程。

線路板是手機、電腦與數位相機等電子裝置(electronic device)，以及電視、洗衣機與冰箱等家電用品所需要的元件。詳言之，線路板能承載及組裝晶片(chip)、被動元件(passive component)與主動元件(active component)等多種電子元件(electronic component)，並讓這些電子元件彼此電性連接。如此，電訊號可以在這些電子元件之間傳遞，而讓上述電子裝置及家電用品運作。

本發明提供一種線路板的製程，用來製造線路板。

本發明提供一種線路板，其能與多個電子元件組裝。

本發明提出一種線路板的製程，其包括形成至少一初始絕緣層於一基板上。接著，進行一活化程序，以使初始絕緣層變成一活化絕緣層。活化絕緣層具有一表面以及一位於表面的活化區，並包括多顆觸媒顆粒，其中一些觸媒顆粒活化並裸露於活化區內。接著，在活化區內形成一導電圖案層，其中導電圖案層凸出於表面。

在本發明一實施例中，這些觸媒顆粒為多個奈米顆粒。

在本發明一實施例中，這些觸媒顆粒的材質包括至少一種過渡金屬配位化合物。

在本發明一實施例中，上述過渡金屬配位化合物為過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物或過渡金屬螯合物。

在本發明一實施例中，這些觸媒顆粒的材質選自於過渡金屬氮化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物以及過渡金屬螯合物所組成的群組。

在本發明一實施例中，上述過渡金屬配位化合物的材質選自於由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉑、鈷、銠、銥、銦、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭以及鈦所組成的群組。

在本發明一實施例中，上述活化絕緣層更包括一高分子量化合物，而這些觸媒顆粒分佈於高分子量化合物中。

在本發明一實施例中，上述高分子量化合物為一高分子聚合物。

在本發明一實施例中，上述高分子聚合物的材質是選自於由環氧樹脂、改質的環氧樹脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亞苯基氧化物、聚醯亞胺、酚醛樹脂、聚碸、矽素聚合物、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide Triazine resin，BT resin，即所謂BT樹脂)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯樹脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、液晶高分子、聚醯胺6、尼龍、共聚聚甲醛、聚苯硫醚以及環 狀烯烴共聚高分子所組成的群組。

在本發明一實施例中，上述進行活化程序的方法包括對初始絕緣層進行雷射燒蝕、電漿蝕刻或機械加工法。

在本發明一實施例中，上述雷射燒蝕所採用的雷射光源為紅外線雷射、紫外線雷射、準分子雷射或遠紅外線雷射。

在本發明一實施例中，上述機械加工法包括水刀切割、噴砂或外型切割。

在本發明一實施例中，上述形成導電圖案層的方法包括無電電鍍法或化學氣相沉積。

在本發明一實施例中，上述形成導電圖案層的方法包括電鍍法。

在本發明一實施例中，上述初始絕緣層也包括這些觸媒顆粒。

在本發明一實施例中，上述基板為一線路基板，且線路基板包括一第一線路層、一相對於第一線路層的第二線路層、一位於第一線路層與第二線路層之間的介電層以及一電性連接於第一線路層與第二線路層之間的內部線路結構。

在本發明一實施例中，更包括形成至少一樹脂層於基板上。接著，形成初始絕緣層於樹脂層上。

在本發明一實施例中，上述形成樹脂層的方法包括壓合樹脂層於基板上。

在本發明一實施例中，上述樹脂層為選自由膠片(prepreg)以及空白核心層(blank core)所組成之群組。

在本發明一實施例中，在形成初始絕緣層之後，更包括形成至少一導電連接結構(conductive connection structure)，其中導電連接結構連接於基板與導電圖案層之間。

在本發明一實施例中，上述導電連接結構為一導電盲孔結構(conductive via structure)。

在本發明一實施例中，上述形成導電連接結構的方法包括進行一鑽孔程序。

在本發明一實施例中，上述鑽孔程序為雷射鑽孔或機械鑽孔。

在本發明一實施例中，更包括在形成導電圖案層以前，形成至少一阻障圖案層於基板之上，其中阻障圖案層具有一暴露活化區的鏤空圖案。接著，形成導電圖案層於鏤空圖案所暴露的活化區內。接著，移除阻障圖案層。

在本發明一實施例中，上述阻障圖案層為圖案化光阻層。

在本發明一實施例中，上述形成導電圖案層的方法包括在形成阻障圖案層以前，形成至少一金屬層，其中金屬層全面性地覆蓋表面。接著，形成阻障圖案層於金屬層上。接著，對金屬層進行電鍍。

在本發明一實施例中，在對金屬層進行電鍍以及在移 除阻障圖案層之後，更包括移除部分金屬層。

在本發明一實施例中，上述移除部分金屬層的方法包括對金屬層進行蝕刻。

本發明另提出一種線路板，其包括一基板、一第一活化絕緣層、一第二活化絕緣層、一第一導電圖案層以及一第二導電圖案層。基板具有一上表面與一相對上表面的下表面。第一活化絕緣層配置於上表面，並具有一第一表面以及一位於第一表面的第一活化區。第二活化絕緣層配置於下表面，並具有一第二表面以及一位於第二表面的第二活化區。第一活化絕緣層與第二活化絕緣層皆包括多顆觸媒顆粒。第一導電圖案層配置於第一表面，並連接一些位於第一活化區內的觸媒顆粒，其中第一導電圖案層凸出於第一表面。第二導電圖案層配置於第二表面，並連接一些位於第二活化區內的觸媒顆粒，其中第二導電圖案層凸出於第二表面。

在本發明一實施例中，上述第一活化區相對於第一表面的深度不大於10微米。

在本發明一實施例中，上述第二活化區相對於第二表面的深度不大於10微米。

在本發明一實施例中，上述基板為線路基板，而線路板更包括至少一第一導電連接結構。第一導電連接結構配置於第一活化絕緣層中，並連接於第一導電圖案層與線路基板的第一線路層之間。

在本發明一實施例中，上述線路板更包括至少一第二導電連接結構。第二導電連接結構配置於第二活化絕緣層中，並連接於第二導電圖案層與線路基板的第二線路層之間。

綜上所述，利用上述活化絕緣層，本發明得以形成導電圖案層，進而製造可供多個電子元件組裝的線路板。

圖1是本發明之線路板的製程的流程圖。請參閱圖1，本發明的線路板的製程能製造單面線路板(single-side circuit board)、雙面線路板(double-side circuit board)以及多層線路板(multi-layer circuit board)。在此線路板的製程中，首先，形成至少一初始絕緣層於一基板上(S100)，其中此初始絕緣層可為一種乾膜或溼膜，因此初始絕緣層可透過壓合或塗佈的方式而形成於基板上。此外，基板可以是線路基板。

初始絕緣層包括多顆觸媒顆粒，其中這些觸媒顆粒可以是多個奈米顆粒，而且也可以是具有金屬成分的金屬顆粒(metallic particle)。這些金屬顆粒有多種不同種類，且可以被活化。特別的是，在這些金屬顆粒未被活化之前，這些金屬顆粒的物理及化學特性並不一定與金屬塊材(metal bulk)相同，例如有些種類的金屬顆粒在未活化之前是具有絕緣性。

承上述，這些金屬顆粒的成分含有金屬原子或金屬離子，而這些觸媒顆粒的材質包括一種過渡金屬配位化合 物。此過渡金屬配位化合物例如是過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物或過渡金屬螯合物，其中過渡金屬配位化合物的材質例如是選自於鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉑、鈷、銠、銥、銦、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、鈦或這些金屬的任意組合。

另外，這些觸媒顆粒的材質可以包括多種過渡金屬配位化合物。詳細而言，這些觸媒顆粒的材質可以是選自於過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物、過渡金屬螯合物或這些化合物的任意組合。舉例來說，這些觸媒顆粒可包括過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物或過渡金屬錯合物，或者是這些觸媒顆粒也可包括過渡金屬氧化物與過渡金屬錯合物等多種過渡金屬配位化合物，其中這些觸媒顆粒例如是氧化銅、氮化鈦、鈷鉬雙金屬氮化物(Co₂ Mo₃ N_x )顆粒或鈀金屬顆粒。

初始絕緣層更包括一高分子量化合物，而這些觸媒顆粒分佈於高分子量化合物中。詳細而言，此高分子量化合物可以是一種高分子聚合物，其材質例如是選自於環氧樹脂、改質的環氧樹脂、聚脂(polyester)、丙烯酸酯、氟素聚合物(fluoro-polymer)、聚亞苯基氧化物(polyphenylene oxide)、聚醯亞胺(polyimide)、酚醛樹脂(phenolicresin)、聚碸(polysulfone)、矽素聚合物(silicone polymer)、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹脂(bismaleimide triazine modified epoxy，即所謂的BT樹脂)、氰酸聚酯(cyanate ester)、聚 乙烯(polyethylene)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate,PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer，ABS copolymer)、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(polyethylene terephthalate，PET)、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂(polybutylene terephthalate，PBT)、液晶高分子(liquid crystal polymers，LCP)、聚醯胺6(polyamide 6，PA 6)、尼龍(Nylon)、共聚聚甲醛(polyoxymethylene，POM)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、環狀烯烴共聚高分子(cyclic olefin copolymer，COC)或這些高分子材料的任意組合。

初始絕緣層可以接觸基板，而直接形成於基板上。然而，初始絕緣層也可以未接觸基板，而間接形成於基板上。舉例而言，在形成初始絕緣層之前，可以先形成至少一層樹脂層於基板上，其中形成樹脂層的方法可以是壓合樹脂層於基板上，且樹脂層可以是膠片或空白核心層。之後，形成初始絕緣層於此樹脂層上。

在形成初始絕緣層之後，進行一活化程序(S102)，以使初始絕緣層變成一活化絕緣層，而活化絕緣層包括上述高分子量化合物與分佈於此高分子量化合物中的這些觸媒顆粒。因此，初始絕緣層與活化絕緣層二者的結構相似，而二者顯著的差異在於：活化絕緣層具有一表面以及一位於此表面的活化區，其中一些觸媒顆粒活化並裸露於活化 區內。

上述進行活化程序的方法有很多種。舉例而言，進行活化程序的方法可以是對初始絕緣層進行雷射燒蝕或電漿蝕刻。上述雷射燒蝕所使用的雷射，其所發出的雷射光束(laser beam)的波長可以是在可見光、紅外光或紫外光的範圍內。因此，雷射燒蝕所採用的雷射光源可以是紅外線雷射、紫外線雷射、石榴石雷射(Yttrium Aluminum Garnet，YAG laser)、二氧化碳雷射、準分子雷射(excimer laser)或遠紅外線雷射。

另外，進行活化程序的方法也可以是對初始絕緣層進行機械加工法。詳言之，此機械加工法可以包括水刀切割、噴砂或外型切割，其中這裡所述的外型切割可以是V型切割(V-cut)或銑割(routing)。透過上述機械加工法，活化區也可以形成。

接著，在活化區內形成一導電圖案層(S104)，其中導電圖案層凸出於活化絕緣層的表面，且導電圖案層包括至少一接墊以及多條走線。形成導電圖案層的方法可以是採用無需施加外部電流的化學方法，其例如是無電電鍍法或化學氣相沉積。

當導電圖案層是採用上述化學方法來形成時，活化後的觸媒顆粒能直接與形成導電圖案層的反應物產生反應。詳細而言，在對活化絕緣層進行雷射燒蝕或電漿蝕刻的過程中，雷射光束與電漿皆能打斷在活化區內的這些觸媒顆 粒的化學鍵(Chemical bond)，讓這些觸媒顆粒活化。

其次，導電圖案層可透過至少一層阻障圖案層來形成，其中阻障圖案層具有一鏤空圖案。詳細而言，在形成導電圖案層以前，可以形成阻障圖案層於基板之上，而阻障圖案層可以是圖案化光阻層，其例如是顯影後的溼式光阻或乾膜。接著，形成導電圖案層於鏤空圖案中。之後，移除阻障圖案層。

在本發明其中一實施例中，導電圖案層更可以是透過上述阻障圖案層與至少一層金屬層來形成。詳細而言，首先，讓活化區完全涵蓋其所位於的活化絕緣層的表面。接著，形成一金屬層於活化絕緣層的活化區內。由於活化區完全涵蓋其所位於的活化絕緣層的表面，因此金屬層能全面性地覆蓋活化絕緣層的表面。

接著，形成阻障圖案層於金屬層上，其中阻障圖案層的鏤空圖案局部暴露金屬層。之後，對金屬層進行電鍍，以在鏤空圖案內形成導電圖案層。由此可知，導電圖案層也可以是用施加外部電流的電鍍法來形成。之後，移除部分金屬層，以暴露出部分活化絕緣層，其中移除部分金屬層的方法可以是對金屬層進行蝕刻。如此，導電圖案層得以形成。

值得一提的是，在本發明其中一實施例中，上述線路板的製程更可以包括形成至少一導電連接結構。詳細而言，導電連接結構連接於基板與導電圖案層之間，而透過 導電連接結構，基板與導電圖案層二者得以電性導通。

形成導電連接結構的方法有很多種。在其中一種形成導電連接結構的方法中，首先，進行一鑽孔程序，以形成至少一盲孔，其中此鑽孔程序可以是雷射鑽孔或機械鑽孔。之後，進行無電電鍍法或電鍍法，以形成導電連接結構於盲孔中。因此，導電連接結構可以是一種位於盲孔內的導電盲孔結構，其例如是空心導電柱或是實心導電柱。

為了能具體說明本發明的特徵，以下舉出一些實施例，並配合圖式，以進行說明。

「第一實施例」

圖2A至圖2G是本發明第一實施例之線路板的製程的示意圖。請先參閱圖2G，在此先介紹本實施例的線路板200在結構方面的特徵。線路板200包括一基板210、多層活化絕緣層以及多層導電圖案層。這些活化絕緣層包括一第一活化絕緣層220a與一第二活化絕緣層220b，而這些導電圖案層包括一第一導電圖案層230a與一第二導電圖案層230b。

基板210具有一上表面210a與一下表面210b，而上表面210a相對於下表面210b，其中第一活化絕緣層220a配置於上表面210a，而第二活化絕緣層220b配置於下表面210b。基板210可以是一種線路基板，其包括一第一線路層212a、一第二線路層212b、一介電層214以及一電性 連接於第一線路層212a與第二線路層212b之間的內部線路結構(未繪示)。第一線路層212a相對於第二線路層212b，而介電層214位於第一線路層212a與第二線路層212b之間。

內部線路結構可包括至少一導電連接結構與至少一層內部線路層，其中內部線路層電性連接此導電連接結構，而導電連接結構例如是導電盲孔結構、導電通孔結構(conductive through hole structure)或導電埋孔結構(conductive buried hole structure)。

由於上述導電連接結構與內部線路層皆為本發明所屬技術領域中具有通常知識者所知曉的習知線路板的結構，因此，縱使圖式未繪示出內部線路結構，本發明所屬技術領域中具有通常知識者仍可以容易並清楚地得知內部線路結構的具體特徵。

第一活化絕緣層220a具有一第一表面222a以及一位於第一表面222a的第一活化區224a，而第二活化絕緣層220b具有一第二表面222b以及一位於第二表面222b的第二活化區224b，其中第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b皆包括多顆觸媒顆粒226。

這些觸媒顆粒226可以是多個奈米顆粒，而且這些觸媒顆粒226的材質可包括至少一種過渡金屬配位化合物，其材質選自於由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉑、鈷、銠、銥、銦、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭以及鈦，或這些金 屬所組成的群組。因此，觸媒顆粒226可以是具有金屬成分的奈米顆粒。

此外，上述過渡金屬配位化合物可以是過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物或過渡金屬螯合物，而這些觸媒顆粒226的材質例如是選自於過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物、過渡金屬螯合物或這些化合物的任意組合。

第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b二者更包括一高分子量化合物228，而這些觸媒顆粒226分佈於高分子量化合物228中。高分子量化合物228可以是高分子聚合物，其材質是選自於環氧樹脂、改質的環氧樹脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亞苯基氧化物、聚醯亞胺、酚醛樹脂、聚碸、矽素聚合物、雙順丁烯二酸-三氮雜苯樹脂(即BT樹脂)、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯樹脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、液晶高分子、聚醯胺6、尼龍、共聚聚甲醛、聚苯硫醚、環狀烯烴共聚高或這些高分子材料的任意組合。

第一導電圖案層230a配置於第一表面222a，並連接一些位於第一活化區224a內的觸媒顆粒226，其中第一導電圖案層230a凸出於第一表面222a。第二導電圖案層230b配置於第二表面222b，並連接一些位於第二活化區224b內的觸媒顆粒226，其中第二導電圖案層230b凸出於第二 表面222b。第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b二者皆包括多個用以連接電子元件的接墊與多條傳遞電流的走線。

另外，線路板200更可以包括多個導電連接結構，其包括至少一第一導電連接結構240a與至少一第二導電連接結構240b。第一導電連接結構240a配置於第一活化絕緣層220a中，並連接於第一導電圖案層230a與基板210的第一線路層212a之間。第二導電連接結構240b配置於第二活化絕緣層220b中，並連接於第二導電圖案層230b與基板210的第二線路層212b之間。

在本實施例中，第一導電連接結構240a與第二導電連接結構240b皆可以是一種導電盲孔結構，而此導電盲孔結構例如是一種空心導電柱，如圖2G所示。透過第一導電連接結構240a與第二導電連接結構240b，第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b二者可以與基板210電性導通。

值得一提的是，在其他未繪示的實施例中，線路板200所包括的導電連接結構的數量可以僅為一個。也就是說，線路板200所包括的第一導電連接結構240a與第二導電連接結構240b二者的總數量可以僅為一個。因此，圖2G所示的第一導電連接結構240a與第二導電連接結構240b二者的總數量僅為舉例說明，並非限定本發明。

以上介紹本實施例的線路板200在結構方面的特徵。 接下來將配合圖2A至圖2G來介紹線路板200的製程。

請先參閱圖2A，在線路板200的製程中，首先，形成至少一初始絕緣層，即形成一第一初始絕緣層220a’於基板210的上表面210a，以及形成一第二初始絕緣層220b’於基板210的下表面210b。第一初始絕緣層220a’與第二初始絕緣層220b’二者可以透過壓合或塗佈的方式而形成於基板210上。此外，第一初始絕緣層220a’與第二初始絕緣層220b’二者也包括高分子量化合物228以及分佈於高分子量化合物228中的這些觸媒顆粒226。

請參閱圖2B，接著，進行一鑽孔程序，以形成至少一第一盲孔B1與至少一第二盲孔B2，其中第一盲孔B1與第二盲孔B2可以是用雷射鑽孔或機械鑽孔來形成。第一盲孔B1位於第一初始絕緣層220a’中，而第二盲孔B2位於第二初始絕緣層220b’中。第一盲孔B1局部暴露第一線路層212a，而第二盲孔B2局部暴露第二線路層212b。

請參閱圖2C，接著，形成至少一層阻障圖案層於基板210之上。詳細而言，形成阻障圖案層的流程包括形成一第一阻障圖案層250a於第一初始絕緣層220a’上，形成一第二阻障圖案層250b於第二初始絕緣層220b’上，其中第一阻障圖案層250a與第二阻障圖案層250b皆可為圖案化光阻層，其例如是顯影後的溼式光阻或乾膜。

承上述，第一阻障圖案層250a具有一第一鏤空圖案252a，且第一鏤空圖案252a局部暴露第一初始絕緣層 220a’。第二阻障圖案層250b具有一第二鏤空圖案252b，且第二鏤空圖案252b局部暴露第二初始絕緣層220b’。此外，第一鏤空圖案252a更暴露出整個第一盲孔B1以及第一盲孔B1所暴露的第一線路層212a，而第二鏤空圖案252b更暴露出整個第二盲孔B2以及第二盲孔B2所暴露的第二線路層212b。

請參閱圖2C與圖2D，接著，進行活化程序，讓第一初始絕緣層220a’變成第一活化絕緣層220a，第二初始絕緣層220b’變成第二活化絕緣層220b。進行活化程序的方法可以是對第一初始絕緣層220a’與第二初始絕緣層220b’進行雷射燒蝕、電漿蝕刻或機械加工法，其中此機械加工法包括水刀切割、噴砂或外型切割(例如是V型切割或銑割)，而上述雷射燒蝕所採用的雷射光源可以是紅外線雷射、紫外線雷射、石榴石雷射(YAG laser)、二氧化碳雷射、準分子雷射或遠紅外線雷射。

當對第一初始絕緣層220a’與第二初始絕緣層220b’進行雷射燒蝕或電漿蝕刻時，可以將第一阻障圖案層250a與第二阻障圖案層250b作為遮罩，並使用雷射光束或電漿來對第一初始絕緣層220a’與第二初始絕緣層220b’作全面性的燒蝕或蝕刻，讓第一活化區224a形成於第一鏤空圖案252a，第二活化區224b形成於第二鏤空圖案252b中。

請參閱圖2E，其為圖2D中第一活化區224a的放大圖。在進行上述雷射燒蝕或電漿蝕刻之後，部分第一初始 絕緣層220a’會被移除而形成第一活化區224a。也就是說，第一活化區224a是一種凹陷，而第一活化區224a相對於第一表面222a的深度D可以是不大於10微米，即深度D等於或小於10微米。同理，第二活化區224b亦可以是一種凹陷，且第二活化區224b相對於第二表面222b的深度也可以是不大於10微米。

請再次參閱圖2C與圖2D，由於本實施例是在第一阻障圖案層250a與第二阻障圖案層250b作為遮罩的條件下，使用雷射光束或電漿來對第一初始絕緣層220a’與第二初始絕緣層220b’作全面性的燒蝕或蝕刻，因此部分第一阻障圖案層250a與部分第二阻障圖案層250b會被燒蝕或蝕刻，而形成厚度較薄的第一阻障圖案層250a’與第二阻障圖案層250b’，如圖2D所示。

另外，由於第一鏤空圖案252a會暴露出整個第一盲孔B1，而第二鏤空圖案252b會暴露出整個第二盲孔B2(如圖2C所示)，因此在進行活化程序之後，有些觸媒顆粒226會活化並裸露於第一盲孔B1與第二盲孔B2內，如圖2D所示。換句話說，本實施例的活化程序不僅會讓一些觸媒顆粒226活化並裸露於第一活化區224a與第二活化區224b內，同時也讓另一些觸媒顆粒226活化並裸露於第一盲孔B1與第二盲孔B2內。

請參閱圖2F，接著，在第一活化區224a內形成第一導電圖案層230a，以及在第二活化區224b內形成第二導 電圖案層230b，其中第一導電圖案層230a是形成於第一鏤空圖案252a中，而第二導電圖案層230b是形成於第二鏤空圖案252b中。形成第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b的方法可以是採用無需施加外部電流的化學方法，其例如是無電電鍍法或化學氣相沉積。

詳細而言，當進行上述無電電鍍法或化學氣相沉積等化學方法時，位於第一活化區224a與第二活化區224b的這些活化後的觸媒顆粒226能直接與形成第一導電圖案層230a及第二導電圖案層230b的反應物產生反應，以進一步地形成第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b。

舉例來說，當第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b是由無電電鍍法來形成時，第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b可以直接沉浸於電鍍液，而不需要額外形成種子層(seed layer)，即可在第一活化區224a與第二活化區224b內形成第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b。

由於有些觸媒顆粒226活化並裸露於第一盲孔B1與第二盲孔B2內，因此當形成第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b時，同時第一導電連接結構240a與第二導電連接結構240b亦會分別形成於第一盲孔B1與第二盲孔B2中。也就是說，第一導電圖案層230a與第一導電連接結構240a二者可以同時形成，而第二導電圖案層230b與第二導電連接結構240b二者可以同時形成。

請參閱圖2F與圖2G，在第一導電圖案層230a、第二導電圖案層230b、第一導電連接結構240a以及第二導電連接結構240b形成之後，移除阻障圖案層，即移除第一阻障圖案層250a’與第二阻障圖案層250b’，讓第一活化絕緣層220a的第一表面222a以及第二活化絕緣層220b的第二表面222b得以裸露出來。至此，線路板200基本上已製造完成。

另外，在其他未繪示的實施例中，更可以形成防焊層(solder mask)，其中一層防焊層形成於第一表面222a，而另一層防焊層形成於第二表面222b。這些防焊層會暴露第一導電圖案層230a與第二導電圖案層230b二者的多個接墊。其次，這些防焊層更可以填滿這些第一盲孔B1與第二盲孔B2。此外，這些防焊層的類型可以是防焊層定義(Solder Mask Define，SMD)或非防焊層定義(Non-Solder Mask Define，SMD)。

值得一提的是，圖2G所示的線路板200為一種四層線路板，而圖2A至圖2G揭露此以雙面基板的四層線路板的增層法製程。然而，本實施例的製程亦可以製造單面線路板與多層線路板。也就是說，在其他未繪示的實施例中，線路板200也可以是一種單面線路板或多層線路板。因此，圖2A至圖2G所揭露的線路板200及其製程僅為舉例說明，並非限定本發明。

「第二實施例」

圖3A是本發明第二實施例之線路板的示意圖。請參閱圖3A，在此先介紹本實施例的線路板300在結構方面的特徵。就結構而言，本實施例的線路板300與第一實施例的線路板200相似，而二者之間的顯著差異在於：線路板300更包括至少一層樹脂層，而此樹脂層配置於基板與活化絕緣層之間。

具體而言，線路板300包括基板210、一第一活化絕緣層320a、一第二活化絕緣層320b、多層樹脂層310a與310b、第一導電圖案層230a、第二導電圖案層230b、至少一第一導電連接結構240a以及至少一第二導電連接結構240b。

承上述，第一活化絕緣層320a與第二活化絕緣層320b二者的材質與第一實施例的第一活化絕緣層220a與第二活化絕緣層220b相同，即二者皆包括高分子量化合物228與分佈於高分子量化合物228中的多個觸媒顆粒226。

樹脂層310a配置於第一活化絕緣層320a與基板210之間，而樹脂層310b則配置於第二活化絕緣層320b與基板210之間。在本實施例中，這些樹脂層310a、310b可以是多片膠片或多層空白核心層，而這些樹脂層310a、310b可以強化線路板300的結構。

圖3B是圖3A中的線路板在形成樹脂層時的示意圖，請參閱圖3B，本實施例的線路板的製程大體與第一實施例 相同，而差異之處在於形成樹脂層310a、310b。詳細而言，在線路板300的製程中，首先，形成樹脂層310a於基板210的上表面210a上，形成樹脂層310b於基板210的下表面210b上，其中形成樹脂層310a、310b的方法可以是壓合樹脂層310a、310b於基板210上。

接著，形成第一初始絕緣層320a’於樹脂層310a上，形成第二初始絕緣層320b’於樹脂層310b上，其中第一初始絕緣層320a’與第二初始絕緣層320b’二者的形成方法與第一實施例中的第一初始絕緣層220a’與第二初始絕緣層220b’相同，故不再重複介紹。

值得一提的是，第一初始絕緣層320a’與樹脂層310a可以同時形成於基板210的上表面210a，而第二初始絕緣層320b’與樹脂層310b可以同時形成於基板210的下表面210b。舉例而言，第一初始絕緣層320a’與樹脂層310a可同時壓合於基板210的上表面210a，而第二初始絕緣層320b’與樹脂層310b也可同時壓合於基板210的下表面210b。

接下來，如同第一實施中圖2B至圖2G所示的流程，進行鑽孔程序與活化程序，以及形成第一導電圖案層230a、第二導電圖案層230b、第一導電連接結構240a與第二導電連接結構240b。上述鑽孔程序、活化程序以及第一導電圖案層230a、第二導電圖案層230b、第一導電連接結構240a與第二導電連接結構240b的形成方法皆與第一實 施例相同，故不再重複介紹。

「第三實施例」

圖4A至圖4E是本發明第三實施例之線路板的製程的示意圖，其中第三實施例的製程與第一實施例相似，因此以下將偏重介紹本實施例與第一實施例的差異。

請先參閱圖4A，在進行活化程序以及形成一第一盲孔B3與一第二盲孔B4於第一初始絕緣層與第二初始絕緣層中之後，第一盲孔B3與第二盲孔B4分別局部暴露基板210的第一線路層212a與第二線路層212b，而一些觸媒顆粒226活化並裸露於第一盲孔B3內與第二盲孔B4內。

第一活化絕緣層420a與第二活化絕緣層420b皆包括高分子量化合物228以及多顆分佈於高分子量化合物228的觸媒顆粒226，其中第一活化絕緣層420a具有一第一表面422a以及一位於第一表面422a的第一活化區424a，而第二活化絕緣層420b具有一第二表面422b以及一位於第二表面422b的第二活化區424b。一些觸媒顆粒226活化並裸露於第一活化區424a與第二活化區424b內。

第一活化區424a涵蓋整個第一表面422a，而第二活化區424b涵蓋整個第二表面422b。因此，裸露的觸媒顆粒226分佈於整個第一表面422a與第二表面422b，如圖4A所示。形成第一活化區424a與第二活化區424b的方法有多種。舉例來說，當活化程序採用雷射燒蝕或電漿蝕刻時， 使用雷射光束或電漿來燒蝕或蝕刻整個第一表面422a與整個第二表面422b，以形成第一活化區424a與第二活化區424b。

請參閱圖4B，接著，形成一第一金屬層460a於第一表面422a，以及一第二金屬層460b於第二表面422b，其中形成第一金屬層460a與第二金屬層460b的方法可以是採用無需施加外部電流的化學方法，其例如是無電電鍍法或化學氣相沉積。另外，由於第一活化區424a與第二活化區424b涵蓋整個第一表面422a與整個第二表面422b，因此第一金屬層460a全面性地覆蓋第一表面422a，而第二金屬層460b全面性地覆蓋第二表面422b。

其次，由於一些觸媒顆粒226活化並裸露於第一盲孔B3內與第二盲孔B4內，因此第一金屬層460a更形成於第一盲孔B3內，而第二金屬層460b更形成於第二盲孔B4內。第一金屬層460a全面性地覆蓋第一盲孔B3，而第二金屬層460b全面性地覆蓋第二盲孔B4，其中第一金屬層460a未填滿第一盲孔B3，而第二金屬層460b也未填滿第二盲孔B4。

請參閱圖4C，接著，形成一第一阻障圖案層450a於第一金屬層460a上，以及形成一第二阻障圖案層450b於第二金屬層460b上。第一阻障圖案層450a具有一局部暴露第一金屬層460a的第一鏤空圖案452a，而第二阻障圖案層450b具有一局部暴露第二金屬層460b的第二鏤空圖案 452b。第一阻障圖案層450a與第二阻障圖案層450b二者的材質與形成方法皆與第一實施例相同，故不再重複介紹。

請參閱圖4D，在第一阻障圖案層450a與第二阻障圖案層450b形成之後，對第一金屬層460a與第二金屬層460b進行電鍍，以形成一第一導電圖案層430a於第一鏤空圖案452a所局部暴露的第一金屬層460a，形成一第二導電圖案層430b於第二鏤空圖案452b所局部暴露的第二金屬層460b中。因此，第一導電圖案層430a與一第二導電圖案層430b二者是用施加外部電流的電鍍法來形成。

當形成第一導電圖案層430a與第二導電圖案層430b時，透過電鍍法，同時形成一第一導電連接結構440a於第一盲孔B3中，形成一第二導電連接結構440b於第四盲孔B4，其中第一導電連接結構440a連接於第一導電圖案層430a與基板210的第一線路層212a之間，而第二導電連接結構440b連接於第二導電圖案層430b與基板210的第二線路層212b之間。

在本實施例中，第一導電連接結構440a與第二導電連接結構440b皆可以是一種導電盲孔結構，而此導電盲孔結構例如是一種實心導電柱，如圖4D所示。透過第一導電連接結構440a與第二導電連接結構440b，第一導電圖案層430a與第二導電圖案層430b二者皆可以與基板210電性導通。

請參閱圖4D與圖4E，接著，移除第一阻障圖案層450a 與第二阻障圖案層450b，讓第一金屬層460a與第二金屬層460b皆得以裸露出來。之後，移除部分第一金屬層460a與部分第二金屬層460b，以裸露出第一表面422a與第二表面422b，並且避免第一導電圖案層430a與第二導電圖案層430b發生短路。此外，移除部分第一金屬層460a與部分第二金屬層460b的方法可以是對第一金屬層460a與第二金屬層460b進行蝕刻。

在移除部分第一金屬層460a與部分第二金屬層460b之後，基本上，一種包括基板210、第一活化絕緣層420a、第二活化絕緣層420b、第一導電圖案層430a、第二導電圖案層430b、第一導電連接結構440a以及第二導電連接結構440b的線路板400已完成。

值得一提的是，第二實施例中的樹脂層310a、310b皆可以應用於第三實施例中。詳細而言，在其他未繪示的實施例中，在形成第一初始絕緣層與第二初始絕緣層之前，可先形成一層樹脂層於基板210的上表面210a，形成另一層樹脂層於基板210的下表面210b。之後，形成第一初始絕緣層與第二初始絕緣層於這些樹脂層上。上述樹脂層的材質與形成方法皆與第二實施例相同，故不再重覆介紹。

「第四實施例」

圖5A至圖5H是本發明第四實施例之線路板的製程的示意圖，其中第四實施例的線路板的製程與第三實施例相 似，而二者顯著的差異在於：形成盲孔的時機不同。以下將偏重介紹本實施例與第三實施例的差異。

請參閱圖5A，在進行活化程序之後，第一活化絕緣層520a與第二活化絕緣層520b皆形成。第一活化絕緣層520a與第二活化絕緣層520b皆包括高分子量化合物228以及多顆分佈於高分子量化合物228的觸媒顆粒226，其中第一活化絕緣層520a具有一第一表面522a以及一位於第一表面522a的第一活化區524a，而第二活化絕緣層520b具有一第二表面522b以及一位於第二表面522b的第二活化區524b。一些觸媒顆粒226活化並裸露於第一活化區524a與第二活化區524b。

承上述，第一活化區524a涵蓋整個第一表面522a，而第二活化區524b涵蓋整個第二表面522b。也就是說，裸露的觸媒顆粒226分佈於整個第一表面522a與第二表面522b，如圖5A所示，而形成第一活化區524a與第二活化區524b的方法與第三實施例相同，故不再重覆介紹。

請參閱圖5B，接著，形成一第一金屬層560a於第一表面522a，以及一第二金屬層560b於第二表面522b，其中第一金屬層560a全面性地覆蓋第一表面522a，而第二金屬層560b全面性地覆蓋第二表面522b。此外，形成第一金屬層560a與第二金屬層560b的方法與第三實施例相同。

請參閱圖5C，接著，形成一第一盲孔B5於第一活化絕緣層520a與第一金屬層560a中，形成一第二盲孔B6於 第二活化絕緣層520b與第二金屬層560b中，其中第一盲孔B5與第二盲孔B6二者的形成方法與第三實施例相同。第一盲孔B5局部暴露基板210的第一線路層212a，而第二盲孔B6局部暴露基板210的第二線路層212b。

請參閱圖5C與圖5D，接著，減少第一金屬層560a與第二金屬層560b二者厚度，以形成第一金屬層560a’與第二金屬層560b’，其中減少第一金屬層560a與第二金屬層560b二者厚度的方法可以是對第一金屬層560a與第二金屬層560b進行蝕刻。

必須說明的是，上述減少第一金屬層560a與第二金屬層560b二者厚度的流程為本實施例中的選擇性流程，並非是必要流程。因此，在其他實施例中，第一金屬層560a與第二金屬層560b二者厚度可以不必減少。

請參閱圖5E，接著，形成一第一電鍍層570a與一第二電鍍層570b。第一電鍍層570a覆蓋第一盲孔B5的表面，而第二電鍍層570b覆蓋第二盲孔B6的表面，其中第一電鍍層570a連接第一金屬層560a’，而第二電鍍層570b連接第二金屬層560b’。

承上述，第一電鍍層570a與第二電鍍層570b可以採用無電電鍍法來形成，因此在形成第一電鍍層570a與第二電鍍層570b的過程中，第一金屬層560a’與第二金屬層560b’的厚度會變厚，如圖5E所示。

請參閱圖5F，在形成第一電鍍層570a與第二電鍍層 570b之後，形成一第一阻障圖案層550a於第一金屬層560a’上，形成一第二阻障圖案層550b於第二金屬層560b’上，其中第一阻障圖案層550a與第二阻障圖案層550b二者的材質與形成方法皆與第三實施例相同。

承上述，第一阻障圖案層550a具有一第一鏤空圖案552a，而第二阻障圖案層550b具有一第二鏤空圖案552b。第一鏤空圖案552a完全暴露第一電鍍層570a，並局部暴露第一金屬層560a’。第二鏤空圖案552b完全暴露第二電鍍層570b，並局部暴露第二金屬層560b’。

請參閱圖5F與圖5G，接著，對第一電鍍層570a與第二電鍍層570b進行電鍍，以形成一第一導電圖案層530a、一第二導電圖案層530b、一第一導電連接結構540a以及一第二導電連接結構540b。第一導電圖案層530a形成於第一鏤空圖案552a所局部暴露的第一金屬層560a’，而第二導電圖案層530b是形成於第二鏤空圖案552b所局部暴露的第二金屬層560b’。

第一導電連接結構540a形成於第一盲孔B5中，而第二導電連接結構540b形成於第二盲孔B6中，其中第一導電連接結構540a連接於第一導電圖案層530a與第一線路層212a之間，而第二導電連接結構540b連接於第二導電圖案層530b與第二線路層212b之間。

請參閱圖5G與圖5H，接著，移除第一阻障圖案層550a與第二阻障圖案層550b，讓第一金屬層560a’與第二金屬 層560b’皆能裸露出來。之後，移除部分第一金屬層560a’與部分第二金屬層560b’，以裸露出第一表面522a與第二表面522b，並且避免第一導電圖案層530a與第二導電圖案層530b發生短路，其中移除部分第一金屬層560a’與部分第二金屬層560b’的方法與第三實施例相同。

在移除部分第一金屬層560a’與部分第二金屬層560b’之後，基本上，一種包括基板210、第一活化絕緣層520a、第二活化絕緣層520b、第一導電圖案層530a、第二導電圖案層530b、第一導電連接結構540a以及第二導電連接結構540b的線路板500已製造完成。此外，第二實施例中的樹脂層310a、310b皆可以應用於第四實施例中，而應用的方法已在前述實施例中揭露，故不再重複介紹。

綜上所述，利用上述活化絕緣層(例如第一活化絕緣層與第二活化絕緣層)，本發明得以形成包括多條走線與多個接墊的導電圖案層(例如第一導電圖案層與第二導電圖案層)，進而製造可供多個電子元件組裝的線路板。透過本發明的線路板，電訊號可以在這些電子元件之間傳遞，進而讓電子裝置或電氣用品得以運作。

雖然本發明以前述實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，所作更動與潤飾之等效替換，仍為本發明之專利保護範圍內。

200、300、400、500‧‧‧線路板

210‧‧‧基板

210a‧‧‧上表面

210b‧‧‧下表面

212a‧‧‧第一線路層

212b‧‧‧第二線路層

214‧‧‧介電層

220a、320a、420a、520a‧‧‧第一活化絕緣層

220a’、320a’‧‧‧第一初始絕緣層

220b、320b、420b、520b‧‧‧第二活化絕緣層

220b’、320b’‧‧‧第二初始絕緣層

222a、422a、522a‧‧‧第一表面

222b、422b、522b‧‧‧第二表面

224a、424a、524a‧‧‧第一活化區

224b、424b、524b‧‧‧第二活化區

226‧‧‧觸媒顆粒

228‧‧‧高分子量化合物

230a、430a、530a‧‧‧第一導電圖案層

230b、430b、530b‧‧‧第二導電圖案層

240a、440a、540a‧‧‧第一導電連接結構

240b、440b、540b‧‧‧第二導電連接結構

250a、250a’、450a、550a‧‧‧第一阻障圖案層

250b、250b’、450b、550b‧‧‧第二阻障圖案層

252a、452a、552a‧‧‧第一鏤空圖案

252b、452b、552b‧‧‧第二鏤空圖案

310a、310b‧‧‧樹脂層

460a、560a’‧‧‧第一金屬層

460b、560b’‧‧‧第二金屬層

570a‧‧‧第一電鍍層

570b‧‧‧第二電鍍層

B1、B3、B5‧‧‧第一盲孔

B2、B4、B6‧‧‧第二盲孔

D‧‧‧深度

圖1是本發明之線路板的製程的流程圖。

圖2A至圖2G是本發明第一實施例之線路板的製程的示意圖。

圖3A是本發明第二實施例之線路板的示意圖。

圖3B是圖3A中的線路板在形成樹脂層時的示意圖。

圖4A至圖4E是本發明第三實施例之線路板的製程的示意圖。

圖5A至圖5H是本發明第四實施例之線路板的製程的示意圖。

Claims (22)

1. 一種線路板的製程，包括：形成至少一初始絕緣層於一基板上，該初始絕緣層包括一高分子量化合物及多顆觸媒顆粒，且該些觸媒顆粒分佈於該高分子量化合物中；進行一活化程序，以使該初始絕緣層變成一活化絕緣層，該活化絕緣層具有一表面以及一位於該表面的活化區，其中，透過該活化程序使一些觸媒顆粒裸露於該活化區並打斷裸露於該活化區的該些觸媒顆粒的化學鍵使其活化；以及在該活化區內直接形成一導電圖案層，其中該導電圖案層凸出於該表面，且該導電圖案層連接裸露於該活化區的該些活化後之觸媒顆粒。
2. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中該活化絕緣層更包括一高分子量化合物，而該些觸媒顆粒分佈於該高分子量化合物中。
3. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中進行該活化程序的方法包括對該初始絕緣層進行雷射燒蝕、電漿蝕刻或機械加工法。
4. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中形成該導電圖案層的方法包括無電電鍍法或化學氣相沉積。
5. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，其中該 基板為一線路基板，且該線路基板包括一第一線路層、一相對於該第一線路層的第二線路層、一位於該第一線路層與該第二線路層之間的介電層以及一電性連接於該第一線路層與該第二線路層之間的內部線路結構。
6. 如申請專利範圍第1項所述之線路板的製程，更包括：形成至少一樹脂層於該基板上；以及形成該初始絕緣層於該樹脂層上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之線路板的製程，其中該樹脂層為選自由膠片以及空白核心層所組成之群組。
8. 如申請專利範圍第5項所述之線路板的製程，在形成該初始絕緣層之後，更包括形成至少一導電連接結構，其中該導電連接結構電性連接於該線路基板與該導電圖案層之間。
9. 如申請專利範圍第8項所述之線路板的製程，更包括：在形成該導電圖案層以前，形成至少一阻障圖案層於該基板之上，其中該阻障圖案層具有一暴露該活化區的鏤空圖案；形成該導電圖案層於該鏤空圖案所暴露的該活化區內；以及移除該阻障圖案層。
10. 如申請專利範圍第9項所述之線路板的製程，其中形成該導電圖案層的方法包括： 在形成該阻障圖案層以前，形成至少一金屬層，該金屬層全面性地覆蓋該表面；形成該阻障圖案層於該金屬層上；以及對該金屬層進行電鍍。
11. 一種線路板，包括：一基板，具有一上表面與一相對該上表面的下表面；一第一活化絕緣層，配置於該上表面，並具有一第一表面以及一位於該第一表面的第一活化區，該第一活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒，且其中一些觸媒顆粒裸露於該第一活化區並被打斷化學鍵而活化；一第二活化絕緣層，配置於該下表面，並具有一第二表面以及一位於該第二表面的第二活化區，該第二活化絕緣層包括多顆觸媒顆粒，且其中一些觸媒顆粒裸露於該第二活化區並被打斷化學鍵而活化；一第一導電圖案層，直接配置於該第一表面，並連接裸露於該第一活化區的該些活化後之觸媒顆粒，其中該第一導電圖案層凸出於該第一表面；以及一第二導電圖案層，直接配置於該第二表面，並連接裸露於該第二活化區的該些活化後之觸媒顆粒，其中該第二導電圖案層凸出於該第二表面。
12. 如申請專利範圍第11項所述之線路板，其中該些觸媒顆粒的材質包括至少一種過渡金屬配位化合物。
13. 如申請專利範圍第12項所述之線路板，其中該過渡金屬配位化合物為過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物或過渡金屬螯合物。
14. 如申請專利範圍第12項所述之線路板，其中該些觸媒顆粒的材質選自於過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬錯合物以及過渡金屬螯合物所組成的群組。
15. 如申請專利範圍第11項所述之線路板，其中該第一活化絕緣層與該第二活化絕緣層二者更包括一高分子量化合物，而該些觸媒顆粒分佈於該高分子量化合物中。
16. 如申請專利範圍第11項所述之線路板，其中該第一活化區相對於該第一表面的深度不大於10微米。
17. 如申請專利範圍第11項所述之線路板，其中該第二活化區相對於該第二表面的深度不大於10微米。
18. 如申請專利範圍第11項所述之線路板，其中該基板為一線路基板，且該線路基板包括一第一線路層、一相對於該第一線路層的第二線路層、一位於該第一線路層與該第二線路層之間的介電層以及一電性連接於該第一線路層與該第二線路層之間的內部線路結構。
19. 如申請專利範圍第18項所述之線路板，更包括至少一第一導電連接結構，該第一導電連接結構配置於該第一活化絕緣層中，並連接於該第一導電圖案層與該第一線路層之間。
20. 如申請專利範圍第18項所述之線路板，更包括至少一第二導電連接結構，該第二導電連接結構配置於該第二活化絕緣層中，並連接於該第二導電圖案層與該第二線路層之間。
21. 如申請專利範圍第11項所述之線路板，更包括多層樹脂層，其中一層樹脂層配置於該第一活化絕緣層與該基板之間，另一層樹脂層配置於該第二活化絕緣層與該基板之間。
22. 如申請專利範圍第21項所述之線路板，其中該些樹脂層為選自由膠片以及空白核心層所組成之群組。