CN102332241B - 显示器设备以及驱动显示器设备的方法 - Google Patents

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Abstract

一种与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路，可以包括电流镜单元和/或电平控制单元。电流镜单元可以连接在第一电源电压、第一节点、和第二节点之间。电平控制单元可以连接在第一节点、第二节点、和第二电源电压之间。电平控制单元可被配置为，基于第一节点的电压电平和第二节点的电压电平控制电流镜单元的输出电流的电平。电平控制单元可以包括：连接在第一节点和第二电源电压之间的第一晶体管；连接在第二节点和第三节点之间的至少一个第二晶体管，所述至少一个第二晶体管被配置为操作于弱反型区；和连接在第三节点和第二电源电压之间的第三晶体管。

Description

显示器设备以及驱动显示器设备的方法
本申请是分案申请，原案的申请号为200810097181.9，申请日为2008年5月19日，发明名称为“具有较高的温度系数的与绝对温度成比例的电流生成电路、包括该电路的显示器设备、以及其方法”。
优先权声明
本申请要求在2007年5月18日提交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2007-0048691的优先权，其整体内容在此处并入作为参考。
技术领域
示例性实施例涉及一种与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路，并且例如，涉及一种具有较高温度系数的PTAT电流生成电路、一种包括该电路的显示器设备、和/或一种其方法。
背景技术
在参考偏置电路(例如带隙电路)中，输出PTAT电流值的、与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路通常和输出IPTAT电流值的与绝对温度成反比的(IPTAT)电流生成电路一同使用。PTAT电流生成电路通常使用电阻元件生成参考电流。电阻元件的电阻值具有与温度成比例增加的温度系数(例如，正温度系数)。该温度系数是温度改变时的电阻的相对改变。
由于电阻元件具有与温度成比例的温度系数，因此如果在温度增加，则电阻元件的电阻值增加。因此，如果温度增加，则来自PTAT电流生成电路的电流输出可以减少。例如，电阻元件的温度系数特性可以使PTAT电流生成电路的输出电流特性恶化。随着显示器设备变得更大，用于驱动显示器设备的驱动单元(例如，源极线驱动器)中消耗的电流增加，并且因此，生成的热量增加。
例如，源极线驱动器使用公共电压对多个源极线预充电并且将数字图像数据输入从定时控制器发射到源极线中的对应源极线。由于预充电时间在温度增加时减少，因此源极线的温度增加。因此，包括源极线的显示器面板生成的热可能引起故障。
发明内容
示例性实施例提供了一种与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路，其通过使用操作于弱反型区的晶体管而具有更高的温度系数。
示例性实施例提供了一种显示器设备和/或一种方法，用于通过基于感测的温度控制多个源极线的预充电时间，来减少显示器面板生成的热。
根据示例性实施例，一种与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路，可以包括：电流镜单元和/或电平控制单元。电流镜单元可以连接在第一电源电压、第一节点、和第二节点之间。电平控制单元可以连接在第一节点、第二节点、和第二电源电压之间。电平控制单元可被配置为，基于第一节点的电压电平和第二节点的电压电平控制电流镜单元的输出电流的电平。电平控制单元包括：第一晶体管，其连接在第一节点和第二电源电压之间；至少一个第二晶体管，其连接在第二节点和第三节点之间，该至少一个第二晶体管被配置为操作于弱反型区；和/或第三晶体管，其连接在第三节点和第二电源电压之间。
根据示例性实施例，电流镜单元可以包括第一电流镜和/或第二电流镜。第一电流镜可以包括第一晶体管对，其连接在第一电源电压、第四节点、和/或第五节点之间。第一晶体管对可以具有公共栅极。第二电流镜包括第二晶体管对，其连接在第一节点、第二节点、第四节点、和/或第五节点之间。第二电流镜可以具有公共栅极。
根据示例性实施例，PTAT电流生成电路可以包括输出单元，其被配置为镜像(mirror)电流镜单元的输出电流并且输出镜像的电流。
根据示例性实施例，至少一个第二晶体管可由偏置电压控制和/或可以是具有与温度成反比的温度系数的金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
根据示例性实施例，第一晶体管和第三晶体管可以是双极结型晶体管。
根据另一示例性实施例，一种显示器设备，可以包括显示器面板、定时控制器、和/或源极线驱动器。显示器面板可以包括多个源极线和多个栅极线。定时控制器可被配置为生成数字图像数据和时钟信号。源极线驱动器可被配置为基于数字图像数据和时钟信号来驱动多个源极线。源极线驱动器可以包括数-模转换器、输出缓冲器、传输开关单元、和/或温度感测单元。数-模转换器可被配置为生成对应于数字图像数据的模拟电压。输出缓冲器可被配置为缓冲来自数-模转换器的模拟电压输出。传输开关单元可被配置为响应时钟信号使用预充电电压对多个源极线中的每个源极线预充电并且将输出缓冲器的输出信号发射到多个源极线中的对应的源极线。温度感测单元可被配置为感测温度，将感测的温度与参考温度进行比较，并且生成对应于比较结果的控制信号。定时控制器可以基于控制信号控制时钟信号的脉冲宽度。
根据示例性实施例，定时控制器可被配置为，如果温度感测单元感测的温度大于参考温度，则增加第二逻辑电平处的时钟信号的脉冲宽度。
根据示例性实施例，定时控制器可被配置为，如果温度感测单元感测的温度大于参考温度，则控制时钟信号的脉冲宽度，以增加多个源极线的预充电时间。
根据示例性实施例，传输开关单元可以包括至少一个公共开关和/或至少一个输出开关。该至少一个公共开关可被配置为响应时钟信号使用预充电电压对多个源极线中的每个源极线预充电。该至少一个输出开关可被配置为响应时钟信号将输出缓冲器的输出信号发射到多个源极线中的对应源极线。该至少一个公共开关和至少一个输出开关可以响应时钟信号互补地进行开关。
根据示例性实施例，温度感测单元可以包括与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路和/或比较器。与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路可被配置为生成与温度成比例的电流。比较器可被配置为将PTAT电流生成电路的输出电压与参考电压比较，并且输出对应于比较结果的控制信号。
根据示例性实施例，一种驱动显示器设备的方法，可以包括：生成数字图像数据和时钟信号。可以生成对应于数字图像数据的模拟电压。可以缓冲该模拟电压。可以响应时钟信号使用预充电电压对多个源极线中的每个源极线预充电，并且输出信号可以被发射到多个源极线中的对应源极线。可以感测温度和/或可以基于感测的温度来控制时钟信号的脉冲宽度。
根据示例性实施例，控制脉冲宽度可以包括：生成与温度成比例的电压，将生成的电压与参考电压进行比较，并且生成对应于比较结果的控制信号，和/或基于控制信号控制脉冲宽度。
附图说明
通过下面的示例性实施例的详细描述，结合附图，上文的和/或其他的方面和优点将变得更加显而易见并且更易于理解，在附图中：
图1说明了根据示例性实施例的与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路；
图2是说明了图1中说明的第二晶体管的示例性温度系数的示例性曲线图；
图3说明了根据示例性实施例的显示器设备；
图4说明了图3中说明的温度感测单元；
图5说明了随着图3中说明的温度感测单元感测的温度变化的源极线的输出电压。
具体实施方式
下面将通过参考附图更加全面地描述示例性实施例。然而，实施例可以具有许多不同的形式并且不应被解释为限于此处描述的示例性实施例。相反地，这些示例性实施例被提供用于使本公开内容是详尽的和完整的，并且向本领域的技术人员全面传达本发明的范围。在附图中，出于清楚起见，层和区域的厚度可被放大。
应当理解，当部件被称为“位于...上面”、“连接到”或者“耦合到”另一部件时，其可以直接位于该另一部件上面、直接连接到或耦合到该另一部件，或者可以存在中间的部件。相反地，当部件被称为“直接位于...上面”、“直接连接到”或者“直接耦合到”另一部件时，不存在中间的部件。如此处使用的术语“和/或”包括一个或多个相关联的列出事项的任何或所有组合。
应当理解，尽管此处使用术语第一、第二、第三等描述多种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于使一个元件、部件、区域、层或部分区别于另一元件、部件、区域、层或部分。因此，在不偏离示例性实施例的教导内容的前提下，第一元件、部件、区域、层或部分可被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
空间关系术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，在此处用于易化描述，以描述如附图中说明的一个部件或特征相对于另一个(或多个)部件或另一个(或多个)特征的关系。应当理解，空间关系术语除了涵盖附图中示出的取向外，也涵盖设备在使用或操作中的不同的取向。
此处使用的术语仅用于描述特定的示例性实施例，并非是限制性的。除非上下文清楚指出，否则如此处使用的单数形式“一个”、“一”也用于包括复数形式。还应当进一步理解，本申请文件中使用的术语“包括”和/或“包括的”指明了所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但是并未排除一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在或添加。
除非另外定义，否则此处使用的所有术语(包括技术性和科学性术语)具有与示例性实施例所属领域的普通技术人员通常理解的意义相同的意义。应当进一步理解，除非此处明确定义，否则诸如常用词典中定义的术语，应被解释为具有与其在相关领域的背景下的意义一致的意义，并且不应被解释为理想化的或者过度正规的含义。
现将参考附图中说明的示例性实施例，通篇中相同的参考数字表示相同的部件。
图1说明了根据示例性实施例的与绝对温度成比例的(PTAT)电流生成电路20。图2是说明了图1中说明的第二晶体管的示例性温度系数的示例性曲线图。参考图1和2，PTAT电流生成电路20可以包括电流镜单元12、电平控制单元15、和/或输出单元17。显而易见的是，PTAT电流生成电路20可用于参考电压生成电路和/或广泛地用于需要PTAT电流生成电路的半导体设备和其他的电子设备。
电流镜单元12可以连接在第一电源电压VDD、第一节点N1、和/或第二节点N2之间。电流镜单元12可以镜像(mirror)流过第一节点N1的第一电流111和流过第二节点N2的第二电流112。电流镜单元12可以包括第一电流镜12-1和/或第二电流镜12-2。
第一电流镜12-1可以包括第一晶体管对MP1和MP2，其分别连接在第一电源电压VDD和第四节点和第五节点之间。例如，第一晶体管对MP1和MP2的晶体管MP1可以连接在第一电源电压VDD和第四节点N4之间，并且第一晶体管对MP1和MP2的晶体管MP2可以连接在第一电源电压VDD和第五节点N5之间。第一晶体管对MP1和MP2可以具有公共栅极。第一晶体管对MP1和MP2的公共栅极可以与第五节点N5连接。第一晶体管对MP1和MP2可以具有相同的沟道宽度(W)/沟道长度(L)比(在下文中被称为“W/L比”)，但是示例性实施例不限于此，并且第一晶体管对MP1和MP2可以具有不同的W/L比。
第二电流镜12-2可以包括第二晶体管对MN1和MN2，其连接在第一节点N1、第二节点N2、第四节点N4、和第五节点N5之间。例如，第二晶体管对MN1和MN2的晶体管MN1可以连接在第四节点N4和第一节点N1之间，并且第二晶体管对MN1和MN2的晶体管MN2可以连接在第五节点N5和第二节点N2之间。第二晶体管对MN1和MN2可以具有公共栅极。第二晶体管对MN1和MN2的公共栅极可以与第四节点N4连接。第二晶体管对MN1和MN2可以具有相同的W/L比，但是示例性实施例不限于此，并且第二晶体管对MN1和MN2可以具有不同的W/L比。
电平控制单元15可以连接在第一节点N1、第二节点N2、和第二电源电压VSS(例如地电压)之间。电平控制单元15可以基于第一节点N1的电压电平和第二节点N2的电压电平，来控制电流镜单元12的输出电流I11和I12的电平。电平控制单元15可以包括第一晶体管BT1、第二晶体管MN3、和/或第三晶体管BT2。
第一晶体管BT1可以连接在第一节点N1和第二电源电压VSS之间。第一晶体管BT1可以是双极结型晶体管(BJT)，其具有与第一节点N1连接的发射极和与第二电源电压VSS连接的基极和集电极。
第二晶体管MN3可以响应偏置电压VSS进行选通，并且形成第二节点N2和第三节点N3之间的电流路径。图2示出了第二晶体管MN3的理想的温度系数。第二晶体管MN3可以操作于弱反型区(weakinversion region)，例如，操作于具有与温度成反比的温度系数(例如，负温度系数)的三极管模式，如图2中说明的。第二晶体管MN3可以具有与温度成反比的电阻值。因此，第二晶体管MN3可以根据温度控制第二电流I12的电平。例如，由于第二晶体管MN3的电阻随着温度的增加而减少，因此第二电流I12和由第二电流I12的镜像导致的第一电流I11可以增加。因此，PTAT电流生成电路20可以生成与温度成比例的输出电流Iout，由此具有改善的输出特性。例如，与使用电阻元件的传统的PTAT电流生成电路相比，根据示例性实施例的PTAT电流生成电路20的输出电流Iout可以具有相对于温度的更大的变化。例如，如果温度从75℃变化到125℃，则使用电阻元件的传统的PTAT电流生成电路的输出电压VPTAT从约1.75V变化到约2V，而根据示例性实施例的PTAT电流生成电路20的输出电压VPTAT可以从约1V变化到约2V。
第三晶体管BT2可以连接在第三节点N3和第二电源电压VSS之间。第三晶体管BT2可以是BJT，其具有与第三节点N3连接的发射极和与第二电源电压VSS连接的基极和集电极。
如果在第一晶体管BT1中流动的电流是在第三晶体管BT2中流动的电流的M倍，则第三晶体管BT2可以是具有M倍电流的单个晶体管(例如，具有比第一晶体管BT1大M倍的W/L比的晶体管)，以便于使第一电流I11和第二电流I12均衡。如果M是整数，则第三晶体管BT2可由M个第一晶体管实现。
输出单元17可以包括第五晶体管MP3和第六晶体管MN5。输出单元可以转换由第一电流I11或第二电流I12的镜像导致的输出电流Iout，并且输出与温度成比例的输出电压VPTAT。
第五晶体管MP3可以通过第五节点N5的电压进行选通(gated)，并且形成第一电源电压VDD和第六节点N6之间的电流路径，由此控制输出电流Iout的电平。第六晶体管MN5可以通过偏置电压Vb进行选通，并且形成第六节点N6和第二电源电压VSS之间的电流路径。第六晶体管MN5可以将输出电流Iout转换为输出电压VPTAT并且可以控制输出电压VPTAT的电平。第六晶体管MN5和第二晶体管MN3可以具有相同的W/L比，但是示例性实施例不限于此，并且第六晶体管MN5和第二晶体管MN3可以具有不同的W/L比。
图3说明了根据示例性实施例的显示器设备100。图4说明了图3中说明的温度感测单元119。图5说明了随着图3中说明的温度感测单元119感测的温度变化的源极线的输出电压。参考图3～5，显示器设备100可以包括源极线驱动器110、定时控制器120、栅极驱动器130、和/或显示器面板140。
源极线驱动器110可以从定时控制器120接收数字图像数据DATA和时钟信号CLK，并且驱动与显示器面板140连接的多个源极线Y1，Y2，...，Yn。源极线驱动器110可以包括数-模转换器(DAC)113、输出缓冲器115、传输开关单元117、和/或温度感测单元119。
DAC 113可以生成对应于数字图像数据DATA的模拟电压。输出缓冲器115可以缓冲来自DAC 113的模拟电压输出。输出缓冲器115可以基于偏置电压来控制施加到源极线Y1～Yn的摆率(slew rate)，该偏置电压可以不同于偏置电压生成器(未示出)生成的偏置电压Vb(未示出)。
传输开关单元117可以响应第一开关信号CSW和CSWB，通过预充电电压对源极线Y1～Yn预充电，并且响应第二开关信号SW和SWB，将输出缓冲器115的输出信号发射到源极线Y1～Yn中的对应源极线。第一开关信号CSW和CSWB可以具有与时钟信号CLK相同的相位并且可以与第二开关信号SW和SWB互补(complementary)。时钟信号CLK可以用作一般参考同步信号，但是示例性实施例不限于此。
传输开关单元117可以包括至少一个公共开关TG12和至少一个输出开关TG10。例如，对于源极线Y1～Yn中的每个源极线，传输开关单元可以包括公共开关TG12和输出开关TG10，并且公共开关TG12可以共同地连接并且连接到源极线Y1～Yn的相应源极线。如果基于时钟信号CLK第一开关信号CSW和CSWB处于第二逻辑电平(例如，高电平“1”)，例如，如果时钟信号CLK处于第二逻辑电平，则至少一个公共开关TG12可以导通，以通过预充电电压对源极线Y1～Yn中的每个源极线预充电。如果基于时钟信号CLK第二开关信号SW和SWB处于第二逻辑电平，例如，如果时钟信号处于第一逻辑电平(例如，低电平“0”)，则至少一个输出开关TG10可以将输出缓冲器115的输出信号发射到源极线Y1～Yn中的对应源极线。例如，可以响应时钟信号CLK，对至少一个公共开关TG12和至少一个输出开关TG10互补地进行开关。
温度感测单元119可以感测温度，将感测的温度与参考温度比较，和/或生成对应于比较结果的控制信号TS。温度感测单元119可以包括启动电路121、根据示例性实施例的PTAT电流生成电路20、和/或比较器123。
启动电路121可以响应断电(power down)信号PWD起动(enable)PTAT电流生成电路20的操作。启动电路121可以包括第九～第十三晶体管MPST1、MPST2、MNST1、MNST2、和/或MNST3。断电信号PWD可以控制PTAT电流生成电路20的操作。
如果断电信号PWD处于第一逻辑电平(例如，低电平“0”)，则串联连接在第一电源电压VDD和第七节点N7之间并且通过断电信号PWD进行选通的第九晶体管MPST1和第十晶体管MPST2，可以形成第一电源电压VDD和第七节点N7之间的电流路径。第十三晶体管MNST3可以通过第七节点N7的电压进行选通，并且形成第五节点N5和第二电源电压VSS之间的电流路径，由此通过第五节点N5的电压对第一晶体管对MP1和MP2进行选通。因此，PTAT电流生成电路20可被起动，并且生成与温度成比例的输出电流Iout。
如果断电信号PWD处于第二逻辑电平(例如，高电平“1”)，则通过断电信号PWD进行选通的第十一晶体管MNST1可以形成第七节点N7和第二电源电压VSS之间的电流路径。通过第四节点N4进行选通的第十二晶体管MNST2可以形成第七节点N7和第二电源电压VSS之间的电流路径，由此降低第七节点N7的电压电位。因此，可以使PTAT电流生成电路20被禁用。参考图1和2描述了PTAT电流生成电路20，并且因此将省略关于其的详细描述。
比较器123可以将PTAT电流生成电路20的输出电压VPTAT与对应于参考温度的参考电压Vref进行比较并且生成对应于比较结果的控制信号TS。例如，如果PTAT电流生成电路20的输出电压VPTAT小于参考电压Vref，则比较器123可以输出第一逻辑电平(例如，低电平“0”)的控制信号TS，并且如果PTAT电流生成电路20的输出电压VPTAT大于参考电压Vref，则比较器123可以输出第二逻辑电平(例如，高电平“1”)的控制信号TS。
定时控制器120可以生成数字图像数据DATA和时钟信号CLK并且基于温度感测单元119生成的控制信号TS来控制时钟信号CLK的脉冲宽度。例如，如果例如温度感测单元119感测的温度小于参考温度时控制信号TS处于第一逻辑电平(例如，低电平“0”)，则定时控制器120可以不改变时钟信号CLK的脉冲宽度。如果例如温度感测单元119感测的温度大于参考温度时控制信号TS处于第二逻辑电平(例如，高电平“1”)，则定时控制器120可以增加例如，处于高电平“1”的时钟信号CLK的脉冲宽度。
如图5中说明的，如果控制信号TS处于第二逻辑电平(例如，高电平“1”)，则时钟信号CLK的第一时段T1增加了脉冲宽度td。因此，在具有增加的脉冲宽度td的处于第二逻辑电平的时钟信号CLK的第二时段T2中，可以使至少一个公共开关TG12导通。因此，第二时段T2可以变得大于第一时段T1，并且在第一时段T1流逝之后，至少一个输出开关TG10可以响应处于第一逻辑电平(例如，低电平“0”)的时钟信号CLK，将输出缓冲器115的输出信号发射到源极线Y1～Yn中的对应源极线，其中在该第二时段T2中，通过预充电电压，例如VDD＝(VDD1+，...+VDDn)/n，来对源极线Y1～Yn中的每个源极线预充电。
例如，定时控制器120可以根据温度的增加控制时钟信号CLK的脉冲宽度，以使预充电时间和输出信号的传输延迟，由此可以减少由源极线驱动器110、源极线Y1～Yn、和/或显示器面板140的热生成引起的故障。
栅极驱动器130可以向多个栅极线G1，G2，...，Gn提供电压。显示器面板140可以包括栅极线G1～Gn和源极线Y1～Yn，并且可由源极线驱动器110和/或栅极驱动器130驱动，以显示图像。
如上文所述，示例性实施例可以通过使用操作于弱反型区的晶体管，改善PTAT电流生成电路的输出特性。示例性实施例可以通过基于感测的温度控制多个源极线的预充电时间，减少由显示器设备的热生成引起的故障。
尽管在本申请文件和附图中示出和描述了示例性实施例，但是本领域的技术人员应当认识到，在不偏离本发明的原理和精神的前提下，可以对所说明的和/或描述的示例性实施例进行改变。

Claims (10)

1.一种显示器设备，包括：
显示器面板，该显示器面板包括多个源极线和多个栅极线；
定时控制器，被配置为生成数字图像数据和时钟信号；和
源极线驱动器，被配置为基于所述数字图像数据和所述时钟信号驱动所述多个源极线，
其中所述源极线驱动器包括：
数-模转换器，被配置为生成对应于所述数字图像数据的模拟电压；
输出缓冲器，被配置为缓冲来自所述数-模转换器的模拟电压输出；
传输开关单元，被配置为响应所述时钟信号使用预充电电压对所述多个源极线中的每个源极线预充电，并且将所述输出缓冲器的输出信号发射到所述多个源极线中的对应源极线；和
温度感测单元，被配置为感测温度，将感测的温度与参考温度比较，并且生成对应于比较结果的控制信号，
其中所述定时控制器基于所述控制信号控制所述时钟信号的脉冲宽度，以及
其中所述定时控制器被配置为，如果所述温度感测单元感测的温度大于所述参考温度，则增加高电平“1”处的所述时钟信号的所述脉冲宽度。
2.如权利要求1所述的显示器设备，其中所述传输开关单元包括：
至少一个公共开关，被配置为响应所述时钟信号，使用所述预充电电压对所述多个源极线中的每个源极线预充电；和
至少一个输出开关，被配置为响应所述时钟信号，将所述输出缓冲器的所述输出信号发射到多个源极线中的对应源极线，以及
其中，所述至少一个公共开关和所述至少一个输出开关响应所述时钟信号互补地进行开关。
3.如权利要求1所述的显示器设备，其中所述温度感测单元包括：
与绝对温度成比例的PTAT电流生成电路，被配置为生成与温度成比例的电流；和
比较器，被配置为将所述PTAT电流生成电路的输出电压与参考电压进行比较，并且输出对应于比较结果的所述控制信号。
4.如权利要求3所述的显示器设备，其中所述PTAT电流生成电路包括：
电流镜单元，该电流镜单元连接在第一电源电压、第一节点、和第二节点之间；和
电平控制单元，该电平控制单元连接在所述第一节点、所述第二节点、和第二电源电压之间，其中
所述电平控制单元被配置为，基于所述第一节点的电压电平和所述第二节点的电压电平，控制所述电流镜单元的输出电流的电平，以及
所述电平控制单元包括：连接在所述第一节点和所述第二电源电压之间的第一晶体管；连接在所述第二节点和第三节点之间的至少一个第二晶体管，所述至少一个第二晶体管被配置为操作于弱反型区；和连接在所述第三节点和所述第二电源电压之间的第三晶体管。
5.如权利要求4所述的显示器设备，其中所述电流镜单元包括：
包括第一晶体管对的第一电流镜，所述第一晶体管对连接在所述第一电源电压、第四节点、和第五节点之间，所述第一晶体管对具有公共栅极；和
包括第二晶体管对的第二电流镜，所述第二晶体管对连接在所述第一节点、所述第二节点、所述第四节点、和所述第五节点之间，所述第二晶体管对具有公共栅极。
6.如权利要求4所述的显示器设备，其中所述至少一个第二晶体管由偏置电压控制并且是具有与温度成反比的温度系数的金属氧化物半导体(MOS)晶体管。
7.如权利要求4所述的显示器设备，其中所述第一晶体管和所述第三晶体管是双极结型晶体管。
8.如权利要求4所述的显示器设备，进一步包括：
输出单元，被配置为镜像所述电流镜单元的所述输出电流并且输出镜像的电流。
9.一种驱动显示器设备的方法，所述方法包括：
生成数字图像数据和时钟信号；
生成对应于所述数字图像数据的模拟电压；
缓冲所述模拟电压；
响应所述时钟信号，使用预充电电压对多个源极线中的每个源极线预充电，并且将输出信号发射到所述多个源极线中的对应源极线；
感测温度；以及
基于感测的温度控制所述时钟信号的脉冲宽度，包括：如果感测的温度大于参考温度，则增加高电平“1”处的所述时钟信号的所述脉冲宽度。
10.如权利要求9的方法，其中控制所述脉冲宽度包括：
生成与温度成比例的电压，将生成的电压与参考电压进行比较，以及生成对应于比较结果的控制信号；以及
基于所述控制信号控制所述脉冲宽度。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090116088A (ko) * 2008-05-06 2009-11-11 삼성전자주식회사 정보 유지 능력과 동작 특성이 향상된 커패시터리스 1ｔ반도체 메모리 소자
US7969808B2 (en) * 2007-07-20 2011-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory cell structures, memory arrays, memory devices, memory controllers, and memory systems, and methods of manufacturing and operating the same
KR101308048B1 (ko) * 2007-10-10 2013-09-12 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
KR20090075063A (ko) * 2008-01-03 2009-07-08 삼성전자주식회사 플로팅 바디 트랜지스터를 이용한 동적 메모리 셀을 가지는메모리 셀 어레이를 구비하는 반도체 메모리 장치 및 이장치의 동작 방법
KR20100070158A (ko) * 2008-12-17 2010-06-25 삼성전자주식회사 커패시터가 없는 동작 메모리 셀을 구비한 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 동작 방법
KR101442177B1 (ko) * 2008-12-18 2014-09-18 삼성전자주식회사 커패시터 없는 1-트랜지스터 메모리 셀을 갖는 반도체소자의 제조방법들
US8072245B2 (en) 2009-02-02 2011-12-06 Skyworks Solutions, Inc. dB-linear voltage-to-current converter
KR20110011410A (ko) * 2009-07-28 2011-02-08 삼성전자주식회사 온도에 따라 선형적으로 넓은 범위로 가변되는 센싱 신호를 출력할 수 있는 디스플레이 드라이버 장치의 온도 센서 및 이를 구비하는 디스플레이 드라이버 장치
IT1397432B1 (it) * 2009-12-11 2013-01-10 St Microelectronics Rousset Circuito generatore di una grandezza elettrica di riferimento.
EP2648061B1 (en) 2012-04-06 2018-01-10 Dialog Semiconductor GmbH Output transistor leakage compensation for ultra low-power LDO regulator
KR101442680B1 (ko) 2012-10-15 2014-09-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 구동 장치 및 구동 방법
JP2015004945A (ja) * 2013-02-04 2015-01-08 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法、並びに、制御パルス生成装置
TWI484148B (zh) * 2013-12-27 2015-05-11 Univ Nat Kaohsiung Normal 溫度感測電路
JP6552086B2 (ja) * 2015-03-13 2019-07-31 シナプティクス・ジャパン合同会社 ドライバ及び液晶表示パネルの駆動方法
KR102392504B1 (ko) * 2015-09-18 2022-05-02 엘지디스플레이 주식회사 데이터 구동회로와 이를 이용하는 표시장치와 그의 구동방법
EP3255796B1 (en) * 2016-06-08 2020-01-08 NXP USA, Inc. Method and apparatus for generating a charge pump control signal
DE102016221863B4 (de) * 2016-11-08 2020-02-27 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Schaltleistungsversorgung
CN106547300B (zh) * 2017-01-10 2017-10-13 佛山科学技术学院 一种低功耗低温度系数的电压基准源电路
KR102341278B1 (ko) 2017-08-25 2021-12-22 삼성디스플레이 주식회사 충전율 보상 기능을 갖는 표시 장치
KR102645784B1 (ko) * 2018-12-11 2024-03-07 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템
CN110517647B (zh) * 2019-08-30 2021-08-24 上海中航光电子有限公司 液晶显示面板的驱动方法及液晶显示装置
US11971313B2 (en) 2020-03-06 2024-04-30 Stmicroelectronics Sa Thermal sensor circuit
CN113566997B (zh) * 2021-07-26 2024-07-05 深圳青铜剑技术有限公司 一种温度感应电路
IT202100030134A1 (it) * 2021-11-29 2023-05-29 St Microelectronics Srl Circuito convertitore digitale-analogico

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6437614B1 (en) * 2001-05-24 2002-08-20 Sunplus Technology Co., Ltd. Low voltage reset circuit device that is not influenced by temperature and manufacturing process
CN1517768A (zh) * 2003-01-16 2004-08-04 三菱电机株式会社 液晶显示装置
US6933769B2 (en) * 2003-08-26 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Bandgap reference circuit
CN1658270A (zh) * 2004-02-20 2005-08-24 三星电子株式会社 脉冲补偿器、显示装置及驱动该显示装置的方法
CN1677474A (zh) * 2004-04-01 2005-10-05 东芝松下显示技术有限公司 液晶显示装置及液晶显示装置的驱动方法
CN1804979A (zh) * 2006-01-24 2006-07-19 广辉电子股份有限公司 主动式矩阵有机发光二极管显示器及其驱动方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5627490A (en) * 1995-02-23 1997-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Amplifier circuit
US6417724B1 (en) 2000-12-22 2002-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. (Kpenv) Folded PTAT current sourcing
US6351111B1 (en) * 2001-04-13 2002-02-26 Ami Semiconductor, Inc. Circuits and methods for providing a current reference with a controlled temperature coefficient using a series composite resistor
US6828847B1 (en) * 2003-02-27 2004-12-07 Analog Devices, Inc. Bandgap voltage reference circuit and method for producing a temperature curvature corrected voltage reference
US6954058B2 (en) * 2003-03-18 2005-10-11 Denso Corporation Constant current supply device
US6831504B1 (en) * 2003-03-27 2004-12-14 National Semiconductor Corporation Constant temperature coefficient self-regulating CMOS current source
CN1320746C (zh) * 2003-07-02 2007-06-06 沛亨半导体股份有限公司 低能带间隙参考电压电路
JP2005338294A (ja) 2004-05-25 2005-12-08 Optrex Corp 有機ｅｌディスプレイ装置の駆動装置
JP2006133869A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Nec Electronics Corp Ｃｍｏｓカレントミラー回路および基準電流／電圧回路
KR100596978B1 (ko) * 2004-11-15 2006-07-05 삼성전자주식회사 온도-비례 전류 제공회로, 온도-반비례 전류 제공회로 및이를 이용한 기준전류 제공회로
JP4491405B2 (ja) 2004-11-15 2010-06-30 三星電子株式会社 抵抗素子のないバイアス電流発生回路
TWI387208B (zh) 2005-03-21 2013-02-21 Integrated Device Tech 用於單片式時脈產生器及時序／頻率參考器之低延遲的起動
CN1908845A (zh) 2005-08-01 2007-02-07 义隆电子股份有限公司 参考电流产生电路
US20070040543A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Kok-Soon Yeo Bandgap reference circuit

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6437614B1 (en) * 2001-05-24 2002-08-20 Sunplus Technology Co., Ltd. Low voltage reset circuit device that is not influenced by temperature and manufacturing process
CN1517768A (zh) * 2003-01-16 2004-08-04 三菱电机株式会社 液晶显示装置
US6933769B2 (en) * 2003-08-26 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Bandgap reference circuit
CN1658270A (zh) * 2004-02-20 2005-08-24 三星电子株式会社 脉冲补偿器、显示装置及驱动该显示装置的方法
CN1677474A (zh) * 2004-04-01 2005-10-05 东芝松下显示技术有限公司 液晶显示装置及液晶显示装置的驱动方法
CN1804979A (zh) * 2006-01-24 2006-07-19 广辉电子股份有限公司 主动式矩阵有机发光二极管显示器及其驱动方法

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