CN102315121A - 高频晶体管的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高频晶体管的制造方法，是通过以下步骤实现的：步骤1、在淀积多晶硅之前，先进行一次砷注入，形成超浅结发射区；步骤2、在已形成的发射区基础上，淀积多晶硅，进行第二次砷注入，形成多晶扩展发射区；本发明的有益效果是：降低了注入工艺难度，并且采用低能量AS注入在硅中形成的发射结具有更好的均匀性，同时也减少了硅表面的损伤，改进了高频晶体管的性能。

Description

高频晶体管的制造方法
技术领域
本发明涉及一种高频晶体管的制造方法，尤其涉及高频晶体管制造方法中形成有效发射区的方法。
背景技术
在制作多晶发射结高频晶体管时，在形成多晶发射区的常规工艺中，现有技术是在刻蚀好的发射区上淀积一层多晶硅(poly)，然后用砷注入方法形成发射区，典型的多晶发射结高频晶体管的结构见附图1(图中F代表发射极电极，J代表基极电极，K代表集电极电极)。
发明内容
为了降低工艺制造的难度，改进高频晶体管的性能，本发明需要解决的技术问题是提供了一种高频晶体管的制造方法。
为了解决上述技术问题，本发明是通过以下步骤实现的：
在淀积多晶硅之前，先进行一次砷注入，形成超浅结发射区；
在已形成的发射区基础上，淀积多晶硅，进行第二次砷注入，形成多晶扩展发射区。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：降低了注入工艺难度，并且采用低能量AS注入在硅中形成的发射结具有更好的均匀性，同时也减少了硅表面的损伤，改进了高频晶体管的性能。
附图说明
图1是通常的多晶发射结结构图。
图2是本发明中发射区砷注入前步骤的示意图；
图3是本发明中发射区砷注入步骤的示意图；
图4是本发明中多晶淀积步骤的示意图；
图5是本发明中多晶延伸发射区第二次砷注入示意图。
图6是本发明中光刻和刻蚀多晶区后的示意图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述：
本发明在淀积多晶硅之前先进行一次As注入，形成超浅结发射区，然后淀积多晶硅，再进行第二次As注入，形成多晶扩展发射区，通过增加一次注入的方法，分别形成超浅结发射区和扩展发射区，降低了工艺制造的难度，改进了高频晶体管的性能。
在多晶发射结常规制造过程中，为了形成有效的发射区长度，通常需要淀积一层1500-3000A的多晶层，相对应的AS注入能量需要160keV以上，才能穿透多晶层到达硅界面。本发明通过先注入一次小于100KeV低能量的AS，形成超浅结的发射结，在淀积多晶硅后再进行一次低能量注入As的方法形成扩展发射区，给多晶发射结高频晶体管的制作增加了一种新方法。这种方法的主要优点是降低了注入工艺难度，并且采用低能量AS注入在硅中形成的发射结具有更好的均匀性，同时也减少了硅表面的损伤，改进了高频晶体管的性能。
通常的多晶发射结制造工艺流程中发射区进行砷注入，多晶硅厚度通常为1500-3000A，采用一次砷注入工艺注入能量必须大于160keV，才能形成有效发射结。
本发明在淀积多晶硅前，采用带胶注入的方法进行第一次砷注入，注入能量为60-100keV，形成小于600A的超浅结发射区，然后再淀积1000-2000A的多晶层，再用100-120keV的能量进行砷注入，高浓度的多晶延伸发射区与第一次As注入形成的超浅结发射结区共同形成有效发射区，通过退火等后道工艺处理形成多晶发射结高频晶体管。制作流程参见附图2-6。

Claims (2)

1.一种高频晶体管的制造方法，是通过以下步骤实现的：
步骤1、在淀积多晶硅之前，先进行一次砷注入，形成超浅结发射区；
步骤2、在已形成的发射区基础上，淀积多晶硅，进行第二次砷注入，形成多晶扩展发射区。
2.根据权利要求1所述的高频晶体管的制造方法，其中在步骤1中：砷注入能量为60-100keV，形成小于600A的超浅结发射区；步骤2中：淀积多晶硅厚度在1000-2000A之间，砷注入能量为100-120keV。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106486534A (zh) * 2015-08-28 2017-03-08 北大方正集团有限公司 一种射频三极管的制备方法及射频三极管

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60120563A (ja) * 1983-12-05 1985-06-28 Hitachi Ltd 相補型金属絶縁物半導体プロセスにおけるバイポ−ラトランジスタの形成法
EP0328819A2 (en) * 1987-12-04 1989-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Making of doped regions using phosphorus and arsenic
US5096840A (en) * 1990-08-15 1992-03-17 At&T Bell Laboratories Method of making a polysilicon emitter bipolar transistor
CN1542928A (zh) * 2003-04-30 2004-11-03 上海贝岭股份有限公司 一种半导体晶体管的制造方法及其产品
CN101673715A (zh) * 2009-09-25 2010-03-17 中国电子科技集团公司第二十四研究所 浅结互补双极晶体管的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60120563A (ja) * 1983-12-05 1985-06-28 Hitachi Ltd 相補型金属絶縁物半導体プロセスにおけるバイポ−ラトランジスタの形成法
EP0328819A2 (en) * 1987-12-04 1989-08-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Making of doped regions using phosphorus and arsenic
US5096840A (en) * 1990-08-15 1992-03-17 At&T Bell Laboratories Method of making a polysilicon emitter bipolar transistor
CN1542928A (zh) * 2003-04-30 2004-11-03 上海贝岭股份有限公司 一种半导体晶体管的制造方法及其产品
CN101673715A (zh) * 2009-09-25 2010-03-17 中国电子科技集团公司第二十四研究所 浅结互补双极晶体管的制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106486534A (zh) * 2015-08-28 2017-03-08 北大方正集团有限公司 一种射频三极管的制备方法及射频三极管

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