JP2007044871A - 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 - Google Patents
薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007044871A JP2007044871A JP2006259090A JP2006259090A JP2007044871A JP 2007044871 A JP2007044871 A JP 2007044871A JP 2006259090 A JP2006259090 A JP 2006259090A JP 2006259090 A JP2006259090 A JP 2006259090A JP 2007044871 A JP2007044871 A JP 2007044871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- light
- substrate
- size
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 少なくとも微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、ナノメータサイズの核をいわゆる起点として照射される光により微粒子の堆積が誘起されることに着目し、ナノメータサイズの核が予め形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射させ、この照射する光の波長を制御することにより微粒子を選択的に堆積させる。
【選択図】 図7
Description
Claims (6)
- 少なくとも微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、
ナノメータサイズの凹凸部又は不純物層が予め形成された基板表面へ上記微粒子を堆積させると共に光を照射する堆積工程を有し、
上記堆積工程では、所定のサイズを有する上記微粒子にのみ共鳴する波長の光を照射することにより、上記サイズを有する上記微粒子のみを消失させ、上記サイズ以外の上記微粒子を堆積させて、堆積する微粒子のサイズを制御すること
を特徴とする薄膜の作製方法。 - 上記堆積工程では、上記照射する光のパルス幅及び/又は強度を制御すること
を特徴とする請求項1に記載の薄膜の作製方法。 - 上記堆積工程では、上記照射する光の上記基板表面に対する入射角を制御すること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の薄膜の作製方法。 - 上記堆積工程では、CVD(Chemical Vapor Deposition)法又はスパッタリング法に基づき上記微粒子を堆積させること
を特徴とする請求項1乃至請求項3のうち何れか1項に記載の薄膜の作製方法。 - 基板表面にナノメータサイズの凹凸部又は不純物層を形成する核形成工程と、
上記凹凸部又は不純物層が形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射する堆積工程とを有し、
上記堆積工程では、所定のサイズを有する上記微粒子にのみ共鳴する波長の光を照射することにより、上記サイズを有する上記微粒子のみを消失させ、上記サイズ以外の上記微粒子を堆積させて、堆積する微粒子のサイズを制御すること
を特徴とする微粒子の堆積方法。 - 上記堆積工程では、CVD(Chemical Vapor Deposition)法又はスパッタリング法に基づき上記微粒子を堆積させること
を特徴とする請求項5に記載の微粒子の堆積方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006259090A JP2007044871A (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006259090A JP2007044871A (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003070723A Division JP3939669B2 (ja) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007044871A true JP2007044871A (ja) | 2007-02-22 |
Family
ID=37848137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006259090A Pending JP2007044871A (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007044871A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101974730A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-02-16 | 南京理工大学 | 在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法 |
US8912079B2 (en) | 2009-05-01 | 2014-12-16 | The University Of Tokyo | Compound semiconductor deposition method and apparatus |
-
2006
- 2006-09-25 JP JP2006259090A patent/JP2007044871A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8912079B2 (en) | 2009-05-01 | 2014-12-16 | The University Of Tokyo | Compound semiconductor deposition method and apparatus |
CN101974730A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-02-16 | 南京理工大学 | 在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Trivedi et al. | Room‐temperature synthesis of 2D Janus crystals and their heterostructures | |
JP4878550B2 (ja) | 量子ドット操作方法および量子ドット生成操作装置 | |
Gallo et al. | Integration of site-controlled pyramidal quantum dots and photonic crystal membrane cavities | |
Alias et al. | Focused-ion beam patterning of organolead trihalide perovskite for subwavelength grating nanophotonic applications | |
US20060216940A1 (en) | Methods of producing structures for electron beam induced resonance using plating and/or etching | |
US20090114848A1 (en) | Cluster film formation system and film formation method, and cluster formation system and formation method | |
Lin et al. | A GaN photonic crystal membrane laser | |
Gourdon et al. | Optically pumped lasing from organic two-dimensional planar photonic crystal microcavity | |
Coyopol et al. | Silicon excess and thermal annealing effects on structural and optical properties of co-sputtered SRO films | |
Tatebayashi et al. | Growth of InGaAs/GaAs nanowire-quantum dots on AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors for laser applications | |
Geng et al. | Artificial Seeds‐Regulated Femtosecond Laser Plasmonic Nanopatterning | |
Tao et al. | Electron‐beam‐driven III‐nitride plasmonic nanolasers in the deep‐UV and visible region | |
JP3939669B2 (ja) | 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 | |
JP2007044871A (ja) | 薄膜の作製方法、並びに微粒子の堆積方法 | |
Seniutinas et al. | Ion beam lithography with gold and silicon ions | |
US11448965B2 (en) | Optical patterning systems and methods | |
JP2004107744A (ja) | 光化学気相堆積装置及び方法 | |
Su et al. | Tuning photoluminescence of CsPbBr3 quantum dots through plasmonic nanofingers | |
Ahn et al. | Single-defect photonic crystal cavity laser fabricated by a combination of laser holography and focused ion beam lithography | |
Gaevski et al. | Two-dimensional photonic crystal fabrication using fullerene films | |
Li et al. | Low Thresholds and Tunable Modes in Plasmon‐Assisted Perovskite Microlasers | |
Zhang et al. | Characteristics of GaN-based 500 nm light-emitting diodes with embedded hemispherical air-cavity structure | |
Csányi et al. | Engineering and Controlling Perovskite Emissions via Optical Quasi‐Bound‐States‐in‐the‐Continuum | |
Wang et al. | Raman and photoluminescence characterization of focused ion beam patterned InGaN/GaN multi-quantum-wells nanopillar array | |
JP2004172482A (ja) | エッチング方法並びにナノデバイスの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090625 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20091126 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100910 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20101112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120323 |