CN102222772A

CN102222772A - 有机发光装置及其制造方法

Info

Publication number: CN102222772A
Application number: CN2011100791080A
Authority: CN
Inventors: 金武谦; 朴昶模
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2010-04-13
Filing date: 2011-03-25
Publication date: 2011-10-19
Anticipated expiration: 2031-03-25
Also published as: US8633476B2; TWI517470B; JP5048145B2; KR20110114318A; KR101213493B1; JP2011223004A; TW201214825A; US20110248258A1; CN102222772B

Abstract

一种有机发光装置，包括：阳极；包括氧化物半导体并形成在所述阳极上的空穴充入层(HCL)；形成在所述HCL上的至少一个有机层；和形成在所述有机层上的阴极。所述HCL可为包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体，或包括In、Zn和铪(Hf)的氧化物半导体。

Description

有机发光装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年4月13日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2010-0033896的优先权和权益，其公开通过整体引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种有机发光装置，更具体地，涉及具有以堆叠结构制成并包括氧化物半导体的像素部分的有机发光装置，以及所述有机发光装置的制造方法。

背景技术

有机发光装置包括在向其施加电压时发光的材料。与液晶显示器(LCD)相比，有机发光装置具有如高亮度、宽视角和高响应速度等优点。有机发光装置也不需要背光，因此可制成很薄。

有机发光装置中包括发光层(EML)的有机层的堆叠结构对改善有机发光装置的发光效率很重要。在有机发光装置的堆叠结构中，堆叠了p型和n型有机半导体层，以向EML提供包括电子和空穴的平衡的电荷。

有机发光装置的堆叠结构可包括从阳极注入空穴并将所注入的空穴传输到EML的空穴传输层(HTL)、从阴极注入电子并将所注入的电子传输到EML的电子传输层(ETL)，和通过空穴和电子的再结合来发光的EML。有机发光装置可进一步包括从阳极注入空穴的空穴注入层(HIL)和从阴极注入电子的电子注入层(EIL)。有机层的这种堆叠结构提高了发光效率并降低了驱动电压。

然而，随着对大面积及高亮度有机发光装置需求的增加，导致了诸如有机半导体材料的浪费功耗及寿命降低等问题。

发明内容

本发明各实施方式提供了一种因电流效率改善而能够改善寿命和发光特性的有机发光装置和制造所述有机发光装置的方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光装置，包括：阳极；所述阳极上的包括氧化物半导体的空穴充入层(hole charging layer，HCL)；形成在所述HCL上的至少一个有机层；和形成在所述有机层上的阴极。

所述HCL可为包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体，或包括In、Zn和铪(Hf)的氧化物半导体。

在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半导体中，所述In、Ga和Zn的含量可分别在约30至约50原子％，约30至约50原子％，和约10至约35原子％的范围内。

在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半导体中，所述In、Zn和Hf的含量可分别在约35至约55原子％，约35至约55原子％，和约5至约15原子％的范围内。

所述有机层可包括EML。所述空穴充入层与所述EML共享发光区域。

所述有机层可进一步包括在所述空穴充入层和所述EML之间的选自由HIL和HTL组成的组中的至少一层。

所述有机发光装置可进一步包括在所述EML和所述阴极之间的选自由ETL和EIL组成的组中的至少一层。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明各实施方式的以上和其它特征和优点将变得更为明显，其中：

图1是说明根据一个实施方式的有机发光装置堆叠结构的截面图；

图2是说明根据另一个实施方式的有机发光装置堆叠结构的截面图；

图3是根据实施方式的有机发光装置的截面图；

图4是说明实施例1和对比例1的有机发光装置的电流效率的图；

图5是说明实施例2和对比例2的有机发光装置的电流效率的图；

图6是说明实施例3和对比例3的有机发光装置的电流效率的图；

图7是说明实施例3和对比例3的有机发光装置的亮度随时间变化的图；

图8是说明在向实施例1和对比例1的有机发光装置施加脉冲电压后，发光强度随时间变化的图；

图9是说明实施例1的有机发光装置和实施例4的有机发光装置的波长谱图；且

图10是说明在形成氧化物半导体层时，光电流随热处理温度和氧气分压变化的图。

具体实施方式

以下将参照附图详细说明各实施方式。

图1是说明根据一个实施方式的有机发光装置堆叠结构的截面图。参照图1，氧化物半导体层12形成在阳极11上。空穴注入层(HIL)13、空穴传输层(HTL)14、发光层(EML)15、电子传输层(ETL)16和电子注入层(EIL)17按所述顺序依次形成在氧化物半导体层12上。阴极18形成在EIL17上。

阳极11可包括氧化铟(InO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，它们的复合物的材料。阳极11还可包括金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、铜(Cu)等。

氧化物半导体层12可为包括铟(In)、锌(Zn)和镓(Ga)的氧化物，或包括铟(In)、锌(Zn)和铪(Hf)的氧化物。

氧化物半导体层12的价带能级可在阳极11的功函能级和HIL 13的最高占有分子轨道(HOMO)能级之间。同时，为n型半导体的氧化物半导体层12具有许多电子以及非晶结构，从而氧化物半导体层12具有带尾态(band tail state)或深态(deep state)能级。氧化物半导体层12的带尾态或深态能级影响空穴从阳极11流向氧化物半导体层12。

在图1的堆叠结构中，氧化物半导体层12形成针对HIL 13的能障，并通过其中的电子捕获空穴，从而氧化物半导体层12可起到将空穴充入氧化物半导体层12中的空穴充入层(HCL)的作用。氧化物半导体层12充入空穴，然后快速地将空穴提供给EML，从而提高了有机发光装置的发光效率。

当氧化物半导体层12为包括In、Zn和Ga的氧化物时，In、Ga和Zn的含量可分别在约30至约50原子％，约30至约50原子％和约10至约35原子％的范围内。如果In的含量低于约30原子％，氧化物半导体层12可为绝缘体。另一方面，如果In含量高于约50原子％，可提高氧化物半导体层12的导电率，因此氧化物半导体层12可为导体。如果Ga含量低于约30原子％，氧化物半导体层12可为导体。另一方面，如果Ga含量高于约50原子％，氧化物半导体层12可为绝缘体。如果Zn含量低于约10原子％，氧化物半导体层12可为导体。另一方面，如果Zn含量高于约35原子％，氧化物半导体层12可为绝缘体。

当氧化物半导体层12为包括In、Zn和Hf的氧化物时，In、Zn和Hf的含量可分别在约35至约55原子％、约35至约55原子％和约5至约15原子％的范围内。

如果In含量低于约35原子％，氧化物半导体层12可为绝缘体。另一方面，如果In含量高于约55原子％，可提高氧化物半导体层12的导电率，因此氧化物半导体层12可为导体。如果Zn含量低于约35原子％，氧化物半导体层12可为导体。另一方面，如果Zn含量高于约55原子％，氧化物半导体层12可为绝缘体。如果Hf含量低于约5原子％，氧化物半导体层12可为导体。另一方面，如果Hf含量高于约15原子％，氧化物半导体层12可为绝缘体。

氧化物半导体层12可具有约10至约100nm的厚度。

HIL 13使空穴从氧化物半导体层12中移出。用于HIL 13的材料的实例包括但不限于4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚4-苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)。HIL 13的厚度可在约

至约

的范围内。

用于HTL 14的材料的实例包括但不限于N，N′-双(3-甲苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)。HTL 14的厚度可在约50至约

的范围内。

TPD α-NPD

EML 15可包括发光材料，或者主体和掺杂剂的组合。主体的实例包括但不限于Alq₃、4，4′-N，N′-二咔唑-联苯(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9，10-二-2-萘基蒽(TBADN)、E3和联苯乙烯(DSA)。

同时，公知的红色掺杂剂的实例包括但不限于PtOEP、Ir(piq)₃和Btp₂Ir(acac)。

同时，公知的绿色掺杂剂的实例包括Ir(ppy)₃(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)₂(acac)和Ir(mpyp)₃，但不限于此。

公知的蓝色掺杂剂的实例包括F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、三芴、4，4’-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)和2，5，8，11-四-叔丁基苝(TBPe)，但不限于此。

当EML 15包括主体和掺杂剂时，通常基于100重量份的主体，掺杂剂含量可在约0.01至约15重量份的范围内，但不限于此。EML 15的厚度可在约100至约

的范围内。

可用于形成ETL 16的材料的实例包括但不限于4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲(Bphen)、BAlq、三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、双(10-羟基苯并喹啉)铍(Bebq₂)和TPBi。ETL 16的厚度可在约100至约

的范围内。

EIL 17可包括任何电子注入材料。例如，EIL 17可包括选自由LiF、NaCl、CsF、Li₂O和BaF₂组成的组中的至少一种材料，但不限于此。EIL 17的厚度可在约1至约

的范围内。

图2是说明根据另一个实施方式的有机发光装置的堆叠结构的截面图。图2的堆叠结构与图1的堆叠结构的不同之处在于，在图2的有机发光装置中，EML 15直接形成在氧化物半导体层12上。

参照图2，氧化物半导体层12形成在阳极11上。EML 15、ETL 16和EIL 17按此顺序依次形成在氧化物半导体层12上。阴极18形成在EIL 17上。

通常，有机发光装置的EML中的发光区域靠近阳极布置。在该实施方式中，插入在阳极11和EML 15之间的氧化物半导体层12起到HCL的作用，并与EML 15共享发光区域，从而导致发光光谱不同于EML 15产生的发光光谱。来自氧化物半导体层12和EML 15的发光区域的发光受氧化物半导体层12能带结构的影响，且发光可出现在宽的可见波长范围内，这表明了该有机发光装置可发出白光。

图2的堆叠结构的材料与图1的堆叠结构的那些材料相同。

氧化物半导体层12在能态的特性以及氧化物半导体层12的电荷可通过改变溅射沉积氧化物半导体层12时的氧气分压和热处理温度来控制，或者可通过等离子体处理或紫外线(UV)-臭氧处理来控制。

图3是根据一个实施方式的有机发光装置的截面图。

参照图3，栅极110形成在基板101上，且栅绝缘层112形成在栅极110上。基板101可包括玻璃、石英或塑料，或者可包括其它材料，如硅、陶瓷或金属。当基板101包括移动的离子或当使用导电基板时，可形成缓冲层(未示出)以改善基板101的平整性并防止杂质进入基板101，或可形成缓冲层用于绝缘，或者可省略该缓冲层。缓冲层可包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。栅极110可包括选自由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)和钛(Ti)组成的组中的一种材料，或它们的合金。栅绝缘层112可包括绝缘层，如氧化硅层或氮化硅层。

有源层120形成在栅绝缘层112上以面向栅极110。有源层120可包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或有机半导体材料。

源极/漏极131和132穿过第一夹层绝缘层122与有源层120接触。根据本实施方式，堆叠结构140穿过第二夹层绝缘层134与源极131接触。源极/漏极131和132可包括选自由Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti和它们的合金组成的组中的至少一种材料。第一夹层绝缘层122和第二夹层绝缘层134可包括绝缘层，如氧化硅或氮化硅。

如参照图1所述，像素部分的堆叠结构140可包括按如下顺序依次堆叠的阳极、氧化物半导体层、HIL、HTL、EML、ETL、EIL和阴极。或者，如参照图2所述，像素部分的堆叠结构140可包括按如下顺序依次堆叠的阳极、氧化物半导体层、EML、ETL、EIL和阴极。

附图标记142表示像素界定层。像素界定层142可包括有机或无机材料。

根据上述实施方式的各有机发光装置的像素部分的堆叠结构可应用于发红光、绿光和蓝光的任何像素部分。根据上述实施方式的有机发光装置还可用作发白光的装置。

在根据上述实施方式的有机发光装置中，HCL中充入的空穴可快速注入到EML中，从而有机发光装置可具有高的发光效率。此外，当HCL接触EML时，HCL可与EML共享发光区域，从而导致在宽的波长范围内发光，发白光。

为了测定根据各实施方式的有机发光装置的特性并将这些特性与常规有机发光装置的那些特性做比较，在以下实施例中制造根据各实施方式的有机发光装置和常规的有机发光装置。

实施例1

根据图1的堆叠结构制造发蓝光的有机发光装置。将ITO层用作阳极，并将包括2∶2∶1比例的In、Ga、Zn的GIZO氧化物半导体层用作氧化物半导体层。

实施例2

根据图1的堆叠结构制造发红光的有机发光装置。将ITO层用作阳极，并将包括2∶2∶1比例的In、Ga、Zn的GIZO氧化物半导体层用作氧化物半导体层。

实施例3

根据图1的堆叠结构制造发绿光的有机发光装置。将ITO层用作阳极，并将包括2∶2∶1比例的In、Ga、Zn的GIZO氧化物半导体层用作氧化物半导体层。

实施例4

根据图2的堆叠结构制造发蓝光的有机发光装置。将ITO层用作阳极，并将包括2∶2∶1比例的In、Ga、Zn的GIZO氧化物半导体层用作氧化物半导体层。

对比例1

根据ITO阳极/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/阴极的堆叠结构制造发蓝光的有机发光装置。

对比例2

根据ITO阳极/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/阴极的堆叠结构制造发红光的有机发光装置。

对比例3

根据ITO阳极/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/阴极的堆叠结构制造发绿光的有机发光装置。

电流效率

表示前部亮度(frontal luminance)(L[cd/m²])比电流密度(J[A/m²])的值的电流效率与对有机发光装置施加的电压无关，因此用于评价发光材料的发光性能。

图4是说明实施例1和对比例1的有机发光装置的电流效率的图。在图4中，由▲和■表示的图分别示出了实施例1的有机发光装置的电流密度和电流效率。同时，在图4中，由△和□表示的图分别示出了对比例1的有机发光装置的电流密度和电流效率。由■表示的图的有机发光装置具有ITO阳极/GIZO氧化物半导体层/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/阴极的堆叠结构。由□表示的有机发光装置具有ITO阳极/HIL/HTL/EML/ETL/EIL/阴极的堆叠结构。GIZO氧化物半导体层使用包括2∶2∶1比例的In、Ga、Zn的氧化物半导体层。

在图4的图中，使用GIZO氧化物半导体层的实施例1的电流效率是不使用GIZO氧化物半导体层的对比例1的电流效率的约三倍。因此，使用GIZO氧化物半导体层的有机发光装置的电流效率得到极大改善。除了电流效率增加以外，还可延长有机发光装置的寿命。

图5是说明实施例2和对比例2的有机发光装置的电流效率的图。在图5中，由▲和■表示的图分别示出了实施例2的有机发光装置的电流密度和电流效率。同时，在图5中，由△和□表示的图分别示出了对比例2的有机发光装置的电流密度和电流效率。与发蓝光的有机发光装置相似，使用GIZO氧化物半导体层的发红光的有机发光装置的电流效率得到极大改善。

图6是说明实施例3和对比例3的有机发光装置的电流效率的图。在图6中，由▲和■表示的图分别示出了实施例3的有机发光装置的电流密度和电流效率。同时，在图6中，由△和□表示的图分别示出了对比例3的有机发光装置的电流密度和电流效率。与发蓝光的有机发光装置相似，使用GIZO氧化物半导体层的发绿光的有机发光装置的电流效率得到极大改善。

寿命

图7是实施例3和对比例3的有机发光装置的亮度随时间变化的图。在图7中，由●表示的图示出了实施例3的有机发光装置的亮度，由■表示的图示出了对比例3的有机发光装置的亮度。在图7的图中，当仅使用对比例3的ITO阳极时，有机发光装置的亮度降低。然而，当在实施例3的ITO阳极上形成GIZO氧化物半导体层时，有机发光装置的亮度发生变化，但该有机发光装置的亮度降低程度不明显。此外，即使随着时间推移，在ITO阳极上使用GIZO氧化物半导体层的实施例3的亮度高于仅使用ITO阳极的对比例3的亮度，从而延长了使用GIZO氧化物半导体层的有机发光装置的寿命。

瞬态电致发光(TEL)的测量

通常，当施加脉冲电压时，约1μs后开始发光，因为有机半导体层的高电阻导致空穴和电子需要时间来进入EML。开始发光的时间受有机半导体层中电荷迁移率以及与相邻有机半导体层能级差的影响。通常，由于进入EML的电荷因低迁移率而导致空间电荷限制电流(SCLC)，从而迫使电荷进入EML，因此发光曲线相对于时间可具有“S”型。在保持脉冲电压的同时，随着时间推移，EML被注入的电荷所饱和，保持了恒定的发光强度。该饱和的发光强度与以直流(DC)模式施加电压时的发光强度相同。

图8是说明在对实施例1和对比例1的有机发光装置施加脉冲电压后，发光强度随时间变化的图。在图8中，粗线表示实施例1的发光强度，细线表示对比例1的发光强度。

在图8的图中，在以10Hz的恒定频率对各有机发光装置的相反端施加正脉冲电压时，用示波器分别测定实施例1和对比例1的发蓝光的有机发光装置的发光强度。尽管图8中未示出，所施加的脉冲电压的宽度为20μs。

在图8中，对比例1的TEL示出了大致S型的图形。然而，实施例1的发光起始时间早于对比例1的发光起始时间，且与对比例1相比，实施例1的发光强度增大到9倍。当大量电荷快速进入EML时，可产生这种发光图形。然而，因为GIZO氧化物半导体层形成包括大量电子的n型半导体，所以来自阳极的空穴的注入因电相互作用而变慢，这与图8的图中早发光起始时间所希望的相反。

较早的发光起始时间归因于以下事实：当对有机发光装置施加电压时，GIZO氧化物半导体层中捕获的空穴，如GIZO氧化物半导体层中充入的空穴被快速注入EML。此外，认为从GIZO氧化物半导体层注入到EML中的空穴与比空穴先进入到EML中的电子结合，从而产生大的初始发光强度。因此，GIZO氧化物半导体层可起到HCL的作用。

图9是说明实施例1和实施例4的有机发光装置的波长谱的图。在图9中，粗线表示实施例4的有机发光装置的发光谱，细线表示实施例1的有机发光装置的发光谱。在图9的图中，与HIL和HTL形成在GIZO氧化物半导体层上的实施例1相比，EML直接形成在GIZO氧化物半导体层上的实施例4的发光强度在蓝色波长至700nm波长的宽波长范围内保持较高。因此，实施例4的有机发光装置可用于产生白光。

由于GIZO氧化物半导体层起到HCL的作用并与EML共享发光区域，且发光区域的发光受GIZO氧化物半导体层的能带结构影响，实施例4的有机发光装置在长波长带内显示出发光谱。

图10是说明当形成氧化物半导体层时，光电流随热处理温度和氧气分压的变化的图。对氧化物半导体层辐射365nm和4mW的UV射线，然后测量在两个不同点处所施加的光电流。在图10的图中，当氧气流速最小时，例如10sccm，光电流最大。然后，即使增大氧气流速，光电流也不会大幅改变。然而，当热处理温度为250℃时，光电流随氧气流速降低而增大。此外，图10的图示出了光电流随热处理温度变化。

光电流与导电率相关。随着材料导电率增大，光电流值也增大。参照图10的图，当形成氧化物半导体层时，氧化物半导体层的导电率可通过控制热处理温度和氧气流速来控制。同时，氧化物半导体层的导电率还可通过等离子体处理和UV-臭氧处理来控制。

尽管已参照示例性实施方式具体示出并描述了本发明实施方式，本领域普通技术人员应理解的是可在形式和细节上进行各种改变，而不背离由以下权利要求限定的本发明实施方式的精神和范围。

Claims

1.一种有机发光装置，包括：

阳极；

所述阳极上的包括氧化物半导体的空穴充入层；

形成在所述空穴充入层上的至少一个有机层；和

形成在所述有机层上的阴极。

2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述空穴充入层为包括In、Ga和Zn的氧化物半导体，或包括In、Zn和Hf的氧化物半导体。

3.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半导体中，所述In、Ga和Zn的含量分别为30至50原子％，30至50原子％和10至35原子％。

4.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半导体中，所述In、Zn和Hf的含量分别为35至55原子％，35至55原子％和5至15原子％。

5.根据权利要求2所述的有机发光装置，其中所述氧化物半导体的带隙能为3至3.5eV，且所述氧化物半导体的价带能在所述阳极的功函和接触所述空穴充入层的所述有机层的最高占有分子轨道能之间。

6.根据权利要求5所述的有机发光装置，其中所述氧化物半导体的能态包括带尾态能级和深态能级。

7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机层包括发光层。

8.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中所述空穴充入层和所述发光层共享发光区域。

9.根据权利要求8所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置发出400nm至700nm的光。

10.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中所述有机层进一步包括在所述空穴充入层和所述发光层之间的选自由空穴注入层和空穴传输层组成的组中的至少一层。

11.根据权利要求7或8所述的有机发光装置，进一步包括在所述发光层和所述阴极之间的选自由电子传输层和电子注入层组成的组中的至少一层。

12.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述阳极包括氧化铟锡或氧化铟锌。

13.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置发出蓝光、红光或绿光。

14.根据权利要求1所述的有机发光装置，进一步包括：

基板；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括形成在所述基板上的栅极、形成在所述栅极和所述基板上的栅绝缘层、面向所述栅极并形成在所述栅绝缘层上的有源层，以及与所述有源层电连接的源极和漏极；和

绝缘层，

其中所述阳极穿过所述绝缘层接触所述源极和所述漏极。

15.一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成包括氧化物半导体的空穴充入层；

在所述空穴充入层上形成至少一个有机层；和

在所述有机层上形成阴极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述空穴充入层为包括In、Ga和Zn的氧化物半导体，或包括In、Zn和Hf的氧化物半导体。

17.根据权利要求15所述的方法，其中在包括In、Ga和Zn的所述氧化物半导体中，所述In、Ga和Zn的含量分别为30至50原子％，30至50原子％和10至35原子％。

18.根据权利要求15所述的方法，其中在包括In、Zn和Hf的所述氧化物半导体中，所述In、Zn和Hf的含量分别为35至55原子％，35至55原子％和5至15原子％。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述氧化物半导体的带隙能为3至3.5eV，且所述氧化物半导体的价带能在所述阳极的功函和接触所述空穴充入层的所述有机层的最高占有分子轨道能之间。