CN102414795A - 化合物半导体的沉积方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种化合物半导体的沉积方法，其在使三元以上的化合物半导体在基板上沉积时能够以纳米级调整其发射波长。本发明涉及一种使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其中，在使化合物半导体向基板(13)上沉积的同时，对该基板(13)上照射比该化合物半导体所期望的理想的激发能量小的能量的传播光，使在基板(13)上沉积的化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。

Description

化合物半导体的沉积方法和装置
技术领域
本发明涉及通过利用光CVD、热CVD、MBE等而使三元以上的化合物半导体沉积在基板上的化合物半导体的沉积方法。
背景技术
作为蓝光、白光等具有任意的发射波长的单色的LED用半导体材料，如在氮化镓(GaN)中混合了In的氮化铟镓(InGaN)、混合了Al的氮化镓铝(GaAlN)等那样，由三元以上构成的氮化镓系化合物半导体受到注目(例如，参见专利文献1)。
然而，若构成这样的LED的三元以上的化合物半导体的发射波长发生偏离，即使偏离1nm，所得到的RGB图像的色调本身就会产生变化。作为利用了该三元以上的化合物半导体的LED，以上述InGaN为例，发射波长随着GaN中混合In的比例而发生变化，假设GaN的发射波长为约400nm，与此相对InN为1.5μm。即，对于该InGaN而言，根据In的混合比例，可以得到由400nm～1.5μm的波段中所期望的发射波长构成的化合物半导体。相反地，若In的混合比例发生变化，即使是略微的变化，所得到的化合物半导体的发射波长就会发生很大的变化。
以往，无法以高精度调整In的混合比例，对于发射波长，无法消除纳米级的偏差。因此，存在难以提高所制造的LED的成品率的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-310819号公报
非专利文献
非专利文献1：大津元一、小林洁“ナノフオトニクスの基礎(纳米光子学的基础)”Ohmsha，P141，P206～P208(2006年)
发明内容
因此，本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种化合物半导体的沉积方法和装置，其在使三元以上的化合物半导体在基板上沉积时能够以纳米级调整其发射波长。
本发明人为了解决上述课题，进行了深入研究，结果着眼于以下方面：通过使化合物半导体在基板上沉积的同时对该基板上照射传播光，基板上沉积的化合物半导体的微粒会产生基于传播光的近场光。并且，还着眼于以下方面：通过产生该近场光，所要沉积的化合物半导体能够以多阶段形成新的振动能级。通过以多阶段形成新的振动能级，介由该振动能级，能够激发与激发能量(该激发能量为传播光所具有的能量以下)对应的成分，能够使该成分脱离。
为了解决上述课题，方案1所述的化合物半导体的沉积方法是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，利用该传播光激发上述化合物半导体中与上述传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。
为了解决上述课题，方案2所述的化合物半导体的沉积方法是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
为了解决上述课题，方案3所述的化合物半导体的沉积方法是通过对供给到反应室内的气体照射沉积用的传播光来促进光化学反应、使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射脱离用的传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的沉积用的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该脱离用的传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
为了解决上述课题，方案4所述的化合物半导体的沉积装置是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，利用该传播光激发上述化合物半导体中与上述传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。
为了解决上述课题，方案5所述的化合物半导体的沉积装置是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
为了解决上述课题，方案6所述的化合物半导体的沉积装置是通过对供给到反应室内的气体照射沉积用的传播光来促进光化学反应、使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射脱离用的传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的沉积用的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该脱离用的传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
在应用本发明的化合物半导体的沉积方法中，在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对基板上照射传播光(所述传播光的能量Ep比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量Ei小)，在基板上沉积的化合物半导体的微粒会产生基于所照射的传播光的近场光。另外，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有激发能量Eq(激发能量Eq为传播光所具有的能量Ep以下)的振动能级，利用该传播光进行激发。其结果，能够利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量Eq对应的成分激发，使其脱离，进而还能够除去与小于理想的激发能量Ei的能量对应的成分。
另外，根据本发明，对于所有理想的激发能量，通过照射与其相比能量更小的传播光，能够如上述那样细致地控制成分比例。另外，由于能够以高概率制造由所期望的成分比例构成的化合物半导体，因此能够实现制造时成品率的提高。
附图说明
图1是表示用于实现应用了本发明的化合物半导体的沉积方法的结晶成长装置的图。
图2是用于对应用了本发明的化合物半导体的沉积方法的作用效果进行说明的图。
图3是表示基于微粒产生近场光的实例的图。
图4是用于对非绝热过程产生的原子的振动进行说明的图。
图5是表示利用光CVD实现本发明的实例的图。
图6是表示将脱离用的传播光的波长设为457nm时化合物半导体的发射光谱的图。
图7是表示将脱离用的传播光的波长设为532nm时化合物半导体的发射光谱的图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。
图1示意性地表示用于实现应用了本发明的化合物半导体的沉积方法的结晶成长装置1。
该结晶成长装置1在所谓MOCVD(金属有机化学气相沉积)中使用，其通过在腔室11内设置基板13、和用于放置上述基板13的载物台14而构成，另外该腔室11内的气体可以通过泵16抽吸，此外通过压力传感器17检测腔室11内的压力，基于该压力自动地开闭蝶形阀18，从而能够实现内压的自动控制。另外，对于该腔室11，连接了用于供给III族原料气体的供给管23、和用于供给V族原料气体的供给管24。另外，该腔室11的外壁形成有窗28，从在腔室11的外侧设置的光源29发出的传播光通过窗28向腔室11内入射。另外，该腔室11的周围设置有热源21，以能够加热基板13的方式构成。
光源29基于通过未图示的电源装置接受的驱动电源进行光振荡，例如，其是Nd:YAG等固体激光器、GaAs等半导体激光器、ArF等气体激光器等各种激光器；以及LED或氙灯等发射光的光源。另外，该光源29可以被设定成能够控制波长。
通过由这样的结构构成的结晶成长装置1，实际上作为三元以上的化合物半导体，以InGaN为例，对于使该化合物半导体在基板13上沉积的方法进行说明。
首先，在载物台14上安装基板13。该基板13假设为六方晶的蓝宝石基板等，但不限定于此，例如也可以使用硅，此外还可以使用玻璃、砷化镓、氮化镓、聚酰亚胺基板等。
接着，通过泵16抽吸腔室11内的气体，同时使用蝶形阀18等将腔室11内控制为预定的压力。另外，该压力设为1.0×10-10～1.0×103Torr。另外，与此同时，安装在载物台14上的基板13的温度也调整为预定的温度。
接着，由供给管23向腔室11内供给III族原料气体，进而由供给管24向腔室11内供给V族原料气体。供给这些各原料气体时，腔室11内的温度设为0℃以上。该III族原料气体只要含有III族元素则可以使用任何气体，但在以下说明中，以使用三甲基镓((CH3)3Ga)气体以及三乙基铟((C2H5)3In)气体作为III族原料气体的情况为例进行说明。该V族原料气体只要含有V族元素则可以使用任何气体，在以下说明中，以使用氨(NH3)气作为V族原料气体的情况为例进行说明。即，该三甲基镓气体构成化合物半导体InGaN中的Ga元素，而三乙基铟气体构成化合物半导体InGaN中的In元素。另外氨气构成化合物半导体InGaN中的N元素。
在此，三甲基镓气体以及三乙基铟气体使用氢作为载气。即，将三甲基镓、三乙基铟的液体装入汽缸中，将该汽缸内的压力设为100Torr，汽缸的温度设为-10℃，向其中投入作为载体的氢气。投入有氢气的汽缸内，液态的三甲基镓、三乙基铟被气化，形成三甲基镓气体、三乙基铟气体，它们通过供给管24被供给到腔室11内。
需要说明的是，三甲基镓气体以及三乙基铟气体与氨气的流量比例可以为1∶1000以上。例如，三甲基镓气体可以为0.5sccm，三乙基铟气体可以为2.5×10-3，氨气可以为2000sccm。特别是，氨气与三甲基镓气体相比，对于所照射的光的吸收性低。这是因为，三甲基镓气体与氨气的流量比例低于1∶1000时，氨气的量减小，由于照射的光的作用而离解的氮分子的量与镓原子、铟原子相比相对较低。
另外，在向腔室11内供给III族原料气体以及V族原料气体的同时，使来自光源29的传播光通过窗28照射到该基板13上。照射到该基板13上的传播光的波长(换言之该传播光所具有的能量)根据之后要在基板13上形成的化合物半导体所期望的理想的激发能量来预先决定。换言之，根据由之后要在基板13上形成的化合物半导体的元素比例计算出的理想的激发能量来预先决定。
通过这样的气体的供给和光的照射，产生以下所说明的作用。图2(a)的实线表示InxGa1-xN的理想的能级。将该InxGa1-xN的理想的能级的激发能量设为Ei。通常对于该InxGa1-xN而言，In与Ga的混合比例通过x决定，细致地确定了发射波长(能量)。即，为了使由之后制造的InxGa1-xN所发出的光具有所期望的能量，预先设计元素比例x。
将基于这样预先决定的元素比例x的InxGa1-xN实际上通过现有的MOCVD、光CVD沉积到基板上时，无法微细地控制元素比例x，因此无法使元素比例x为恒定值，其结果，关于所得到的InxGa1-xN的能级，除了图2(a)的实线表示的由元素比例计算求得的理想的InxGa1-xN的能级以外，根据元素比例x的略微的偏差，以多阶段形成图2(a)中的虚线表示的能级。比图2(a)中的实线低的能级中，额外混合了In，另外比实线高的能级中，In少、而相应地额外混合了Ga。由于由这些额外混合了In等的成分所构成的化合物半导体大量产生，因此整体之中得到仅由实线表示的理想的InxGa1-xN的能级构成的化合物半导体的概率极低。
与此相对，本发明中，如图3所示在基板13上沉积三元化合物半导体的微粒时，规定照射传播光是必要的条件。其结果，基于该照射的传播光，由在基板13上沉积的化合物半导体的微粒产生近场光。
并且，若产生该近场光，则如图2(b)所示，以多阶段形成新的振动能级。这是因为，作为该新的振动能级产生的机理，原子之间由于基于近场光的非绝热过程而振动。
如图4所示，该非绝热过程可以以用弹簧代替原子之间的结合的模型考虑。通常传播光的波长远远大于分子的尺寸，因此在分子水平上空间上可视为同样的电场。其结果，如图4(a)所示，使得以弹簧相邻的电子以相同振幅、相同相位振动。由于色素的原子核重，因此无法追随该电子的振动，传播光中极难产生分子振动。这样在传播光中，可以无视分子振动参与电子的激发过程，因此将该过程称为绝热过程(参见非专利文献1)。
另一方面，近场光的空间性的电场梯度非常急剧地降低。因此近场光中对相邻的电子施加了不同的振动，如图4(b)所示，通过该不同的电子的振动使得较重的原子核也发生振动。近场光引起分子振动相当于能量采取分子振动的形态，因此以多阶段形成上述图2(b)所示的新的振动能级。
此时，向该基板13上照射的传播光能够介由该新形成的振动能级激发。另外，该传播光的激发介由激发能量为该传播光所具有的能量以下的振动能级来进行。例如如图2(c)所示，传播光所具有的能量为Ep时，传播光介由具有激发能量Eq(激发能量Eq为该能量Ep以下)的振动能级而激发。其结果，对于化合物半导体来说，可以通过该传播光使与激发能量Eq(激发能量Eq为该能量Ep以下)对应的成分激发，使其脱离。根据InGaN的例子，与该激发能量Eq(激发能量Eq为能量Ep以下)对应的成分和理想的成分比例相比，相当于含有更多的In的成分。其结果，能够选择性地使含有更多的In的成分脱离。
即，根据本发明，能够针对化合物半导体使小于等于该传播光所具有的能量Ep的任何成分脱离。其结果，能够使最终制造的化合物半导体的能量状态为仅由均不小于等于能量Ep的成分(换言之超过能量Ep的成分)构成的状态。
在此，能量Ep取决于传播光的波长，因此通过决定传播光的波长，能够使所得到的化合物半导体的能量仅由均不小于等于能量Ep的成分(换言之超过能量Ep的成分)构成。因此，在与InxGa1-xN的理想的能级的激发能量Ei的关系中，通过设定传播光的能量Ep，能够使最终制造的化合物半导体的能量状态在与该激发能量Ei的关系中最佳化。
例如，通过照射由与InxGa1-xN的理想的能级的激发能量Ei相比略小的能量Ep构成的传播光，如图2(c)所示，能够通过该传播光使与激发能量Eq(激发能量Eq为能量Ep以下)对应的成分激发，使其脱离。其结果，能够使相当于能量Ep(能量Ep比InxGa1-xN的理想的能级的激发能量Ei小)以下的化合物半导体中的成分脱离，对于最终得到的化合物半导体，可以根据对应该理想的激发能量Ei的成分进行成分调整。
因此，根据本发明，能够以高精度调整构成三元半导体化合物的各元素的元素比例，针对由所得到的半导体化合物构成的LED的发射波长还能够消除纳米级的偏差。另外，能够以高概率制作出由与理想的能级的激发能量Ei对应的成分所构成的化合物半导体，还能够提高所要制造的半导体化合物的成品率。
即，在应用了本发明的化合物半导体的沉积方法中，在使化合物半导体向基板13上沉积的同时，对基板13上照射传播光(所述传播光的能量Ep比该化合物半导体所期望的理想的激发能量Ei小)，在基板13上沉积的化合物半导体的微粒会产生基于所照射的传播光的近场光。另外，基于所产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有激发能量Eq(激发能量Eq为传播光所具有的能量Ep以下)的振动能级，利用该传播光使其激发。其结果，能够利用该传播光使化合物半导体中与该激发能量Eq对应的成分激发，使其脱离，进而还能够除去与小于理想的激发能量Ei的能量对应的成分。
需要说明的是，本发明不限定于上述实施方式。半导体化合物也可以不由三元半导体化合物构成而由4元半导体化合物构成。即，在应用了本发明的化合物半导体的沉积方法中，只要是三元以上的化合物半导体则任何成分均能够应用。
另外，针对该三元以上的化合物半导体，在自由设定其理想的成分比例(激发能量Ei)的情况下，可以根据所设定的激发能量Ei决定传播光的能量(波长)。化合物半导体不仅应用于LED，有时还应用于通信中，所期望的理想的激发能量根据用途而各异。但是，根据本发明，对于所有理想的激发能量，都能通过照射与其相比能量更小的传播光，来如上述那样细致地控制成分比例。另外，由于能够以高概率制造出由所期望的成分比例构成的化合物半导体，因此能够实现制造时成品率的提高。
另外，本发明不仅可以适用于以上述MOCVD为首的热CVD，在进行溅射、MBE时也可以同样适用。该情况下，在现有的溅射装置、MBE(分子束外延)装置中，进一步安装对基板照射传播光的设备。
另外，本发明例如还可以适用于光CVD。图5表示将本发明适用于光CVD中的例子。该光CVD装置2具备照射沉积用的传播光的第1光源31、和照射脱离用的光源的第2光源32。另外，该光CVD装置2通过在腔室11内设置基板13、和用于放置上述基板13的载物台14而构成，另外该腔室11内的气体可以通过泵16抽吸，此外通过压力传感器17检测腔室11内的压力，基于该压力自动地开闭蝶形阀18，从而能够实现内压的自动控制。另外，对于该腔室11，连接了用于供给III族原料气体的供给管23、和用于供给V族原料气体的供给管24。另外，该腔室11的外壁形成有窗28，从在腔室11的外侧设置的第1光源31和第2光源32发出的传播光通过窗28向腔室11内入射。
该光CVD装置2中，对与上述结晶成长装置1相同的构成要素、部件付与了相同的符号，以下省略其说明。
第1光源31与在通常的光CVD中使用的光源相同，例如使用以低压汞灯、高压氙灯、氘灯等为首的紫外线灯。另外，作为该第1光源31，也可以使用波长为193nm的ArF、波长为248nm的KrF或波长为351nm的XeF等准分子激光器、具有近红外波长的YAG激光器等。
受到由该第1光源31照射的光的作用，原料气体被光分解，所产生的自由基在基板13上再结合，形成薄膜。
另外，基于由该第1光源31照射的光，在基板13上沉积的化合物半导体的微粒产生近场光。
并且，若产生该近场光，则原子之间由于非绝热过程而而引起振动，以多阶段形成图2(b)所示的新的振动能级。
此时，由第2光源32向该基板13上照射传播光。由该第2光源32照射的传播光能够介由该新形成的振动能级激发。设被该第2光源32照射的传播光所具有的能量为Ep时，传播光介由具有该能量Ep以下的激发能量Eq的振动能级而激发。其结果，对于化合物半导体来说，能够利用该传播光使与该能量Ep以下的激发能量Eq对应的成分激发，使其脱离。
在使化合物半导体向基板13上沉积的同时，由第1光源31对基板13上照射脱离用的传播光(所述传播光的能量比化合物半导体所期望的理想的激发能量小)，在基板13上沉积的化合物半导体的微粒会产生基于所照射的沉积用的传播光的近场光。并且，基于该产生的近场光，化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，能够利用该脱离用的传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。由此，在该光CVD中，也同样地能够以高精度调整构成三元以上的化合物半导体的各元素的元素比例，针对由所得到的半导体化合物构成的LED的发射波长还能够消除纳米级的偏差。
需要说明的是，上述构成中，将基于所产生的近场光化合物半导体以多阶段形成新的振动能级这一点作为了必要条件，但并不限定于此。也可以仅为照射传播光的构成。该情况下，在使化合物半导体向基板13上沉积的同时，对该基板13上照射传播光(所述传播光的能量比该化合物半导体所期望的理想的激发能量小)。并且，利用该传播光激发化合物半导体中与传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。由于近场光的产生不是必要条件，因此不以多阶段形成新的振动能级，但通过传播光的照射，能够利用该传播光使与该传播光所具有的能量以下的激发能量对应的化合物半导体中的成分激发，使其脱离，从而能够得到与上述同样的效果。
实施例1
以下，对使用应用了本发明的化合物半导体的沉积方法，利用由上述构成形成的结晶成长装置1制造由InGaN构成的化合物半导体的实施例进行说明。
作为沉积条件，使用上述图5所示的光CVD装置2，例如，设三甲基镓气体为0.5sccm，三乙基铟气体为2.5×10-3，氨气为2000sccm。设基板温度为室温，由第1光源31出射的沉积用的传播光的波长为213nm，由第2光源32出射的脱离用的传播光的波长设为457nm和532nm。对于所制造的半导体化合物，在测定温度为5K的条件下测定发光强度。
图6表示将该脱离用的传播光的波长设为457nm时化合物半导体的发射光谱。另外，图7表示将该脱离用的传播光的波长设为532nm时化合物半导体的发射光谱。为了进行比较，这些图6、7一并表示仅照射沉积用的传播光时的发射光谱。
由图6、7所示可知，通过照射脱离用的传播光，在大于等于该脱离用的传播光的波长(换言之小于等于脱离用的传播光的能量)的区域中，其光谱强度降低。据认为其原因是，通过照射脱离用的光，化合物半导体中小于等于该能量的成分被脱离，该区域中的发光强度降低。
由上述结果可知，通过应用了本发明的化合物半导体的沉积方法，介由具有脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，能够利用该脱离用的传播光使化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
符号说明
1结晶成长装置
11腔室
13基板
14载物台
16泵
17压力传感器
18蝶形阀
21热源
23、24供给管
28窗
29光源

Claims (6)

1.一种化合物半导体的沉积方法，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，
在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，
利用该传播光激发上述化合物半导体中与上述传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。
2.一种化合物半导体的沉积方法，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，
在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，
使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
3.一种化合物半导体的沉积方法，其是通过对供给到反应室内的气体照射沉积用的传播光来促进光化学反应、使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，
在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射脱离用的传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，
使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的沉积用的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该脱离用的传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
4.一种化合物半导体的沉积装置，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，
在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，
利用该传播光激发上述化合物半导体中与上述传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。
5.一种化合物半导体的沉积装置，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，
在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，
使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
6.一种化合物半导体的沉积装置，其是通过对供给到反应室内的气体照射沉积用的传播光来促进光化学反应、使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，
在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射脱离用的传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，
使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的沉积用的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该脱离用的传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。
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