CN102432290A - 一种镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷及其制备方法 - Google Patents

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马卫兵
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Abstract

本发明公开了一种掺杂La2O3的锆钛酸铅反铁电陶瓷，其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.07～0.18。本发明采用传统的氧化物混合方法、常压烧结，制得反铁电陶瓷材料。本发明制得的反铁电陶瓷能够在室温下显示双电滞回线，损耗较小，温度系数较小，主要应用于高密度储能电容器、大位移致动器、换能器、可控开关和热释电探测器等。

Description

一种镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)反铁电陶瓷的制备方法。
背景技术
反铁电材料最显著的特征是由于反平行偶极子的存在具有双电滞回线，然而目前发现可以常压下制备的具有反平行极化的反铁电材料并不多。反铁电材料的结构类型主要有两种，一种是NaNbO3型，它的反平行偶极子是沿着假立方钙钛矿晶胞边的对角线，另一种是PbZrO3型，它的反平行偶极子是沿着假立方钙钛矿面的对角线。在这两种反铁电材料中，PbZrO3基型的反铁电材料可以在电场的作用下发生从反铁电相到铁电相的转变，并伴随很大的应变及电荷释放，因此是一种具有重要使用价值的反铁电材料。反铁电陶瓷电介质是由反铁电体PbZrO3或者PZT为基的固溶体所组成。反铁电陶瓷材料的电容量或介电常数随场强的变化规律是：在低压下保持定值，至一定场强时电容量逐渐增大，然后达到最大值。场强更高时电容量下降，极化强度达到饱和后电容量降到一定值。
反铁电陶瓷是较好的高压陶瓷介质材料，其介电常数与铁电陶瓷相近，但无铁电陶瓷那种容易介电饱和的缺点。在较高的直流偏场下，介电常数随外电场的增加不是减小而是增加，只有在很高的电场下才会出现介电饱和，而且反铁电陶瓷可以避免剩余极化，是较适合作为高压陶瓷电容器的材料。反铁电体是比较优越的储能材料，用它制成的储能电容器具有储能密度高和储能释放充分的优点。由于反铁电体储能电容器是利用反铁电态与铁电态相变时的储能变化，而以PbZrO3为基的反铁电材料相变场强较高，一般为40-100kV/cm，另外，反铁电材料具有较高介电常数以及在一定高压下介电常数进一步增大的特性，所以反铁电体陶瓷电容器适用于高压。反铁电材料在相变时具有大应变量和高密度电荷瞬间释放特性，与此同时，通过控制电场的大小，场诱相变还提供了可控开关、可调变的介电、压电和热释电性能，并具有可逆的增强效应。因此反铁电材料成为智能传感和制动系统中的关键材料，其可能的应用领域包括有高密度储能电容器、大位移致动器、换能器和可开关、可调变压电和热释电探测器等。目前已经发现约有40多种反铁电材料，其中钙钛矿结构的PZT基化合物是目前最具有应用价值的一类反铁电材料，也是当今国内外研究的热点。
现有的反铁电材料的化学组成处于相对较窄的反铁电/铁电相界附近，原料组分和制备条件对材料的相变性能影响明显，微小的组分波动也会显著改变材料的相变性能。本发明要通过适当离子掺杂改性，获得相对稳定、单一相结构的反铁电陶瓷。
发明内容
本发明要通过适当离子掺杂改性，获得相对稳定、单一相结构的锆钛酸铅反铁电陶瓷。
本发明通过以下技术方案予以实现：
(1)配料
将原料Pb3O4、ZrO2、TiO2、La2O3按Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.07～0.18的化学计量比配料，于球磨罐中混料，球∶料∶水的重量比为2∶1∶0.5，球磨时间为4h，再将原料烘干；
(2)预合成
将步骤(1)烘干后的粉料放入氧化铝坩埚内，加盖密封，于900℃合成2h；
(3)成型及排塑
将步骤(2)的合成料再次球磨、烘干，外加7wt％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，过筛后在300Mpa的压强下压制成型为坯体；然后以3℃/min的速率将坯体升温至200℃，再以1.5℃/min速率从200℃升至400℃，于400℃保温30min后，以5℃/min的速率升至650℃并保温10min，排出有机物；
(4)烧结
将步骤(3)排出有机物的坯体采用锆钛酸铅粉料埋烧，升温速率为6℃/min，在1230～1290℃烧结，保温2h，随炉冷却，制得镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)的反铁电陶瓷；
(5)烧银
将步骤(4)烧结好的陶瓷片打磨至厚度为0.8～1.3mm，采用丝网印刷工艺，在其上、下表面印刷银浆，再置于加热炉中，升温至735℃并保温10min，自然冷却至室温；
(6)测试电学性能。
所述步骤(1)的球磨介质为去离子水和玛瑙球，球磨机的转速为750r/min。
所述步骤(1)的原料烘干温度为100℃。
所述步骤(3)的坯体为直径12mm、厚度1.2～1.4mm的圆片状坯体。
本发明的有益效果是，通过适当的离子掺杂，获得相对稳定的反铁电相。
附图说明
图1为本发明制备出的Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.11～0.14的X射线衍射图；
图2为本发明制备出的Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.07～0.18的介电常数
Figure BDA0000093173830000021
损耗(tanδ)图谱；
图3为本发明制备出的Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.11～0.14的电滞回线；横坐标为电场强度(V/mm)，纵坐标表示极化强度(μC/cm2)；
图4为本发明制备出的Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.11～0.14的电场-应变曲线；横坐标为电场强度(V/mm)，纵坐标表示应变；
图5为本发明制备出的Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.11～0.14的介电常数损耗(tanδ)与温度的关系。
具体实施方式
本发明采用市售的化学纯原料(纯度≥99％)，为Pb3O4、ZrO2、TiO2、La2O3。
具体实施如下：
(1)配料
将原料Pb3O4、ZrO2、TiO2、La2O3按Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.07～0.18的化学计量比配料，于球磨中混料，球∶料∶水的重量比为2∶1∶0.5，球磨介质为去离子水和玛瑙球，球磨机的转速为750r/min，球磨时间为4h，然后再将原料烘干；
(2)合成
将步骤(1)烘干后的粉料放入氧化铝坩埚内，加盖密封，于900℃合成2h；
(3)成型及排塑
将步骤(2)的合成料再次球磨、烘干，外加7wt％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，过筛后在300Mpa的压强下压制成型为坯体，坯体为直径12mm，厚度1.2～1.4mm，圆片状；然后以3℃/min的速率将坯体升温至200℃，再以1.5℃/min速率从200℃升至400℃，在400℃保温30min后，以5℃/min的速率升至650℃并保温10min，排出有机物；
(4)烧结
将步骤(3)排出有机物的坯体采用锆钛酸铅粉料埋烧，速率升温为6℃/min，在1230～1290℃，保温2h，随炉冷却，制得镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)的反铁电陶瓷；
(5)烧银
将步骤(4)烧结好的反铁电陶瓷片打磨至厚度为0.8～1.3mm，采用丝网印刷工艺在其上、下表面印刷银浆，置于加热炉中，升温至735℃并保温10min，自然冷却至室温；
(6)测试压电性能
将步骤(5)处理后的反铁电陶瓷片，冷却至室温后测试其电学性能。
在上述工艺条件下，具体实施例如下：
  №   Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，x＝0.07～0.18   烧结温度   反铁电陶瓷片厚度
  实施例1-1   x＝0.07   1250℃   0.86mm
  实施例1-2   x＝0.07   1270℃   0.88mm
  实施例1-3   x＝0.07   1290℃   0.90mm
  实施例2-1   x＝0.08   1250℃   1.06mm
  实施例2-2   x＝0.08   1270℃   0.96mm
  实施例2-3   x＝0.08   1270℃   1.12mm
  实施例3-1   x＝0.09   1250℃   1.10mm
  实施例3-2   x＝0.09   1270℃   1.22mm
  实施例3-3   x＝0.09   1290℃   1.06mm
  实施例4-1   x＝0.10   1250℃   1.10mm
  实施例4-2   x＝0.10   1270℃   1.12mm
  实施例4-3   x＝0.10   1290℃   1.04mm
  实施例5-1   x＝0.11   1230℃   1.10mm
  实施例5-2   x＝0.11   1250℃   1.02mm
  实施例5-3   x＝0.11   1270℃   0.98mm
  实施例6-1   x＝0.12   1230℃   0.86mm
  实施例6-2   x＝0.12   1250℃   1.12mm
  实施例6-3   x＝0.12   1270℃   1.04mm
  实施例7-1   x＝0.13   1230℃   1.00mm
  实施例7-2   x＝0.13   1250℃   1.12mm
  实施例7-3   x＝0.13   1270℃   1.00mm
  实施例8-1   x＝0.14   1250℃   1.06mm
  实施例8-2   x＝0.14   1270℃   1.02mm
  实施例8-3   x＝0.14   1290℃   0.96mm
  实施例9-1   x＝0.15   1250℃   1.18mm
  实施例9-2   x＝0.15   1270℃   1.04mm
  实施例9-3   x＝0.15   1290℃   0.96mm
  实施例10-1   x＝0.16   1250℃   1.20mm
  实施例10-2   x＝0.16   1270℃   1.06mm
  实施例10-3   x＝0.16   1290℃   1.04mm
  实施例11-1   x＝0.17   1250℃   1.08mm
  实施例11-2   x＝0.17   1270℃   1.16mm
  实施例11-3   x＝0.17   1290℃   1.06mm
  实施例12-1   x＝0.18   1250℃   1.02mm
  实施例12-2   x＝0.18   1270℃   0.98mm
  实施例12-3   x＝0.18   1290℃   1.06mm
图1是实施例5-2，6-2，7-2，8-2获得的PLZT陶瓷的X射线衍射图谱，从图中可以发现所有组分的陶瓷都具有钙钛矿结构，在(002)、(200)，(102)、(201)和(112)、(211)等衍射峰，存在明显的分峰现象，是典型的四方相结构。
图2是采用实施例1-2，2-2，3-2，4-2，5-2，6-2，7-2，8-2，9-2，10-2，11-2，12-2获得的PLZT的介电常数
Figure BDA0000093173830000051
损耗(tanδ)图谱，从图中可以看出，在低含La量(7％≤La≤11％)时，
Figure BDA0000093173830000052
tanδ随La的增加逐渐增大，高含La量(11％≤La≤18％)时，
Figure BDA0000093173830000053
tanδ随La的增加逐渐减小。可能是由于低含La量时，样品为典型的铁电相；高含La量时，随La含量的增加，样品逐渐变为顺电相的缘故。
图3是本发明实施例5-2，6-2，7-2，8-2获得的PLZT陶瓷的电滞回线，从图中可以看出，随La含量的增加，电滞回线逐渐变“瘦”，剩余极化，矫顽电场很小，可能是铁电，反铁电共存。
图4是实施例5-2，6-2，7-2，8-2获得的PLZT陶瓷的电场-应变曲线。在4kV/mm的电场作用下，可获得巨大的应变，去除电场后可回到零点。另外发现其不存在负应变，这与双电滞回线是一致的。
图5是本发明实施例5-2，6-2，7-2，8-2获得的PLZT陶瓷的介电常数
Figure BDA0000093173830000054
与温度的关系，从图中可以看出，样品的居里温度为100℃左右，同时由图可以计算知，样品的介电温度系数分别为10478ppm/℃，5261ppm/℃，3556ppm/℃，4077ppm/℃。
本发明优选的配方为：Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3，式中x＝0.12(实施例6-2)，此时
Figure BDA0000093173830000055
tanδ＝4.80％(Automatic LCR Meter4225)，介电温度系数为5261ppm/℃，绝缘电阻率为1014Ω·cm(目前反铁电材料的一般性能为
Figure BDA0000093173830000056
tanδ＝5.00％)。
本发明制备的反铁电陶瓷可应用于高密度储能电容器、大位移致动器、换能器、可控开关和热释电探测器等。
上述对实施例的描述是便于该技术领域的普通技术人员能理解和应用本发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，对于本发明做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷，其原料组成及其原料摩尔百分比含量为Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.07～0.18，所述原料为Pb3O4、ZrO2、TiO2和La2O3。
2.权利要求1的一种镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷的制备方法，具有如下步骤：
(1)配料
将原料Pb3O4、ZrO2、TiO2、La2O3按Pb1-xLax(Zr0.70Ti0.30)1-x/4O3，式中x＝0.07～0.18的化学计量比配料，于球磨罐中混料，球∶料∶水的重量比为2∶1∶0.5，球磨时间为4h，再将原料烘干；
(2)预合成
将步骤(1)烘干后的粉料放入氧化铝坩埚内，加盖密封，于900℃合成2h；
(3)成型及排塑
将步骤(2)的合成料再次球磨、烘干，外加质量百分比为7wt％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，过筛后在300Mpa的压强下压制成型为坯体；然后以3℃/min的速率将坯体升温至200℃，再以1.5℃/min速率从200℃升至400℃，于400℃保温30min后，以5℃/min的速率升至650℃并保温10min，排出有机物；
(4)烧结
将步骤(3)排出有机物的坯体采用锆钛酸铅粉料埋烧，升温速率为6℃/min，在1230～1290℃烧结，保温2h，随炉冷却，制得镧掺杂锆钛酸铅的反铁电陶瓷；
(5)烧银
将步骤(4)烧结好的陶瓷片打磨至厚度为0.8～1.3mm，采用丝网印刷工艺，在其上、下表面印刷银浆，再置于加热炉中，升温至735℃并保温10min，自然冷却至室温；
(6)测试电学性能。
3.根据权利要求2的一种镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的球磨介质为去离子水和玛瑙球，球磨机的转速为750r/min。
4.根据权利要求2的一种镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的原料烘干温度为100℃。
5.根据权利要求2的一种镧掺杂锆钛酸铅反铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的坯体为直径12mm、厚度1.2～1.4mm的圆片状坯体。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103360063A (zh) * 2013-07-12 2013-10-23 天津大学 镧锑掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷
CN104193333A (zh) * 2014-08-18 2014-12-10 曹静 一种(Bi0.46Na0.46Ba0.06La0.02)ZrxTi(1-x)O3反铁电陶瓷的制备方法
CN107129301A (zh) * 2017-06-22 2017-09-05 重庆工商大学 一种plzt/氧化铝复合陶瓷材料及其制备方法
CN107285767A (zh) * 2017-07-19 2017-10-24 广东工业大学 一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用
CN107311656A (zh) * 2017-07-04 2017-11-03 广东工业大学 具有巨负电卡效应的反铁电陶瓷材料、其制备方法与用途
CN108751990A (zh) * 2018-06-29 2018-11-06 广东工业大学 一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法与应用
CN109665839A (zh) * 2018-12-20 2019-04-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高储能密度plzt基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
CN110697771A (zh) * 2019-11-07 2020-01-17 广西大学 一种高性能储能薄膜的制备方法
CN111499384A (zh) * 2020-04-09 2020-08-07 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高储能密度温度稳定性plzt反铁电陶瓷材料及其制备方法
CN112745121A (zh) * 2021-01-14 2021-05-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种可实现光路关-开的逆向光散射透明陶瓷及其应用
CN117326866A (zh) * 2023-12-01 2024-01-02 山东利恩斯智能科技有限公司 一种铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4219866A (en) * 1979-01-12 1980-08-26 Sprague Electric Company Ceramic capacitor having a dielectric of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 and BaTiO3
EP1791195A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-30 General Electric Company Antiferroelectric polymer composites, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4219866A (en) * 1979-01-12 1980-08-26 Sprague Electric Company Ceramic capacitor having a dielectric of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 and BaTiO3
EP1791195A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-30 General Electric Company Antiferroelectric polymer composites, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张水琴等: "掺杂对PZT 铁电陶瓷介电铁电性能的影响", 《电子元件与材料》 *
柏朝晖等: "锆钛酸铅镧( PLZT)陶瓷材料的显微结构和性能", 《长春理工大学学报》 *
高瑞荣等: "La置换Pb对Sb掺杂PLZT压电陶瓷介电性能的影响", 《中国陶瓷》 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103360063A (zh) * 2013-07-12 2013-10-23 天津大学 镧锑掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷
CN104193333A (zh) * 2014-08-18 2014-12-10 曹静 一种(Bi0.46Na0.46Ba0.06La0.02)ZrxTi(1-x)O3反铁电陶瓷的制备方法
CN107129301A (zh) * 2017-06-22 2017-09-05 重庆工商大学 一种plzt/氧化铝复合陶瓷材料及其制备方法
CN107311656A (zh) * 2017-07-04 2017-11-03 广东工业大学 具有巨负电卡效应的反铁电陶瓷材料、其制备方法与用途
CN107285767A (zh) * 2017-07-19 2017-10-24 广东工业大学 一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用
CN108751990A (zh) * 2018-06-29 2018-11-06 广东工业大学 一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法与应用
CN109665839A (zh) * 2018-12-20 2019-04-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高储能密度plzt基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
CN109665839B (zh) * 2018-12-20 2022-03-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高储能密度plzt基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
CN110697771A (zh) * 2019-11-07 2020-01-17 广西大学 一种高性能储能薄膜的制备方法
CN111499384A (zh) * 2020-04-09 2020-08-07 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高储能密度温度稳定性plzt反铁电陶瓷材料及其制备方法
CN111499384B (zh) * 2020-04-09 2021-06-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高储能密度温度稳定性plzt反铁电陶瓷材料及其制备方法
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CN117326866A (zh) * 2023-12-01 2024-01-02 山东利恩斯智能科技有限公司 一种铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法
CN117326866B (zh) * 2023-12-01 2024-02-23 山东利恩斯智能科技有限公司 一种铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

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