CN102326326A - 半导体堆叠体及利用半导体堆叠体的功率转换装置 - Google Patents

半导体堆叠体及利用半导体堆叠体的功率转换装置 Download PDF

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Abstract

半导体堆叠体(1)包括：层叠基板(2)、多个半导体模块(3)、多个电解电容器、多个熔断器(5)、以及冷却用散热片(6)。层叠基板(2)通过将P相导体板(21)、C相导体板(22)及N相导体板经由绝缘板(24b、24c)重叠来形成。半导体模块(3a-3h)成列地配置在层叠基板(2)的背面上。此外，电解电容器(4a-4m)形成与半导体模块的列平行的列，配置在层叠基板(2)的背面上。熔断器(5a-5m)配置在层叠基板(2)的正面上。

Description

半导体堆叠体及利用半导体堆叠体的功率转换装置
技术领域
本发明涉及半导体堆叠体(stack)及利用半导体堆叠体的三相旋转电机用功率转换装置。
背景技术
现有功率转换装置中所使用的半导体堆叠体由层叠基板、多个开关元件及电解电容器来构成(例如参照专利文献1)。
层叠基板通过将正极侧的导体板和负极侧的导体板经由绝缘板层叠来构成。各开关元件的正极侧的端子及负极侧的端子分别与层叠基板的正极侧的导体板及负极侧的导体板相连接。另外，电解电容器的正极侧的端子及负极侧的端子分别与层叠基板的正极侧的导体板及负极侧的导体板相连接。
多个开关元件在上下方向上成列地安装在层叠基板的表面上。另外，电解电容器配置在多个开关元件的各列的延长线上。
专利文献1：日本专利特开平7-131981号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在上述半导体堆叠体中，由于电解电容器配置在多个开关元件的各列的延长线上，因此各开关元件与电解电容器之间的距离不一致。因此，在靠近电解电容器的开关元件中有大电流流过，各开关元件间的电流变得不平衡。
解决技术问题所采用的技术方案
为了解决上述问题，本发明所涉及的半导体堆叠体包括：层叠基板，其通过将第一导体板、第二导体板及第三导体板经由绝缘板重叠在一起来形成，上述第一导体板、上述第二导体板及上述第三导体板上分别形成有第一电极、第二电极和第三电极；多个半导体模块，其成列地配置在上述层叠基板的一个面上，与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接；多个第一电解电容器，其形成与上述多个半导体模块的列平行的列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第一电极和上述第二电极相连接；多个第二电解电容器，其与上述多个第一电解电容器形成同一列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第二电极和上述第三电极相连接；多个熔断器，其配置在上述层叠基板的另一个面上，分别与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接。
另外，为了解决上述问题，本发明所涉及的使用三相旋转电机的功率转换装置包括：层叠基板，其通过将第一导体板、第二导体板及第三导体板经由绝缘板重叠在一起来形成，上述第一导体板、上述第二导体板及上述第三导体板上分别形成有第一电极、第二电极和第三电极；多个半导体模块，其成列地配置在上述层叠基板的一个面上，与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接；多个第一电解电容器，其形成与上述多个半导体模块的列平行的列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第一电极和上述第二电极相连接；多个第二电解电容器，其与上述多个第一电解电容器形成同一列来配置在上述层叠基板的上述一个面上，与上述第二电极和上述第三电极相连接；多个熔断器，其配置在上述层叠基板的另一个面上，分别与上述第一电极、上述第二电极和上述第三电极相连接。
发明效果
本发明所涉及的半导体堆叠体能够很好地平衡各半导体模块间的电流。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的正面立体图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的分解立体图。
图3是本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的立体图。
图4是表示本发明的第一实施方式所涉及的半导体堆叠体的电路结构的一部分的图。
附图标记说明
1…半导体堆叠体、2…层叠基板、3…半导体模块、4…电解电容器、5…熔断器、6…冷却用散热片、7…直流侧电极、21…第一导体板、22…第二导体板、23…第三导体板、24…绝缘板、25…连接孔、26…层叠导体的长边方向、27…层叠导体的短边方向
具体实施方式
(第一实施方式)
利用图1至图4来说明在本发明的第一实施方式所涉及的三相旋转电机用功率转换装置中使用的半导体堆叠体。图1是本实施方式所涉及的半导体堆叠体的正面立体图。图2是本实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的分解立体图。图3是本实施方式所涉及的半导体堆叠体的层叠基板的立体图。图4是表示本实施方式所涉及的半导体堆叠体的电路结构的一部分的图。
通过在层叠基板2的表面上安装半导体模块3、电解电容器4、熔断器5及冷却用散热片6，来构成本实施方式所涉及的半导体堆叠体1。
首先，利用图4来说明半导体堆叠体1的电路结构。
半导体堆叠体1的电路由8个半导体模块3a-3h、12个电解电容器4a-4m、12个熔断器5a-5m、以及3个直流侧的电极7(P相电极7a、C相电极7b及N相电极7c)来构成。
半导体模块3a、3b与P相电极7a、C相电极7b及N相电极7c相连接。半导体模块3a、3b相互并联连接。
电解电容器4a-4c与P相电极7a、C相电极7b相连接，且相互并联连接。此外，电解电容器4d-4f与C相电极7b、N相电极7c相连接，并相互并联连接。
熔断器5a与P相电极7a串联连接，熔断器5b与N相电极7c串联连接。设置熔断器5a、5b以用于保护半导体模块3a、3b。另外，熔断器5c、5d与C相电极7b串联连接，并相互并联连接。设置熔断器5c、5d以用于保护电解电容器4d-4f。
由半导体模块3c、3d及熔断器5e、5f构成的电路与由半导体模块3a、3b及熔断器5c、5d构成的电路相同，两个电路相互并联连接。半导体模块3c、3d及熔断器5e、5f与半导体模块3a、3b及熔断器5c、5d共用电解电容器4a-4f及熔断器5a、5b。
由半导体模块3a-3d、电解电容器4a-4f及熔断器5a-5f构成的电路与由半导体模块3a-3d、电解电容器4a-4f及熔断器5a-5f构成的电路相同，两个电路相互并联连接。
利用上述电路结构，半导体模块3a-3h将来自P相电极7a、C相电极7b及N相电极7c的直流电流转换成三相交流电流并输出。
接着，利用图2和图3来说明层叠基板2的结构。
层叠基板2包括：形成有第一电极(P相电极7a)的第一导体板(P相导体板)21、形成有第二电极(C相电极7b)的第二导体板(C相导体板)22、形成有第三电极(N相电极7c)的第三导体板(N相导体板)23、以及4片绝缘板24(绝缘板24a-24d)。
它们以(从图2的下方开始)绝缘板24a、N相导体板23、绝缘板24b、P相导体板21、绝缘板24c、C相导体板22、绝缘板24d的顺序进行层叠。层叠基板2是板状的，其板面的形状形成为大致长方形。
在导体板21-23及绝缘板24a-24d的预定位置，通过开孔加工形成有多个连接孔25，在多个连接孔中插入连接用螺栓(未图示)。电极7a-7c通过该连接用螺栓而相互进行电连接。
接着，利用图1来说明半导体堆叠体1的安装结构。
半导体模块3a-3h是大致长方形的板状模块。半导体模块3a-3h在其长边方向上的一侧部，含有P相侧端子、C相侧端子、N相侧端子及AC(交流)侧端子。
半导体模块3a-3d与半导体模块3e-3h彼此相对地配置在层叠基板2的绝缘板24a侧的表面(以下称作“层叠基板2的背面”)上。
半导体模块3a-3d沿层叠基板2的长边方向按顺序排成1列放置，以使只有设置有端子的侧部与层叠基板2的背面的短边方向的一侧部重合。
半导体模块3e-3h沿层叠基板2的长边方向按顺序排成1列放置，以使只有设置有端子的侧部与层叠基板2的背面的短边方向的另一侧部(与配置半导体模块3a-3h的侧部相反侧的侧部)重合。
在层叠基板2的短边方向上的侧部中，在对应于半导体模块3a-3h的端子的位置处，设置有通过圆锥沉头冲压加工形成的多个连接孔25，由此半导体模块3a-3h的P相侧端子与P相电极7a、C相侧端子与C相电极7b、以及N相侧端子与N相电极7c相连接。
在半导体模块3a-3h的与层叠基板2侧的面(以下称作“半导体模块3的正面”)相反侧的面(以下称作“半导体模块3的背面”)上，设置有4个冷却用散热片6a-6d。
将冷却用散热片6a-6d设置成经过冷却用散热片6a-6d的冷却风的朝向沿着半导体模块3的列的方向(层叠基板2的短边方向)。
电解电容器4a-4m具有圆筒部41和设置在该圆筒部41的一端处的2个端子。电解电容器4a-4c和电解电容器4g-4i分别具有P相侧端子和C相侧端子。另一方面，电解电容器4d-4f和电解电容器4j-4m分别具有C相侧端子和N相侧端子。
电解电容器4a-4f和电解电容器4g-4m彼此相对，并配置成竖立在层叠基板2的背面上。
电解电容器4a-4f和电解电容器4g-4m沿着层叠基板2的长边方向按顺序排成2列，放置在层叠基板2的短边方向的中央部。
电解电容器4a-4f与半导体模块3a-3d相邻地排列，电解电容器4g-4m与半导体模块3e-3h相邻地排列。
在层叠基板2的短边方向的中央部，在对应于电解电容器4a-4c和电解电容器4g-4i的端子的位置处，设置有通过圆锥沉头冲压加工形成的多个连接孔25，由此电解电容器4a-4c和电解电容器4g-4i的P相侧端子与P相电极7a、以及C相侧端子与C相电极7b相连接。
此外，在层叠基板2的短边方向的中央部，在对应于电解电容器4d-4f和电解电容器4j-4m的端子的位置处，设置有连接孔25，电解电容器4d-4f和电解电容器4j-4m的N相侧端子与N相电极7c、以及C相侧端子与C相电极7b相连接。
熔断器5a-5m为大致长方体形状，并具有2个端子。熔断器5a、5g分别具有2个P相侧端子，熔断器5b、5h分别具有2个P相侧端子。此外，熔断器5c-5f和熔断器5i-5m分别具有两个C相侧端子。
熔断器5a-5f和熔断器5g-5m彼此相对，并配置在层叠基板2的与背面相反侧的面(以下称作“层叠基板2的正面”)上。
熔断器5a、5c-5f、5b沿着层叠基板2的长边方向按顺序排成1列，放置在层叠基板2的正面上，以便配置在半导体模块3a-3d与电解电容器4a-4f之间。
另一方面，熔断器5g、5i-5m、5h沿着层叠基板2的长边方向按顺序排成1列，放置在层叠基板2的正面上，以便配置在半导体模块3e-3h与电解电容器4g-4m之间。
在层叠基板2的对应于熔断器5a-5m的端子的位置，设置连接孔25，并进行钎焊加工。熔断器5a、5g的P相端子与P相侧电极7a相连接，熔断器5b、5h的N相端子与N相侧电极7c相连接。此外，熔断器5c-5f和熔断器5i-5m的C相端子与C相侧电极7b相连接。
半导体堆叠体1例如用在三相旋转电机用功率转换装置(未图示)中。
在这种情况下，半导体堆叠体1设置在功率转换装置的壳体内。半导体堆叠体1设置成层叠基板2的正面朝向功率转换装置的壳体的正面侧。
以下，说明本实施方式所涉及的半导体堆叠体1的效果。
根据本实施方式，由于半导体模块3a-3d和电解电容器4a-4f平行地排列，因此能使半导体模块3a-3d和电解电容器4a-4f的布线距离大致均匀。同样地，也能使半导体模块3e-3h和电解电容器4g-4m的布线距离大致均匀。其结果是，各半导体模块3a-3h间的电流取得很好的平衡。
另外，根据本实施方式，由于将半导体模块3和电解电容器4连接起来的各导体7a-7c是进行层叠的，因此各导体7a-7c间的距离变得最小。其结果是，能够使各导体7a-7c的布线电感变得最小，能够抑制半导体模块3的浪涌电压。
此外，根据本实施方式，由于在平面状的层叠导体2的表面上安装半导体模块3、电解电容器4及熔断器5，因此对于损坏频率高的半导体模块3、电解电容器4和熔断器5，容易维护更换。
此外，根据本实施方式，将板状半导体模块3放置成只有设置有其端子的侧部与层叠基板2重叠。因此，半导体模块3的散热效率得到提高。另外，经过冷却用散热片6的冷却风朝向层叠基板2的短边方向。因此，能够在冷却半导体模块3的同时冷却电解电容器3。
(其它实施方式)
上述实施方式仅仅是示例，不能用该实施方式来限定本发明。
半导体模块3、电解电容器4和熔断器5的数量不限于上述实施方式。例如，规模比第一实施方式所涉及的半导体堆叠体1要小的半导体堆叠体的情况下，也可使用4个半导体模块(3a-3d)、6个电解电容器(4a-4f)、4个熔断器(5a-5f)。
另外，第一导体板21、第二导体板22及第三导体板23的层叠顺序不限于上述实施方式。
此外，各电极7a-7c间的电连接、以及电极7a-7c与半导体模块3等之间的电连接不限于连接用螺栓，也可使用铜线、锡焊、钎焊等。

Claims (5)

1.一种半导体堆叠体，包括：
层叠基板，其通过将第一导体板、第二导体板及第三导体板经由绝缘板重叠来形成，所述第一导体板、所述第二导体板及所述第三导体板上分别形成有第一电极、第二电极和第三电极；
多个半导体模块，其成列地配置在所述层叠基板的一个面上，与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极相连接；
多个第一电解电容器，其形成与所述多个半导体模块的列平行的列来配置在所述层叠基板的所述一个面上，与所述第一电极和所述第二电极相连接；
多个第二电解电容器，其与所述多个第一电解电容器形成同一列来配置在所述层叠基板的所述一个面上，与所述第二电极和所述第三电极相连接；
多个熔断器，其配置在所述层叠基板的另一个面上，分别与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极相连接。
2.如权利要求1所述的半导体堆叠体，其特征在于，所述多个半导体模块配置成相互平行的2列，所述多个电解电容器的列配置在所述多个半导体模块的2列的中央。
3.如权利要求1或2所述的半导体堆叠体，其特征在于，所述多个半导体模块为板状，它们的一个板面的仅一部分配置成与所述层叠基板重叠。
4.如权利要求3所述的半导体堆叠体，其特征在于，其包括冷却用散热片，所述冷却用散热片配置在所述多个半导体模块的与所述层叠基板相反侧的面上，以使经过的冷却风朝向沿所述半导体模块的列的方向。
5.一种三相旋转电机用功率转换装置，包括：
层叠基板，其通过将第一导体板、第二导体板及第三导体板经由绝缘板重叠来形成，所述第一导体板、所述第二导体板及所述第三导体板上分别形成有第一电极、第二电极和第三电极；
多个半导体模块，其成列地配置在所述层叠基板的一个面上，与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极相连接；
多个第一电解电容器，其形成与所述多个半导体模块的列平行的列来配置在所述层叠基板的所述一个面上，与所述第一电极和所述第二电极相连接；
多个第二电解电容器，其与所述多个第一电解电容器形成同一列来配置在所述层叠基板的所述一个面上，与所述第二电极和所述第三电极相连接；
多个熔断器，其配置在所述层叠基板的另一个面上，分别与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极相连接。
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